包括或者可以是可用印刷過程(例如模板印刷、絲網(wǎng)印刷、噴墨式印刷等)來沉積的硅樹脂材料。
[0061]在一個或多個實施例中，可用包括以下各項的方法來形成鈍化層402:在半導體本體401上沉積可熱固化硅樹脂材料；在具有小于或等于I ppm (百萬分之一)的氧水平的惰性氣氛中對可熱固化硅樹脂材料進行熱固化。
[0062]在一個或多個實施例中，氧水平可小于或等于500 ppb (十億分之一)，例如小于或等于200 ppb，例如，小于或等于100 ppb，例如小于或等于50 ppb。
[0063]在一個或多個實施例中，使可熱固化硅樹脂材料熱固化可包括:在處理室處于小于或等于120°C的第一溫度的同時將功率半導體器件400放置在處理室中；用惰性氣體來執(zhí)行凈化；以約5°C /分鐘的速率將處理室的溫度從第一溫度增加至約380°C的第二溫度；在處理室處于第二溫度的同時將處理室中的功率半導體器件400加熱達約30分鐘；以約50C /分鐘的速率將處理室的溫度從第二溫度減小至小于或等于120°C的第三溫度。
[0064]在一個或多個實施例中，可在前端過程中形成鈍化層402。
[0065]在一個或多個實施例中，可將功率半導體器件400配置為芯片。
[0066]在一個或多個實施例中，可將功率半導體器件400配置為裸芯。在一個或多個實施例中，術語“裸芯”可包括或者指的是沒有模塑料(molding compound)的芯片。換言之，在一個或多個實施例中，功率半導體器件400可不包含模塑料。
[0067]在一個或多個實施例中，可將鈍化層402配置為芯片端鈍化層。在一個或多個實施例中，術語“芯片端鈍化層”可包括或者指的是芯片或管芯的最后終止鈍化層，例如最上鈍化層。
[0068]在一個或多個實施例中，半導體本體401可包括至少一個半導體材料(例如硅)或者可由其制成，但也可以可能是其它半導體材料，包括化合物半導體材料，例如諸如鍺、硅鍺、碳化硅、磷化銦、砷化銦鎵，僅舉幾個例子。
[0069]在一個或多個實施例中，半導體本體401可包括多個層。在一個或多個實施例中，所述多個層可包括至少一個半導體層和/或至少一個絕緣層和/或至少一個導電層。
[0070]在一個或多個實施例中，可將鈍化層402直接地設置在半導體本體401的半導體或基于半導體表面上，例如在硅或基于硅的表面(例如氧化硅或氮化硅表面)上。
[0071]在一個或多個實施例中，功率半導體器件400可包括或者可以是功率晶體管，例如功率IGBT。
[0072]在一個或多個實施例中，功率半導體器件400可包括或者可以是功率二極管。
[0073]在一個或多個實施例中，功率半導體器件400可包括或者可以是高壓器件。
[0074]圖5不出了根據(jù)各種實施例的另一功率半導體器件500。
[0075]半導體器件500可以在某些程度上類似于半導體器件400。特別地，與圖4中相同的參考符號可表示與圖4中相同或類似的元件。半導體器件500可包括要保護的至少一個結構?？蓪⑩g化層402設置在要保護的所述至少一個結構上。
[0076]例如，在一個或多個實施例中，半導體器件500可包括要保護的第一結構403a和要保護的第二結構403b，如圖5中所示。在其它實施例中，半導體器件500可包括要保護的僅一個結構，例如第一結構403a或第二結構403b或另一結構。在又一實施例中，半導體器件500可包括要保護的三個或更多結構。
[0077]在一個或多個實施例中，可將所述至少一個結構設置在半導體本體401中或其上面。
[0078]在一個或多個實施例中，可將所述至少一個結構設置在半導體本體401的表面處。
[0079]在一個或多個實施例中，可將所述至少一個結構(例如第一結構403a)設置在半導體本體401的邊界區(qū)域處。在一個或多個實施例中，半導體本體401的邊界區(qū)域可對應于芯片的邊界。在一個或多個實施例中，邊界區(qū)域可以是其中可發(fā)生高電場和/或其中可減小高電場的區(qū)域。由于高電場的發(fā)生，此區(qū)域可能特別易于發(fā)生腐蝕。因此，可能期望防止?jié)駳饣蚋g促進離子進入此區(qū)域。
[0080]在一個或多個實施例中，所述至少一個結構(例如第一結構403a)可包括或者可以是保護環(huán)。
[0081]在一個或多個實施例中，所述至少一個結構(例如第一結構403a)可包括多個防護環(huán)。
[0082]在一個或多個實施例中，所述至少一個結構(例如第一結構403a)可包括或者可以是場電極。
