半導(dǎo)體晶片的加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及沿著半導(dǎo)體晶片的間隔道形成分割槽的半導(dǎo)體晶片的加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 對于由格子狀的間隔道劃分而形成1C(集成電路）、LSI(大規(guī)模集成電路）等器 件的半導(dǎo)體晶片，通過在間隔道處進(jìn)行沿縱橫切削的切割，而將所述半導(dǎo)體晶片分割成一 個個的器件等半導(dǎo)體巧片。器件及間隔道由在半導(dǎo)體晶片中的半導(dǎo)體基板的表面上層疊的 層疊體形成。層疊體例如是通過層疊Low-k膜（低介電常數(shù)絕緣膜）和形成電路的功能膜 而形成的。
[000引近期，為了保護(hù)器件，在器件及間隔道的表面覆蓋有由Si02、SiF、SiON、SiO(SiyOy) 等氧化物構(gòu)成的被稱作純化膜的保護(hù)膜的半導(dǎo)體晶片正在實(shí)用化。當(dāng)對所述半導(dǎo)體晶片中 的半導(dǎo)體基板照射具有吸收性的波長（355nm)的激光光線時，達(dá)到帶隙能量而破壞原子的 結(jié)合力，從而進(jìn)行燒蝕加工。如果在器件及間隔道的表面覆蓋有由氧化物構(gòu)成的純化膜，貝U 透過了純化膜的激光光線在半導(dǎo)體基板上進(jìn)行燒蝕加工，從而存在從內(nèi)部破壞純化膜該樣 的問題。因此，例如在專利文獻(xiàn)1中，提出了如下加工方法：照射對于純化膜具有吸收性的 激光光線，在將純化膜去除后進(jìn)行分割加工。
[0004] 專利文獻(xiàn)1 ;日本特開2013-102039號公報
[0005] 然而，在半導(dǎo)體晶片的層疊體上覆蓋有玻璃純化膜的情況下，在專利文獻(xiàn)1中的 激光光線的照射條件下，激光光線會透過玻璃純化膜。因此，透過的激光光線會對由玻璃純 化膜保護(hù)的層疊體等進(jìn)行燒蝕加工，從而存在從半導(dǎo)體晶片的內(nèi)部破壞玻璃純化膜該樣的 問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明是鑒于上述問題而完成，其目的在于提供一種半導(dǎo)體晶片的加工方法，其 抑制了激光光線透過玻璃純化膜而從內(nèi)部破壞該玻璃純化膜該樣的情況，并能夠沿著間隔 道形成分割槽。
[0007] 本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的加工方法是在半導(dǎo)體晶片上沿著間隔道形成分割槽的加 工方法，在該半導(dǎo)體晶片中，利用形成為格子狀的多條間隔道劃分出多個器件，所述多個器 件由在半導(dǎo)體基板的表面層疊的含有絕緣膜和功能膜的層疊體形成，并且，在器件及間隔 道的表面覆蓋形成有玻璃純化膜，該半導(dǎo)體晶片的加工方法的特征在于，所述半導(dǎo)體晶片 的加工方法包括如下工序；純化膜切斷槽形成工序，從玻璃純化膜側(cè)沿著間隔道照射對于 玻璃純化膜具有吸收性的波長的C〇2激光光線，沿著間隔道去除玻璃純化膜而形成切斷槽； 和分割槽形成工序，在實(shí)施了純化膜切斷槽形成工序后，沿著切斷槽照射對于層疊體具有 吸收性的波長的激光光線，沿著間隔道去除層疊體而形成分割槽。
[000引根據(jù)該方法，在純化膜切斷槽形成工序中，由于照射了僅對于玻璃純化膜具有吸 收性的波長的C02激光光線，因此能夠抑制所述C0 2激光光線透過玻璃純化膜。從而，能夠 抑制被玻璃純化膜覆蓋的層疊體由于C02激光光線的照射而被燒蝕加工該一情況。由此， 能夠防止從內(nèi)部破壞玻璃純化膜，并能夠沿著間隔道去除玻璃純化膜而形成切斷槽，然后， 能夠在切斷槽處形成分割槽。
[0009] 優(yōu)選的是，在本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的加工方法中，在純化膜切斷槽形成工序中照 射的C〇2激光光線的波長被設(shè)定為9. 4ym至10. 6ym
