至外部散熱器或諸如PCB或MCPCB的電路組件，和/或與其電氣和熱連接。發(fā)光組件10可以包括基于非金屬的基板12，該基板與在圖1A到IC中描述的單獨(dú)基板A到S相似?；?2可以包括非金屬材料。在一些方面，基板12可以包括基于陶瓷的材料，例如，透明陶瓷材料，用于盡可最大化出光率和反射比。在一些方面，根據(jù)在在本文中描述的任何實(shí)施方式的基板可以具有可取的熱導(dǎo)率。例如，而不限制地，基板(例如，基板12)可以具有大于5W/mK、大于10W/mK、大于50W/mK、大于100W/mK、大于150W/mK或大于200W/mK的熱導(dǎo)率。在更具體的方面，基板的熱導(dǎo)率可以大約是20W/mK(+或_5W/mK)，例如，在基板包括氧化鋁時(shí)，或者基板的熱導(dǎo)率可以大約是170W/mK(+或_5W/mK)，例如，在基板包括氮化鋁時(shí)。
[0049]在一些方面，至少一個(gè)或多個(gè)發(fā)光芯片(例如，LED芯片14)可以提供在基板12之上和/或有基板支撐。在一些方面，LED芯片14可以設(shè)置為接近基板12的中心。所述至少一個(gè)LED芯片14可以被配置為激活黃色、紅色和/或綠色磷光體(未顯示)，該磷光體直接在LED芯片14之上和/或直接在一部分發(fā)射體組件10之上設(shè)置，用于產(chǎn)生冷和/或暖白光輸出。在一些方面，可以提供不止一個(gè)LED芯片14(例如，見(jiàn)圖7B)。在提供的情況下，多個(gè)LED芯片可以包括選擇藍(lán)色、藍(lán)變黃(BSY)、青色、綠色、紅色、黃色、橘紅色或琥珀色的組的相同或不同顏色?？梢蕴峁┤我忸伾腖ED芯片14。在一些方面，LED芯片14可以通過(guò)指數(shù)匹配粘合劑或環(huán)氧材料(未顯示)直接連接和/或直接安裝到一部分基于陶瓷的非金屬基板12中。在一些方面，LED芯片14可以通過(guò)硅樹(shù)脂或基于環(huán)氧樹(shù)脂的材料直接附接至一部分基板12。在其他方面，可選的材料層(未顯示)可以設(shè)置在基板12與LED芯片14之間。
[0050]發(fā)光組件10可以進(jìn)一步包括至少一個(gè)金屬跡線或電觸頭，通常表示為18，其可以沿著基板12的頂側(cè)或頂面設(shè)置并且與LED芯片14隔開(kāi)。在一些方面，發(fā)光組件10可以分別包括相反的電氣極性的第一和第二電觸頭18和20，其被配置為使電流進(jìn)入LED芯片14內(nèi)并且從LED芯片14中流出，造成照明。在一些方面，第一和第二電觸頭18和20中的每個(gè)可以完全設(shè)置在基板12的頂側(cè)或頂面上，并且可以隔開(kāi)。在一些方面，LED芯片14可以通過(guò)引線接合22電氣連通至第一和第二電觸頭18和20。如在圖9中所示，金屬跡線(例如，或暴露的過(guò)孔)還可以在基板12的頂面與底面之間沿著側(cè)邊向下延伸。
[0051]在一些方面，LED芯片14可以具有來(lái)自或圍繞該芯片的間隙，以便在附近沒(méi)有金屬。在一個(gè)實(shí)例中，作為金屬跡線的電觸頭18和20可以與LED芯片14相距某個(gè)距離，以便在LED芯片14的100 μ m內(nèi)沒(méi)有金屬跡線。
