封裝結(jié)構(gòu)及其制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明有關(guān)一種封裝結(jié)構(gòu)及其制法，尤指一種無需硬質(zhì)板的封裝結(jié)構(gòu)及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，許多高階電子產(chǎn)品都逐漸朝往輕、薄、短、小等高集積度方向發(fā)展，且隨著封裝技術(shù)的演進(jìn)，晶片的封裝技術(shù)也越來越多樣化，半導(dǎo)體封裝件的尺寸或體積亦隨的不斷縮小，藉以使該半導(dǎo)體封裝件達(dá)到輕薄短小的目的。
[0003]圖1為現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝件，如圖所示，該半導(dǎo)體封裝件1包括:硬質(zhì)板10、多個(gè)焊球11、晶片12、包覆層13、介電層14、線路層15、拒焊層16以及電子元件17。
[0004]該硬質(zhì)板10具有相對的頂面10a與底面10b,該晶片12以其非作用面設(shè)置于該硬質(zhì)板10的頂面10a上。
[0005]該包覆層13形成于該硬質(zhì)板10的頂面10a上，以包覆該焊球11及該晶片12，并外露出該焊球11及晶片12的作用面。該介電層14形成于該包覆層13上，并具有多個(gè)開孔以外露出該焊球11及該晶片12的電極墊。
[0006]該線路層15形成于該介電層14上以電性連接該焊球11及該晶片12的電極墊。該拒焊層16形成于該介電層14及線路層15上，并外露部分該線路層15，以供該電子元件17電性連接。
[0007]然而，上述半導(dǎo)體封裝件的缺點(diǎn)在于，將包覆于包覆層內(nèi)的晶片設(shè)置于硬質(zhì)板上，使得該半導(dǎo)體封裝件的整體厚度較厚，導(dǎo)致該半導(dǎo)體封裝件的尺寸或體積較大、材料成本亦較高，遂難達(dá)到電子產(chǎn)品輕、薄、短、小的目標(biāo)。
[0008]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，并降低半導(dǎo)體封裝件的整體厚度，實(shí)為業(yè)界迫切待開發(fā)的方向。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失，本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)及其制法，藉由將該半導(dǎo)體元件嵌埋于該封裝體中以降低整體封裝結(jié)構(gòu)的厚度。
[0010]本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)，包括:具有相對的第一表面與第二表面的封裝體，該第一表面外露有多個(gè)第一電性連接墊與第二電性連接墊；嵌埋于該封裝體中的半導(dǎo)體元件，該半導(dǎo)體元件與該第一電性連接墊電性連接；以及多個(gè)嵌埋于該封裝體中的導(dǎo)電元件，且各該導(dǎo)電元件具有相對的第一端與第二端，以供該導(dǎo)電元件通過其第一端電性連接該第二電性連接墊，及供各該導(dǎo)電元件的第二端外露于該封裝體的第二表面。
[0011]本發(fā)明還提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制法，包括:提供一具有相對的頂面與底面的離型件；于該離型件的頂面上形成多個(gè)第一電性連接墊與第二電性連接墊；設(shè)置半導(dǎo)體元件于該第一電性連接墊上，使該半導(dǎo)體元件電性連接該第一電性連接墊，于各該第二電性連接墊上形成具有相對的第一端與第二端的導(dǎo)電元件，并于該離型件的頂面上形成具有相對的第一表面及第二表面的封裝體，以包覆該半導(dǎo)體元件與導(dǎo)電元件，其中，多個(gè)第一電性連接墊與第二電性連接墊外露于該封裝體的頂面，該多個(gè)導(dǎo)電元件的第二端外露于該封裝體的第二表面；以及移除該離型件。
[0012]本發(fā)明還提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制法，包括:提供一具有相對的頂面與底面的離型件；于該離型件的頂面上形成外露部分該頂面的圖案化的第一介電層；于外露的該離型件的部分頂面上形成多個(gè)第一電性連接墊與第二電性連接墊；以及設(shè)置半導(dǎo)體元件于該第一電性連接墊上，使該半導(dǎo)體元件電性連接該第一電性連接墊，于各該第二電性連接墊上形成具有相對的第一端與第二端的導(dǎo)電元件，并于該第一介電層上形成第二介電層，且令該導(dǎo)電元件與該半導(dǎo)體元件嵌埋于該第二介電層之中，以通過該第一介電層與第二介電層構(gòu)成封裝體，并使該封裝體的第一表面位于該第一介電層側(cè)，而該封裝體的第二表面位于該第二介電層側(cè)。
