較例的半導(dǎo)體裝置的、圖1 (a)的A_A’線的剖視圖。
[0078]如圖5所示，在本比較例的半導(dǎo)體裝置中，在絕緣層107下未設(shè)置η型半導(dǎo)體層。除不設(shè)置η型半導(dǎo)體層以外，與第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100相同。
[0079]圖6(a)是相當(dāng)于本比較例的半導(dǎo)體裝置的η型漂移層、η型區(qū)域、設(shè)置在η型漂移層的上層部的絕緣層、Ρ型保護(hù)環(huán)區(qū)域、柵極電極及Ρ型主體層的剖面的剖面，是例示于η型漂移層為低比電阻的情況下，對(duì)半導(dǎo)體裝置施加反向偏壓的電壓時(shí)的空乏層的擴(kuò)展的圖，圖6(b)是相當(dāng)于本比較例的半導(dǎo)體裝置的η型漂移層、η型區(qū)域、設(shè)置在η型漂移層上層的絕緣層、Ρ型保護(hù)環(huán)區(qū)域、柵極電極及Ρ型主體層的剖面的剖面，是例示η型漂移層為高比電阻的情況下，對(duì)半導(dǎo)體裝置施加反向偏壓的電壓時(shí)的空乏層的擴(kuò)展的圖。
[0080]如圖6(a)及圖6(b)所示，在施加反向偏壓的電壓時(shí)，η型漂移層101為高比電阻的情況比起為低比電阻的情況，空乏層更容易向外周部延伸。因此，在在本比較例的半導(dǎo)體裝置中使用高比電阻的η型漂移層101的情況下，存在如下情況，S卩，空乏層到達(dá)至外周部，容易引起電場的集中，而導(dǎo)致耐受電壓降低。而且，當(dāng)空乏層過度延伸時(shí)，存在起因于最外周部的晶格缺陷等而產(chǎn)生元件破壞的可能性。
[0081](第二實(shí)施方式)
[0082]然后對(duì)第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0083]圖7是例示第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
[0084]如圖7所示，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置200中，在η型漂移層101與絕緣層108之間，設(shè)置著η型半導(dǎo)體層301。η型半導(dǎo)體層301的上表面與絕緣層108相接，且η型半導(dǎo)體層301的下表面及側(cè)面與η型漂移層101相接。
[0085]除設(shè)置η型半導(dǎo)體層301以外，與第一實(shí)施方式所示的半導(dǎo)體裝置相同。
[0086]然后，對(duì)本實(shí)施方式的效果進(jìn)行說明。
[0087]根據(jù)本實(shí)施方式，也在絕緣層108的下表面設(shè)置η型半導(dǎo)體層301，由此即便在第一終端部100b中，也可抑制因外部電荷的影響導(dǎo)致的耐受電壓的變動(dòng)。
[0088]進(jìn)而，可同時(shí)形成η型半導(dǎo)體層110與η型半導(dǎo)體層301。
[0089](第三實(shí)施方式)
[0090]然后，對(duì)第三實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0091]圖8是例示第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
[0092]如圖8所示，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置300中，在第二終端部100c的η型區(qū)域109與ρ型保護(hù)環(huán)層105之間，與η型區(qū)域109和ρ型保護(hù)環(huán)層105隔離地設(shè)置著較深的η型半導(dǎo)體層401。該η型半導(dǎo)體層401作為比第一實(shí)施方式中形成的η型半導(dǎo)體層110更廣的擴(kuò)散層而形成，且覆蓋絕緣層107的整個(gè)下表面及整個(gè)側(cè)面。
[0093]其他構(gòu)成與第一實(shí)施方式所示的半導(dǎo)體裝置相同。
[0094]然后，對(duì)本實(shí)施方式的效果進(jìn)行說明。
[0095]于本實(shí)施方式中，首先，在比配置絕緣層107的區(qū)域更廣的范圍將η型半導(dǎo)體層401作為較深的擴(kuò)散層而形成。然后，在η型半導(dǎo)體層401上形成絕緣層107。此時(shí)，由于η型半導(dǎo)體層401比配置絕緣層107的區(qū)域形成得更廣，所以形成絕緣層107時(shí)的位置對(duì)準(zhǔn)容易。
[0096](第四實(shí)施方式)
[0097]然后，對(duì)第四實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0098]圖9是例示第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
[0099]如圖9所示，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置400中，在第一終端部100b及第二終端部100c中，在η型漂移層101的上表面的大致整面設(shè)置著η型半導(dǎo)體層501及502。該η型半導(dǎo)體層501及502利用例如外延生長而形成。
[0100]其他構(gòu)成與第一實(shí)施方式所示的半導(dǎo)體裝置相同。
[0101]然后，對(duì)本實(shí)施方式的效果進(jìn)行說明。
[0102]根據(jù)本實(shí)施方式，可于不在η型漂移層101上形成槽部的情況下形成η型半導(dǎo)體層501、502、第二絕緣層108。而且，也可于不在第二終端部100c上形成槽部的情況下形成絕緣層107。
[0103]而且，絕緣層107及絕緣層108向η型半導(dǎo)體層501及502上的配置也容易。
[0104]根據(jù)以上說明的實(shí)施方式，可實(shí)現(xiàn)具有耐受電壓較高的終端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。
