6供給流體FL時，流體FL通過連接部分217被提供到溫度控制件220。
[0060]在本示例性實施例中，流體FL可以是冷卻水。因此，當流體FL被提供到溫度控制件220時，第一輥R1-3的表面可以由流體FL冷卻。如上所述，當第一輥Rl_3的表面由流體FL冷卻時，產生以下效果。
[0061]如參考圖1A所描述，在進行膜剝離工藝之前，在附著有供體膜53和密封膜52的基底51上進行激光誘導熱成像工藝，并且形成在供體膜53上的有機發(fā)光層EML被轉印到基底51。供體膜53包括基膜Fl和形成在基膜Fl上的光熱轉換層F2，并且在激光誘導熱成像工藝期間照射到供體膜53的激光束的光能由光熱轉換層F2轉換成熱能。因此，光熱轉換層F2的體積由于熱能而增加，使得有機發(fā)光層EML接觸由設置在基體基底BS上的像素限定層PDL限定的像素區(qū)域。其結果是，有機發(fā)光層EML可以從供體膜53被轉印到基底51。
[0062]如果在光熱轉換層F2沒有被冷卻并具有增加的體積時進行膜剝離工藝，則光熱轉換層F2可能部分地接觸轉印到基體基底BS的有機發(fā)光層EML。因此，在膜剝離工藝期間，轉印到基底51的有機發(fā)光層EML的一部分可能被轉印到光熱轉換層F2。然而，在本示例性實施例中，在膜剝離工藝期間，光熱轉換層F2被溫度控制件220冷卻，并且光熱轉換層F2的體積減小。因此，在光熱轉換層F2和有機發(fā)光層EML之間產生間隙，從而防止了有機發(fā)光層EML被再轉印到光熱轉換層F2。
[0063]第一和第二輥R1-3和R2中的至少一個可以包括靜電吸盤ESC。第一和第二輥R1-3和R2 _■者都可以是靜電吸盤ESC。
[0064]第一輥R1-3可以進一步包括如圖4A、圖4B和圖5所公開的由貫穿第一輥R1-3形成并延伸到第一輥R1-3的表面的多個氣體排出部分210限定的氣體噴射部件200。
[0065]圖8是示出根據本公開的另一示例性實施例的膜剝離裝置的視圖。在圖8中，相同的附圖標記指代圖1A、圖1B和圖2中的相同元件，因此相同元件的詳細描述將被省略。
[0066]第一和第二輥Rl和R2中的至少一個可以包括靜電吸盤ESC。第一和第二輥Rl和R2 二者都可以是靜電吸盤ESC。
[0067]參考圖8，除了膜剝離裝置104沿重力方向D3從基底51剝離供體膜53和密封膜52之外，圖8中所示的膜剝離裝置104具有與圖1A中所示的膜剝離裝置100相似的結構。
[0068]在這種情況下，在膜剝離工藝期間從基底51、密封膜52和供體膜53產生的顆粒沿腔室Cl的重力方向D3移動。因此，可以防止顆粒進入在其上完全進行膜剝離工藝的基底51。
[0069]盡管已經描述了本發(fā)明的示例性實施例，但應理解的是，本發(fā)明不應限于這些示例性實施例，本領域普通技術人員可以在隨后要求權利的本發(fā)明的精神和范圍內進行各種改變和修改。
【主權項】
1.一種剝離附著于基底的膜的膜剝離裝置，包括: 腔室； 傳送單元，設置在所述腔室中以傳送所述基底；和 第一剝離輥，設置在所述腔室中，所述第一剝離輥的每一個均包括靜電吸盤以吸附附著于所述基底的第一膜，并且所述第一剝離輥卷繞所吸附的所述第一膜以從所述基底剝離所述第一膜。
2.根據權利要求1所述的膜剝離裝置，其中所述第一剝離輥包括: 吸附并卷繞所述第一膜的上表面的第一輥；和 面對所述第一輥的第二輥，使得所述第一膜被設置在所述第一輥與所述第二輥之間，并且所述第二輥卷繞所述第一膜的下表面。
3.根據權利要求2所述的膜剝離裝置，其中所述第一剝離輥在卷繞所述第一膜時與所述基底隔開。
4.根據權利要求2所述的膜剝離裝置，其中所述第一輥在卷繞所述第一膜時接觸所述基底。
5.根據權利要求1所述的膜剝離裝置，進一步包括設置在所述腔室中以面對所述第一剝離輥的第二剝離輥，使得所述基底被設置在所述第一剝離輥與所述第二剝離輥之間，其中所述第二剝離輥卷繞與所述第一膜協(xié)作而將所述基底密封的第二膜，以從所述基底剝離所述第二膜。
