封裝結(jié)構(gòu)及其制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其制法，尤指一種具有被動(dòng)元件的封裝結(jié)構(gòu)及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的進(jìn)步，可穿戴式裝置(wearable devices)的普及，因而提高了人們對(duì)于電子產(chǎn)品的要求。為了增加這些高性能可攜式配備封裝件(mobile assembly package)的使用功效，通常都會(huì)設(shè)置電容。
[0003]圖1A至圖1B為現(xiàn)有封裝結(jié)構(gòu)1的制法的示意圖。
[0004]如圖1A所示，將一具有電容12的封裝基板10藉由多個(gè)焊球14設(shè)于一電路板13上，且該電容12的高度r約0.10至0.13毫米(mm)，而該焊球14的高度d約為0.17mm,使該封裝基板10與電路板13間的距離hi于焊球14進(jìn)行回焊前相當(dāng)于焊球14的高度d。
[0005]如圖1B所示，回焊該些焊球14’，以固定該封裝基板10于該電路板13上。
[0006]惟，因該些焊球14’于回焊后的體積及高度的公差大，即尺寸變異不易控制，所以于回焊制程時(shí)，該焊球14’會(huì)先變成軟塌狀態(tài)，同時(shí)在承受上方封裝基板10的重量后，該焊球14’容易塌扁變形，致使該封裝基板10與該電路板13間的距離h2小于原距離hl，由于該電路板13與該電容12之間的距離隨之變小，易導(dǎo)致該電容12受壓而損壞，造成產(chǎn)品良率不佳。例如，原先預(yù)計(jì)該電路板13與該電容12之間會(huì)保有約0.06至0.03mm的間隙t (已考量用于設(shè)置該電容12的如錫膏的粘著材120的厚度e，約0.01mm)，但因該焊球14’過度形變，該間隙t變小(即消失)后，會(huì)導(dǎo)致該電容12受壓而碰撞該電路板13，進(jìn)而導(dǎo)致該電容12破裂(crack)，如圖1B所示的破裂處K。
[0007]另外，該封裝基板10也會(huì)發(fā)生翹曲狀況，使該電路板13與該封裝基板10會(huì)夾壓該電容12，所以該電容12也會(huì)因此而發(fā)生受力破裂的問題。
[0008]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失，本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)及其制法，以避免該被動(dòng)元件碰撞電路板。
[0010]本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)，包括:承載件，其具有相對(duì)的第一側(cè)及第二側(cè)；被動(dòng)元件，其設(shè)于該承載件的第一側(cè)上；以及支撐件，其形成于該承載件的第一側(cè)上，且該支撐件相對(duì)該第一側(cè)的高度大于該被動(dòng)元件相對(duì)該第一側(cè)的高度。
[0011]本發(fā)明還提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制法，包括:設(shè)置至少一被動(dòng)元件于一承載件上；以及形成支撐件于該承載件上，且該支撐件的高度大于該被動(dòng)元件的高度。
[0012]于本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，該承載件具有線路層，且于該封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)置至少一電性連接該線路層的主動(dòng)元件。
[0013]于本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，該承載件具有電性連接該被動(dòng)元件的線路層。
[0014]于本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，形成該支撐件的材質(zhì)為導(dǎo)電材、絕緣材或兩者的組合。例如，該支撐件具有導(dǎo)電塊與包覆該導(dǎo)電塊的焊錫材；或者，該支撐件具有導(dǎo)電塊與位于該導(dǎo)電塊中的絕緣體。
[0015]于本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，該支撐件為球體或塊體。
[0016]于本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，該支撐件接觸該被動(dòng)元件。
[0017]于本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，該支撐件遮蓋該被動(dòng)元件。
[0018]于本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)及其制法中，還包括設(shè)置電路板于該承載件的第一側(cè)上，供該支撐件抵靠至該電路板。
