国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      半導(dǎo)體器件的制作方法_2

      文檔序號(hào):9422961閱讀:來源:國(guó)知局
      源極電極120與芯片焊盤105的第一主面S3電連接。
      [0037]如圖2所示,在半導(dǎo)體器件100中,芯片焊盤105的第一主面S3與晶體管102的第二主面S5相對(duì)地接觸。另外,芯片焊盤105的第一主面S3與晶體管101的第二主面S4相對(duì)地接觸。
      [0038]晶體管101的第二主面S4利用焊料等被焊接在芯片焊盤105的第一主面S3上。焊料具有將晶體管101焊接在芯片焊盤105的功能,并且也具有將晶體管101與芯片焊盤105電連接的功能。此外,也可以代替焊料而使用焊接性能高的導(dǎo)電性膏。晶體管102的第二主面S5利用導(dǎo)熱性的焊接材料被焊接在芯片焊盤105的第一主面S3上。焊接材料具有導(dǎo)熱性,從而能夠?qū)⒂删w管102產(chǎn)生的熱向芯片焊盤105散熱。此外,由于晶體管102與芯片焊盤105無需電連接,所以焊接材料也可以不具有導(dǎo)電性。
      [0039](關(guān)于半導(dǎo)體器件100的電路EC)
      [0040]接著,使用圖3對(duì)在半導(dǎo)體器件100中形成的電子電路EC的結(jié)構(gòu)和動(dòng)作進(jìn)行說明。圖3是電路EC的電路圖。如圖3所示,在電路EC中包括晶體管101、晶體管102、漏極端子DT (即第一端子103)、柵極端子GT (即第二端子104)和源極端子ST (即芯片焊盤105的第二主面S6)。
      [0041]在電路EC中,寄生電感12、13、15、24、25、26是在為了形成電路EC將各元件相互電連接時(shí),在電路EC中以寄生的方式產(chǎn)生的電感。S卩,寄生電感12、13、15、24、25、26是利用線圈的電路符號(hào)示意性地表示在圖3中,并不是主動(dòng)地加入在電路EC中的線圈。寄生電感12、13、15、24、25、26通常為大概I納亨至十幾納亨的大小。以下,對(duì)各個(gè)寄生電感12、13、15、24、25、26進(jìn)行詳細(xì)說明。
      [0042]寄生電感12是連接晶體管101的源極電極110與晶體管102的漏極電極122的導(dǎo)電體131所具有的電感。另外,寄生電感13是電連接晶體管101的漏極電極112與第一端子103(漏極端子DT)的導(dǎo)電體132所具有的電感。寄生電感15是電連接晶體管101的柵極電極111與分支點(diǎn)27的導(dǎo)電部件134所具有的電感。這里,分支點(diǎn)27是電路EC中,通過晶體管102的源極電極120、晶體管101的柵極電極111、或芯片焊盤105的第二主面S6(源極端子ST)的電流路徑中分支的點(diǎn)。分支點(diǎn)27存在于芯片焊盤105的第一主面S3上。
      [0043]寄生電感24是電連接晶體管102的柵極電極121與第二端子104(柵極端子GT)的導(dǎo)電部件133的電感。寄生電感25是晶體管102的第二主面S5與芯片焊盤105的第一主面S3的連接部分所具有的電感。寄生電感26是芯片焊盤105的第二主面S6(源極端子ST)與分支點(diǎn)27之間的電感。
      [0044]在電路EC中,電流主要依次經(jīng)由漏極端子DT、寄生電感13、晶體管101、寄生電感12、晶體管102、寄生電感25、分支點(diǎn)27和寄生電感26流至源極端子5。
      [0045](電路EC中的寄生電感的抑制)
      [0046]由寄生電感12、13、15、25、26在電路EC中產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)通過將各寄生電感的值乘以電流的變化率而得到。因此,在電路EC中,隨著上述的主電流的變化率變大,由寄生電感12、13、15、25、26在電路EC中產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)變大。例如,100A的電流作為IMHz程度的矩形波信號(hào)在電路EC中流通的情況下,電路EC中,每10納秒產(chǎn)生100A的變化。S卩,電路EC中的電流的變化率為1wA/秒。在該情況下,即使寄生電感12、13、25、26僅I納亨,在電路EC中也產(chǎn)生1V的反電動(dòng)勢(shì)。這樣大的反電動(dòng)勢(shì)有可能對(duì)電路EC的工作造成影響。
      [0047]晶體管102主要接受半導(dǎo)體器件100的控制。因此,施加在晶體管102的源極電極120的反電動(dòng)勢(shì)對(duì)于電路EC的工作的影響特別大。該反電動(dòng)勢(shì)是由寄生電感25、26產(chǎn)生的(參照?qǐng)D3)。由寄生電感25、26產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)實(shí)質(zhì)上以使施加于晶體管102的柵極電極121的電壓降低的方式作用。因此,在由寄生電感25、26產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)達(dá)到閾值的情況下,晶體管102的導(dǎo)通一截止反轉(zhuǎn)。其結(jié)果是,電路EC發(fā)生錯(cuò)誤工作。因此,必須抑制電路EC中的電流的變化率,以使由寄生電感25、26產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)不超過晶體管102的閾值。