6.根據權利要求5所述的膜剝離裝置，進一步包括: 夾持單元，設置在所述腔室中，以分別夾持從所述基底剝離的所述第一膜和所述第二膜；和 驅動單元，結合到所述夾持單元，以在所述腔室中移動所述夾持單元。
7.—種剝離附著于基底的膜的膜剝離裝置，包括: 腔室； 傳送單元，設置在所述腔室中以傳送所述基底；和 設置在所述腔室中的第一剝離輥，所述第一剝離輥卷繞附著于所述基底的第一膜以從所述基底剝離所述第一膜，并且所述第一剝離輥包括氣體噴射部件以向所述第一膜噴射氣體。
8.根據權利要求7所述的膜剝離裝置，其中所述第一剝離輥包括: 卷繞所述第一膜的上表面的第一輥；和 面對所述第一輥的第二輥，使得所述第一膜被設置在所述第一輥與所述第二輥之間，并且所述第二輥卷繞所述第一膜的下表面， 其中所述氣體噴射部件被設置在所述第一輥中。
9.根據權利要求8所述的膜剝離裝置，其中所述第一剝離輥在卷繞所述第一膜時與所述基底隔開，并且所述第一剝離輥向所述第一膜噴射所述氣體。
10.根據權利要求8所述的膜剝離裝置，進一步包括連接到所述氣體噴射部件以向所述氣體噴射部件提供所述氣體的氣體供給單元，其中所述氣體噴射部件由貫穿所述第一輥形成并延伸到所述第一輥的表面的多個氣體排出部分限定。
11.根據權利要求8所述的膜剝離裝置，進一步包括: 夾持單元，設置在所述腔室中，以分別夾持從所述基底剝離的所述第一膜和所述第二膜；和 驅動單元，結合到所述夾持單元，以在所述腔室中移動所述夾持單元。
12.根據權利要求7所述的膜剝離裝置，進一步包括設置在所述腔室中以面對所述第一剝離輥的第二剝離輥，使得所述基底被設置在所述第一剝離輥與所述第二剝離輥之間，其中所述第二剝離輥卷繞與所述第一膜協(xié)作而將所述基底密封的第二膜，以從所述基底剝離所述第二膜。
13.—種剝離附著于基底的膜的膜剝離裝置，包括: 腔室； 傳送單元，設置在所述腔室中以傳送所述基底；和 設置在所述腔室中的第一剝離輥，所述第一剝離輥卷繞附著于所述基底的第一膜以從所述基底剝離所述第一膜，并且所述第一剝離輥包括溫度控制件。
14.根據權利要求13所述的膜剝離裝置，其中所述第一剝離輥包括: 卷繞所述第一膜的上表面的第一輥；和 面對所述第一輥的第二輥，使得所述第一膜被設置在所述第一輥與所述第二輥之間，所述第二輥卷繞所述第一膜的下表面， 其中所述溫度控制件被設置在所述第一輥中。
15.根據權利要求14所述的膜剝離裝置，進一步包括連接到所述溫度控制件以向所述溫度控制件提供流體的流體供給單元， 其中所述溫度控制件被形成在所述第一輥中，并且所述溫度控制件沿所述第一輥的表面延伸，并具有管形狀以容納所述流體。
16.根據權利要求15所述的膜剝離裝置，其中所述流體是冷卻水。
17.根據權利要求15所述的膜剝離裝置，其中所述流體是溫水。
18.根據權利要求14所述的膜剝離裝置，進一步包括: 夾持單元，設置在所述腔室中，以分別夾持從所述基底剝離的所述第一膜和所述第二膜；和 驅動單元，結合到所述夾持單元，以在所述腔室中移動所述夾持單元。
19.根據權利要求13所述的膜剝離裝置，進一步包括設置在所述腔室中以面對所述第一剝離輥的第二剝離輥，使得所述基底被設置在所述第一剝離輥與所述第二剝離輥之間，其中所述第二剝離輥卷繞與所述第一膜協(xié)作而將所述基底密封的第二膜，以從所述基底剝離所述第二膜。
【專利摘要】一種剝離附著于基底的膜的膜剝離裝置包括腔室、傳送單元和第一剝離輥。傳送單元被設置在腔室中以傳送基底。第一剝離輥被設置在腔室中，第一剝離輥的每一個均包括靜電吸盤，以吸附附著于基底的第一膜。第一剝離輥卷繞所吸附的第一膜，以從基底剝離第一膜。
【IPC分類】H01L21-00, H01L51-56
【公開號】CN104576306
【申請?zhí)枴緾N201410363002
【發(fā)明人】李炳哲, 金東述, 樸宰奭, 樸鎮(zhèn)翰
【申請人】三星顯示有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年7月28日
【公告號】US20150101759