半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。特別是涉及一種減薄的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在消費性電子產(chǎn)品如手機(jī)等等的發(fā)展過程中，總是追求著更佳的性能、更高的電源效率、更大的密度及更低的厚度。在這些目標(biāo)中，厚度的降低會受到消費性電子產(chǎn)品中的電子零件的厚度所影響。舉例來說，對于具有堆疊式封裝(Package-On-Package, POP)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用處理器或動態(tài)隨機(jī)存取存儲器來說，最低的厚度可能是兩個堆疊的封裝件的總厚度，其中每一個封裝件的厚度往往是基板的厚度與形成于其上的管芯的厚度的總和。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種減薄的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
[0004]根據(jù)一些實施例，所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括一基板及η個管芯的一管芯堆疊，其中η 3 1?；寰哂幸坏谝粋?cè)、一第二側(cè)及一開口，所述開口從第一側(cè)延伸至第二側(cè)。管芯堆疊設(shè)置在所述開口中。基板的厚度與管芯堆疊的厚度實質(zhì)上相同。
[0005]根據(jù)一些實施例，所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制造方法包括下列步驟。首先，將一基板貼附至一載板上。所述基板具有一第一側(cè)、一第二側(cè)及一開口，所述開口從第一側(cè)延伸至第二偵L接著，將η個管芯的一管芯堆疊經(jīng)由所述開口貼附至載板上，其中η 3 1。基板的厚度與管芯堆疊的厚度實質(zhì)上相同。
[0006]為了讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下:
【附圖說明】
[0007]圖1Α?圖9為根據(jù)一實施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制造方法的示意圖。
[0008]其中，附圖標(biāo)記
[0009]100:半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)
[0010]102:基板
[0011]102a:第一側(cè)
[0012]102b:第二側(cè)
[0013]102ο:開口
[0014]104:重布層
[0015]106:導(dǎo)孔
[0016]108:管芯堆疊
[0017]110:載板
[0018]112:黏著層
[0019]114:第一黏著隔離層
[0020]116:第二黏著隔離層
[0021]118、122:第一電路層
[0022]120、124:第二電路層
[0023]126:接墊
[0024]128:接墊
[0025]130:第一鈍化層
[0026]132:第二鈍化層
[0027]134:管芯
【具體實施方式】
[0028]以下將說明所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。圖1A?圖9繪示根據(jù)一實施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制造方法。為了清楚起見，元件的一部分可能會從附圖中省略。
[0029]請參照圖1A及圖1B，提供一基板102。圖1A為基板102的俯視圖，圖1B為基板102取自圖1A的剖面線B-B’的剖面?；?02具有一第一側(cè)102a、一第二側(cè)102b及一開口 102ο，開口 102ο從第一側(cè)102a延伸至第二側(cè)102b?；?02可為晶片或平板。在一些例子中，基板102包括娃或玻璃等等?；?02可包括重布層(redistribut1n layer) 104及連接重布層104的導(dǎo)孔(via) 106。重布層104可由銅、或鋁、或鎢、或其組合所形成。
[0030]請參照圖2，提供η個管芯的一管芯堆疊108，其中η會1。在圖2的例子中，繪示出由二個管芯構(gòu)成管芯堆疊108。在其他例子中，管芯堆疊108可包括單一個管芯或多于二個管芯。管芯堆疊108的管芯可完全相同、部分相同或完全不同。在一些例子中，管芯堆疊108中的一或多個管芯包括直通娃穿孔(Through-Silicon Via, TSV)。
[0031]在此，可調(diào)整基板102的厚度或管芯堆疊108中的管芯的厚度，使得基板102的厚度與管芯堆疊108的厚度實質(zhì)上相同。例如，可從管芯的背面(與集成電路及內(nèi)連線所在的表面相對的表面)薄化管芯以調(diào)整管芯的厚度。
[0032]請參照圖3，首先，將基板102貼附至一載板110上。接著，將管芯堆疊108經(jīng)由基板102的開口 102ο貼附至載板110上。在一些例子中，可選擇性地進(jìn)行一對準(zhǔn)步驟?；?02及管芯堆疊108可通過黏著層112暫時性地固定于載板110上。在此，基板102的厚度與管芯堆疊108的厚度實質(zhì)上相同。
[0033]請參照圖4，可形成一第一黏著隔離層114于基板102的第一側(cè)102a上及基板102與管芯堆疊108之間。第一黏著隔離層114可包括光敏性黏著劑，例如苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene, BCB)或聚苯惡唑(polybenzoxazole, ΡΒ0)等等。第一黏著隔離層 114可提供在接下來的步驟中所形成的電路層(例如第一電路層118及122)電性隔離。可圖案化第一黏著隔離層114。
[0034]請參照圖5，移除載板110。接著可形成一第二黏著隔離層116于基板102的第二側(cè)102b。第二黏著隔離層116可包括與第一黏著隔離層114相同的材料，例如光敏性黏著劑。第二黏著隔離層116可提供在接下來的步驟中所形成的電路層(例如第二電路層120及124)電性隔離?？蓤D案化第二黏著隔離層116。
[0035]請參照圖6，可形成一第一電路層118于基板102的第一側(cè)102a上，并可形成一第二電路層120于基板102的第二側(cè)102b上。第一電路層118及第二電路層120可由半加成金屬化制作工藝(sem1-additive metallizat1n process)形成。半加成金屬化制作工藝?yán)绨铝胁襟E:在隔離層(114或116)中形成開口(對應(yīng)至參考圖5的圖案化隔離層的敘述)；以例如無電鍍處理在隔離層表面及開口的側(cè)壁與底部上形成薄的順形金屬層；在隔離層上形成圖案化光致抗蝕劑，其中圖案化光致抗蝕劑未覆蓋的區(qū)域為欲形成金屬導(dǎo)線的區(qū)域；以電鍍處理于圖案化光致抗蝕劑未覆蓋的區(qū)域形成金屬導(dǎo)線并填滿隔離層中的開口 ；移除圖案化光致抗蝕劑；及移除原本被圖案化光致抗蝕劑所覆蓋的薄的順形金屬層。
[0036]請參照圖7，可形成另一第一電路層122于第一電路層118上，并可形成另一第二電路層124于第二電路層120上。第一電路層122及第二電路層124可由半加成金屬化制作工藝形成。第一電路層122包括接墊126。第二電路層124包括接墊128。
[0037]請參照圖8，可形成一第一鈍化層130于第一電路層122上，并可形成一第二鈍化層132于第二電路層124上。第一鈍化層130露出第一電路層122的接墊126。第二鈍化層132露出第二電路層124的接墊128。
[0038]請參照圖9，可提供一管芯134于第一鈍化層130上。在圖9的例子中，例示性地提供三個管芯134。電連接管芯134至第一電路層122的接墊126。管芯134可經(jīng)由打線連接、球柵陣列連接(Ball Grid Array, BGA)或倒裝(flip chip)連接電連接至第一電路層122的接墊126。在圖9的例子中，管芯134與接墊126是經(jīng)由打線連接來連接。在圖9的例子中，焊球形成在第二電路層124的接墊128上，以提供電連接。然而，可使用其他連接方法，例如倒裝連接。
[0039]接著，可進(jìn)行一切割基板102的步驟。但應(yīng)注意，此一切割步驟可并入在形成第一黏著隔離層114之后所進(jìn)行的