用于薄膜處理應(yīng)用的清潔方法和用于所述清潔方法中的裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開案的實施方式涉及薄膜處理裝置，尤其是涉及薄膜處理裝置的清潔方法，并且更具體地涉及卷到卷(roll-to-roll，R2R)系統(tǒng)的清潔方法。本發(fā)明的實施方式尤其涉及用于等離子體清潔R2R化學(xué)氣相沉積(CVD)系統(tǒng)的處理腔室的裝置和方法。
【背景技術(shù)】
[0002]對柔性基板(諸如塑膠膜或箔)的處理在封裝工業(yè)、半導(dǎo)體工業(yè)和其他工業(yè)中存在高度需求。處理可由利用所需材料(諸如金屬、半導(dǎo)體和介電材料)涂布柔性基板、蝕刻以及針對所需應(yīng)用在基板上進行其他處理操作構(gòu)成。執(zhí)行此任務(wù)的系統(tǒng)一般包括處理滾筒(drum)(例如，圓柱形輥)，處理滾筒耦接至處理系統(tǒng)以運輸基板，并在其上處理基板的至少一部分。因此，卷到卷涂布系統(tǒng)可提供高產(chǎn)量的系統(tǒng)。
[0003]通常，涂布工藝(諸如化學(xué)蒸發(fā)工藝或熱蒸發(fā)工藝)可用于將材料薄層沉積到柔性基板上。然而，卷到卷沉積系統(tǒng)在顯示器行業(yè)和光伏(PV)行業(yè)中的需求也正強勁增加。舉例來說，觸摸面板元件、柔性顯示器以及柔性PV模塊致使對在卷到卷涂布機中沉積合適的層(尤其是以低制造成本)的需求增加。然而，這種設(shè)備通常具有若干層，這些層通常利用CVD工藝制造且尤其還利用PECVD工藝制造。
[0004]利用例如CVD、PECVD和/或PVD源的沉積裝置(其中來自氣體混合物的不同殘留物在設(shè)備的后續(xù)使用中被沉積在同一處理區(qū)域中)需要深度清潔過程，以避免交叉污染的影響并確保長期工藝穩(wěn)定性。通常，為了這個目的，手動地打開并清潔處理腔室，這會導(dǎo)致機器停機時間增加。
[0005]多年以來，在顯示設(shè)備中的層已演變成多個層，其中各層提供不同功能。將多個層沉積于多個基板上可能需要多個處理腔室，所有處理腔室必需保持清潔，以維持高制造品質(zhì)。一般來說，包含于其中的清潔過程可能減少基板產(chǎn)量。因此，本領(lǐng)域中需要用于處理柔性基板(諸如0LED結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和其他現(xiàn)代更精密的設(shè)備)的有效清潔方法和裝置以確保最大化基板產(chǎn)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]鑒于上述內(nèi)容，提供了一種用于處理柔性基板的裝置和用于清潔所述裝置的處理腔室的方法。本公開案的其他方面、優(yōu)點和特征將從從屬權(quán)利要求、本說明書以及附圖顯而易見。
[0007]在一方面，提供了一種用于清潔柔性基板處理裝置的處理腔室而不破壞處理腔室中的真空的方法。所述方法包括以下步驟:將犧牲箔引導(dǎo)至處理腔室中；在處理腔室中發(fā)起第一栗工藝；當(dāng)犧牲箔被設(shè)置在處理腔室中時，等離子體清潔處理腔室；在處理腔室中發(fā)起第二栗工藝；以及將犧牲箔引導(dǎo)至處理腔室外。
[0008]另一方面，提供了一種輥，所述輥包括柔性基板以供用在用于處理柔性基板的裝置中。柔性基板包括被附連至柔性基板的犧牲箔。
[0009]又一方面，提供了一種用于處理柔性基板的裝置。所述裝置包括處理腔室、間隙閘門以及用于執(zhí)行根據(jù)本文所述實施方式的用于清潔處理腔室而不破壞處理腔室中的真空的方法的控制器。
【附圖說明】
[0010]因此，為了詳細理解本公開案的上述特征結(jié)構(gòu)的方式，上文簡要概述的本公開案的更具體的描述可以參照實施方式進行。附圖涉及本公開案的實施方式并描述于下文:
[0011]圖1示出根據(jù)本文所述實施方式的用于沉積或涂布薄膜的卷到卷沉積裝置的示意圖。
[0012]圖2至圖4示出根據(jù)本文所述實施方式的柔性基板的示意圖。
[0013]圖5示出根據(jù)本文所述實施方式的輥的示意性透視圖。
