第一重布局線路層130、第二凹部140、第二重布局線路層150以及封裝層160等相關(guān)細(xì)節(jié)與前述實(shí)施方式的晶片封裝體100相似，在此即不重復(fù)贅述。如圖2所示，晶片封裝體200與圖1中晶片封裝體100不同之處在于:晶片封裝體200進(jìn)一步包含第二絕緣層210配置于第二凹部140內(nèi)，第二絕緣層210具有開(kāi)口 212，第二重布局線路層150通過(guò)開(kāi)口 212與第一重布局線路層130電性連接。開(kāi)口 212的位置對(duì)應(yīng)于第二凹部140與第一凹部120之間的連通部145。第二絕緣層210所使用的材料可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它合適的絕緣材料，將上述材料以化學(xué)氣相沉積法順應(yīng)地沿著半導(dǎo)體晶片110的下表面118以及第二凹部140，再以微影蝕刻的方式制作開(kāi)口 212形成如圖2所示的第二絕緣層210。第二絕緣層210可有效降低第二凹部140內(nèi)表面于蝕刻制程中造成的表面粗糙度，使得后續(xù)第二重布局線路層150形成于第二凹部140內(nèi)時(shí)，發(fā)生斷線的風(fēng)險(xiǎn)進(jìn)一步降低。另如圖2所示，在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，封裝層160填滿第二凹部140且覆蓋下表面118以及第二重布局線路層150。據(jù)此，封裝層160所提供的隔絕空氣或應(yīng)力緩沖等功能，不僅保護(hù)半導(dǎo)體晶片110內(nèi)電子元件112、導(dǎo)電墊114以及內(nèi)連線結(jié)構(gòu)113等元件，尚可保護(hù)第二重布局線路層150。在此值得注意的是，本發(fā)明的晶片封裝體200亦通過(guò)自上表面116朝下表面118延伸的第一重布局線路層130以及自下表面118朝上表面116延伸的第二重布局線路層150兩者的電性連接，使位于半導(dǎo)體晶片110的上表面116的導(dǎo)電墊114電性連接路徑延伸至半導(dǎo)體晶片110的下表面118。因此可在半導(dǎo)體晶片厚度更高的情況下制作，而無(wú)須將半導(dǎo)體晶片薄化或是使用承載基板，據(jù)此，可進(jìn)一步降低晶片封裝體的生產(chǎn)成本。厚度更高的半導(dǎo)體晶片具有良好的機(jī)械強(qiáng)度，可有效提升晶片封裝體的制造良率，降低制程難度。
[0057]圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式晶片封裝體300的局部剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3，晶片封裝體300包含半導(dǎo)體晶片110、第一凹部120、第一重布局線路層130、第二凹部140、第二重布局線路層150以及封裝層160。有關(guān)半導(dǎo)體晶片110、第一凹部120、第一重布局線路層130、第二凹部140、第二重布局線路層150以及封裝層160等相關(guān)細(xì)節(jié)與前述實(shí)施方式的晶片封裝體100相似，在此即不重復(fù)贅述。如圖3所示，晶片封裝體300與圖1中晶片封裝體100不同之處在于:晶片封裝體300中第一絕緣層170具有開(kāi)口 172，第二重布局線路層150通過(guò)開(kāi)口 172與第一重布局線路層130電性連接。開(kāi)口 172的位置對(duì)應(yīng)于第二凹部140與第一凹部120之間的連通部145。明確言之，晶片封裝體300的第二凹部140、連通部145與開(kāi)口 172可以一步或多步干蝕刻方式形成。如圖3所示，在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，封裝層160填滿第二凹部140。圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式晶片封裝體400的局部剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4，晶片封裝體400包含半導(dǎo)體晶片110、第一凹部120、第一重布局線路層130、第二凹部140、第二重布局線路層150以及封裝層160。有關(guān)半導(dǎo)體晶片110、第一凹部120、第一重布局線路層130、第二凹部140、第二重布局線路層150以及封裝層160等相關(guān)細(xì)節(jié)與前述實(shí)施方式的晶片封裝體300相似，在此即不重復(fù)贅述。如圖4所示，晶片封裝體400與圖3中晶片封裝體300不同之處在于:晶片封裝體400的第二凹部140、連通部145與開(kāi)口 172可以一步或多步激光鉆孔方式形成。如圖4所示，在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，封裝層160填滿第二凹部140。在此值得注意的是，本發(fā)明的晶片封裝體300以及晶片封裝體400亦通過(guò)自上表面116朝下表面118延伸的第一重布局線路層130以及自下表面118朝上表面116延伸的第二重布局線路層150兩者的電性連接，使位于半導(dǎo)體晶片110的上表面116的導(dǎo)電墊114電性連接路徑延伸至半導(dǎo)體晶片110的下表面118。因此可在半導(dǎo)體晶片厚度更高的情況下制作，而無(wú)須將半導(dǎo)體晶片薄化或是使用承載基板，據(jù)此，可進(jìn)一步降低晶片封裝體的生產(chǎn)成本。厚度更高的半導(dǎo)體晶片具有良好的機(jī)械強(qiáng)度，可有效提升晶片封裝體的制造良率，降低制程難度。
