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      發(fā)光器件及其制造方法

      文檔序號(hào):8414228閱讀:212來(lái)源:國(guó)知局
      發(fā)光器件及其制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本公開(kāi)的實(shí)施例涉及白色LED器件及其制造方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]白色LED器件由于長(zhǎng)壽命和低功耗而用于各種照明設(shè)備中。具體地說(shuō),對(duì)產(chǎn)生白光的白色LED器件的需求在增加。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本公開(kāi)的實(shí)施例包括具有更高的發(fā)光效率和更長(zhǎng)的壽命的各種白色LED器件及其制造方法。
      [0004]本公開(kāi)的實(shí)施例提供了一種發(fā)光器件。所述發(fā)光器件包括LED芯片,其具有第一主表面、與第一主表面相對(duì)的第二主表面以及在第一主表面與第二主表面之間延伸的一個(gè)或多個(gè)側(cè)表面。反射側(cè)層包圍LED芯片的一個(gè)或多個(gè)側(cè)表面。反射側(cè)層具有沿著第一方向延伸的第一主表面和與第一主表面相對(duì)的第二主表面以及沿著基本垂直于所述第一方向的第二方向在第一主表面與第二主表面之間延伸的開(kāi)口。所述開(kāi)口包圍所述LED芯片。磷光體膜覆蓋在LED芯片的第一主表面和反射側(cè)層的第一主表面上。至少一個(gè)電極設(shè)置在LED芯片的第二主表面上。
      [0005]在發(fā)光器件的特定實(shí)施例中,反射側(cè)層可具有沿著第二方向在反射側(cè)層的第一主表面與第二主表面之間延伸的一個(gè)或多個(gè)外側(cè)表面。磷光體膜可具有第一主表面和與第一主表面相對(duì)的第二主表面以及在磷光體膜的第一主表面與第二主表面之間延伸的一個(gè)或多個(gè)側(cè)表面。反射側(cè)層的外側(cè)表面和磷光體膜的側(cè)表面可沿著所述第二方向基本對(duì)齊。
      [0006]在特定實(shí)施例中,所述發(fā)光器件還可包括在磷光體膜與LED芯片之間的緩沖層。緩沖層可沿著LED芯片的側(cè)表面延伸。
      [0007]在特定實(shí)施例中,所述發(fā)光器件還可包括緩沖層。緩沖層的外側(cè)表面可沿著所述第二方向與反射側(cè)層的外側(cè)表面和磷光體膜的側(cè)表面基本對(duì)齊。
      [0008]在發(fā)光器件的特定實(shí)施例中,磷光體膜包括第一磷光體膜層和第二磷光體膜層,所述第一磷光體膜層包括第一磷光體材料,所述第二磷光體膜層包括第二磷光體材料,其中,第二磷光體材料與第一磷光體材料不同。
      [0009]在本公開(kāi)的另一實(shí)施例中,提供了一種發(fā)光器件,該發(fā)光器件包括LED芯片,其具有第一主表面、與第一主表面相對(duì)的第二主表面以及在第一主表面與第二主表面之間延伸的一個(gè)或多個(gè)側(cè)表面。反射側(cè)層包圍LED芯片的一個(gè)或多個(gè)側(cè)表面,其中,反射側(cè)層具有第一主表面和與第一主表面相對(duì)的第二主表面。磷光體膜覆蓋在LED芯片的第一主表面和反射側(cè)層的第一主表面上。至少一個(gè)電極設(shè)置在LED芯片的第二主表面上。LED芯片的第二主表面和反射側(cè)層的第二主表面基本共面。
      [0010]在發(fā)光器件的特定實(shí)施例中,磷光體膜可包括第一磷光體膜層和第二磷光體膜層,所述第一磷光體膜層包括第一磷光體材料,所述第二磷光體膜層包括第二磷光體材料,其中,第二磷光體材料與第一磷光體材料不同。
