4.3)通過化學(xué)機(jī)械拋光或研磨和刻蝕去除平坦表面上的金屬。
[0051]步驟(1.5):在模塑料上下表面設(shè)置金屬布線層，并使芯片表面電極與模塑料上表面布線層相連，并通過通孔與模塑料下表面布線層電性連接。
[0052]步驟(1.5.1):在LED芯片表面制備P型歐姆接觸層202和N型歐姆接觸層203，制備方法為濺射配合光刻及腐蝕工藝。
[0053]步驟(1.5.2):以電子束蒸發(fā)配合光刻及剝離工藝，分別在P型歐姆接觸層202和N型歐姆接觸層203表面制備出金屬電極204。
[0054]步驟(1.5.3):在P型歐姆接觸層202和N型歐姆接觸層203表面的兩個金屬電極之間以及電極旁邊制備鈍化層205。通過使用化學(xué)氣相沉積管式爐，在高溫條件下生長二氧化硅層形成鈍化層，然后再通過光刻及腐蝕工藝將絕緣層制成預(yù)設(shè)的圖形。
[0055]步驟(1.5.4):在模塑料上表面設(shè)置金屬布線層206與芯片表面電極204相連，在模塑料下表面設(shè)置布線層208，并通過導(dǎo)電通孔207與模塑料上表面布線層206電性連接。
[0056]步驟(1.5.5):在模塑料下表面沉積散熱層212，與模塑料中的散熱通道211相連。
[0057]步驟(2)將熒光粉通過芯片自身發(fā)光固化的方式設(shè)置在該LED芯片陣列上；
[0058]步驟(2.1):準(zhǔn)備紅色熒光粉、綠色熒光粉和藍(lán)色熒光粉，并將熒光粉與硅膠按照所需以一定的比例混合。
[0059]步驟(2.2):用鋼網(wǎng)作為掩膜露出芯片表面，覆蓋芯片四周，將硅膠209預(yù)涂覆到LED芯片表面，在150°C下進(jìn)行固化一個小時。
[0060]步驟(2.3):將紅色熒光粉210涂覆到具有硅膠預(yù)涂覆層209的LED芯片上，在40°C下進(jìn)行烘干，并選擇性點(diǎn)亮第一批LED芯片利用LED芯片自身發(fā)光進(jìn)行固化。并將熒光粉涂層放置到熱的去離子水中，實(shí)現(xiàn)僅在第一批點(diǎn)亮的芯片表面覆蓋紅色熒光粉，再進(jìn)行烘烤。
[0061]步驟(2.4):將綠色熒光粉涂覆到具有硅膠預(yù)涂覆層的LED芯片上，在40°C下進(jìn)行烘干，并選擇性點(diǎn)亮第二批LED芯片利用LED芯片自身發(fā)光進(jìn)行固化。并將熒光粉涂層放置到熱的去離子水中，實(shí)現(xiàn)僅在第二批點(diǎn)亮的芯片表面覆蓋綠色熒光粉，再進(jìn)行烘烤。
[0062]步驟(2.5):將藍(lán)色熒光粉涂覆到具有硅膠預(yù)涂覆層的LED芯片上，在40°C下進(jìn)行烘干，并選擇性點(diǎn)亮第三批LED芯片利用LED芯片自身發(fā)光進(jìn)行固化。并將熒光粉涂層放置到熱的去離子水中，實(shí)現(xiàn)僅在第三批點(diǎn)亮的芯片表面覆蓋藍(lán)色熒光粉，再進(jìn)行烘烤。
[0063]實(shí)施例2:
[0064]請參閱圖4，圖4是本發(fā)明實(shí)施例2的基板上倒裝LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明實(shí)施例2的單個像素點(diǎn)中一個單元中的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖，該LED芯片陣列采用倒裝封裝形式。401為基板，在LED芯片2的表面設(shè)置P極高反射層402和N極高反射層403，在高反射層的表面分別設(shè)置金屬電極404，在兩金屬電極之間及旁邊設(shè)置鈍化層405，用來避免兩金屬電極直接接觸造成的短路問題，在基板401表面設(shè)置有雙布線層分別是408和410，在金屬布線層408上設(shè)置有凸點(diǎn)下金屬層407，焊球凸點(diǎn)406用于連接芯片與基板?；逯锌涛g有通孔409用于連接發(fā)光芯片與控制電路，芯片與芯片之間設(shè)置有光隔離層411，芯片表面涂覆有硅膠412，熒光粉413。散熱板414設(shè)置在與LED芯片相對的基板的另一面。
[0065]以下詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例2中LED器件的具體制造方法:
[0066]步驟(I)包含如下步驟:
[0067]步驟(1.1):在基板中設(shè)置通孔，并且進(jìn)行孔金屬化。
[0068]步驟(1.1.1):采用刻蝕的方法在基板401中進(jìn)行打孔，并且進(jìn)行孔金屬化。
[0069]步驟(1.1.2)采用刻蝕的方法在基板401中形成通孔409。
[0070]步驟(1.1.3):通過PECVD沉積氧化層，通過MOCVD沉積金屬粘附層/阻擋層/種子層。并通過電化學(xué)反應(yīng)往通孔中沉積金屬層。
[0071]步驟(1.1.4):通過化學(xué)機(jī)械拋光或研磨和刻蝕去除平坦表面上的金屬。
[0072]步驟(1.2):以濺射配合光刻和腐蝕工藝，在基板上表面設(shè)置金屬布線層408，下表面設(shè)置金屬布線410，并使基板上下表面布線層相連通過通孔409實(shí)現(xiàn)電性連接。
