任一步驟中。
[0040]經(jīng)由上述方法，管芯堆疊108被設(shè)置在基板102的開口 102ο中。此外，基板102的厚度被調(diào)整成與管芯堆疊108的厚度實(shí)質(zhì)上相同。因此，可進(jìn)一步地降低厚度。所減少的厚度至少等于一個(gè)基板的厚度。相較于傳統(tǒng)的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)，由上述方法所形成的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)可減薄約200微米。
[0041]由上述方法所形成的一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100包括一基板102及η個(gè)管芯的一管芯堆疊108，其中η ^ 1。基板102具有一第一側(cè)102a、一第二側(cè)102b及一開口 102ο，開口102ο從第一側(cè)102a延伸至第二側(cè)102b。基板102可為晶片或平板。在一些例子中，基板102包括硅或玻璃等等。在一些例子中，η個(gè)管芯的其中一者不同于其中另一者。管芯堆疊108設(shè)置在開口 102ο中?；?02的厚度與管芯堆疊108的厚度實(shí)質(zhì)上相同。
[0042]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100還可包括一第一黏著隔離層114及一第二黏著隔離層116。第一黏著隔離層114設(shè)置在基板102的第一側(cè)102a上及基板102與管芯堆疊108之間。第二黏著隔離層116設(shè)置在基板102的第二側(cè)102b上。第一黏著隔離層114及第二黏著隔離層116可包括光敏性黏著劑，例如苯并環(huán)丁烯(BCB)或聚苯惡唑(ΡΒ0)等等。
[0043]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100還可包括至少一第一電路層118/122及至少一第二電路層120/124。所述至少一第一電路層118/122設(shè)置在基板102的第一側(cè)102a上。所述至少一第一電路層118/122包括接墊126。所述至少一第二電路層120/124設(shè)置在基板102的第二側(cè)102b上。所述至少一第二電路層120/124包括接墊128。
[0044]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100還可包括一第一鈍化層130及一第二鈍化層132。第一鈍化層130設(shè)置在所述至少一第一電路層118/122上。第一鈍化層130露出所述至少一第一電路層118/122的接墊126。第二鈍化層132設(shè)置在所述至少一第二電路層120/124上。第二鈍化層132露出所述至少一第二電路層120/124的接墊128。
[0045]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100還可包括一管芯134。管芯134設(shè)置在第一鈍化層130上，并電連接至所述至少一第一電路層118/122的接墊126。管芯134可經(jīng)由打線連接、球柵陣列連接或倒裝連接電連接至接墊126。在一些例子中，可形成焊球于接墊128上，以提供電連接。在其他例子中，可使用其他連接方法，例如倒裝連接。
[0046]在此一實(shí)施例中，由于管芯堆疊108是設(shè)置在基板102的開口 102ο中，且基板102的厚度被調(diào)整成與管芯堆疊108的厚度實(shí)質(zhì)上相同，因此可進(jìn)一步地減低厚度。如上所述，相較于傳統(tǒng)的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100可減薄約200微米。
[0047]綜上所述，雖然結(jié)合以上優(yōu)選實(shí)施例公開了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明精神和范圍之內(nèi)，可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括: 基板，具有第一側(cè)、第二側(cè)及開口，所述開口從所述第一側(cè)延伸至所述第二側(cè)；以及 η個(gè)管芯的管芯堆疊，其中η 3 1，所述管芯堆疊設(shè)置在所述開口中； 其中所述基板的厚度與所述管芯堆疊的厚度實(shí)質(zhì)上相同。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述基板為晶片或平板。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述η個(gè)管芯的其中一者不同于其中另一者。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，還包括: 第一黏著隔離層，設(shè)置在所述基板的所述第一側(cè)上及所述基板與所述管芯堆疊之間；以及 第二黏著隔離層，設(shè)置在所述基板的所述第二側(cè)上。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一黏著隔離層及所述第二黏著隔離層包括光敏性黏著劑。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，還包括: 至少一第一電路層，設(shè)置在所述的基板所述第一側(cè)上，所述至少一第一電路層包括多個(gè)接墊；以及 至少一第二電路層，設(shè)置在所述的基板所述第二側(cè)上，所述至少一第二電路層包括多個(gè)接墊。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，還包括: 第一鈍化層，設(shè)置在所述至少一第一電路層上，所述第一鈍化層露出所述至少一第一電路層的所述接墊；以及 第二鈍化層，設(shè)置在所述至少一第二電路層上，所述第二鈍化層露出所述至少一第二電路層的所述接墊。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，還包括: 管芯，設(shè)置在所述第一鈍化層上，并電連接至所述至少一第一電路層的所述接墊。9.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制造方法,包括: 將一基板貼附至一載板上，所述基板具有一第一側(cè)、一第二側(cè)及一開口，所述開口從所述第一側(cè)延伸至所述第二側(cè)；以及 將η個(gè)管芯的一管芯堆疊經(jīng)由所述開口貼附至所述載板上，其中η蘭1 ； 其中所述基板的厚度與所述管芯堆疊的厚度實(shí)質(zhì)上相同。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制造方法，其中所述基板為晶片或平板。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制造方法，其中所述η個(gè)管芯的其中一者不同于其中另一者。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制造方法，還包括: 形成一第一黏著隔離層于所述基板的所述第一側(cè)上及所述基板與所述管芯堆疊之間；以及 移除所述載板。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制造方法，還包括: 形成一第二黏著隔離層于所述基板的所述第二側(cè)上。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制造方法，其中所述第一黏著隔離層及所述第二黏著隔離層包括光敏性黏著劑。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制造方法，還包括: 形成至少一第一電路層于所述基板的所述第一側(cè)上，所述至少一第一電路層包括多個(gè)接墊；以及 形成至少一第二電路層于所述基板的所述第二側(cè)上，所述至少一第二電路層包括多個(gè)接墊。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制造方法，其中所述至少一第一電路層及所述至少一第二電路層是由半加成金屬化制作工藝形成。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制造方法，還包括: 形成一第一鈍化層于所述至少一第一電路層上，所述第一鈍化層露出所述至少一第一電路層的所述接墊；以及 形成一第二鈍化層于所述至少一第二電路層上，所述第二鈍化層露出所述至少一第二電路層的所述接墊。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制造方法，還包括: 提供一管芯于所述第一鈍化層上，并電連接提供于所述第一鈍化層上的所述至所述至少一第一電路層的所述接墊。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制造方法，其中提供于所述第一鈍化層上的所述管芯是經(jīng)由打線連接、球柵陣列連接或倒裝連接電連接至所述至少一第一電路層的所述接墊。20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制造方法，還包括: 切割所述基板。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括一基板及n個(gè)管芯的一管芯堆疊，其中n≧1?；寰哂幸坏谝粋?cè)、一第二側(cè)及一開口，所述開口從第一側(cè)延伸至第二側(cè)。管芯堆疊設(shè)置在所述開口中。基板的厚度與管芯堆疊的厚度實(shí)質(zhì)上相同。
【IPC分類】H01L23/31, H01L21/56
【公開號(hào)】CN105280575
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410341647
【發(fā)明人】郭建利
【申請(qǐng)人】聯(lián)華電子股份有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請(qǐng)日】2014年7月17日
【公告號(hào)】US20160020175