介質(zhì)為玻璃；所述毛紐扣設(shè)置在第二介質(zhì)的通孔中，其一端與所述內(nèi)導(dǎo)體的尾端連接，另一端與所述頂針連接，本實施例中，所述第二介質(zhì)為聚酰亞胺。
[0026]進一步的，所述頂針伸出連接器本體端部0.5mm。
[0027]進一步的，所述頂針可向毛紐扣方向壓縮0.25mm。
[0028]本發(fā)明提供的射頻連接器在毛紐扣3的作用下頂針具有一定范圍的收縮量(15%~20%)，能夠有效適應(yīng)T/R模塊的腔體8和蓋板7之間的結(jié)構(gòu)配合誤差，保證射頻連接器與傳輸微帶81之間的有效連接；
實施例2:本實施例中同樣提供一種用于瓦片式面子陣的垂直射頻連接結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置有N個連接通道的腔體3及設(shè)置有一通孔的蓋板2 ;所述腔體3與所述蓋板2扣合，所述腔體3及所述蓋板2的殼體為鈦合金TC4材料制成；所述N個連接通道內(nèi)均設(shè)置有SSMP射頻連接器32 ;所述SSMP射頻連接器32通過金錫焊的方式設(shè)置在所述連接通道內(nèi)；所述蓋板2的通孔內(nèi)設(shè)置有SMP射頻連接器1 ;所述SMP射頻連接器1通過金錫焊的方式設(shè)置在所述蓋板2的通孔內(nèi)。
[0029]所述N個SSMP射頻連接器通過粘連在所述腔體底面上的射頻傳輸微帶31與所述SMP射頻連接器1連接；N為大于1的自然數(shù)，本實施例中，N=64。
[0030]進一步的，所述射頻傳輸微帶31設(shè)置在所述腔體3底面設(shè)置的定位槽內(nèi)，所述定位槽形狀與所述射頻傳輸微帶31形狀契合。
[0031]與實施例1不同點在于本實施例中，所述腔體3與所述蓋板2扣合處分別設(shè)置有卡槽和凸臺，所述卡槽與凸臺形狀契合。
[0032]進一步的，如圖2所示，所述腔體3的側(cè)壁及所述蓋板2的側(cè)壁在扣合處均向內(nèi)凹進形成凹槽結(jié)構(gòu)4 ;所述凹槽結(jié)構(gòu)4沿所述腔體及所述蓋板的側(cè)壁向內(nèi)凹進0.5mm。。
[0033]進一步的，所述腔體3與所述蓋板2在凹槽結(jié)構(gòu)4內(nèi)采用激光封焊方式連接，焊接完成后焊接材料均位于凹槽結(jié)構(gòu)4以內(nèi)，這就解決了在沒有設(shè)置凹槽結(jié)構(gòu)4時，焊縫由于焊料的存在，焊料凸出腔體3及蓋板2的側(cè)壁之外導(dǎo)致的T/R模塊在縱向擴展和布陣受到影響的問題，采用凹槽結(jié)構(gòu)4則使得焊料均保持在凹槽結(jié)構(gòu)4以內(nèi)，便于整個T/R模塊的縱向集成安裝。
[0034]本實施例中，所述腔體及所述蓋板截面均為矩形，在所述腔體及所述蓋板連接處的四個轉(zhuǎn)角設(shè)置為圓角R，所述圓角R使得對所述腔體及蓋板沿不同邊進行焊接時，可以允許在轉(zhuǎn)角R處重復(fù)焊接，而圓角的R設(shè)置使得重復(fù)焊接不會導(dǎo)致焊接材料凸出凹槽結(jié)構(gòu)4以外。
[0035]進一步的，所述蓋板上通過金錫焊的方式焊接有兩組低頻排針連接器，所述兩組低頻排針連接器同時伸出所述蓋板上下底面；其中伸出下底面的排針與腔體內(nèi)部的射頻供電板對插連接；伸出上底面低頻排針與波控子板對插連接。進一步的，所述低頻排針連接器采用玻璃燒結(jié)方式制成。
【主權(quán)項】