[0014]圖6至圖7示出根據(jù)本文所述實施方式的用于清潔柔性基板處理裝置的處理腔室的方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0015]現(xiàn)將詳細參考本公開案的各種實施方式，在附圖中示出這些實施方式中的一或多個實例。在對附圖的以下描述中，相同附圖標(biāo)記意指相同部件。一般來說，僅描述相對于各個實施方式的不同點。每個實例通過對本公開案進行解釋的方式來提供，并且并非意指對本公開案的限制。另外，作為一個實施方式的一部分說明或描述的特征也可用于其他實施方式，或與其他實施方式組合產(chǎn)生另外實施方式。預(yù)期的是，本說明書包括這樣的修改和變型。
[0016]在此應(yīng)當(dāng)注意，如在本文所述實施方式內(nèi)使用的柔性基板或腹板(web)通?？杀碚鳛榭蓮澢?。術(shù)語“腹板”可與術(shù)語“條(strip)”或術(shù)語“柔性基板”同義使用。例如，如本文中的實施方式中所述，腹板可為箔或另一柔性基板。
[0017]如本文中所使用的，術(shù)語“間隙閘門(gap sluice)”旨在代表通常可用于密封(例如，氣密密封)用于處理柔性基板的裝置的腔室的通道(channel)或鎖(lock)。
[0018]如本文中所使用的，術(shù)語“犧牲箔(sacrificial foil) ”旨在代表箔，該箔通常由與柔性基板的材料不同的材料制成。舉例來說，該箔可由金屬合金(例如像不銹鋼)構(gòu)成。根據(jù)本文中的實施方式，犧牲箔可例如具有10 μ m至200 μ m的厚度，特別是具有50 μ m至125 μm的厚度。
[0019]本文所述實施方式一般涉及用于清潔柔性基板處理裝置的處理腔室尤其是不破壞處理腔室中的真空的方法。通常，此類清潔過程采用犧牲箔，該犧牲箔可例如被預(yù)附連至柔性基板的末端、開端或中間區(qū)段。舉例來說，犧牲箔可將柔性基板連接至輥。在另外實施方式中，兩個或多個犧牲箔可將柔性基板分成大量不同區(qū)段，這些不同區(qū)段由犧牲箔進行互連。根據(jù)本文中的實施方式，犧牲箔和柔性基板可布置成處于同一縱向平面。具體來說，當(dāng)犧牲箔被連接至柔性基板時，犧牲箔的開端和/或末端鄰接柔性基板的開端和/或末端。
[0020]在圖1中示例性地示出根據(jù)本文所述實施方式的可被用于將薄膜沉積在柔性基板上的典型的柔性基板處理裝置。在其中所示的處理裝置100—般包括真空腔室102。真空腔室具有第一腔室部分102A、第二腔室部分102B以及第三腔室部分102C。第一腔室部分102A被配置為纏繞/退繞腔室，并且可與腔室的剩余部分分開以用于交換柔性基板，使得剩余腔室部分102B/C無需為了移除處理柔性基板進行排氣(vented)并且無需在已插入新的基板之后進行排空(evacuated)。由此，就可減少裝置停工時間。相應(yīng)地，可有助于增加產(chǎn)量的整體目標(biāo)的實現(xiàn)。注意的是，第二腔室部分102B和第三腔室部分102C在此可共同地稱為“處理腔室”。根據(jù)可與本文所述其他實施方式結(jié)合的一些實施方式，第二腔室部分和第三腔室部分也可被設(shè)置為單個腔室。
[0021]參照圖1，基板被提供于具有軸的第一輥764上，該軸例如用于退繞?；灞焕p繞在具有軸的第二輥764’上，該軸例如用于纏繞。然而，可理解的是，基板也可在相反方向上被引導(dǎo)通過裝置100，使得用于退繞的軸可被用于纏繞，且用于纏繞的軸可被用于退繞。因此，在第一腔室部分102A中提供用于支撐待處理的柔性基板的退繞軸以及支撐具有經(jīng)處理的薄膜在其上的柔性基板的纏繞軸可提供于第一腔室部102A中。柔性基板106被提供于例如具有纏繞軸的第一輥764上。
[0022]根據(jù)本文所述實施方式，柔性基板可包括至少一個犧牲箔107 (見圖2)。犧牲箔可附連至柔性基板的開端、末端或中間的某處，從而將柔性基板分成至少兩個不同區(qū)段?？稍谟糜谇鍧嵦幚砬皇业姆椒ㄆ陂g附連犧牲箔，或者犧牲箔可被預(yù)附連在輥處。一般來說，開端區(qū)段可定義為柔性基板和/或犧牲箔的首先進入柔性基板處理裝置的處理腔室中的區(qū)段。圖2至圖4示出包括犧牲箔107的柔性基板106的各種實施方式。箭頭109 —般指示柔性基板和/或犧牲箔進入柔性基板處理裝置的處理腔室中的運動方向。根據(jù)本文中的實施方式，可在用于清潔柔性基板處理裝置的處理腔室的方法期間將犧牲箔附連在柔性基板的開端和/或末端。還可在用于清潔柔性基板處理裝置的處理腔室的方法期間將犧牲箔附連在柔性基板的不同區(qū)段之間。當(dāng)犧牲箔被附連在柔性基板的不同區(qū)段之間時，柔性基板可被分成至少兩個不同區(qū)段，至少兩個不同區(qū)段經(jīng)由犧牲箔而彼此連接。一般來說，根據(jù)本文中的實施方式，一旦犧牲箔附連至柔性基板，犧牲箔和柔性基板就一個接一個排列在同一縱向平面中。
[0023]在