      [0011]在本公開(kāi)的另一實(shí)施例中,提供了一種發(fā)光器件,該發(fā)光器件包括LED芯片,其具有第一主表面、與第一主表面相對(duì)的第二主表面和在第一主表面與第二主表面之間延伸的一個(gè)或多個(gè)側(cè)表面。磷光體側(cè)層包圍LED芯片的一個(gè)或多個(gè)側(cè)表面,其中,磷光體側(cè)層具有沿著第一方向延伸的第一主表面和與第一主表面相對(duì)的第二主表面。磷光體膜覆蓋在LED芯片的第一主表面和磷光體側(cè)層的第一主表面上,其中,磷光體膜具有沿著第一方向延伸的第一主表面和與第一主表面相對(duì)的第二主表面。至少一個(gè)電極設(shè)置在LED芯片的第二主表面上。磷光體膜和磷光體側(cè)層彼此不同。
      [0012]在發(fā)光器件的特定實(shí)施例中,磷光體膜和磷光體側(cè)層具有不同的磷光體材料濃度。磷光體側(cè)層的磷光體材料濃度可小于磷光體膜的磷光體材料濃度。磷光體側(cè)層的磷光體材料濃度可為磷光體膜的磷光體材料濃度的約35-50%。
      [0013]在發(fā)光器件的特定實(shí)施例中,磷光體側(cè)層包括第一磷光體材料,并且磷光體膜包括第二磷光體材料,其中,第二磷光體材料與第一磷光體材料不同。
      [0014]在發(fā)光器件的特定實(shí)施例中,磷光體側(cè)層可具有沿著基本垂直于第一方向的第二方向在磷光體側(cè)層的第一主表面與第二主表面之間延伸的一個(gè)或多個(gè)外側(cè)表面,并且磷光體膜具有沿著第二方向在磷光體膜的第一主表面與第二主表面之間延伸的一個(gè)或多個(gè)側(cè)表面。所述發(fā)光器件還可包括在磷光體膜與磷光體側(cè)層之間的緩沖層,其中,緩沖層的側(cè)表面沿著所述第二方向與磷光體側(cè)層的外側(cè)表面和磷光體膜的側(cè)表面基本對(duì)齊。
      [0015]在特定實(shí)施例中,所述發(fā)光器件還可包括在磷光體膜與磷光體側(cè)層之間的緩沖層。緩沖層可沿著LED芯片的側(cè)表面延伸。
      [0016]在發(fā)光器件的特定實(shí)施例中,磷光體膜可包括第一磷光體膜層和第二磷光體膜層,第一磷光體膜層包括第一磷光體材料,第二磷光體膜層包括第二磷光體材料,其中,第二磷光體材料與第一磷光體材料不同。
      [0017]在本公開(kāi)的另一實(shí)施例中,提供了一種制造發(fā)光器件的方法,該方法包括步驟:形成磷光體膜并將多個(gè)LED芯片附著至磷光體膜上。各個(gè)LED芯片具有第一主表面和與第一主表面相對(duì)的第二主表面。LED芯片的第一主表面附著至磷光體膜,并且各個(gè)LED芯片彼此間隔開(kāi)。在附著LED芯片之后,將磷光體膜固化。反射材料沉積在間隔開(kāi)的各個(gè)LED芯片之間以形成反射側(cè)層。執(zhí)行單分處理以形成多個(gè)分離的LED器件。
      [0018]在所述方法的特定實(shí)施例中,LED芯片的第二主表面和反射側(cè)層的主表面可基本共面。
      [0019]在所述方法的特定實(shí)施例中,反射側(cè)層可具有沿著第一方向延伸的第一主表面和相對(duì)的第二主表面以及沿著基本垂直于所述第一方向的第二方向在反射側(cè)層的第一主表面與第二主表面之間延伸的一個(gè)或多個(gè)外側(cè)表面。磷光體膜可具有沿著所述第一方向延伸的第一主表面和相對(duì)的第二主表面以及沿著所述第二方向在磷光體膜的第一主表面與第二主表面之間延伸的一個(gè)或多個(gè)側(cè)表面。反射側(cè)層的外側(cè)表面和磷光體膜的側(cè)表面可沿著所述第二方向基本對(duì)齊。
      [0020]在所述方法的特定實(shí)施例中,固化所述磷光體膜的步驟可包括:在沉積反射材料之前部分地固化;以及在沉積反射材料之后進(jìn)一步固化。
      [0021]在特定實(shí)施例中,所述方法還可包括在磷光體膜和LED芯片之間形成緩沖層。緩沖層可沿著LED芯片的側(cè)表面延伸??赏ㄟ^(guò)將緩沖材料噴射至磷光體膜上或者將緩沖材料壓印在磷光體膜上來(lái)將緩沖層施加于磷光體膜??稍诓糠值毓袒坠怏w膜之后形成緩沖層O