1.一種用于瓦片式面子陣的垂直射頻連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括設(shè)置有N個連接通道的腔體及設(shè)置有一通孔的蓋板；所述腔體與所述蓋板扣合；所述N個連接通道內(nèi)均設(shè)置有SSMP射頻連接器；所述蓋板的通孔內(nèi)設(shè)置有SMP射頻連接器；所述N個SSMP射頻連接器通過粘連在所述腔體底面上的射頻傳輸微帶與所述SMP射頻連接器連接；N為大于1的自然數(shù)。2.如權(quán)利要求1所述的用于瓦片式面子陣的垂直射頻連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述射頻傳輸微帶設(shè)置在所述腔體底面的定位槽內(nèi)，所述定位槽形狀與所述射頻傳輸微帶形狀契入口 ο3.如權(quán)利要求1所述的用于瓦片式面子陣的垂直射頻連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述射頻傳輸微帶包括微帶基片、連接地孔及傳輸線；所述連接地孔與所述蓋板連接；所述微帶基片與所述腔體底面粘連；所述傳輸線與所述SMP射頻連接器連接。4.如權(quán)利要求1所述的用于瓦片式面子陣的垂直射頻連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述SMP射頻連接器包括依次連接的內(nèi)導(dǎo)體、毛紐扣以及頂針；所述內(nèi)導(dǎo)體包括自由端和尾端，所述內(nèi)導(dǎo)體的自由端用于與SMP-KK連接器插接，所述內(nèi)導(dǎo)體的尾端設(shè)置在第一介質(zhì)的通孔中；所述毛紐扣設(shè)置在第二介質(zhì)的通孔中，其一端與所述內(nèi)導(dǎo)體的尾端連接，另一端與所述頂針連接。5.如權(quán)利要求4所述的用于瓦片式面子陣的垂直射頻連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述頂針設(shè)計有限位卡口。6.如權(quán)利要求4所述的用于瓦片式面子陣的垂直射頻連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述頂針伸出連接器本體端部0.5-0.6_。7.如權(quán)利要求6所述的用于瓦片式面子陣的垂直射頻連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述頂針可向毛紐扣方向壓縮0.2-0.3_。8.如權(quán)利要求4所述的用于瓦片式面子陣的垂直射頻連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述內(nèi)導(dǎo)體的尾端為燒結(jié)入所述第一介質(zhì)。9.如權(quán)利要求4所述的用于瓦片式面子陣的垂直射頻連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一介質(zhì)為玻璃。10.如權(quán)利要求4所述的用于瓦片式面子陣的垂直射頻連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二介質(zhì)為聚酰亞胺。
【專利摘要】本發(fā)明涉及微波電路垂直互聯(lián)領(lǐng)域，特別涉及一種用于瓦片式面子陣的垂直射頻連接結(jié)構(gòu)。包括設(shè)置有N個連接通道的腔體及設(shè)置有一通孔的蓋板；所述腔體與所述蓋板扣合；所述N個連接通道內(nèi)均設(shè)置有SSMP射頻連接器；所述蓋板的通孔內(nèi)設(shè)置有SMP射頻連接器；所述N個SSMP射頻連接器通過粘連在所述腔體底面上的射頻傳輸微帶與所述SMP射頻連接器連接；本發(fā)明提供的垂直射頻連接結(jié)構(gòu)通過設(shè)置N個連接通道的腔體及設(shè)置有一通孔的蓋板；通過將該所述腔體與所述蓋板緊密扣合；并應(yīng)用一具有毛紐扣的射頻連接器與蓋板中射頻傳輸微帶更加緊密、靈活的接觸，以滿足子陣模塊和整機的使用需求。
【IPC分類】H01P5/08
【公開號】CN105304996
【申請?zhí)枴緾N201510797389
【發(fā)明人】趙偉, 管玉靜, 李超, 吳鳳鼎, 李 燦
【申請人】成都雷電微力科技有限公司
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2015年11月18日