C芯片513通過凸點焊球512倒裝焊接到基板背面，從而使LED發(fā)光器件與外部驅(qū)動電路連接起來，其中凸點焊球是通過電鍍工藝制得。
[0095]步驟(1.8)利用滴涂法將包封膠514滴涂到IC芯片513的表面及芯片與基板的空隙中，然后再通過熱固化處理變硬，固化時間為30min，固化溫度為150°C，實現(xiàn)對芯片及相關元件的包封及保護。
[0096]步驟⑵與實施例1中的⑵一致。
[0097]實施例4:
[0098]請參閱圖6，圖6是本發(fā)明實施例4的基板上倒裝LED芯片的結構示意圖。401為基板，在LED芯片2的表面設置P極高反射層402和N極高反射層403，在高反射層的表面分別設置金屬電極404，在兩金屬電極之間設置鈍化層405，用來避免兩金屬電極直接接觸造成的短路問題，在基板401表面設置有雙布線層408和410，在金屬布線層408上設置有凸點下金屬層407，焊球凸點406用于連接芯片與基板?；逯锌涛g有通孔409用于連接發(fā)光芯片與控制電路，芯片與芯片之間設置有光隔離層411，芯片表面涂覆有硅膠412，熒光粉413。在金屬布線層設置有凸點下金屬層614，LED發(fā)光單元通過焊球凸點615與外部驅(qū)動電路616相連，617為底部填充材料。
[0099]以下詳細說明本發(fā)明實施例LED器件的具體制造方法:
[0100]與實施例2不同的是，本實施例未設置散熱焊盤414，除此之外，步驟(I)具體步驟如下:
[0101]步驟(1.1)?(1.5)與實施例2中的步驟(1.1)?(1.5)相同。
[0102]步驟(1.6)在金屬布線層410的表面設置凸點下金屬層614。
[0103]步驟(1.7)將IC芯片通過凸點焊球615倒裝焊接到基板背面，從而使LED發(fā)光器件與外部驅(qū)動電路616連接起來，其中焊球凸點是通過電鍍工藝制得。
[0104]步驟(1.8)將環(huán)氧樹脂底部填充材料617注入到IC芯片616的一條或兩條邊，底部填充材料617材料流動并填充IC芯片和基板之間的空隙。然后再通過熱固化處理變硬，固化時間為30min，固化溫度為150°C，實現(xiàn)對芯片及相關元件的包封及保護。
[0105]步驟(2)實施例2中的(2) 一致。
[0106]綜上所述，本發(fā)明提供了一種超高密度LED顯示器件，包括基板以及封裝于基板上的LED芯片陣列，芯片陣列包括若干均勻間隔排布的LED芯片。本發(fā)明采用扇出型晶圓級封裝工藝，減小了封裝面積，提高了 LED顯示屏的分辨率；各1^0芯片為結構和發(fā)光波段相同的同種LED芯片，通過在LED芯片上利用芯片自身發(fā)光固化的方式分別涂敷紅光、綠光和藍光熒光粉，使其分別發(fā)紅光、綠光以及藍光，從而保證各LED芯片在使用過程中的光衰減一致，改善顯示屏的顯色性能；本發(fā)明可以實現(xiàn)像素點間距小于Imm乃至小于0.1mm，實現(xiàn)LED顯示器件的高集成度、高分辨率等性能，在室內(nèi)高密度顯示屏、投影、可穿戴式顯示器件方面有重要的應用。
[0107]本發(fā)明并不局限于上述實施方式，如果對本發(fā)明的各種改動或變形不脫離本發(fā)明的精神和范圍，倘若這些改動和變形屬于本發(fā)明的權利要求和等同技術范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變形。
【主權項】
1.一種超高密度LED顯示器件，其特征在于此LED顯示器件包含有復數(shù)個LED發(fā)光芯片，芯片上設有通過自身發(fā)光固化的方式涂敷的光轉(zhuǎn)換材料。2.根據(jù)權利要求1所述的一種超高密度LED顯示器件，其特征在于:芯片與芯片之間通過模塑料進行光隔離。3.根據(jù)權利要求2所述的一種超高密度LED顯示器件，其特征在于，模塑料材料為熱塑性聚鄰苯二甲酰胺，熱固性環(huán)氧樹脂等高反射率材料。4.根據(jù)權利要求1所述的一種超高密度LED顯示器件，其特征在于:在不同LED芯片上設有多于I種顏色的通過自身發(fā)光固化的方式涂敷的光轉(zhuǎn)換材料。5.根據(jù)權利要求1所述的一種超高密度LED顯示器件，其特征在于，所述LED芯片單元為結構和發(fā)光波段相同的同種LED芯片單元。6.根據(jù)權利要求1所述的一種超高密度LED顯示器件，其特征在于，所述芯片的襯底為藍寶石襯底。7.根據(jù)權利要求1所述的一種超高密度LED顯示器件，其特征在于:光轉(zhuǎn)換材料為熒光粉與環(huán)氧樹脂膠或硅膠混合物。8.根據(jù)權利要求1所述的一種超高密度LED顯示器件，其特征在于:光轉(zhuǎn)換材料為量子點熒光材料與環(huán)氧樹脂膠或硅膠混合物。