電極PE與保護(hù)絕緣膜PIF的接觸面的面積，能夠強(qiáng)化柱狀電極PE與保護(hù)絕緣膜PIF的接合強(qiáng)度，由此，能夠補(bǔ)強(qiáng)焊盤ro與柱狀電極PE的接合部分處的接合強(qiáng)度，其結(jié)果，能夠抑制焊盤ro與柱狀電極PE的接合界面處的剝離。并且，在本變形例4中，開口區(qū)域0P2的中心位置與柱狀電極PE的中心位置在X方向和Y方向上錯位。因此，在施加基于熱負(fù)載的應(yīng)力時，力點(diǎn)的X坐標(biāo)與作用點(diǎn)的X坐標(biāo)錯位，并且力點(diǎn)的Y坐標(biāo)與作用點(diǎn)的Y坐標(biāo)也錯位。因此，在與配置于半導(dǎo)體芯片的角部附近的焊盤ro連接的接合指形部FNG中，具有產(chǎn)生于接合指形部FNG與焊盤ro之間的交變應(yīng)力在X方向和Y方向雙方均產(chǎn)生的趨勢。由此，通過將本變形例4的焊盤結(jié)構(gòu)用于配置在半導(dǎo)體芯片的角部附近的焊盤PD，能夠減小施加于柱狀電極PE與焊盤ro的接合部分的應(yīng)力的大小，由此，能夠抑制焊盤ro與柱狀電極pe的接合界面處的剝離。
[0175]<變形例5 >
[0176]接下來，對實(shí)施方式的變形例5進(jìn)行說明。圖42是表示本變形例5的焊盤結(jié)構(gòu)的平面圖。在實(shí)施方式中，說明了如圖12所示那樣在焊盤ro的長邊方向(X方向)上的右側(cè)形成開口區(qū)域0P2，并且在左側(cè)形成探針痕跡PM的焊盤結(jié)構(gòu)，但也可以如圖42所示的本變形例5那樣采用在焊盤ro的長邊方向(X方向)上的左側(cè)形成開口區(qū)域0P2，并且在右側(cè)形成探針痕跡PM的焊盤結(jié)構(gòu)。
[0177]具體而言，例如圖11所示，考慮將實(shí)施方式的焊盤結(jié)構(gòu)應(yīng)用于以兩列交錯配置的方式進(jìn)行配置的多個焊盤中的外周焊盤。另一方面，考慮將本變形例5的焊盤結(jié)構(gòu)應(yīng)用于以兩列交錯配置的方式進(jìn)行配置的多個焊盤中的內(nèi)周焊盤。
[0178]<變形例6>
[0179]接著，對實(shí)施方式的變形例6進(jìn)行說明。圖43是表示本變形例6的焊盤結(jié)構(gòu)的平面圖。在圖43中，在局部覆蓋焊盤ro的表面保護(hù)膜(省略圖示)的一部分形成有凸部CVX。通過該凸部CVX，能夠在焊盤ro的X方向上區(qū)分凸部CVX的右側(cè)區(qū)域與凸部cvx的左側(cè)區(qū)域。換句話說，能夠以凸部CVX作為標(biāo)記，將凸部CVX的右側(cè)區(qū)域識別為形成有開口區(qū)域0P2的區(qū)域，并且，將凸部CVX的左側(cè)區(qū)域識別為構(gòu)成探針區(qū)域PBR的一部分的部分區(qū)域PRT所形成的區(qū)域。
[0180]例如，在將針體按壓于焊盤ro來實(shí)施電特性檢查的階段，尚未形成保護(hù)絕緣膜PIF，形成于保護(hù)絕緣膜PIF的開口區(qū)域0P2也未形成。因此，難以判斷焊盤ro的表面區(qū)域中的哪個區(qū)域是開口區(qū)域0P2以外的探針區(qū)域PBR。關(guān)于這一點(diǎn)，在本變形例6中，由于在局部覆蓋焊盤ro的表面保護(hù)膜的一部分形成有凸部CVX，因此能夠以凸部cvx作為標(biāo)記，將凸部CVX的右側(cè)區(qū)域識別為開口區(qū)域0P2所形成的區(qū)域，并且，將凸部CVX的左側(cè)區(qū)域識別為構(gòu)成探針區(qū)域PBR的一部分的部分區(qū)域PRT所形成的區(qū)域。其結(jié)果，根據(jù)本變形例6，不像實(shí)施方式那樣設(shè)置虛設(shè)焊盤DP，而通過以凸部CVX作為標(biāo)記，將針體按壓于凸部CVX的左側(cè)區(qū)域(部分區(qū)域PRT)，由此針體自動地按壓于焊盤ro的開口區(qū)域0P2以外的探針區(qū)域PBRo通過如上這樣做，根據(jù)本變形例6，能夠防止在焊盤ro的表面區(qū)域中的、開口區(qū)域0P2內(nèi)形成探針痕跡PM。
[0181]<變形例7>
[0182]接下來，對實(shí)施方式的變形例7進(jìn)行說明。圖44是表示本變形例7的半導(dǎo)體器件SA2的安裝結(jié)構(gòu)的剖視圖。在圖44中，本變形例7的半導(dǎo)體器件SA2具有布線襯底WB，在該布線襯底WB的背面形成有多個焊錫球SB。另一方面，在布線襯底WB的表面搭載有半導(dǎo)體芯片CHP1，形成于半導(dǎo)體芯片CHP1的柱狀電極PE與配置在布線襯底WB的表面的端子(接合指形部)(未圖示)連接。并且，在半導(dǎo)體芯片CHP1與布線襯底WB的間隙填充有封固材料UF。