[0052]組件10可以進(jìn)一步包括一個(gè)或多個(gè)元件，用于保護(hù)不受到靜電放電(ESD)的損害。在所示的實(shí)施方式中，ESD保護(hù)裝置26可以安裝在一部分第二電觸頭20之上并且通過(guò)引線接合22引線接合至第一電觸頭18。ESD保護(hù)器件26可以包括垂直器件，該器件反向偏壓或者以反極性電連接至LED芯片14。ESD保護(hù)器件26可以(例如)包括垂直硅(Si)齊納二極管、雙背對(duì)背齊納二極管、與LED芯片14平行設(shè)置并且反向偏壓的不同的LED芯片、表面貼裝壓敏電阻和/或橫向Si 二極管?？梢允褂萌魏我阎牟牧虾?或技術(shù)安裝ESD保護(hù)器件26。ESD保護(hù)器件26可以小于LED芯片14，以便該器件不覆蓋基板12的表面上的過(guò)多區(qū)域，并且以便不阻塞和/或吸收大量光。除了 LED芯片14以外，還通過(guò)給電流流動(dòng)提供替換的路徑，ESD保護(hù)器件26可以防止過(guò)多電流從ESD活動(dòng)中穿過(guò)組件10。
[0053]引線接合22可以包括任何合適的導(dǎo)電材料，例如，Au、Ag、Al、Sn、Cu、其合金、和/或其組合。要理解的是，在其他實(shí)施方式中，可以提供根據(jù)本主題的組件，而沒(méi)有ESD保護(hù)器件26，或者具有位于組件10外面的ESD保護(hù)器件26。值得注意地，ESD保護(hù)器件26也可以被置于接近基板12的最外面的邊緣，因此，減少和/或盡可能減少對(duì)光輸出的任何不利影響(例如，阻塞、吸收等)。
[0054]如圖2用虛線所示，在一些方面，基板12可以但是并非必須包括彎月形保持特征或形成彎月形特征，通常表示為M，其被設(shè)置為接近基板12的邊界，該邊界適合于限制在基板12的邊界內(nèi)的液態(tài)矩陣密封劑材料。例如，在一些方面，成彎月形特征M可以包括高度可以忽略的屏幕打印邊緣、突出部分、焊珠、通道或邊界，其接近基板12的邊緣施加，用于在固化或硬化步驟之前，在物理上保持以液態(tài)形式施加于基板12的邊緣中的光學(xué)部件(在圖4中的44)。例如，形成彎月形特征M可以包括物理和/或化學(xué)性能，其適合于限制接近基板12的邊緣的光學(xué)元件(例如，在圖4中的44)的邊緣，并且在具有液體形式時(shí)并且在硬化之前，不允許光學(xué)元件超過(guò)或漏出基板12的最外層頂部邊緣。在一些方面，形成彎月形特征M可以包括接近基板12的邊緣定位的聚合物或一長(zhǎng)串不濕潤(rùn)或疏水性材料，如用虛線所示，以便如果并且在以液態(tài)形式施加時(shí)，光學(xué)元件具有大體上甚至具有基板的邊緣的邊界。在一些方面，形成彎月形特征M可以包括(例如)通道、凸塊、柵格、凸出的、降低的或鋼印的邊界特征。在一些方面，形成彎月形特征M可以僅沿著基板12的兩個(gè)相對(duì)邊緣設(shè)置。在其他方面，形成彎月形特征M可以沿著基板12的四個(gè)邊緣設(shè)置，如圖所示。
