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      薄膜封裝方法及有機發(fā)光裝置的制造方法

      文檔序號:9398306閱讀:559來源:國知局
      薄膜封裝方法及有機發(fā)光裝置的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及有機發(fā)光設(shè)備領(lǐng)域,特別是涉及一種薄膜封裝方法及使用該薄膜封裝方法制成的有機發(fā)光裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002]OLED(有機發(fā)光二極管,Organic Light-Emitting D1de)的顯示技術(shù)具備自發(fā)光、高亮度、寬視角、高對比度、可撓曲、低能耗等特性,因此受到廣泛的關(guān)注,并作為新一代的顯示方式,已開始逐漸取代傳統(tǒng)IXD (液晶顯示器,Liquid Crystal Display),被廣泛應(yīng)用在手機屏幕、電腦顯示器、全彩電視等。其中,OLED柔性顯示技術(shù)采用非常薄的有機材料發(fā)光層和柔性基板,當有電流通過時,這些有機材料就會發(fā)光。但是由于有機材料易與水氧反應(yīng),很少量的水蒸氣和氧氣就能損害有機發(fā)光材料,使器件的發(fā)光性能劣化。因此,柔性O(shè)LED顯示器不僅要求基板具有可彎曲的特點,同時應(yīng)具有良好的水氧阻隔性。
      [0003]目前柔性O(shè)LED顯示器的封裝方法一般使用有機/無機材料堆疊形式形成的薄膜封裝。但若有機/無機材料的表面粘附性不好,則可能導致在一定的彎曲次數(shù)以后,出現(xiàn)兩種材料剝離,從而導致封裝失效的現(xiàn)象。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明提供一種薄膜封裝方法及有機發(fā)光裝置,主要解決現(xiàn)有技術(shù)無機/有機材料堆疊時,有機/無機材料的表面粘附性不好,導致在一定的彎曲次數(shù)以后,出現(xiàn)兩種材料剝離,從而導致封裝失效等技術(shù)問題。
      [0005]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種薄膜封裝方法,其包括如下步驟:在TFT基板上形成OLED層;在OLED層上形成第一無機封裝層;在第一無機封裝層上形成偶聯(lián)劑單元;在偶聯(lián)劑單元上形成有機封裝層;其中,有機封裝層包括依次形成于偶聯(lián)劑單元上的緩沖子層和阻擋子層,偶聯(lián)劑單元與第一無機封裝層、緩沖子層發(fā)生化學反應(yīng)以提高第一無機封裝層與有機封裝層之間的粘合強度。
      [0006]其中,偶聯(lián)劑單元成份的化學通式為Y (CH) nX3,其中,X為可水解的基團,水解時生成硅醇,且X與無機物質(zhì)結(jié)合生成硅氧烷;n為正整數(shù),數(shù)值范圍為O?3 ;Y為有機官能團,與高分子聚合物發(fā)生化學反應(yīng)生成氫鍵。
      [0007]其中,X為甲氧基、氯基、乙氧基、乙酰氧基或甲氧基乙氧,Y為乙烯基、氨基、甲基丙烯酰氧基、巰基或脲基。
      [0008]其中,有機封裝層的化學通式為S1xCyHz,厚度為100nm?5000nm。
      [0009]其中,緩沖子層通過等離子體增強化學氣相沉積法沉積形成于偶聯(lián)劑單元上,沉積緩沖子層使用的氣體流量比例為O2=HMDSO < 3:1,其中,HMDSO的射頻功率為200?800W,HMDSO的流量為10?50sccm,O2的射頻功率為200?800W,時間為10?50min。
      [0010]其中,阻擋子層通過等離子體增強化學氣相沉積法沉積形成于緩沖子層上,沉積緩沖子層使用的氣體流量比例為3:1 < 02:HMDS0〈18:1,其中,HMDSO的射頻功率為200?800W,HMDSO的流量為10?50sccm,O2的射頻功率為200?800W,沉積時間為< 2min,沉積厚度為10?50nmo
      [0011]其中,第一無機封裝層成份為S12,第一無機封裝層通過等離子體增強化學氣相沉積法沉積形成,沉積第一無機封裝層使用的氣體流量比例為N2O:SiH4>2:1,其中,SiH^射頻功率為10?100W,SiHj^流量為10?50sccm,N2O的射頻功率為10?100W,沉積時間為10?20min,沉積厚度為10?50nm。