[0183]此外，在本變形例7的半導(dǎo)體器件SA2中，在半導(dǎo)體芯片CHP1上層疊配置有半導(dǎo)體芯片CHP2，半導(dǎo)體芯片CHP2與布線襯底WB例如通過由金線構(gòu)成的導(dǎo)線W電連接。并且，以覆蓋層疊配置的半導(dǎo)體芯片CHP1和半導(dǎo)體芯片CHP2的方式形成有封固樹脂MR。在這樣構(gòu)成的本變形例7的半導(dǎo)體器件SA2中，半導(dǎo)體芯片CHP1也通過柱狀電極PE與布線襯底WB連接，這方面例如與圖2所示的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件SA相同，因此在本變形例7的半導(dǎo)體器件SA2中，也能夠應(yīng)用實(shí)施方式的技術(shù)構(gòu)思。
[0184]特別是，在本變形例7中，存在封固樹脂MR，由于在形成該封固樹脂MR的工序中也施加熱負(fù)載，因此，在本變形例7中應(yīng)用實(shí)施方式的技術(shù)構(gòu)思的技術(shù)意義增大。
[0185]此外，雖未圖示，但實(shí)施方式的技術(shù)構(gòu)思能夠廣泛應(yīng)用于例如具有散熱板的半導(dǎo)體器件、在第1半導(dǎo)體器件上搭載有其他第2半導(dǎo)體器件的所謂POP (Package On Package)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件等。
[0186]以上，根據(jù)該實(shí)施方式具體說明了由本發(fā)明的發(fā)明人完成的發(fā)明，但本發(fā)明不限定于上述實(shí)施方式，能夠在不脫離其宗旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更，這自不待言。
[0187]例如，在上述實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體器件的封裝形態(tài)，列舉了 BGA(Ball GridArray)為例進(jìn)行說明，但上述實(shí)施方式的技術(shù)構(gòu)思也能夠應(yīng)用于被稱作LGA(Land GridArray)的封裝形態(tài)。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體器件，包括： (a)具有第一面和形成于所述第一面的接合指形部的布線襯底； (b)半導(dǎo)體芯片，其具有：主表面、形成于所述主表面上的焊盤、形成于所述焊盤上的保護(hù)絕緣膜和形成于從所述保護(hù)絕緣膜露出的所述焊盤的開口區(qū)域上的柱狀電極，所述半導(dǎo)體芯片以所述主表面與所述布線襯底的所述第一面相對的方式經(jīng)由所述柱狀電極與所述布線襯底的所述接合指形部電連接， 在由所述保護(hù)絕緣膜覆蓋的所述焊盤的探針區(qū)域形成有探針痕跡， 所述柱狀電極具有： 形成于所述開口區(qū)域上的第一部分；和 形成于覆蓋所述探針區(qū)域的所述保護(hù)絕緣膜上的第二部分， 所述開口區(qū)域的中心位置從與所述接合指形部相對的所述柱狀電極的中心位置偏移。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中， 所述探針區(qū)域為所述開口區(qū)域以外的區(qū)域、且為在除去了所述保護(hù)絕緣膜的情況下露出的所述焊盤的表面區(qū)域。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中， 所述柱狀電極的所述第二部分朝向所述探針痕跡延伸。4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中， 在俯視觀看時，所述柱狀電極的所述第二部分將所述探針痕跡包圍在內(nèi)。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中， 所述焊盤為長方形形狀， 所述開口區(qū)域和所述探針痕跡在所述焊盤的長邊方向上排列。6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中， 與所述接合指形部相對的所述柱狀電極的中心位置與所述開口區(qū)域的中心位置之間的偏移在所述焊盤的長邊方向上產(chǎn)生。7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中， 在所述半導(dǎo)體芯片上形成有虛設(shè)焊盤， 所述虛設(shè)焊盤具有確定形成所述開口區(qū)域前的所述焊盤的表面區(qū)域內(nèi)的所述探針區(qū)域的位置的功能。8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中， 所述虛設(shè)焊盤在所述半導(dǎo)體芯片上沿多個所述焊盤的排列方向配置， 所述虛設(shè)焊盤配置成：在使所述虛設(shè)焊盤的表面區(qū)域沿所述排列方向平行移動時，與所述虛設(shè)焊盤的表面區(qū)域重合的所述焊盤的表面區(qū)域包含于所述焊盤的所述探針區(qū)域。9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中， 具有以部分覆蓋所述焊盤的方式形成于所述主表面上的表面保護(hù)膜， 從所述表面保護(hù)膜露出的所述焊盤的露出區(qū)域由所述開口區(qū)域和所述探針區(qū)域構(gòu)成，在所述表面保護(hù)膜上形成有凸部，該凸部具有在俯視觀看時對所述開口區(qū)域和構(gòu)成所述探針區(qū)域的一部分的部分區(qū)域進(jìn)行區(qū)別的功能。