[0058]圖5到圖9是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式于制造過(guò)程中不同階段的局部剖面示意圖。請(qǐng)先參照?qǐng)D5，提供半導(dǎo)體晶片110，半導(dǎo)體晶片110具有電子元件112以及導(dǎo)電墊114，導(dǎo)電墊114與電子元件112電性連接且配置于半導(dǎo)體晶片110的上表面116。半導(dǎo)體晶片110例如可進(jìn)一步包含內(nèi)連線結(jié)構(gòu)113以及層間介電層115，內(nèi)連線結(jié)構(gòu)113與層間介電層115亦配置于半導(dǎo)體晶片110的上表面116，導(dǎo)電墊114例如可以通過(guò)層間介電層115中的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)113電性連接于電子元件112。導(dǎo)電墊114作為晶片封裝體100中電子元件112的信號(hào)控制的輸入/輸出端。關(guān)于電子元件112、導(dǎo)電墊114、內(nèi)連線結(jié)構(gòu)113以及層間介電層115的材料以及連接關(guān)系已如前述，在此即不重復(fù)。接著，形成第一凹部120自上表面116朝半導(dǎo)體晶片110的下表面118延伸。形成第一凹部120的方式例如可以是由半導(dǎo)體晶片110的上表面116，對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體晶片110的邊界處(即預(yù)定切割道SL)，朝半導(dǎo)體晶片110的下表面118以微影蝕刻的方式所形成。
[0059]接著請(qǐng)參照?qǐng)D6，形成第一重布局線路層130自上表面116朝下表面118延伸，其中第一重布局線路層130與導(dǎo)電墊114電性連接且部分第一重布局線路層130配置于第一凹部120內(nèi)。形成第一重布局線路層130的方式例如可以是以鋁、銅或其它合適的導(dǎo)電材料先沉積導(dǎo)電薄膜，再將導(dǎo)電薄膜以微影蝕刻的方式形成具有預(yù)定重布局線路圖案的第一重布局線路層130。如圖6所示，在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，在形成第一重布局線路層130的步驟之前，進(jìn)一步包含形成第一絕緣層170配置于第一凹部120內(nèi)。第一絕緣層170所使用的材料可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它合適的絕緣材料，將上述材料以化學(xué)氣相沉積法順應(yīng)地沿著半導(dǎo)體晶片110的上表面116以及第一凹部120形成絕緣薄膜，再以微影蝕刻的方式，保留位于第一凹部120內(nèi)的部分絕緣薄膜，而形成第一絕緣層170。第一絕緣層170可有效降低第一凹部120內(nèi)表面于蝕刻制程中造成的表面粗糙度，使得后續(xù)第一重布局線路層130形成于第一凹部120內(nèi)時(shí)，發(fā)生斷線的風(fēng)險(xiǎn)進(jìn)一步降低。
[0060]接著請(qǐng)參照?qǐng)D7，在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，在形成第二凹部140的步驟之前，進(jìn)一步包含形成第一鈍化層180填滿第一凹部120且覆蓋上表面116以及第一重布局線路層130。接著，平坦化第一鈍化層180，使第一鈍化層180的表面182實(shí)質(zhì)上平坦。第一鈍化層180的形成方式例如可以是以化學(xué)氣相沉積法順應(yīng)地沿著半導(dǎo)體晶片110的上表面116以及第一凹部120沉積形成絕緣薄膜，再搭配化學(xué)機(jī)械平坦化將絕緣薄膜平坦化。因此，半導(dǎo)體晶片封裝體100的一面可以是平坦平面，如此便更能增加半導(dǎo)體晶片封裝體100的應(yīng)用功能性，或是其與其他晶片封裝體的堆疊上的簡(jiǎn)便性。特別是當(dāng)電子元件112是感光元件時(shí)，平坦平面還可作為一接收光信號(hào)的表面。接著請(qǐng)參照?qǐng)D8，形成第二凹部140自下表面118朝上表面116延伸且與第一凹部120連通。如圖8所示，在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，在形成第二凹部140的步驟與后續(xù)形成第二重布局線路層的步驟之間，進(jìn)一步包含形成第二鈍化層190配置于第二凹部140內(nèi)且覆蓋下表面118。接著請(qǐng)參照?qǐng)D9，形成第二重布局線路層150自下表面118朝上表面116延伸，部分第二重布局線路層150配置于第二凹部140內(nèi)且第二重布局線路層150與第一重布局線路層130電性連接。第二重布局線路層150的形成方式例如可以是以鋁、銅或其它合適的導(dǎo)電材料沉積導(dǎo)電薄膜，再將導(dǎo)電薄膜以微影蝕刻的方式形成具有預(yù)定重布局線路圖案的第二重布局線路層150。最后請(qǐng)參照?qǐng)D1，形成封裝層160配置于下表面118。封裝層160形成的方式例如可以是將綠漆或其它合適的封裝材料，以涂布方式順應(yīng)地沿著半導(dǎo)體晶片110的下表面118以及第二重布局線路層150形成。此外，在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，進(jìn)一步包含形成焊球220于下表面118下，焊球220通過(guò)封裝層160的開(kāi)口 162與第二重布局線路層150電性連接。焊球220的材料例如可以是錫或其他適合于焊接的金屬或合金，焊球220作為晶片封裝體100外接于印刷電路板或其他中介片的連接橋梁，據(jù)此由印刷電路板或其他中介片的輸入/輸出的電流信號(hào)即可通過(guò)焊球220、第二重布局線路層150、第一重布局線路層130以及與電子元件112電性連接的導(dǎo)電墊114，對(duì)晶片封裝體100內(nèi)的電子元件112進(jìn)行信號(hào)輸入/輸出控制。
[0061]圖10到圖11是根據(jù)本發(fā)明另一些實(shí)施方式于制造過(guò)程中不同階段的局部剖面示意圖。第二絕緣層210具有開(kāi)口 212，第二重布局線路層150通過(guò)開(kāi)口 212與第一重布局線路層130電性連接。開(kāi)口 212的位置對(duì)應(yīng)于第二凹部140與第一凹部120之間的連通部145。第二絕緣層210的制作方式例如可以是以化學(xué)氣相沉積法順應(yīng)地沿著