[0055]如圖3所示，在一些方面，第一和第二電觸頭18和20可以使用一個(gè)或多個(gè)設(shè)置在內(nèi)部的通孔或過(guò)孔28與各自的第一和第二下部電觸頭30和32電氣連通。根據(jù)放置在面板(例如，圖1B)內(nèi)的方式以及面板細(xì)分成單獨(dú)基板的方式，過(guò)孔28可以在一部分基板12內(nèi)部延伸。例如，如圖所示，過(guò)孔28可以完全位于一部分基板12內(nèi)部、完整無(wú)缺和/或完全包含在一部分基板12內(nèi)，或者在其他方面，可以分配和暴露過(guò)孔28，以便過(guò)孔沿著基板12的一個(gè)或多個(gè)外側(cè)設(shè)置(例如，見(jiàn)圖1A、1C以及9)。過(guò)孔28可以包括導(dǎo)管，用于在第一與第二上部電觸頭18和20與各自的第一和第二下部電觸頭30和32之間傳輸電流。因此，過(guò)孔28還可以包括導(dǎo)管，用于電流進(jìn)入和來(lái)自在組件10內(nèi)的LED芯片14。
[0056]總體上參照?qǐng)D2和圖3，在一些方面，基板12可以包括從大的非金屬面板(例如，在圖1A到IC中的面板Pp P11以及Pm)分割的一部分材料，然而，在本文中還預(yù)期單獨(dú)形成和/或按壓的基板。通常，可取地提供襯底或基板12，其對(duì)可見(jiàn)光具有高反射率(例如，大于大約90%)并且可以提供導(dǎo)熱性以及機(jī)械支撐。在一些方面，包含Al2O3的非金屬和/或陶瓷材料顯示了這種可取的質(zhì)量。因此，基板12可以包括基于陶瓷的材料主體，例如，Al2O3和/或包含Al 203。
[0057]在一些方面，基板12可以包括可以由低溫共燒陶瓷(LTCC)材料或高溫共燒陶瓷(HTCC)材料以及相關(guān)的工藝鑄造的陶瓷體。在一個(gè)實(shí)施方式中，基板12可以由淺綠色陶瓷帶單獨(dú)地鑄造，然后，燒制?；?2還可以被鑄造，然后，燒制，并且與由淺綠色陶瓷帶構(gòu)成的基板的面板分割。在使用的情況下，陶瓷帶可以包括在本領(lǐng)域中已知的任何陶瓷填充材料，例如，基板12可以包括玻璃陶瓷，例如，具有0.3到0.5的玻璃熔塊重量百分比的Al2O3或氮化鋁(AlN)。在燒制陶瓷帶時(shí)，玻璃熔塊可以在陶瓷帶內(nèi)用作粘合劑和/或燒結(jié)抑制劑。
[0058]在一些方面，通過(guò)鑄造玻璃熔塊、陶瓷填料、一種或多種額外粘合劑以及揮發(fā)性溶劑的一厚層漿體分散體，可以形成綠色陶瓷帶。鑄造層可以在低溫下加熱，以去除揮發(fā)性溶劑。用于基板12的綠色陶瓷帶可以有利地包括期望的任何厚度，從而在需要時(shí)，造成更薄的尺寸?；?2可以進(jìn)一步包括具有各種包含在其內(nèi)的各種散射顆粒中的任一種的陶瓷材料。合適的散射顆粒的實(shí)例可以(例如)包括A1203、T12, BaSO4, ZrOjP /或AlN的顆粒?；?2可以由在總部位于科羅拉多州古登的CoorsTek公司可用的并且包括從該公司可購(gòu)買的產(chǎn)品的薄膜或厚膜處理技術(shù)制造。這種襯底或基板12可以與其他材料(例如，氧化鋯或ZrO2) —起燒制，以進(jìn)一步改善光學(xué)和機(jī)械性能。在燒制和/或燒結(jié)之后，LED芯片可以安裝置基板。
[0059]基板12可以包括任何合適的尺寸、形狀、方向和/或配置。為了說(shuō)明的目的，示出了大體上方形基板12，然而，在本文中預(yù)期任何形狀的基板。例如，在本文中還預(yù)期大體上矩形、環(huán)形、橢圓形、圓形、規(guī)則的、不規(guī)則的或不對(duì)稱形狀的基板中的任一個(gè)。基板12可以(例如)包括:大體上方形或矩形形狀，其具有至少大約25毫米(mm)或更小的至少一個(gè)側(cè)邊，例如，大約20mm或更小、大約15mm或更小、大約1mm或更小、大約6mm或更小、大約3mm或更小、大約2mm或更??；和/或具有大約Imm或更小的至少一個(gè)側(cè)邊的基板。例如，基板12可以包括大約2mm或更小的厚度，例如，大約Imm或更小、大約0.5mm或更小、或者大約0.25mm或更小。在一些方面，基板12可以包括方形，其具有均為大約3_的長(zhǎng)度和寬度以及0.635mm的厚度。