10.一種半導(dǎo)體器件，包括： (a)具有第一面和形成于所述第一面的接合指形部的布線襯底； (b)半導(dǎo)體芯片，其具有：主表面、形成于所述主表面上的焊盤、形成于所述焊盤上的保護(hù)絕緣膜和形成于從所述保護(hù)絕緣膜露出的所述焊盤的開口區(qū)域上的柱狀電極，所述半導(dǎo)體芯片以所述主表面與所述布線襯底的所述第一面相對的方式經(jīng)由所述柱狀電極與所述布線襯底的所述接合指形部電連接， 在由所述保護(hù)絕緣膜覆蓋的所述焊盤的探針區(qū)域形成有探針痕跡， 所述柱狀電極具有： 形成于所述開口區(qū)域上的第一部分；和 形成于覆蓋所述探針區(qū)域的所述保護(hù)絕緣膜上的第二部分， 在俯視觀看時，所述柱狀電極具有所述柱狀電極的多個電極端部之中、距所述探針痕跡最近的第一電極端部和與所述第一電極端部相對的第二電極端部， 在俯視觀看時，所述開口區(qū)域具有所述開口區(qū)域的多個開口端部之中、距所述探針痕跡最近的第一開口端部和與所述第一開口端部相對的第二開口端部， 在俯視觀看時，從所述柱狀電極的所述第一電極端部到所述開口區(qū)域的所述第一開口端部為止的間隔，大于從所述柱狀電極的所述第二電極端部到所述開口區(qū)域的所述第二開口端部為止的間隔。11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中， 所述探針區(qū)域為所述開口區(qū)域以外的區(qū)域、且為在除去了所述保護(hù)絕緣膜的情況下露出的所述焊盤的表面區(qū)域。12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中， 所述柱狀電極的所述第二部分朝向所述探針痕跡延伸。13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中， 在俯視觀看時，所述柱狀電極的所述第二部分將所述探針痕跡包圍在內(nèi)。14.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中， 所述焊盤為長方形形狀， 所述開口區(qū)域和所述探針痕跡在所述焊盤的長邊方向上排列。15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中， 所述柱狀電極的所述第一電極端部、所述第二電極端部、所述開口區(qū)域的所述第一開口端部和所述第二開口端部沿所述焊盤的所述長邊方向排列。16.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中， 在所述半導(dǎo)體芯片上形成有虛設(shè)焊盤， 所述虛設(shè)焊盤具有確定形成所述開口區(qū)域前的所述焊盤的表面區(qū)域內(nèi)的所述探針區(qū)域的位置的功能。17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其中， 所述虛設(shè)焊盤在所述半導(dǎo)體芯片上沿多個所述焊盤的排列方向配置， 所述虛設(shè)焊盤配置成：在使所述虛設(shè)焊盤的表面區(qū)域沿所述排列方向平行移動時，與所述虛設(shè)焊盤的表面區(qū)域重合的所述焊盤的表面區(qū)域包含于所述焊盤的所述探針區(qū)域。18.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中， 具有以部分覆蓋所述焊盤的方式形成于所述主表面上的表面保護(hù)膜， 從所述表面保護(hù)膜露出的所述焊盤的露出區(qū)域由所述開口區(qū)域和所述探針區(qū)域構(gòu)成， 在所述表面保護(hù)膜上形成有凸部，該凸部具有在俯視觀看時對所述開口區(qū)域和構(gòu)成所述探針區(qū)域的一部分的部分區(qū)域進(jìn)行區(qū)別的功能。
【專利摘要】本發(fā)明提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。在由保護(hù)絕緣膜(PIF)覆蓋的焊盤(PD)的探針區(qū)域(PBR)形成有探針痕跡(PM)。并且，柱狀電極(PE)具有：形成在開口區(qū)域(OP2)上的第1部分；和從開口區(qū)域(OP2)上向探針區(qū)域(PBR)上延伸的第2部分。此時，開口區(qū)域(OP2)的中心位置相對于與接合指形部相對的柱狀電極(PE)的中心位置偏離。
【IPC分類】H01L23/498
【公開號】CN105280602
【申請?zhí)枴緾N201510364702
【發(fā)明人】小野善宏, 木下順弘, 木田剛, 紺野順平, 坂田賢治, 森健太郎, 馬場伸治
【申請人】瑞薩電子株式會社
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年6月26日
【公告號】CN205050835U, US9349678, US20150380345