[0105]雖已對(duì)本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但這些實(shí)施方式作為示例而提出，并非意欲限定發(fā)明的范圍。這些新穎的實(shí)施方式能以其他各種形態(tài)實(shí)施，且可在不脫離發(fā)明主旨的范圍內(nèi)，進(jìn)行各種省略、替換、變更。這些實(shí)施方式或其變化包含在發(fā)明的范圍或主旨內(nèi)，并且包含在權(quán)利要求書所記載的發(fā)明及其均等的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括: 第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層； 第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，在所述第一半導(dǎo)體層上，設(shè)置在單元部與單元部的外側(cè)設(shè)置著的終端部的交界； 第二導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，在所述第一半導(dǎo)體層上，設(shè)置在所述終端部； 第一絕緣層，在所述第一半導(dǎo)體層上，設(shè)置在所述第三半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間； 第二絕緣層，在所述第一半導(dǎo)體層上，設(shè)置在相對(duì)于所述第三半導(dǎo)體層與所述第一絕緣層相反的側(cè)； 第一導(dǎo)電型的第四半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二絕緣層之間； 層間絕緣膜，在所述第一半導(dǎo)體層上，與所述第二半導(dǎo)體層、所述第三半導(dǎo)體層、所述第一絕緣層及所述第二絕緣層相接而設(shè)置；以及 多個(gè)場板電極，設(shè)置在所述層間絕緣膜內(nèi)，與所述第一半導(dǎo)體層的距離彼此不同。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于還包括:第一導(dǎo)電型的第五半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層與所述第一絕緣層之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于:所述第四半導(dǎo)體層覆蓋所述第二絕緣層的上表面以外的表面。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于還包括:第一導(dǎo)電型的第六半導(dǎo)體層，在所述第一半導(dǎo)體層上，設(shè)置在相對(duì)于所述第四半導(dǎo)體層與所述第三半導(dǎo)體層相反的側(cè)。5.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括: 第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層； 第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，在所述第一半導(dǎo)體層上，設(shè)置在單元部與單元部的外側(cè)設(shè)置著的終端部的交界； 第二導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，在所述第一半導(dǎo)體層上，設(shè)置在所述終端部； 第一絕緣層，在所述第一半導(dǎo)體層上，設(shè)置在所述第三半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間； 第二絕緣層，在所述第一半導(dǎo)體層上，設(shè)置在相對(duì)于所述第三半導(dǎo)體層與所述第一絕緣層相反的側(cè)； 第一導(dǎo)電型的第四半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二絕緣層之間； 第一導(dǎo)電型的第五半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層與所述第一絕緣層之間； 層間絕緣膜，在所述第一半導(dǎo)體層上，與所述第二半導(dǎo)體層、所述第三半導(dǎo)體層、所述第四半導(dǎo)體層、所述第五半導(dǎo)體層、所述第一絕緣層及所述第二絕緣層相接而設(shè)置；以及多個(gè)場板電極，設(shè)置在所述層間絕緣膜內(nèi)，與所述第一半導(dǎo)體層的距離彼此不同。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于:所述第四半導(dǎo)體層及所述第五半導(dǎo)體層利用外延生長而形成。
【專利摘要】實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置包括：第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層；第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，在所述第一半導(dǎo)體層上設(shè)置在單元部與單元部外側(cè)設(shè)置著的終端部的交界；第二導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，在所述第一半導(dǎo)體層上設(shè)置在所述終端部；第一絕緣層，在所述第一半導(dǎo)體層上設(shè)置在所述第三與第二半導(dǎo)體層之間；第二絕緣層，在所述第一半導(dǎo)體層上設(shè)置在相對(duì)于所述第三半導(dǎo)體層與所述第一絕緣層相反的側(cè)；第一導(dǎo)電型的第四半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二絕緣層之間；層間絕緣膜，在所述第一半導(dǎo)體層上與所述第二、第三半導(dǎo)體層、所述第一、第二絕緣層相接而設(shè)置；以及多個(gè)場板電極，設(shè)置在所述層間絕緣膜內(nèi)，與所述第一半導(dǎo)體層的距離彼此不同。
【IPC分類】H01L29/739, H01L29/40, H01L21/331, H01L29/06
【公開號(hào)】CN105321996
【申請?zhí)枴緾N201510098087
【發(fā)明人】末代知子, 押野雄一, 田中文悟
【申請人】株式會(huì)社東芝
【公開日】2016年2月10日
【申請日】2015年3月5日
【公告號(hào)】US9324816, US20160035840