[0010] 根據(jù)本發(fā)明，抑制了激光光線透過玻璃純化膜而從內(nèi)部破壞該玻璃純化膜該樣的 情況，并能夠沿著間隔道形成分割槽。
【附圖說明】
[0011] 圖1是適合于實(shí)施本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的加工方法的加工裝置的立體圖。
[0012] 圖2的A是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶片被支承于框架的狀態(tài)的立體圖，圖2的B是 半導(dǎo)體晶片的主要部分放大剖視圖。
[0013] 圖3的A是構(gòu)成上述加工裝置的第1激光光線照射構(gòu)件的模塊結(jié)構(gòu)圖，圖3的B 是構(gòu)成上述加工裝置的第2激光光線照射構(gòu)件的模塊結(jié)構(gòu)圖。
[0014] 圖4的A及圖4的B是示出本實(shí)施方式的純化膜切斷槽形成工序的一例的圖。
[0015] 圖5的A及圖5的B是示出本實(shí)施方式的分割槽形成工序的一例的圖。
[0016] 標(biāo)號說明
[0017] 1;加工裝置；
[00化]D;器件；
[0019] Lc;C〇2激光光線；
[0020] Ly;脈沖激光光線；
[0021] Ml;切斷槽；
[00巧 m2;分割槽；
[002引 ST;間隔道；
[0024] W;半導(dǎo)體晶片；
[0025] W1 ;半導(dǎo)體基板；
[0026] W2;層疊體；
[0027] W3 ;玻璃純化膜。
【具體實(shí)施方式】
[002引 W下，參照附圖，對本實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶片的加工方法進(jìn)行說明。圖1是加工裝 置的立體圖。圖2的A是支承于框架的半導(dǎo)體晶片的立體圖，圖2的B是半導(dǎo)體晶片的主 要部分放大剖視圖。另外，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶片的加工方法中使用的加工裝置并不 限定于圖1所示的結(jié)構(gòu)，只要能夠與本實(shí)施方式相同地加工半導(dǎo)體晶片，可W是任意的加 工裝置。
[0029] 如圖1所示，加工裝置1構(gòu)成為：利用在卡盤工作臺3的上方設(shè)置的第1激光光線 照射構(gòu)件5及第2激光光線照射構(gòu)件6對在基座上的卡盤工作臺3上保持的圓板狀的半導(dǎo) 體晶片W進(jìn)行加工。
[0030] 該里，參照圖2,對成為加工對象的半導(dǎo)體晶片W進(jìn)行說明。如圖2所示，關(guān)于半 導(dǎo)體晶片w，在由娃形成的半導(dǎo)體基板化的表面Wla上，利用形成為格子狀的多條間隔道ST劃分出多個區(qū)域，并且在該劃分出的區(qū)域中形成有1C(集成電路）、LSI(大規(guī)模集成電 路）等器件D。如圖2的B所示，間隔道ST和器件D由層疊于半導(dǎo)體基板化的表面Wla的 層疊體W2形成。層疊體W2具有由Low-k膜（低介電常數(shù)絕緣膜）形成的絕緣膜和形成電 路的功能膜。在形成有間隔道ST和器件D的層疊體W2的表面W2a上，覆蓋并形成有由二 氧化娃（Si〇2)、SiF、SiON、SiO(SiyOy)等氧化物構(gòu)成的玻璃純化膜W3。而且，在玻璃純化膜 W3的表面W3a形成有水溶性的保護(hù)膜W4,該保護(hù)膜W4可防止飛散的碎屑附著于玻璃純化 膜W3?；氐綀D2的A，在半導(dǎo)體基板化的背面粘貼有由合成樹脂片構(gòu)成的保護(hù)帶T。半導(dǎo) 體晶片W借助該保護(hù)帶T安裝于環(huán)狀的框架F。
[0031] 回到圖1，在卡盤工作臺3的表面，利用多孔質(zhì)陶瓷材料形成有從背面?zhèn)瘸槲３?半導(dǎo)體晶片W的保持面3a。保持面3a通過卡盤工作臺3內(nèi)的流路與抽吸源（未圖示）連 接?？ūP工作臺3具有圓盤形狀，并且被設(shè)置成能夠借助未圖示的旋轉(zhuǎn)構(gòu)件W圓盤中屯、為 軸旋轉(zhuǎn)。在卡盤工作臺3的周圍經(jīng)由支承臂設(shè)有一對夾緊部9。各夾緊部9由空氣驅(qū)動器 驅(qū)動，由此，半導(dǎo)體晶片W的周圍的框架F被從軸向兩側(cè)夾持并固定。