      [0022]在特定實(shí)施例中,所述方法還可包括在磷光體膜與LED芯片之間形成緩沖層,其中,緩沖層的側(cè)表面沿著所述第二方向與反射側(cè)層的外側(cè)表面和磷光體膜的側(cè)表面基本對(duì)齊。
      [0023]在所述方法的特定實(shí)施例中,形成磷光體膜的步驟可包括:形成包括第一磷光體材料的第一磷光體膜層和形成包括第二磷光體材料的第二磷光體膜層,其中,第二磷光體材料與第一磷光體材料不同。
      [0024]在所述方法的特定實(shí)施例中,可通過(guò)加熱磷光體膜來(lái)將磷光體膜固化。
      [0025]在特定實(shí)施例中,所述方法還可包括在形成磷光體膜之前形成剝離層。可利用刮刀或輥?zhàn)訉⒘坠怏w膜涂覆于剝離層。
      [0026]在本公開(kāi)的另一實(shí)施例中,提供了一種制造發(fā)光器件的方法,包括步驟:形成磷光體膜并將多個(gè)LED芯片附著至磷光體膜上。各個(gè)LED芯片具有第一主表面和與第一主表面相對(duì)的第二主表面,其中,LED芯片的第一主表面附著至磷光體膜,并且各個(gè)LED芯片彼此間隔開(kāi)。在附著LED芯片之后,將磷光體膜固化。在間隔開(kāi)的各個(gè)LED芯片之間沉積磷光體材料以形成磷光體側(cè)層。執(zhí)行單分處理以形成多個(gè)分離的LED器件。
      [0027]在所述方法的特定實(shí)施例中,磷光體膜和磷光體側(cè)層可彼此不同。磷光體膜和磷光體側(cè)層可具有不同的磷光體材料濃度,并且磷光體側(cè)層的磷光體材料濃度可小于磷光體膜的磷光體材料濃度。磷光體側(cè)層的磷光體材料濃度可為磷光體膜的磷光體材料濃度的約35-50%。
      [0028]在所述方法的特定實(shí)施例中,LED芯片的第二主表面和磷光體側(cè)層的主表面基本共面。
      [0029]在所述方法的特定實(shí)施例中,固化所述磷光體膜的步驟包括:在沉積磷光體材料之前部分地固化;以及在沉積磷光體材料之后進(jìn)一步固化。
      [0030]在所述方法的特定實(shí)施例中,磷光體側(cè)層具有沿著第一方向延伸的第一主表面和相對(duì)的第二主表面以及沿著基本垂直于所述第一方向的第二方向在第一主表面與第二主表面之間延伸的一個(gè)或多個(gè)外側(cè)表面。磷光體膜可具有沿著所述第一方向延伸的第一主表面和相對(duì)的第二主表面以及沿著所述第二方向在第一主表面與第二主表面之間延伸的一個(gè)或多個(gè)側(cè)表面。磷光體側(cè)層的外側(cè)表面和磷光體膜的側(cè)表面可沿著所述第二方向基本對(duì)齊。在特定實(shí)施例中,可在磷光體膜與LED芯片之間形成緩沖層,其中,緩沖層的外側(cè)表面沿著所述第二方向與磷光體側(cè)層的外側(cè)表面和磷光體膜的側(cè)表面基本對(duì)齊。
      [0031]在特定實(shí)施例中,所述方法還可包括在磷光體膜與LED芯片之間形成緩沖層。緩沖層可沿著LED芯片的側(cè)表面延伸??赏ㄟ^(guò)將緩沖材料噴射到磷光體膜上或者將緩沖材料壓印到磷光體膜上來(lái)將緩沖層施加于磷光體膜??稍诓糠值毓袒坠怏w膜之后形成緩沖層O
      [0032]在所述方法的特定實(shí)施例中,所述形成磷光體膜的步驟可包括形成包括第一磷光體材料的第一磷光體膜層和形成包括第二磷光體材料的第二磷光體膜層,其中,第二磷光體材料與第一磷光體材料不同。
      [0033]在所述方法的特定實(shí)施例中,可通過(guò)加熱磷光體膜來(lái)固化磷光體膜。
      [0034]在特定實(shí)施例中,所述方法還包括在形成磷光體膜之前形成剝離層??衫霉蔚痘蜉?zhàn)訉⒘坠怏w膜涂覆于剝離層。
      [0035]本公開(kāi)的其它實(shí)施例提供了一種具有白色LED器件的照明模塊和照明系統(tǒng)。
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