示，半導(dǎo)體襯底30的側(cè)壁具有兩個(gè)圓弧段Hl和H2，其中，圓弧段Hl靠近半導(dǎo)體襯底30的正面，圓弧段H2靠近半導(dǎo)體襯底30的背面。當(dāng)然，所述圓弧段的數(shù)量并不局限于2個(gè)，還可以是3個(gè)、4個(gè)或更多，可以根據(jù)倒角所使用的模具而定。但應(yīng)認(rèn)識到，圓弧段的數(shù)量越多，倒角工藝越為復(fù)雜，因此較佳方案是側(cè)壁具有2個(gè)圓弧段。
[0039]如圖5所示，所述半導(dǎo)體襯底30側(cè)壁的兩個(gè)圓弧段Hl和H2呈階梯狀的分布，這樣有利于使整個(gè)半導(dǎo)體襯底的側(cè)壁受力均勻。優(yōu)選的，圓弧段Hl的切線與半導(dǎo)體襯底30正面的夾角為Θ 1，圓弧段H2在半導(dǎo)體襯底中心線以上部分的切線與半導(dǎo)體襯底30正面的夾角為Θ2，其中，Θ1和Θ 2相同，如此，后續(xù)在半導(dǎo)體襯底30上形成器件的過程中，機(jī)臺(tái)夾持所述半導(dǎo)體襯底30時(shí)不容易碎片。更優(yōu)選的，Θ I和Θ 2均在11?30度之間。經(jīng)實(shí)驗(yàn)證明，采用上述弧度的側(cè)壁襯底力量分布更為均勻，效果更好。
[0040]如圖6所示，靠近半導(dǎo)體襯底30正面的圓弧段Hl的高度a大于減薄后的半導(dǎo)體襯底的厚度e，這樣可以保證減薄后的半導(dǎo)體襯底的側(cè)壁落在圓弧段Hl內(nèi)，進(jìn)而保證減薄后的半導(dǎo)體襯底的側(cè)壁都是圓弧形貌，利用該圓弧形貌充分釋放應(yīng)力。本實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底30側(cè)壁的總橫向?qū)挾葹閐，其中，圓弧段Hl的橫向?qū)挾葹閎，圓弧段Hl的邊沿到半導(dǎo)體襯底30側(cè)壁的邊沿的距離為C，其中，c例如在50 μ m?Imm之間。
[0041]結(jié)合圖7所示，接著，執(zhí)行步驟S12，對半導(dǎo)體襯底30的正面進(jìn)行氧化、刻蝕、注入、退火、布線等工序，從而在半導(dǎo)體襯底30的正面上形成器件結(jié)構(gòu)31。所述器件結(jié)構(gòu)31例如是功率M0SFET、大功率晶體管、IGBT和MEMS等。其中，氧化、刻蝕、注入、退火、布線等工序?yàn)楸绢I(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。
[0042]結(jié)合圖8?9所示，最后，執(zhí)行步驟S13，對半導(dǎo)體襯底30的背面進(jìn)行減薄，從而形成側(cè)壁具有圓弧形貌的超薄硅片，在此將減薄后的半導(dǎo)體襯底記為32，減薄后的半導(dǎo)體襯底32的厚度e按產(chǎn)品的需求來定。
[0043]圖9所示為圖8中C區(qū)域的放大示意圖，其中減薄后的半導(dǎo)體襯底32的厚度e例如為30 μπι?200 μπι。由于減薄后的半導(dǎo)體襯底32的厚度e小于減薄前半導(dǎo)體襯底30的圓弧段Hl的高度a，因而減薄后的半導(dǎo)體襯底32的側(cè)壁均為圓弧形貌。由于減薄后的半導(dǎo)體襯底32邊緣為圓弧狀，即便與設(shè)備接觸或碰撞，不易出現(xiàn)硅片邊緣缺口、裂縫、崩邊甚至碎片等異常。
[0044]以上與半導(dǎo)體襯底為硅襯底為例詳細(xì)說明了本發(fā)明的減薄方法，所述的減薄方法運(yùn)用于功率MOSFET、大功率晶體管、IGBT和MEMS等產(chǎn)品中?？梢岳斫獾氖?，所述半導(dǎo)體襯底還可以是其他類型的襯底，并且還可以運(yùn)用于其他半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)過程中。
[0045]綜上所述，由于減薄前半導(dǎo)體襯底側(cè)壁具有多個(gè)圓弧段，并且對所述半導(dǎo)體襯底的背面進(jìn)行減薄后其側(cè)壁仍為圓弧形貌，該具有圓弧形貌的半導(dǎo)體襯底在器件結(jié)構(gòu)制作過程中以及減薄后進(jìn)行封裝過程中，與設(shè)備接觸或者傳片時(shí)都不易發(fā)生缺口、裂縫、崩邊甚至碎片等異常，有利于提尚廣品良率，降低生廣風(fēng)險(xiǎn)。
