至少兩個(gè)開口中。根據(jù)本文中的實(shí)施方式，凸緣部分125提供與第三腔室部分的凸形壁部分的真空緊密連接或與從凸形壁部分延伸的突出物的真空緊密連接。
[0037]因此，處理站可從第三腔室部分102C的凸形壁部分外插入。在插入時(shí)，可連接真空凸緣且在第三腔室部分中設(shè)置真空區(qū)域。根據(jù)典型實(shí)施方式，處理站可相對(duì)于涂布滾筒110的軸線沿著基本徑向方向插入開口中。
[0038]如上所述，處理站的一部分因此被設(shè)置在真空中，S卩，在第三腔室部分內(nèi)和/或相對(duì)于凸緣在內(nèi)部。處理站的另一部分被設(shè)置于提供真空腔室102內(nèi)的真空的區(qū)域外。這允許處理站的容易交換以及像冷卻流體、氣體、電力等消耗媒介的容易供應(yīng)。根據(jù)一些實(shí)現(xiàn)方式，至少處理站與匹配電路680的連接被設(shè)置在第三腔室部分102C外，并且可形成上述的位于該區(qū)域外的另一部分。另外，在第三腔室部分的壁部分中的開口或在從凸形壁部分延伸的突出物中的開口通常被成形為具有預(yù)定的形狀和尺寸。存在標(biāo)準(zhǔn)化的開口，使得具有配置成適應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)化的開口的凸緣的不同處理站可在不同處理區(qū)域處可互換地使用。這致使維護(hù)更為容易并且增加裝置100利用的靈活性。鑒于停工時(shí)間減少(更容易的維護(hù))并且鑒于靈活利用，可以再次減少CoO。后者導(dǎo)致可在一個(gè)裝置上制造不同產(chǎn)品，使得所有者可于相同處理裝置100上在不同產(chǎn)品的制造之間進(jìn)行切換。
[0039]根據(jù)另外實(shí)施方式，涂布滾筒110的彎曲的外表面與凸緣或腔室的凸形形狀的距離可為從10mm至500mm。根據(jù)本文中的實(shí)施方式，該距離是指從涂布滾筒表面至界定腔室102的真空區(qū)域的內(nèi)壁或凸緣部分的尺寸。提供上文提到的凸形形狀或尺寸允許第三腔室部分102C中減少的腔室容積。第三部分中減少的腔室容積允許更容易的氣體分離以及處理區(qū)域更容易的排空。舉例來說，第二腔室部分具有占一定容積的可排空區(qū)域，并且第三腔室部分具有占另一容積的另一可排空區(qū)域，并且所述容積與所述另一容積的比率為至少2:1，諸如 3:1 至 6:1。
[0040]根據(jù)另外實(shí)現(xiàn)方式，第三腔室部分中未填充有固體材料的區(qū)域可填充有材料塊，以減少要排空的區(qū)域。舉例來說，第二腔室部分具有占一定容積的可排空區(qū)域，并且第三腔室部分具有占另一容積的另一可排空區(qū)域，并且所述容積與所述另一容積的比率通過容積減少塊而增加到至少7:1。
[0041]如上所述，圖1示出沉積裝置100。沉積裝置100包括腔室102，腔室102通常可設(shè)置成使得可在腔室中生成真空。根據(jù)本文中的實(shí)施方式，各種真空處理技術(shù)且尤其是真空沉積技術(shù)可用于處理基板或?qū)⒈∧こ练e于基板上。如圖1中所示且參考本文，裝置100為卷到卷沉積裝置，承載要引導(dǎo)和處理的柔性基板106。如由箭頭108指示，柔性基板106在圖1中從腔室部分102A被引導(dǎo)至腔室部分102B并另外引導(dǎo)至其中有處理站的腔室部分102C。柔性基板通過輥104被引導(dǎo)至涂布滾筒110，涂布滾筒110被配置用于在處理和/或沉積期間支撐基板。從涂布滾筒110處，柔性基板106被引導(dǎo)至其他輥104并且分別進(jìn)入腔室部分102B和102A。
[0042]圖1中描繪的實(shí)施方式包括五個(gè)處理站，諸如四個(gè)沉積站和一個(gè)蝕刻站。沉積源設(shè)置在處理區(qū)域中，其中在相應(yīng)區(qū)域中處理由涂布滾筒支撐的基板。然而，應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式結(jié)合的另外實(shí)施方式，可提供五個(gè)或更多個(gè)處理站，例如，沉積站。舉例來說，可提供六個(gè)、七個(gè)或甚至更多個(gè)(諸如，8、10或12個(gè))處理站，例如，沉積站。這些處理區(qū)域通過氣體分離單元與相鄰處理區(qū)域或另外區(qū)域分開。
[0043]根據(jù)本文所述實(shí)施方式，處理站和/或它們的氣體分離單元被配置成具有變化的位置以調(diào)節(jié)距涂布滾筒110的距離。也就是說，處理站和/或氣體分離單元可相對(duì)于涂布滾筒在徑向方向中移動(dòng)。氣體分離單元通常包括壁，該壁防止一個(gè)處理區(qū)域中的氣體進(jìn)入相鄰區(qū)域(諸如，相鄰處理區(qū)域)。氣體分離單元的元件分別提供氣體分離單元與基板106或涂布滾筒之間的狹縫。根據(jù)本文中的實(shí)施方式，該元件限定狹縫的長(zhǎng)度，并且該元件的徑向位置限定氣體分離單元與基板106之間的狹縫的寬度。
