且，從上方觀察，場(chǎng)板電極115的內(nèi)周側(cè)的端部與絕緣層107的外周側(cè)的端部重疊，場(chǎng)板電極115的外周側(cè)的端部與η型區(qū)域109的內(nèi)周側(cè)的端部重疊。
[0030]場(chǎng)板電極117、118、119 (第二場(chǎng)板電極)平坦地設(shè)置在層間絕緣膜102內(nèi)。場(chǎng)板電極117、118、119與η型漂移層101隔離，層間絕緣膜102的一部分介置于場(chǎng)板電極117、
118、119與η型漂移層101之間。場(chǎng)板電極117位于第一終端部100b內(nèi)，場(chǎng)板電極118及場(chǎng)板電極115位于第二終端部100c內(nèi)。
[0031]從上方觀察，場(chǎng)板電極117與絕緣層108的一部分或全部重疊，場(chǎng)板電極117的內(nèi)周側(cè)的端部與場(chǎng)板電極113的外周側(cè)的端部重疊地設(shè)置。
[0032]而且，從上方觀察，場(chǎng)板電極118與絕緣層107的一部分或全部重疊，場(chǎng)板電極118的內(nèi)周側(cè)的端部與場(chǎng)板電極114的外周側(cè)的端部重疊。
[0033]進(jìn)而，從上方觀察，場(chǎng)板電極119與絕緣層107的一部分或全部重疊地設(shè)置，場(chǎng)板電極119的外周側(cè)的端部與場(chǎng)板電極115的內(nèi)周側(cè)的端部重疊地設(shè)置。
[0034]場(chǎng)板電極121、122、123(第三場(chǎng)板電極)平坦地設(shè)置在層間絕緣膜102上。S卩，場(chǎng)板電極121、122、123隔著層間絕緣膜102而與η型漂移層101隔離。場(chǎng)板電極121位于第一終端部100b內(nèi)，場(chǎng)板電極122位于第一終端部100b及第二終端部100c內(nèi)，場(chǎng)板電極123位于第二終端部100c內(nèi)。
[0035]從上方觀察，場(chǎng)板電極121與ρ型保護(hù)環(huán)層104、場(chǎng)板電極113、114及絕緣層108重疊。
[0036]而且，從上方觀察，場(chǎng)板電極122與ρ型保護(hù)環(huán)層105、場(chǎng)板電極114、118及絕緣層107的內(nèi)周側(cè)的一部分重疊。
[0037]進(jìn)而，從上方觀察，場(chǎng)板電極123與絕緣層107的外周側(cè)的一部分、場(chǎng)板電極119、115及η型區(qū)域109重疊。
[0038]如果將場(chǎng)板電極113、114、115與η型漂移層101的最短距離設(shè)為a，將場(chǎng)板電極
117、118、119與η型漂移層101的最短距離設(shè)為b，將場(chǎng)板電極121、122、123與η型漂移層101的最短距離設(shè)為c，則距離a短于距離b，距離b短于距離c。
[0039]場(chǎng)板電極113、114、115例如可使用多晶硅等。場(chǎng)板電極117、118、119、121、122、123例如可使用鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、招(A1)、釕(Ru)等低電阻的金屬等。
[0040]在最接近單元部100a的第一終端部100b，ρ型保護(hù)環(huán)層104、場(chǎng)板電極113、117、121連接于發(fā)射極電位。而且，在第一終端部100b的最外周及第二終端部100c的內(nèi)周部，P型保護(hù)環(huán)層105、場(chǎng)板電極114、118、122彼此連接。由此，場(chǎng)板電極114、118、122成為浮動(dòng)狀態(tài)。進(jìn)而，在接近第二終端部100c的最外周部分的區(qū)域，η型區(qū)域109、場(chǎng)板電極115、
119、123彼此連接，成為浮動(dòng)狀態(tài)。
[0041]發(fā)射電極124設(shè)置在單元部的層間絕緣膜102上。發(fā)射電極124與η型漂移層101隔離，層間絕緣膜102的一部分介置于發(fā)射電極124與η型漂移層101之間。從上方觀察，發(fā)射電極124與各ρ型主體層106、柵極電極111及η型源極層112重疊。發(fā)射電極124連接于各ρ型主體層106及η型源極層112。
[0042]然后，對(duì)半導(dǎo)體裝置100的制造方法進(jìn)行說明。
[0043]圖2(a)?圖4(c)是例示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100的制造方法的步驟剖視圖，表示相當(dāng)于圖1(a)的Α-Α’線的剖面的剖面。
[0044]首先，如圖2(a)所示，在η型漂移層101的上層部，將光阻劑等作為掩膜而將成為受體的雜質(zhì)、例如硼(Β)等選擇性地離子布植及熱擴(kuò)散，由此形成ρ型保護(hù)環(huán)層104、105。ρ型保護(hù)環(huán)層104以橫跨單元部100a與第一終端部100b的交界區(qū)域的方式形成，ρ型保護(hù)環(huán)層105以橫跨第一終端部100b與第二終端部100c的交界區(qū)域的方式形成。