[0046]上述描述僅是對本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體襯底減薄方法，其特征在于，包括: 提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底側(cè)壁具有多個(gè)圓弧段； 在所述半導(dǎo)體襯底上形成器件結(jié)構(gòu)；以及 對所述半導(dǎo)體襯底的背面進(jìn)行減薄，減薄后的半導(dǎo)體襯底的側(cè)壁為圓弧形貌。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底減薄方法，其特征在于，減薄后的半導(dǎo)體襯底的厚度小于最靠近半導(dǎo)體襯底正面的圓弧段的高度。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底減薄方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底側(cè)壁的多個(gè)圓弧段呈階梯狀分布。4.如權(quán)利要求1或3所述的半導(dǎo)體襯底減薄方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底側(cè)壁具有兩個(gè)圓弧段。5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體襯底減薄方法，其特征在于，所述兩個(gè)圓弧段中，一個(gè)圓弧段的切線與所述半導(dǎo)體襯底正面的夾角為Θ 1，另一個(gè)圓弧段在所述半導(dǎo)體襯底中心線以上部分的切線與半導(dǎo)體襯底正面的夾角為Θ2，其中，Θ1和Θ 2均在11?30度之間。6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體襯底減薄方法，其特征在于，所述ΘI和Θ 2相同。7.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體襯底減薄方法，其特征在于，最靠近半導(dǎo)體襯底正面的圓弧段的邊沿與所述半導(dǎo)體襯底的側(cè)壁邊沿的距離在50 μπι?Imm之間。8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底減薄方法，其特征在于，減薄后的半導(dǎo)體襯底的厚度為 10 μπι ?200 μπ?ο9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底減薄方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底側(cè)壁的多個(gè)圓弧段通過倒角工藝形成。10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底減薄方法，其特征在于，所述器件結(jié)構(gòu)是功率MOSFET、大功率晶體管、IGBT或MEMS。11.一種半導(dǎo)體襯底，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底側(cè)壁具有多個(gè)圓弧段。12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體襯底，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底側(cè)壁的多個(gè)圓弧段呈階梯狀分布。13.如權(quán)利要求11或12所述的半導(dǎo)體襯底，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底側(cè)壁具有兩個(gè)圓弧段。14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體襯底，其特征在于，所述兩個(gè)圓弧段中，一個(gè)圓弧段的切線與所述半導(dǎo)體襯底正面的夾角為Θ 1，另一個(gè)圓弧段在所述半導(dǎo)體襯底中心線以上部分的切線與半導(dǎo)體襯底正面的夾角為Θ2，其中，Θ1和Θ 2均在11?30度之間。15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體襯底，其特征在于，所述Θ1和Θ2相同。16.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體襯底，其特征在于，最靠近半導(dǎo)體襯底正面的圓弧段的邊沿與所述半導(dǎo)體襯底的側(cè)壁邊沿的距離在50 μπι?Imm之間。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體襯底及其減薄方法，包括：提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底側(cè)壁具有多個(gè)圓弧段；在所述半導(dǎo)體襯底上形成器件結(jié)構(gòu)；以及對所述半導(dǎo)體襯底的背面進(jìn)行減薄，減薄后的半導(dǎo)體襯底的側(cè)壁為圓弧形貌。具有圓弧形貌的半導(dǎo)體襯底在器件結(jié)構(gòu)制作過程中以及減薄后進(jìn)行封裝過程中，與設(shè)備接觸或者傳片時(shí)不易發(fā)生缺口、裂縫、崩邊甚至碎片等異常，提高了產(chǎn)品良率。
【IPC分類】H01L21/304, H01L29/06
【公開號】CN105161521
【申請?zhí)枴緾N201510627506
【發(fā)明人】楊彥濤, 向璐, 劉翔宇, 袁媛, 余龍
【申請人】杭州士蘭集成電路有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年9月28日