[0060]如圖2和圖3進(jìn)一步所示，LED芯片14可以包括大體上直的和/或傾斜的(例如，成斜坡的或斜面的)側(cè)邊，并且可以包括任何形狀、尺寸、維度、結(jié)構(gòu)、構(gòu)造和/或顏色。還可以使用不止一個(gè)LED芯片14(例如，參照?qǐng)D7B)。在使用的情況下，多個(gè)芯片可以包括相同的形狀、尺寸、維度、結(jié)構(gòu)、構(gòu)造、顏色和/或其組合，或不同的形狀、尺寸、維度、結(jié)構(gòu)、構(gòu)造、顏色和/或其組合。LED芯片14可以包括生長(zhǎng)襯底或載體襯底，并且可以包括垂直結(jié)構(gòu)的芯片(例如，在LED芯片14的相對(duì)表面上的陽(yáng)極和陰極)或水平結(jié)構(gòu)的芯片(例如，在相同表面上的陽(yáng)極和陰極)。為了說(shuō)明的目的，示出了水平結(jié)構(gòu)的LED芯片14，其中，陽(yáng)極和陰極可以設(shè)置在具有兩個(gè)接合焊盤的形式的上表面上。然而，這兩個(gè)觸頭(例如，陽(yáng)極和陰極)可以設(shè)置在LED芯片14的下表面上和/或還設(shè)置在相對(duì)的上表面和下表面上。
[0061]LED芯片14可以包括任意尺寸和/或形狀。LED芯片14可以大體上是方形、矩形、規(guī)則的、不規(guī)則的或不對(duì)稱形狀。在一些方面，例如，LED芯片14可以包括足跡(footprint)，其中，至少一個(gè)側(cè)邊尺寸為大約1000 μ m或更小，例如，大約900 μπι或更小、大約700 μm或更小、大約600 μm或更小、大約500 μπι或更小、大約400 μπι或更小、大約300 μ m或更小、大約200 μ m或更小、大約100 μ m或更小和/或其組合，其中，使用多個(gè)LED芯片14。預(yù)期LED芯片14具有任何尺寸。
[0062]在一些方面，第一和第二電觸頭18和20和/或各自的第一和第二下部電觸頭30和32可以通過(guò)電鍍或化學(xué)鍍技術(shù)來(lái)沉積或電鍍。例如，第一和第二電觸頭18和20和/或各自的第一和第二下部電觸頭30和32可以包括一層或多層Cu、鈦(Ti)、鎳(Ni)Ag、化學(xué)鍍Ag、Au、化學(xué)鍍鎳浸金(ENIG)、Sn、鈀(Pd)、電解質(zhì)或浸沒(méi)Au、或可以通過(guò)沉積工藝(例如，物理沉積、濺射、電子束、或電鍍)和/或化學(xué)鍍工藝應(yīng)用的任何其他材料。可以在彼此之上的層中施加或涂覆不同的金屬層。例如，Ti層可以直接沉積在基板12之上，并且可以涂有一層或多層Ag和Cu。在其他方面，不同和/或交替的金屬層可以施加在基板12之上。第一和第二電觸頭18和20和/或各自的第一和第二下部電觸頭30和32可以單獨(dú)地或者與電鍍的T1、N1、Cu和/或Au層相結(jié)合地進(jìn)一步包括一層或多層Ag。
[0063]在其他方面，第一和第