[0019]如上所述，本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)及其制法，藉由增設(shè)支撐件，使其相對(duì)該第一側(cè)的高度大于該被動(dòng)元件相對(duì)該第一側(cè)的高度，所以于后續(xù)回焊制程時(shí)，雖然該承載件與該電路板間的距離降低，但該支撐件會(huì)支撐住該電路板，使該電路板不致碰撞至該被動(dòng)元件，因此，能避免產(chǎn)生該被動(dòng)元件因受壓而破裂的問題。
[0020]另外，若該承載件發(fā)生翹曲狀況，因該支撐件會(huì)支撐住該電路板，使該電路板與該承載件不致夾壓該被動(dòng)元件，所以也能避免該被動(dòng)元件因受壓而破裂。
【附圖說明】
[0021]圖1A至圖1B為將現(xiàn)有封裝結(jié)構(gòu)的制法的示意圖；以及
[0022]圖2A至圖2F為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的制法的示意圖；其中，圖2C’及圖2C”為圖2C不同實(shí)施例的局部放大圖；以及
[0023]圖3A及圖3B為圖2C的不同實(shí)施例的示意圖。
[0024]符號(hào)說明
[0025]1，2 封裝結(jié)構(gòu)10封裝基板
[0026]12 電容120粘著材
[0027]13，3 電路板14，14’ 焊球
[0028]20 承載件20a第一側(cè)
[0029]20b 第二側(cè)200基板本體
[0030]201 第一線路層202絕緣保護(hù)層
[0031]203 第二線路層204封裝材
[0032]21 主動(dòng)元件211導(dǎo)電體
[0033]22 被動(dòng)元件23，23’，33，33’支撐件
[0034]230,231’導(dǎo)電塊230’絕緣體
[0035]231 焊錫材24,24’ 導(dǎo)電元件
[0036]hi, h2, h3, h4 距離r, d, dl, d2, L 高度
[0037]t，t’ 間隙e厚度
[0038]K 破裂處P1，P2頂端位置。
【具體實(shí)施方式】
[0039]以下藉由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0040]須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用于配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用于限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如「上」、「第一」、「第二」及「一」等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用于限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0041]圖2A至圖2F為本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)2的制法的示意圖。
[0042]如圖2A所示，提供一具有相對(duì)的第一側(cè)20a及第二側(cè)20b的承載件20。
[0043]于本實(shí)施例中，該承載件20為封裝基板型式并具有主動(dòng)元件21，且該承載件20包括一基板本體200、設(shè)于該基板本體200相對(duì)兩表面上的第一線路層201與第二線路層203、及形成于該基板本體200的其中一表面上并具有開孔以部份外露該第一線路層201的一絕緣保護(hù)層202，且該主動(dòng)元件21設(shè)于該基板本體200的另一表面上并以多個(gè)導(dǎo)電體211 (如導(dǎo)電盲孔、導(dǎo)電柱、焊錫凸塊、焊線等)電性連接該第二線路層203，該主動(dòng)元件21還為封裝材204所包覆。
[0044]此外，所述的主動(dòng)元件21為半導(dǎo)體晶片，且其態(tài)樣并無限制，例如，打線式、覆晶式、嵌埋式或堆迭式等。
[0045]如圖2B所示，設(shè)置一被動(dòng)元件22于該承載件20的第一側(cè)20a的第一線路層201上。
[0046]于本實(shí)施例中，該被動(dòng)元件22為電容，且電性連接該第一線路層201。
[0047]如圖2C所示，形成多個(gè)支撐件23于該承載件20的第一側(cè)20a上，且該支撐件23相對(duì)該第一側(cè)20a的高度dl大于該被動(dòng)元件22相對(duì)該第一側(cè)20a的高度d2。
[0048]于本實(shí)施例中，該支撐件23的整體高度L為100至170um，且該被動(dòng)元件22夾置于該支撐件23間，以藉該支撐件23接觸強(qiáng)化固定該被動(dòng)元件22。
[0049]此外，形成該支撐件23的材質(zhì)為導(dǎo)電材(如含銅的金屬柱)、絕緣材(如耐高溫塑料所構(gòu)成的塑膠球)或兩者的組合。具體地，該支撐件23具有導(dǎo)電塊230 (如銅塊)與包覆該導(dǎo)電塊230的焊錫材231，如圖2C’所示；或者，如圖2C”所示