      [0048]但是,如上所述,在半導(dǎo)體器件100中,配置于晶體管102的第二主面S5的源極電極120與芯片焊盤105的第一主面S3相接觸。另外,芯片焊盤105的第二主面S6 (的一部分)成為半導(dǎo)體器件100的源極端子ST。因此,寄生電感25是晶體管102的第二主面S5與芯片焊盤105的第一主面S3的連接部分所產(chǎn)生的電感。另外,寄生電感26是在芯片焊盤105的第一主面S3與第二主面S6之間產(chǎn)生的電感。
      [0049]因此,根據(jù)晶體管102的第二主面S5與芯片焊盤105的第一主面S3的連接部分的厚度以及芯片焊盤105的厚度來決定寄生電感25和寄生電感26。寄生電感25、26大致與電流流通的距離成比例。由于上述連接部分的厚度和芯片焊盤105的厚度相對(duì)于在與芯片焊盤105的第一主面S3平行的方向(以下稱為基準(zhǔn)方向)上的半導(dǎo)體器件100的長(zhǎng)度均充分小,所以寄生電感25和寄生電感26也非常小。因此,由寄生電感25和寄生電感26產(chǎn)生的施加于晶體管102的源極電極120的反電動(dòng)勢(shì)較小,所以由于上述反電動(dòng)勢(shì)而晶體管102的導(dǎo)通一截止發(fā)生反轉(zhuǎn)的可能性較低。因此,電路EC能夠穩(wěn)定地工作。
      [0050]如上所述,由寄生電感25、26產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)被施加在晶體管102的源極電極120。另一方面,由寄生電感15、26產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)被施加在晶體管101的柵極電極111。如上所述,寄生電感15是晶體管101的柵極電極111與分支點(diǎn)27之間的電感。另一方面,寄生電感25是晶體管102的第二主面S5與芯片焊盤105的第一主面S3的連接部分具有的電感。根據(jù)圖1和圖2可知,從柵極電極111到分支點(diǎn)27的長(zhǎng)度(S卩、導(dǎo)電部件134的長(zhǎng)度)比從晶體管102的第二主面S5到芯片焊盤105的第一主面S3的長(zhǎng)度長(zhǎng)。因此,由寄生電感15產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)比由寄生電感25產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)大的可能性高。因此,施加于晶體管101的柵極電極111的反電動(dòng)勢(shì)比施加于晶體管102的源極電極120的反電動(dòng)勢(shì)大的可能性高。因此,優(yōu)選晶體管101的耐壓比晶體管102的耐壓大,使得不因反電動(dòng)勢(shì)導(dǎo)致晶體管101的導(dǎo)通一截止發(fā)生發(fā)轉(zhuǎn)。
      [0051][實(shí)施方式2]
      [0052]關(guān)于本發(fā)明的其它實(shí)施方式,基于圖4進(jìn)行說明如下。此外,為了說明的方便,對(duì)于與在上述實(shí)施方式已說明的部件具有相同功能的部件,標(biāo)注相同的符號(hào),省略其說明。
      [0053](半導(dǎo)體器件200的結(jié)構(gòu))
      [0054]以下,使用圖4說明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件200的結(jié)構(gòu)。圖4是半導(dǎo)體器件200的俯視圖。此外,從側(cè)面看半導(dǎo)體器件200的結(jié)構(gòu)與圖2所示的半導(dǎo)體器件100的結(jié)構(gòu)相同。
      [0055]如圖4所示,半導(dǎo)體器件200在上述實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100的結(jié)構(gòu)中具有常截止場(chǎng)效應(yīng)晶體管202 (以下稱為晶體管202)來代替常截止場(chǎng)效應(yīng)晶體管102。另外,在半導(dǎo)體器件200與半導(dǎo)體器件100之間,通過導(dǎo)電部件134布線的部件不同。半導(dǎo)體器件200的其它的結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體器件100相同。另外,在半導(dǎo)體器件200中形成的電路與圖3所示的半導(dǎo)體器件100的電路EC相同。
      [0056]如圖4所示,在晶體管202的第一主面S2上設(shè)置有表面源極電極120a。在晶體管202的第一主面S2上的表面源極電極120a與第二主面S5上的源極電極120電連接。在晶體管202的內(nèi)部存在晶體管101的柵極電極111、晶體管202
      當(dāng)前第2頁(yè)1 2 3 4 
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
      1