生的寄生電感及寄生電容等寄生元素影響的濾波器電路元件109在良好地接地狀態(tài)下貼裝于基板102的一主面102a上，將難以受到接地狀態(tài)下所產生的寄生電感及寄生電容等寄生元素影響的功率放大器、RF-1C及開關IC等元件3配置于支撐框體101的內周面所包圍的空間中，從而可以在由接地狀態(tài)引起的高頻元件100特性劣化得到抑制的狀態(tài)下提高高頻模塊I的元件集成度。
[0043]另外，以覆蓋模塊基板2上所貼裝的元件3的方式貼裝高頻元件100，借此可以利用高頻元件100屏蔽元件3所產生的噪聲，抑制漏到外部的噪聲。
[0044]此外，如圖2(b)所示，在具有框架形狀的支撐框體的另一面1lb的全周，形成有接地用電極103及信號用電極104。因此，高頻元件100在俯視時其周緣部分全周的位置連接到模塊基板2的接地用焊盤4及信號用焊盤5，從而可以提高高頻元件100相對于模塊基板2的貼裝強度。
[0045]另外，支撐框體101也可以由陶瓷基板或樹脂基板以和基板102分開的方式形成。這種情況下，重疊支撐框體101及基板102以使基板102的另一主面102b接合到支撐框體101的一面1la即可。
[0046]此外，如果支撐框體101及基板102由同一構件形成，可以獲得以下效果。S卩，由于支撐框體101及基板102由同一構件形成，因此在回流焊等加熱循環(huán)中，可以抑制支撐框體101及基板102的連接部分產生由熱膨脹系數(shù)差所引起的應力等。因此，可以防止支撐框體101和基板102的連接部分因熱應力等而分離，從而可以提高高頻元件100內的連接可靠性。
[0047]〈第2實施方式〉
參照圖3，說明本發(fā)明的第2實施方式。圖3是表示本發(fā)明第2實施方式所涉及的高頻模塊上所搭載的高頻元件的圖。
[0048]該實施方式中高頻元件10a和上述第I實施方式的高頻元件100的不同之處在于，如圖3所示，在腔室C內配置元件3，并且在腔室C內填充環(huán)氧樹脂等常規(guī)的模具用樹脂112。此外，通過由焊料或導體漿料等導電性優(yōu)異的金屬材料形成的屏蔽構件113，將元件3接觸配置于基板102上。其他構成和上述第I實施方式相同，因此標記相同符號，省略相關構成的說明。
[0049]如圖3所示，在腔室C內通過屏蔽構件113將元件3接觸配置于基板102上，然后以元件3的連接端子3a露出于樹脂112的表面的方式向腔室C內填充樹脂112，從而形成高頻元件100a。此外，通過焊料等，將露出于樹脂112的表面的連接端子3a和接地用電極103及信號用電極104 —起連接到模塊基板2的貼裝面2a上的接地用焊盤電極4及信號用焊盤電極5。
[0050]在該實施方式中，可以獲得和上述實施方式相同的效果，此外還能獲得如下效果。即，由于將元件3配置于腔室C內，從而可以提供元件集成度得到提高的高頻元件100。此夕卜，由于元件3通過屏蔽構件113接觸配置于基板102上，因此，當元件3為發(fā)熱元件時，可以通過基板102提高元件3的散熱性。此外，通過屏蔽構件113可以提高腔室C內的屏蔽性。
[0051]另外，通過未圖示的散熱過孔等，對屏蔽構件113進行接地，從而可以進一步提高上述效果。此外，并不一定需要屏蔽構件113，也可以將元件3接觸配置于基板102的另一主面102b上，從而提高元件3的散熱性。還可以在將元件3貼裝于基板102的另一主面102b上的狀態(tài)下，將樹脂112填充到腔室C內。
[0052]〈第3實施方式〉
參照圖4，說明本發(fā)明的第3實施方式。圖4是表示本發(fā)明第3實施方式所涉及的高頻模塊上所搭載的高頻元件的圖。
[0053]該實施方式中高頻元件10b和上述第I實施方式的高頻元件100不同之處在于，如圖4所示，由陶瓷材料或樹脂材料等同一構件一體地形成支撐框體101及基板102，并層疊配置。其他構成和上述第I實施方式相同，因此標記相同符號，省略相關構成的說明。
