在閃存器件的選擇柵和控制柵兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成閃存器件的淺摻雜區(qū)；在邏輯晶體管的第一偏移側(cè)墻上形成第一主側(cè)墻，在高壓晶體管的柵極與存儲(chǔ)晶體管的控制柵和浮柵以及選擇柵的第一偏移側(cè)墻上形成第二主側(cè)墻，第一主側(cè)墻的寬度小于第二主側(cè)墻的寬度；在邏輯晶體管的第一主側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成邏輯晶體管的重?fù)诫s區(qū)，在高壓晶體管的第二主側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成高壓晶體管的重?fù)诫s區(qū)，在存儲(chǔ)晶體管的控制柵和選擇柵上的兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成存儲(chǔ)晶體管的重?fù)诫s區(qū)。
[0089]所述第一主側(cè)墻為氧化硅層和氮化硅層的雙層堆疊結(jié)構(gòu)，所述第二主側(cè)墻為氧化硅層-氮化硅層-氧化硅層的三層堆疊結(jié)構(gòu)。
[0090]第一主側(cè)墻和第二主側(cè)墻的形成過程為:形成覆蓋所述邏輯晶體管的柵極、高壓晶體管的柵極、存儲(chǔ)晶體管的控制柵和浮柵以及選擇柵、以及半導(dǎo)體襯底的第一氧化硅薄膜，第一氧化硅薄膜的厚度為20?150埃；在第一氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜，氮化硅薄膜的厚度為200?700埃；在氮化硅薄膜上形成第二氧化硅薄膜，第二氧化硅薄膜的厚度為200?700埃；無掩膜刻蝕所述第二氧化硅薄膜，在邏輯晶體管的柵極的兩側(cè)側(cè)壁、高壓晶體管的柵極的兩側(cè)側(cè)壁、控制柵和浮柵的兩側(cè)側(cè)壁以及選擇柵的兩側(cè)側(cè)壁的氮化薄膜上形成氧化硅層；去除邏輯區(qū)域的邏輯晶體管的柵極的兩側(cè)側(cè)壁的氧化硅層；無掩膜刻蝕所述氮化硅薄膜和第一氧化硅薄膜，在邏輯晶體管的柵極的兩側(cè)側(cè)壁的第一偏移側(cè)墻上形成有氧化硅層和氮化硅層構(gòu)成的第一主側(cè)墻，在高壓晶體管的柵極的兩側(cè)側(cè)壁、控制柵和浮柵的兩側(cè)側(cè)壁以及選擇柵的兩側(cè)側(cè)壁的第一偏移側(cè)墻上形成由氧化硅層-氮化硅層-氧化硅層構(gòu)成的第二主側(cè)墻。
[0091 ] 雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括: 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括存儲(chǔ)區(qū)域和邏輯區(qū)域； 在半導(dǎo)體襯底的存儲(chǔ)區(qū)域上形成若干分立第一多晶硅層，相鄰第一多晶硅層之間具有第一開口，所述第一多晶硅層包括第一部分和第一部分相鄰的第二部分； 形成覆蓋所述第一多晶硅層側(cè)壁和表面以及半導(dǎo)體襯底表面的控制柵介質(zhì)材料層； 形成覆蓋所述控制柵介質(zhì)材料層和邏輯區(qū)域的半導(dǎo)體襯底的第二多晶硅層； 刻蝕第一部分的第一多晶硅層上的部分第二多晶硅層和控制柵介質(zhì)材料層，在存儲(chǔ)區(qū)域的第二多晶硅層和控制柵介質(zhì)材料層中形成暴露出第一部分的第一多晶硅層頂部部分表面的第二開口；形成覆蓋所述第二多晶硅層的第三多晶硅層，所述第三多晶硅層填充滿第二開口 ；刻蝕第一部分上的部分第三多晶硅層、第二開口兩側(cè)的部分第二多晶硅層、控制柵介質(zhì)材料層和第一多晶硅層，形成閃存器件的選擇柵，刻蝕第二部分上的部分第三多晶硅層、第二多晶硅層、控制柵介質(zhì)材料層和第一多晶硅層，形成閃存器件的浮柵、覆蓋浮柵的側(cè)壁和頂部表面的控制柵介質(zhì)層，位于控制柵介質(zhì)層上的控制柵； 形成覆蓋所述邏輯區(qū)域的第三多晶硅層、存儲(chǔ)區(qū)域的半導(dǎo)體襯底、選擇柵、控制柵、控制柵介質(zhì)層、浮柵表面的保護(hù)層，所述保護(hù)層的材料與多晶硅層材料不相同； 在所述保護(hù)層上形成圖形化的光刻膠層； 以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，刻蝕邏輯區(qū)域的第三多晶硅層和第二多晶硅層，形成邏輯晶體管的柵極。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述保護(hù)層的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度為10?30埃。4.如權(quán)利要求1或3所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述保護(hù)層的形成工藝為化學(xué)氣相沉積工藝。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底還包括高壓區(qū)域，若干分立的第一多晶硅層形成在高壓區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上。6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述控制柵介質(zhì)層還覆蓋所述高壓區(qū)域的第一多晶硅層的側(cè)壁和頂部表面；第二多晶硅層覆蓋高壓區(qū)域的控制柵介質(zhì)材料層。7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，刻蝕高壓區(qū)域的部分第二多晶硅層和控制柵介質(zhì)材料層，形成暴露出高壓區(qū)域的第一多晶硅層頂部部分表面的第三開口。8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第三多晶硅層覆蓋所述高壓區(qū)域的第二多晶硅層，并且填充滿第三開口。