[0083]在一個或多個實施例中，所述至少一個結構(例如第一結構403a)可包括多個場電極。
[0084]在一個或多個實施例中，功率半導體器件500可包括活性區(qū)(active reg1n)。在一個或多個實施例中，活性區(qū)可包括電接觸404。在一個或多個實施例中，電接觸404可以是IGBT的發(fā)射極接觸。在一個或多個實施例中，發(fā)射極接觸404可包括或者可以是被配置成用于結合的焊盤，例如金屬焊盤。在一個或多個實施例中，可將例如結合導線之類的結合結構405結合到焊盤404。
[0085]在一個或多個實施例中，所述至少一個結構(例如第二結構403b)可包括或者可以是功率半導體器件500的電接觸。在一個或多個實施例中，電接觸可以是IGBT的柵極接觸。在一個或多個實施例中，鈍化層402可設置在柵極接觸之上且可防止IGBT的柵極和發(fā)射極接觸被短路。
[0086]圖6作為平面圖示出了根據(jù)各種實施例的功率電子模塊600。
[0087]功率電子模塊600可包括:多個功率半導體器件610，每個包括半導體本體和設置在半導體本體的至少一部分上的鈍化層，其中，所述鈍化層包括有機電介質材料，其在飽和中具有小于或等于0.5 wt%的水吸收；以及至少一個接觸620，被連接到所述多個功率半導體器件。
[0088]在一個或多個實施例中，所述鈍化層可包括或者可以是硅樹脂材料。
[0089]在一個或多個實施例中，鈍化層可具有小于或等于I mm的厚度。
[0090]在一個或多個實施例中，功率半導體器件610中的每一個可包括或可以是裸芯。
[0091]在一個或多個實施例中，可將功率半導體器件610相互電連接。
[0092]在一個或多個實施例中，可將功率電子模塊600配置為高壓模塊。
[0093]在一個或多個實施例中，可將功率電子模塊600配置為IGBT模塊。
[0094]在一個或多個實施例中，可將功率電子模塊600配置為二極管模塊。
[0095]在一個或多個實施例中，可將功率電子模塊600配置成以在kV (千伏)體系中的電壓操作，例如幾千伏的電壓，在一個或多個實施例中例如達到約6.5 kV的電壓，在一個或多個實施例中例如從約3 kV至6 kV的電壓，但根據(jù)其它實施例其它電壓或電壓范圍也可以是可能的。
[0096]在一個或多個實施例中，可將功率電子模塊600配置成以達到幾百安培的電流操作，例如在一個或多個實施例中達到約200 A的電流或者在一個或多個實施例中達到約400A或者在或多個實施例中達到約600A，但根據(jù)其它實施例其它電流或電流范圍也可以是可能的。
[0097]還可根據(jù)本文所述的一個或多個實施例(例如結合圖4和/或圖5所述的一個或多個實施例)來配置功率半導體器件610中的一個或多個，例如全部。
[0098]功率電子模塊600中的功率半導體器件610的數(shù)目可根據(jù)特定應用而改變。例如，在圖6中示出了六個功率半導體器件610作為示例，然而數(shù)目可不限于六個，并且可例如為4、8、16、24、32或36個，僅舉幾個其它示例。
[0099]可將所述至少一個接觸620配置成對功率半導體器件610進行電接觸。
[0100]在一個或多個實施例中，功率電子模塊600可包括被連接到功率半導體器件610的多個接觸620。例如，在示例中，接觸620的數(shù)目可以是三個，如圖6中所示，然而根據(jù)其它實施例，接觸620的數(shù)目可不同于三個。接觸620的數(shù)目可根據(jù)特定應用而改變。
[0101]在一個或多個實施例中，功率電子模塊可包括一層硅樹脂凝膠，其可覆蓋所述多個功率半導體器件610 (例如芯片)和所述至少一個接觸620 (或多個接觸620)。
[0102]在一個或多個實施例中，該硅樹脂凝膠層可具有大于或等于5 _、例如大于或等于I cm的厚度。
[0103]在一個或多個實施例中，可將多個功率電子模塊(例如IGBT模塊和/或二極管模塊)組裝成功率電子構建塊?？筛鶕?jù)本文所述的一個或多個實施例來配置功率電子模塊中的每個。在一個或多個實施例中，可將多個功率電子構建塊組裝成高壓轉換器。
[0104]圖7示出了根據(jù)各種實施例的用于處理功率半導體器件的方法700。
[0105]方法700可包括:在功率半導體器件的半導體本體上沉積可熱固化硅樹脂材料(在702中)；以及在具有小于或等于I pp