[0054]如圖4所示，在該實施方式中，高頻元件10b上設置有過孔導體114a (相當于本發(fā)明的“層間連接導體”)和過孔導體114b，所述過孔導體114a貫穿支撐框體101及基板102，直接連接接地用電極103和貼裝用電極108a，所述過孔導體114b連接信號用電極104和面內電極107。另外，高頻元件10b例如按如下方式形成。S卩，在構成基板102的多個陶瓷生片的層疊體上，層疊構成支撐框體101的多個陶瓷生片且形成腔室C、具有開口的多個陶瓷生片，然后再燒結，從而形成支撐框體101及基板102 —體形成的高頻元件100b。
[0055]在該實施方式中，可以獲得和上述實施方式相同的效果，此外還能獲得如下效果。SP，由于支撐框體101及基板102由同一構件一體形成，因此在回流焊等加熱循環(huán)中，可以切實抑制支撐框體101及基板102的連接部分產生由熱膨脹系數(shù)差所引起的應力等，從而可以進一步提高高頻元件10b內的連接可靠性。
[0056]另外，本發(fā)明并不限定于上述各實施方式，只要不脫離其宗旨，除上述內容以外，還可以進行各種變更，例如，在上述實施方式中支撐框體101的內周俯視時的形狀形成為和外形形狀相似的形狀，但也可以適當變更為橢圓形、圓形或多邊形等。
工業(yè)上的實用性
[0057]可以將本發(fā)明廣泛應用于具備濾波器電路元件的高頻元件及具備其的高頻模塊中。
符號說明
[0058]I高頻模塊
2模塊基板
3元件100、100a、10b 高頻元件
101支撐框體 1la 一面 1lb 另一面
102基板
103接地用電極
105a、106a、114a過孔導體(層間連接導體)
108a貼裝用電極
109濾波器電路元件
【主權項】
1.一種高頻元件，其特征在于， 具備:支撐框體，其具有框架形狀； 基板，其形狀和所述支撐框體的外形形狀基本相同，層疊于所述支撐框體的一面上； 接地用電極，其形成于所述支撐框體的另一面上； 貼裝用電極，其形成于所述基板的一主面上，俯視時其至少一部分和所述接地用電極重合； 層間連接導體，其在所述接地用電極及所述貼裝用電極重合的位置處沿層疊方向貫穿所述支撐框體及所述基板而設，對所述接地用電極和所述貼裝用電極進行連接；以及濾波器電路元件，其貼裝于所述基板的一主面上； 所述濾波器電路元件的接地端子連接到所述貼裝用電極。2.根據(jù)權利要求1所述的高頻元件，其特征在于，元件配置于所述支撐框體的內周面所包圍的空間中。3.根據(jù)權利要求2所述的高頻元件，其特征在于，所述元件是功率放大器、RF-1C、開關IC中的任一個。4.根據(jù)權利要求2或3所述的高頻元件，其特征在于，所述元件接觸配置于所述基板的另一主面上。5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的高頻元件，其特征在于，所述支撐框體及所述基板由同一構件形成。6.一種高頻模塊，其是具備權利要求1至5中任一項所述的高頻元件的高頻模塊，其特征在于， 具備貼裝有所述高頻元件的模塊基板。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種技術，其能以在沒有寄生電感或寄生電容影響的狀態(tài)下獲得期望的頻率特性的方式搭載濾波器電路元件，并且可以提高元件集成度。連接到貼裝用電極(108a)的濾波器電路元件(109)的接地用端子(109a)，通過過孔導體(105a、106a)以最短距離連接到接地用電極(103)，因此，可以抑制不需要的寄生電感或寄生電容的產生。從而能夠以在沒有寄生電感或寄生電容影響的狀態(tài)下獲得期望的頻率特性的方式，將濾波器電路元件(109)搭載于高頻元件(100)上。此外，由于可將元件(3)配置于支撐框體(101)的內周面所包圍的內側空間中，從而可以提高元件集成度。
【IPC分類】H01L23/538, H01L23/12, H01L23/13
【公開號】CN105122443
【申請?zhí)枴緾N201480021406
【發(fā)明人】高井清文, 帶屋秀典, 人見伸也
【申請人】株式會社村田制作所
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2014年3月10日
【公告號】WO2014171225A1