[0045]然后，如圖2(b)所示，在η型漂移層101的上表面，形成例如2處槽部201、202。槽部201在ρ型保護(hù)環(huán)層104與ρ型保護(hù)環(huán)層105之間，與ρ型保護(hù)環(huán)層104和ρ型保護(hù)環(huán)層105隔離地形成。槽部202在ρ型保護(hù)環(huán)層105與下述的步驟中形成η型區(qū)域109的部分、即第二終端部100c的最外周部分之間，與ρ型保護(hù)環(huán)層105和形成η型區(qū)域109的部分隔離地形成。
[0046]然后，如圖2(c)所示，利用包括光阻劑等的掩膜203覆蓋η型漂移層101的上表面的形成著槽部202的區(qū)域以外的區(qū)域，并選擇性地離子布植成為供體的雜質(zhì)、例如磷(Ρ)等。其后，將掩膜203去除。
[0047]另外，也可在選擇性地形成槽部202之后，繼續(xù)選擇性地離子布植磷(Ρ)等，之后形成槽部201。
[0048]由此，如圖3(a)所示，在η型漂移層101中的槽部202的正下方區(qū)域形成η型半導(dǎo)體層110。然后，在槽部201及202內(nèi)，利用CVD (Chemical Vapor Deposit1n)法等，堆積例如氧化硅，而形成絕緣層107、108。
[0049]然后，如圖3(b)所示，在η型漂移層101的單元部100a，以任意的間隔形成多個(gè)溝槽204。在單元部100a上，最外周側(cè)的至少一個(gè)溝槽204以貫通ρ型保護(hù)環(huán)層104的內(nèi)周側(cè)的端部，到達(dá)至η型漂移層101的方式形成。然后，在溝槽204的內(nèi)面上，形成柵極絕緣膜126，在溝槽204的內(nèi)部，埋入多晶硅，由此形成柵極電極111。
[0050]然后，使用熱氧化法或CVD法等、或所述多個(gè)方法，形成較薄的層間絕緣膜102a，且在其上利用多晶硅的堆積等形成硅堆積膜。之后，在所需的位置以保留場(chǎng)板電極113、114、115的方式形成光阻劑等，并將其作為掩膜，利用RIE (Reactive 1n Etching，反應(yīng)式離子蝕刻)法等選擇性地將硅堆積膜去除。由此，在層間絕緣膜102a上形成場(chǎng)板電極113、114、115。
[0051]然后，如圖3(c)所示，在溝槽204之間，形成ρ型主體層106。
[0052]例如，從上方觀察，場(chǎng)板電極113形成于如下位置，該位置是如場(chǎng)板電極113的內(nèi)周側(cè)的端部與P型保護(hù)環(huán)層104的外周側(cè)的端部重疊、場(chǎng)板電極113的外周側(cè)的端部與絕緣層108的內(nèi)周側(cè)的端部重疊的位置。而且，從上方觀察，場(chǎng)板電極114形成于如下位置，該位置是如場(chǎng)板電極114的內(nèi)周側(cè)的端部與ρ型保護(hù)環(huán)層105的外周側(cè)的端部重疊、場(chǎng)板電極114的外周側(cè)的端部與絕緣層107的內(nèi)周側(cè)的端部重疊的位置。此外，從上方觀察，場(chǎng)板電極115以如下方式形成，即場(chǎng)板電極115的內(nèi)周側(cè)的端部與絕緣層107的外周側(cè)的端部重疊，場(chǎng)板電極115的外周側(cè)的端部與下述的步驟中形成于第二終端部100c的最外周部分的η型區(qū)域109重疊。
[0053]另外，ρ型主體層106也可在形成溝槽204之前形成。
[0054]然后，如圖4(a)所示，選擇性地離子布植成為供體的雜質(zhì)、例如磷或砷(As)等，由此形成η型區(qū)域109及η型源極層112。例如，η型區(qū)域109形成于第二終端部100c的最外周部分，η型源極層112以與ρ型主體層106的上部和柵極絕緣膜126的上部相接的方式形成。
[0055]然后，利用CVD法等形成層間絕緣膜102b。將光阻劑等作為掩膜利用RIE法等形成:槽部205、206、207，其在后續(xù)步驟中成為場(chǎng)板電極117、118、119 ;貫通孔211、213、214，其將下述的步驟中形成的場(chǎng)板電極121、122、123與場(chǎng)板電極113、114、115加以連接；貫通孔210、212、215，其將場(chǎng)板電極121、122、123與ρ型保護(hù)環(huán)層104、105及η型區(qū)域109加以連接；及貫通孔208，其將下述的步驟中形成的發(fā)射電極124與ρ型主體層106加以連接。
[0056]例如，從上方觀察，槽部205以與絕緣層108的一部分重疊、槽部205的內(nèi)周側(cè)的端部與場(chǎng)板電極113的外周側(cè)的端部重疊的方式形成。而且，例如，從上方觀察，槽部206以與絕緣層107的一部分重疊、槽部206的內(nèi)周側(cè)的端部與場(chǎng)板電極114的外周側(cè)的端部重疊的方式形成。進(jìn)而，例如，從