[0073]步驟(1.3):以電子束蒸發(fā)配合光刻及剝離工藝，在金屬布線層408上形成凸點(diǎn)下金屬層407，在基板下表面沉積散熱焊盤414。
[0074]步驟(1.4):在LED芯片上形成P極高反射歐姆接觸層402和N極歐姆接觸層403，金屬電極404，鈍化層405和凸點(diǎn)焊球406，將芯片倒裝焊接到基板上:
[0075]步驟(1.4.1)在LED芯片2表面制備P極高反射層402和N極高反射層403，制備方法為濺射配合光刻及腐蝕工藝。
[0076]步驟(1.4.2)在P極高反射層402和N極高反射層403表面制備金屬金屬電極404，該金屬電極404材質(zhì)可以為鋁或其它金屬。
[0077]步驟(1.4.3)以濺射配合光刻和腐蝕工藝，在兩電極之間制備鈍化層405。
[0078]步驟(1.4.4)在該芯片的金屬電極404表面通過電鍍工藝形成凸點(diǎn)焊球406，該凸點(diǎn)焊球406的材質(zhì)可以是金等單一金屬，也可以是多層材料或合金。
[0079]步驟(1.4.5)將該LED芯片倒裝到基板401上，使該LED芯片的凸點(diǎn)焊球406與基板上的凸點(diǎn)下金屬層407相連。該倒裝連接可以是加壓加熱后再加超聲的邦定鍵合方法。
[0080]步驟(1.5):LED芯片與LED芯片之間設(shè)置不透光材料進(jìn)行光隔離:將不透光材料411涂覆于整個基板上超過芯片2高度，然后通過刮除的方法使芯片表面露出實(shí)現(xiàn)對芯片與芯片之間的光隔離；然后將其放入烘箱中進(jìn)行固化，烘箱的溫度設(shè)定為175°C左右，時間為7小時左右。
[0081]步驟(2)將熒光粉通過芯片自身發(fā)光固化的方式設(shè)置在該LED芯片陣列上:
[0082]步驟(2.1):準(zhǔn)備紅色熒光粉、綠色熒光粉和藍(lán)色熒光粉，并將熒光粉與硅膠按照所需以一定的比例混合。
[0083]步驟(2.2):用鋼網(wǎng)作為掩膜露出芯片表面，覆蓋芯片四周，將硅膠412預(yù)涂覆到LED芯片2表面，在150°C下進(jìn)彳丁固化一個小時。
[0084]步驟(2.3):將紅色熒光粉413涂覆到具有硅膠預(yù)涂覆層412的LED芯片上，在40°C下進(jìn)行烘干，并選擇性點(diǎn)亮第一批LED芯片利用LED芯片自身發(fā)光進(jìn)行固化。并將熒光粉涂層放置到熱的去離子水中，實(shí)現(xiàn)僅在第一批點(diǎn)亮的芯片表面覆蓋紅色熒光粉，再進(jìn)行烘烤。
[0085]步驟(2.4):將綠色熒光粉涂覆到具有硅膠預(yù)涂覆層的LED芯片上，在40°C下進(jìn)行烘干，并選擇性點(diǎn)亮第二批LED芯片利用LED芯片自身發(fā)光進(jìn)行固化。并將熒光粉涂層放置到熱的去離子水中，實(shí)現(xiàn)僅在第二批點(diǎn)亮的芯片表面覆蓋綠色熒光粉，再進(jìn)行烘烤。
[0086]步驟(2.5):將藍(lán)色熒光粉涂覆到具有硅膠預(yù)涂覆層的LED芯片上，在40°C下進(jìn)行烘干，并選擇性點(diǎn)亮第三批LED芯片利用LED芯片自身發(fā)光進(jìn)行固化。并將熒光粉涂層放置到熱的去離子水中，實(shí)現(xiàn)僅在第三批點(diǎn)亮的芯片表面覆蓋藍(lán)色熒光粉，再進(jìn)行烘烤。
[0087]實(shí)施例3:
[0088]請參閱圖5，圖5是本發(fā)明實(shí)施例3的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖，該LED芯片陣列采用扇出式晶圓級封裝形式。201為模塑料，2為LED芯片，LED芯片表面設(shè)有P型歐姆接觸層202和N型歐姆接觸層203，金屬電極204分別設(shè)置在P型歐姆接觸層202和N型歐姆接觸層203表面，鈍化層205設(shè)置在兩個電極之間用來避免兩電極直接接觸造成的短路問題，在金屬電極表面設(shè)置金屬布線層206，在模塑料內(nèi)部設(shè)置通孔207用于發(fā)光芯片與外部驅(qū)動電路的連接，與發(fā)光芯片相對的模塑料的另一面還設(shè)置有金屬布線層208。209為硅膠，用于增加熒光粉與芯片之間的粘附力。210為熒光粉，511為凸點(diǎn)下金屬層，焊球凸點(diǎn)512用來連接LED芯片與外部驅(qū)動電路513，514為底部填充材料環(huán)氧樹脂材料。
[0089]以下詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例LED器件的具體制造方法:
[0090]與實(shí)施例1不同的是，本實(shí)施例未設(shè)置散熱通道211和散熱焊盤212。
[0091]步驟(I)具體步驟如下:
[0092]步驟(1.1)?(1.5)與實(shí)施例1中的步驟(1.1)?(1.5)相同。
[0093]步驟(1.6)在金屬布線層508表面設(shè)置凸點(diǎn)下金屬層511。
[0094]步驟(1.7)將I