9.一種超高密度LED顯示器件的制造方法，其特征在于:包括如下步驟: (1)準備一基板，將芯片陣列設置到基板上，并且在芯片周邊設置不透光材料以實現(xiàn)芯片與芯片之間的光隔離；在芯片設置到基板之前或之后，于基板上設置通孔及金屬布線層。 (2)將熒光粉通過芯片自身發(fā)光固化的方式設置在該LED芯片陣列上。10.根據(jù)權利要求9所述的一種超高密度LED顯示器件的制造方法，其特征在于: 步驟(I)包含如下步驟: 步驟(1.1)在一塊載板上粘貼膠帶，膠帶的上表面用于粘貼芯片。 步驟(1.2)將測試良好的芯片有電極一面向下粘貼到膠帶上。 步驟(1.3)用模塑料對芯片以及芯片之間的空隙進行覆蓋填充；然后將其放入烘箱中進行固化；固化完成以后將載板和膠帶從系統(tǒng)中剝離。 步驟(1.4)在模塑料中形成通孔，并且進行孔金屬化。 步驟(1.5)在模塑料上下表面設置金屬布線層，并使芯片表面電極與模塑料上表面布線層相連，并通過通孔與模塑料下表面布線層電性連接。11.根據(jù)權利要求9所述的一種超高密度LED顯示器件的制造方法，其特征在于: 所述步驟(I)包含如下步驟: 步驟(1.1)在基板中設置通孔，并且進行孔金屬化。 步驟(1.2)在基板上下表面設置金屬布線層，并使基板上下表面布線層通過通孔實現(xiàn)電性連接。 步驟(1.3)在基板上設置凸點下金屬層。 步驟(1.4)在LED芯片上設置金屬電極及凸點下金屬層，在芯片或基板的凸點下金屬層上設置導電凸點，將芯片倒裝焊接到基板上。 步驟(1.5) LED芯片與LED芯片之間設置不透光材料進行光隔離:將不透光材料涂覆于整個基板上超過芯片高度，然后通過刮除的方法使芯片表面露出實現(xiàn)對芯片與芯片之間的光隔離；然后將其放入烘箱中進行固化。12.根據(jù)權利要求9所述的一種超高密度LED顯示器件的制造方法，其特征在于:步驟(I)與步驟(2)之間還包含如下步驟:將驅(qū)動控制電路的芯片及器件設置在模塑料或基板下表面，使之與LED實現(xiàn)電連接。13.根據(jù)權利要求9所述的一種超高密度LED顯示器件的制造方法，其特征在于:所述的步驟(2)包括如下步驟: 步驟(2.1)準備紅色熒光粉、綠色熒光粉和藍色熒光粉。 步驟(2.2)用鋼網(wǎng)作為掩膜露出芯片表面，覆蓋芯片四周，將硅膠預涂覆到LED芯片表面，在150 °C下進行固化一個小時。 步驟(2.3)將紅色熒光粉涂覆到具有硅膠預涂覆層的LED芯片上，在40°C下進行烘干，并選擇性點亮第一批LED芯片利用LED芯片自身發(fā)光進行固化。并將熒光粉涂層放置到熱的去離子水中，實現(xiàn)僅在第一批點亮的芯片表面覆蓋紅色熒光粉，再進行烘烤。 步驟(2.4)將綠色熒光粉涂覆到具有硅膠預涂覆層的LED芯片上，在40°C下進行烘干，并選擇性點亮第二批LED芯片利用LED芯片自身發(fā)光進行固化。并將熒光粉涂層放置到熱的去離子水中，實現(xiàn)僅在第二批點亮的芯片表面覆蓋綠色熒光粉，再進行烘烤。 步驟(2.5)將藍色熒光粉涂覆到具有硅膠預涂覆層的LED芯片上，在40°C下進行烘干，并選擇性點亮第三批LED芯片利用LED芯片自身發(fā)光進行固化。并將熒光粉涂層放置到熱的去離子水中，實現(xiàn)僅在第三批點亮的芯片表面覆蓋藍色熒光粉，再進行烘烤。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種超高密度LED顯示器件，包括基板以及封裝于基板上的LED芯片陣列，芯片陣列包括若干均勻間隔排布的LED芯片。本發(fā)明采用扇出型晶圓級封裝工藝(Fan-Out？Wafer-Level？Package，F(xiàn)OWLP)，減小了封裝面積，提高了LED顯示屏的分辨率；各LED芯片為結構和發(fā)光波段相同的同種LED芯片，通過在LED芯片上利用芯片自身發(fā)光固化的方式分別涂敷紅光、綠光和藍光熒光粉，使其分別發(fā)紅光、綠光以及藍光，從而保證各LED芯片在使用過程中的光衰減一致，改善顯示屏的顯色性能；本發(fā)明可以實現(xiàn)像素點間距小于1mm乃至小于0.1mm，實現(xiàn)LED顯示器件的高集成度、高分辨率、光色一致性更好等性能，在室內(nèi)高密度顯示屏、投影、可穿戴式顯示器件方面有重要的應用。
【IPC分類】G09F9/33, H01L27/15
【公開號】CN105206642
【申請?zhí)枴緾N201510664592
【發(fā)明人】周玉剛, 王小莉, 張 榮
【申請人】南京大學
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年10月13日