[0032] 在卡盤工作臺3的下方設(shè)有由圓筒部件10支承的罩11。圓筒部件10設(shè)置在分 度進(jìn)給構(gòu)件13的上方。分度進(jìn)給構(gòu)件13具有；與Y軸方向平行的一對導(dǎo)軌14及滾珠絲杠 15 ;和W能夠滑動的方式設(shè)置于一對導(dǎo)軌14上的Y軸工作臺16。在Y軸工作臺16的背面 側(cè)形成有未圖示的螺母部，滾珠絲杠15螺合于該螺母部。而且，通過驅(qū)動在滾珠絲杠15的 一端部連結(jié)的驅(qū)動馬達(dá)17旋轉(zhuǎn)，Y軸工作臺16沿著導(dǎo)軌14在分度進(jìn)給方向（Y軸方向）上 移動。
[0033] 分度進(jìn)給構(gòu)件13被設(shè)在構(gòu)成加工進(jìn)給構(gòu)件20的X軸工作臺21上。加工進(jìn)給構(gòu) 件20還包括配置在基座2上的與X軸方向平行的一對導(dǎo)軌22和滾珠絲杠23,X軸工作臺 21W能夠滑動的方式設(shè)置在一對導(dǎo)軌22上。在X軸工作臺21的背面?zhèn)刃纬捎形磮D示的螺 母部，滾珠絲杠23螺合于該螺母部。而且，通過驅(qū)動在滾珠絲杠23的一端部連結(jié)的驅(qū)動馬 達(dá)24旋轉(zhuǎn)，X軸工作臺21沿著導(dǎo)軌22在加工進(jìn)給方向狂軸方向）上移動。
[0034] 第1激光光線照射構(gòu)件5被設(shè)置成能夠借助于第1支承機(jī)構(gòu)27在卡盤工作臺3 的上方沿Y軸方向及Z軸方向移動。第1支承機(jī)構(gòu)27具有；配置在基座2上的與Y軸方向 平行的一對導(dǎo)軌28 ;和W能夠滑動的方式設(shè)置于一對導(dǎo)軌28的馬達(dá)驅(qū)動的Y軸工作臺29。 Y軸工作臺29在俯視觀察時形成為矩形形狀，并且在其X軸方向的一端部立起設(shè)置有側(cè)壁 部30。
[0035] 并且，第1支承機(jī)構(gòu)27具有；設(shè)置于側(cè)壁部30的壁面上的與Z軸方向平行的一對 導(dǎo)軌32(僅圖示了 1個）；和W能夠滑動的方式設(shè)置于一對導(dǎo)軌32的Z軸工作臺33。并 且，在Y軸工作臺29、Z軸工作臺33的背面?zhèn)确謩e形成有未圖示的螺母部，在該些螺母部中 螺合有滾珠絲杠34、35。而且，通過驅(qū)動在滾珠絲杠34、35的一端部連結(jié)的驅(qū)動馬達(dá)36、37 旋轉(zhuǎn)，第1激光光線照射構(gòu)件5沿著導(dǎo)軌28、32在Y軸方向及Z軸方向上移動。
[0036] 第1激光光線照射構(gòu)件5包括懸臂支承于Z軸工作臺33的圓筒形狀的外殼40。 并且，第1激光光線照射構(gòu)件5具備；安裝于外殼40的末端的第1聚光器41 ;和配設(shè)在外 殼40內(nèi)的脈沖激光光線振蕩構(gòu)件42及輸出調(diào)整構(gòu)件43 (參照圖3的A)。脈沖激光光線振 蕩構(gòu)件42由下述部分構(gòu)成：由C〇2激光振蕩器構(gòu)成的脈沖激光振蕩器42a;和附設(shè)于該脈沖 激光振蕩器42a的重復(fù)頻率設(shè)定構(gòu)件42b。脈沖激光振蕩器42a能夠振蕩出具有9. 4ym至 10. 6ym的波長的C〇2激光光線。第1聚光器41從半導(dǎo)體晶片W的玻璃純化膜W3偵J(圖 1中的上側(cè)）照射從脈沖激光光線振蕩構(gòu)件42振蕩出的相同波長的C〇2激光光線。從第1 聚光器41照射的C〇2激光光線的波長是對于玻璃純化膜W3具有吸收性的波長。輸出調(diào)整 構(gòu)件43將從脈沖激光光線振蕩構(gòu)件42振蕩出的C〇2激光光線的輸出調(diào)整成規(guī)定的值。
[0037]在外殼40的前端部設(shè)置有攝像構(gòu)件45。攝像構(gòu)件45被設(shè)置成能夠?qū)τ娠@微鏡放 大成規(guī)定的倍率并投影的半導(dǎo)體晶片W的表面區(qū)域進(jìn)行拍攝。攝像構(gòu)件45具備CCD等攝 像元件