可以為氮氣，也可以為氮氣與氫氣混合氣體。
[0032]203、按照預設的剝除厚度對芯片進行漂洗，將富含可動離子電荷的上表面從二氧化硅層中剝除。
[0033]具體過程可參見實施例一中步驟202，以及經過第一次漂洗后可動離子電荷在芯片中的分布圖如圖4所示。此時，芯片中大部分可動離子電荷已從Si02層被去除，這樣芯片中總可動離子電荷量大幅減少。
[0034]204、對漂洗后的所述芯片進行沖水及甩干。
[0035]剝除結束以后，將芯片置于去離子水中清洗，去掉表面殘余HF溶液和可動離子電荷，然后并將芯片進行甩干。
[0036]205、在設定溫度下對芯片再次進行預設時長的烘烤處理，以使可動離子電荷聚集到二氧化硅層的上表面。
[0037]206、在所述烘烤處理過程中，再次向烘烤所述芯片的設備中通入用于消除存在于二氧化硅層與硅襯底界面之間的可動離子電荷的氣體。
[0038]207、按照剝除厚度對芯片再次進行漂洗，將富含可動離子電荷的上表面從二氧化硅層中剝除。
[0039]208、對漂洗后的芯片再次進行沖水及甩干。
[0040]為盡快能地去除將芯片中的可動離子電荷，可以再次對芯片重復烘烤、漂洗、水沖洗及甩干，即循環(huán)執(zhí)行二次上述步驟201?步驟204。
[0041]在第二次對芯片進行烘烤處理的過程中，剩下的可動離子電荷將再次重新呈現(xiàn)U型分布，且絕大多數(shù)可動電荷會移動到Si02表面，如圖6所示。圖6為本發(fā)明實施例二提供的經過第二次烘烤處理后可動離子電荷在芯片中的分布圖。
[0042]圖7為本發(fā)明實施例二提供的經過第二次漂洗后可動離子電荷在芯片中的分布圖。兩個循環(huán)后，芯片中剩余的可動離子電荷基本達到芯片對可動離子電荷的容納要求。如需要更高的可動電荷潔凈度，在保證足夠厚的S12層的情況下，可繼續(xù)重復循環(huán)步驟，進一步降低可動電荷污染。
[0043]本實施例提供的去除芯片中可動離子電荷的方法，在生長完場氧化層(FieldOxide)或夾層介質氧化層(Interlayer Dielectric Oxide Layer,簡稱 ILD Oxide)或金屬層間介質氧化層(Metal Interlayer Dielectric Layer Of Oxide,簡稱 IMD Oxide)或鈍化氧化層(Passivat1n Oxide)之后,對娃片進行去可動離子電荷的處理,效果最佳。
[0044]本實施例中通過烘烤處理將芯片中的可動離子電荷在S12層中重新分布，可動離子電荷根據自身的運動特性，將加速在S12層的上表面上積累，再通過漂洗處理將富含可動離子電荷的上表面從S12層中剝除，消除了芯片中的可動離子電荷，提高了芯片的使用壽命。
[0045]最后應說明的是:以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。
【主權項】
1.一種去除芯片中可動離子電荷的方法，其特征在于，包括: 在設定溫度下對形成有二氧化硅層的芯片進行預設時長的烘烤處理，以使可動離子電荷聚集到二氧化硅層的上表面； 按照預設的剝除厚度對所述芯片進行漂洗，將富含可動離子電荷的所述上表面從所述二氧化硅層中剝除。
2.根據權利要求1所述的去除芯片中可動離子電荷的方法，其特征在于，在所述烘烤處理的過程中，向烘烤所述芯片的設備中通入用于消除存在于所述二氧化硅層與硅襯底界面之間的可動離子電荷的氣體。
3.根據權利要求2所述的去除芯片中可動離子電荷的方法，其特征在于，所述氣體為氮氣或者氮氣與氫氣混合氣體。
4.根據權利要求1所述的去除芯片中可動離子電荷的方法，其特征在于，所述設定的溫度為150°C?450°C，所述預設時長為至少一個小時。
5.根據權利要求1所述的去除芯片中可動離子電荷的方法，其特征在于，所述剝除厚度根據所述可動離子電荷的含量及所述二氧化硅層的厚度確定。
6.根據權利要求5所述的去除芯片中可動離子電荷的方法，其特征在于，所述剝除厚度為50A?500A。
7.根據權利要求1所述的去除芯片中可動離子電荷的方法，其特征在于，所述按照預設的剝除厚度對所述芯片進行漂洗具體為:采用所述氫氟酸溶液對所述芯片進行漂洗。
8.根據權利要求7所述的去除芯片中可動離子電荷的方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液的濃度為0.5%?10%之間。
9.根據權利要求1-8任一項所述的去除芯片中可動離子電荷的方法，其特征在于，所述按照預設的剝除厚度對所述芯片進行漂洗，將富含的可動離子電荷的所述上表面從所述二氧化硅層中剝除之后，還包括: 對漂洗后的所述芯片進行沖水及甩干。
10.根據權利要求9所述的去除芯片中可動離子電荷的方法，其特征在于，還包括: 在所述設定溫度下對所述芯片再次進行所述預設時長的烘烤處理，以使所述可動離子電荷聚集到所述二氧化硅層的所述上表面； 在所述烘烤處理過程中，再次向烘烤所述芯片的所述設備中通入用于消除存在于所述二氧化硅層與硅襯底界面之間的可動離子電荷的所述氣體； 按照所述剝除厚度對所述芯片再次進行漂洗，將富含可動離子電荷的所述上表面從所述二氧化硅層中剝除； 對漂洗后的所述芯片再次進行沖水及甩干。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種去除芯片中可動離子電荷的方法。在設定溫度下對形成有二氧化硅層的芯片進行預設時間內的烘烤處理，按照預設的剝除厚度對所述芯片進行漂洗，以剝除所述二氧化硅層中富含的可動離子電荷。本發(fā)明中在烘烤處理中將芯片中的可動離子電荷在二氧化硅（SiO2）層中重新分布，可動離子電荷根據自身的運動特性，將加速在SiO2層的上表面上積累，再通過漂洗處理將富含可動離子電荷的上表面從SiO2層中剝除，消除了芯片中的可動離子電荷，提高了芯片的使用壽命。
【IPC分類】H01L21-02, H01L21-322
【公開號】CN104835733
【申請?zhí)枴緾N201410045513
【發(fā)明人】石金成, 潘光燃, 高振杰, 王琨, 由云鵬, 張建湘
【申請人】北大方正集團有限公司, 深圳方正微電子有限公司
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2014年2月8日