9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，在形成閃存器件的選擇柵、控制柵和浮柵的同時(shí)，刻蝕高壓區(qū)域的部分第三多晶硅層、第三開口兩側(cè)的部分第二多晶硅層、控制柵介質(zhì)材料層和第一多晶硅層，在高壓區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上形成高壓晶體管的柵極。10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述保護(hù)層還覆蓋高壓區(qū)域的半導(dǎo)體襯底和高壓晶體管的柵極表面。11.如權(quán)利要求1或10所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，在形成保護(hù)層后，對邏輯區(qū)域的第三多晶硅層和第二多晶硅層進(jìn)行離子注入，調(diào)節(jié)第三多晶層和第二多晶硅層的電阻。12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，在形成高壓晶體管的柵極，閃存器件的選擇柵、控制柵和浮柵之后，對高壓晶體管的柵極，閃存器件的選擇柵、控制柵和浮柵進(jìn)行熱氧化，在高壓晶體管的柵極，閃存器件的選擇柵和控制柵以及浮柵表面形成第一熱氧化層；形成第一熱氧化層后，對高壓晶體管的柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第一淺摻雜離子注入，在高壓晶體管的柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成高壓晶體管的淺摻雜區(qū)。13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一熱氧化層的厚度為10?30埃。14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，在形成邏輯晶體管的柵極后，對邏輯晶體管的柵極進(jìn)行熱氧化，在所述邏輯晶體管的柵極表面形成第二熱氧化層。15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第二熱氧化層的厚度為5?40埃。16.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，在所述邏輯晶體管的柵極兩側(cè)側(cè)壁的第二熱氧化層上、在高壓晶體管兩側(cè)側(cè)壁的第一熱氧化層、閃存器件的選擇柵和控制柵以及浮柵兩側(cè)側(cè)壁的第一熱氧化層上形成第一偏移側(cè)墻。17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，在邏輯晶體管的柵極的第一偏移側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成邏輯晶體管的淺摻雜區(qū)，在閃存器件的選擇柵和控制柵兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成閃存器件的淺摻雜區(qū)。18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，在邏輯晶體管的第一偏移側(cè)墻上形成第一主側(cè)墻，在高壓晶體管的柵極與存儲(chǔ)晶體管的控制柵和浮柵以及選擇柵的第一偏移側(cè)墻上形成第二主側(cè)墻，第一主側(cè)墻的寬度小于第二主側(cè)墻的寬度；在邏輯晶體管的第一主側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成邏輯晶體管的重?fù)诫s區(qū)，在高壓晶體管的第二主側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成高壓晶體管的重?fù)诫s區(qū)，在存儲(chǔ)晶體管的控制柵和選擇柵上的兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成存儲(chǔ)晶體管的重?fù)诫s區(qū)。19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一主側(cè)墻為氧化硅層和氮化硅層的雙層堆疊結(jié)構(gòu)，所述第二主側(cè)墻為氧化硅層-氮化硅層-氧化硅層的三層堆疊結(jié)構(gòu)。20.如權(quán)利要求1或5所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一多晶硅層的形成過程為:在半導(dǎo)體襯底上形成的硬掩膜層，所述硬掩膜層中具有暴露出半導(dǎo)體襯底表面的若干開口 ；以所述硬掩膜層為掩膜刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底中形成若干第一凹槽；在所述凹槽和開口中填充滿隔離材料，形成隔離結(jié)構(gòu)；去除所述硬掩膜層，形成若干第二凹槽；在所述第二凹槽中填充滿多晶硅材料，形成第一多晶硅層；回刻蝕所述隔離結(jié)構(gòu)，在相鄰的第一多晶娃層之間形成第一開口。
【專利摘要】一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，包括存儲(chǔ)區(qū)域和邏輯區(qū)域；在存儲(chǔ)區(qū)域上形成若干第一多晶硅層；形成覆蓋第一多晶硅層的控制柵介質(zhì)材料層；形成覆蓋控制柵介質(zhì)材料層和邏輯區(qū)域的第二多晶硅層；刻蝕部分第二多晶硅層和控制柵介質(zhì)材料層，形成暴露出第一多晶硅層頂部部分表面的第二開口；形成覆蓋第二多晶硅層的第三多晶硅層；刻蝕存儲(chǔ)區(qū)域的部分第三多晶硅層、第二多晶硅層、控制柵介質(zhì)材料層和第一多晶硅層，形成閃存器件的選擇柵，浮柵和位于浮柵上的控制柵；形成覆蓋選擇柵、控制柵的保護(hù)層；在保護(hù)層上形成光刻膠層；刻蝕邏輯區(qū)域的第三多晶硅層和第二多晶硅層，形成邏輯晶體管的柵極。防止控制柵和選擇柵上凹陷的產(chǎn)生。
【IPC分類】H01L21/8247
【公開號(hào)】CN105336695
【申請?zhí)枴緾N201410235131
【發(fā)明人】王新鵬
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2016年2月17日
【申請日】2014年5月29日