[0044]根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式結(jié)合的另外實(shí)施方式，裝置100可另外包括用于加熱柔性基板的預(yù)加熱單元194。根據(jù)本文中的實(shí)施方式，可提供用于在基板處理之前加熱基板的輻射加熱器、電子束加熱器或任何其他元件。另外，另外或替代地，可提供預(yù)處理等離子體源192 (例如，RF等離子體源)，以在進(jìn)入第三腔室部分102C之前利用等離子體處理基板。舉例來說，利用等離子體的預(yù)處理可提供對(duì)基板表面的表面改性以增強(qiáng)沉積于其上的膜的膜附著力或可以另一方式來改善基板形態(tài)以改進(jìn)基板的處理。
[0045]根據(jù)本文所述實(shí)施方式，以上所提到的用于清潔柔性基板處理裝置的處理腔室的方法可包括可根據(jù)需求發(fā)起的許多附加操作和/或工藝。舉例來說，圖7示出可如下描述的用于清潔柔性基板處理裝置的處理腔室的方法1001。
[0046]一般來說，可發(fā)起柔性基板處理過程1003。通常，可在處理周期1005期間，在裝置的處理腔室中處理柔性基板，直到確定處理腔室的清潔要求1007。舉例來說，檢測(cè)設(shè)備(例如，傳感器)可用信號(hào)通知(signal)處理腔室需要進(jìn)行清潔，因?yàn)槔缭谔幚砬皇覂?nèi)污染物的過度積聚的情況下，如果污染物沒有被及時(shí)移除，就會(huì)干擾處理腔室中發(fā)生的工藝。處理腔室的清潔還可以是預(yù)設(shè)的，例如，在預(yù)定量的時(shí)間之后或在已經(jīng)處理預(yù)定長(zhǎng)度柔性基板之后。另外，可發(fā)起處理腔室的清潔作為裝載和/或卸載過程的一部分，裝載和/或卸載過程包括將新的輥的柔性基板裝載到柔性基板處理裝置中和/或從柔性基板處理裝置卸載新的輥的柔性基板。然而，另外根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式結(jié)合的一些實(shí)施方式，等離子體監(jiān)測(cè)器可確定對(duì)清潔周期的需求。
[0047]根據(jù)另外實(shí)施方式，可監(jiān)測(cè)對(duì)清潔的需求、凈化過程和/或栗過程的狀態(tài)、以及清潔過程的狀態(tài)。舉例來說，監(jiān)測(cè)設(shè)備可為測(cè)量在沉積源處的電極電壓、電極電流、以及等離子體阻抗的設(shè)備，例如，在匹配電路后。另外或替代地，還可監(jiān)測(cè)流入沉積源的處理區(qū)域以及流出沉積源的處理區(qū)域的氣體。舉例來說，可分析在相應(yīng)導(dǎo)管處的壓力和/或甚至是氣體混合物。可在清潔期間進(jìn)行操作的監(jiān)測(cè)設(shè)備(諸如測(cè)量沉積源處測(cè)量到的電極電壓、電極電流和等離子體阻抗的監(jiān)測(cè)設(shè)備)可被用于確定等離子體條件(例如，沉積等離子體的等離子體條件以及清潔等離子體的等離子體條件)。
[0048]根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式結(jié)合的一些實(shí)施方式，監(jiān)測(cè)設(shè)備可為CVD工藝監(jiān)測(cè)器。舉例來說，監(jiān)測(cè)設(shè)備可測(cè)量由下列構(gòu)成的組中的至少一個(gè):沉積源(即，也可在清潔期間利用的源)的電壓、電流、相位、諧波、阻抗、或(通過使用算法)等離子體密度。因此，可通過阻抗傳感器測(cè)量提供非侵入性(non-1nvasive)等離子體表征方法。根據(jù)不同實(shí)施方式，阻抗傳感器可被用作預(yù)匹配(pre-match)或后匹配(post-match)傳感器，即用于匹配電路或匹配電路后的。根據(jù)本文中的實(shí)施方式，監(jiān)測(cè)傳感器的后匹配安裝提供電極上的RF電壓以及實(shí)際等離子體阻抗的直接信息。通常，可在清潔之前或在清潔期間提供等離子體的電子“指紋識(shí)別(fingerprint)”。相角和/或諧波信號(hào)振幅中的差異可顯示出工藝條件中的微小變化，例如發(fā)生工藝漂移(process drifts)。因此，可提供關(guān)于入射在已通電的電極表面處的離子通量以及因此等離子體密度的間接信息，尤其通過對(duì)沉積源供電的系統(tǒng)中的諧波的測(cè)量提供此類信息。
[0049]根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式結(jié)合的一些實(shí)施方式，處理站可包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)源。該等離子體增強(qiáng)沉積源可以2MHz至90MHz的頻率(例如，40.68MHz的頻率)操作，且集成式阻抗傳感器可提供對(duì)相應(yīng)工藝參數(shù)(例如，氣體分離單元的狹縫的寬度和/或沉積源的電極距基板的距離)的實(shí)時(shí)在線工藝監(jiān)測(cè)和控制。
[0050]一旦檢測(cè)到清潔要求或達(dá)到閥值(例如，預(yù)設(shè)量的時(shí)間)，犧牲箔可被引導(dǎo)至處理腔室中1010。舉例來說，這可在用完一卷柔性基板且柔性基板的被連接至犧牲箔的末區(qū)段將犧牲箔拉動(dòng)至處理腔室中時(shí)發(fā)生，犧牲箔可循序連接于輥。通常，犧牲箔可經(jīng)由間隙閘門(即，加載鎖)進(jìn)入處理腔室并取代柔性基板在處