      [0012]其中,第一無機封裝層成份為SiNx,第一無機封裝層通過等離子體增強化學氣相沉積法沉積形成,沉積第一無機封裝層使用的氣體流量比例為(N2+NH3): SiH4>2:1,其中,SiH4的射頻功率為10?100W,SiHj^流量為10?50sccm,N2的射頻功率為10?100W,NH3的射頻功率為10?100W,沉積時間為10?20min,沉積厚度為10?50nm。
      [0013]其中,第一無機封裝層成份為S1Nx,第一無機封裝層通過等離子體增強化學氣相沉積法沉積形成,沉積第一無機封裝層使用的氣體流量比例為(N2+NH3+N02):SiH4>2:1,其中,SiH4的射頻功率為10?100W,SiHj^流量為10?50sccm,N2的射頻功率為10?100W,NH3的射頻功率為10?100W,沉積時間為10?20min,沉積厚度為10?50nm。
      [0014]其中,在偶聯(lián)劑單元形成有機封裝層的步驟之后還包括:在有機封裝層上形成第二無機封裝層。
      [0015]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是:提供一種有機發(fā)光裝置,其通過上述的薄膜封裝方法制成。
      [0016]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況,本發(fā)明的有機發(fā)光裝置及薄膜封裝方法,在第一無機封裝層與緩沖子層之間設(shè)置偶聯(lián)劑單元以提高所述第一無機封裝層與所述有機封裝層之間的粘合強度,使之不易剝離,具有良好的水氧阻隔性。
      【附圖說明】
      [0017]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖,其中:
      [0018]圖1是本發(fā)明一實施例的薄膜封裝方法的制作過程示意圖;
      [0019]圖2是本發(fā)明另一實施例的薄膜封裝方法的制作過程示意圖;
      [0020]圖3是本發(fā)明另一實施例的薄膜封裝方法的制作過程示意圖;
      [0021]圖4是本發(fā)明一實施例有機發(fā)光裝置的截面結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0022]圖5是圖4中有機發(fā)光裝置的TFT基板結(jié)構(gòu)示意圖
      [0023]圖6是圖4中有機發(fā)光裝置的OLED層結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0024]圖7是本發(fā)明另一實施例有機發(fā)光裝置的截面結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0025]圖7a是本發(fā)明另一實施例有機發(fā)光裝置的截面結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0026]圖8是本發(fā)明另一實施例有機發(fā)光裝置的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
      【具體實施方式】
      [0027]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,均屬于本發(fā)明保護的范圍。
      [0028]請參閱圖1,圖1是本發(fā)明一實施例的薄膜封裝方法的制作過程示意圖,本發(fā)明的薄膜封裝方法具體包括如下步驟:
      [0029]SlO:在 TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)基板上形成 OLED 層;
      [0030]具體地,本實施例是通過真空蒸鍍或噴墨打印等方法使OLED層層疊形成于TFT基板上,其中,使用噴墨打印方法時,OLED層在惰性氛圍中完成,OLED層的水氧含量〈lOppm。
      [0031]TFT基板包括柔性玻璃基板和形成于柔性玻璃基板的TFT,柔性玻璃基板是一種輕薄透明的玻璃,人們可以輕松將其壓彎。TFT用于驅(qū)動OLED層。OLED層包括依次層疊形成于柔性玻璃基板上的正極子層、空穴傳輸子層、發(fā)光子層、電子傳輸子層以及金屬陰極子層,其中,正極子層與電源正極電連接,金屬陰極子層與電源負極電連接。當電源供應(yīng)至適當電壓時,正極子層的空穴與陰極子層的電荷就會在發(fā)光子層中結(jié)合,產(chǎn)
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