[0013]于本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)的制法的一實(shí)施方式中，形成該多個(gè)導(dǎo)電元件與第二介電層的步驟包括:于該第一介電層上形成該第二介電層；形成多個(gè)貫穿該第二介電層的貫孔，以外露出該等第二電性連接墊；以及于該等貫孔中形成該導(dǎo)電元件。
[0014]于本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)的制法的另一實(shí)施方式中，形成多個(gè)該導(dǎo)電元件與第二介電層的步驟包括:于該第二電性連接墊上形成該導(dǎo)電元件；以及于該第一介電層上形成包覆該導(dǎo)電兀件的第二介電層。
[0015]于本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)的制法的一實(shí)施方式中，于形成該第二介電層之后，還包括移除部分厚度的該第二介電層，以使該導(dǎo)電元件的第二端外露于該封裝體的第二表面。
[0016]于本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)的制法的一實(shí)施方式中，于形成該封裝體之后，還包括:于該封裝體的第二表面形成絕緣層，該絕緣層具有多個(gè)外露出該導(dǎo)電元件的第二端的第一開口 ；以及于該導(dǎo)電元件的第二端上形成焊墊。于前述封裝結(jié)構(gòu)的制法中，該焊墊由形成于該導(dǎo)電元件的第二端上的導(dǎo)電層與形成于該導(dǎo)電層上的金屬層所構(gòu)成。于另一實(shí)施方式中，在形成該焊墊之后，還包括于該焊墊、第一電性連接墊與第二電性連接墊的外露表面上形成表面處理層。于前述封裝結(jié)構(gòu)中，該封裝結(jié)構(gòu)還包括:形成于該封裝體的第二表面的絕緣層，且具有多個(gè)外露出該導(dǎo)電元件的第二端的第一開口 ；以及形成于該導(dǎo)電元件的第二端上的焊墊。于前述封裝結(jié)構(gòu)中，該焊墊由形成于該導(dǎo)電元件的第二端上的導(dǎo)電層與形成于該導(dǎo)電層上的金屬層所構(gòu)成。于另一實(shí)施方式中，還包括形成于該焊墊、第一電性連接墊與第二電性連接墊的外露表面上的表面處理層。
[0017]于本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)的制法的一實(shí)施方式中，于移除該離型件之后，還包括于該封裝體的第一表面設(shè)置堆迭件，該堆迭件與該第一電性連接墊與第二電性連接墊電性連接。于前述封裝結(jié)構(gòu)的制法中，設(shè)置該堆迭件的步驟包括:于該封裝體的第一表面設(shè)置電子元件，該電子元件電性連接該第一電性連接墊與第二電性連接墊；以及于該封裝體的第一表面形成封裝膠體，令該電子元件嵌埋于該封裝膠體中。
[0018]于本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)及其制法的一實(shí)施方式中，該堆迭件為基板、半導(dǎo)體晶片、中介板、經(jīng)封裝或未經(jīng)封裝的半導(dǎo)體元件。
[0019]于本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)及其制法的一實(shí)施例中，該導(dǎo)電元件為焊球或金屬柱。
[0020]于本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)及其制法的一實(shí)施例中，該堆迭件為基板、半導(dǎo)體晶片、中介板、經(jīng)封裝或未經(jīng)封裝的半導(dǎo)體元件。
[0021]于本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)及其制法的一實(shí)施例中，該半導(dǎo)體元件為主動(dòng)元件或被動(dòng)元件。
[0022]由上可知，本發(fā)明藉由將半導(dǎo)體元件設(shè)置于介電層中，以降低整體封裝結(jié)構(gòu)的厚度。
[0023]此外，本發(fā)明更藉由于制程中使用感光型介電材料形成封裝體，該感光型介電材料同時(shí)具有光阻與絕緣封裝的特性，因此于形成該封裝體的制程中無需使用光阻，進(jìn)而達(dá)到簡化制程的效果。
【附圖說明】
[0024]圖1為顯示現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件的剖視圖；
[0025]圖2A至圖2H為顯示本發(fā)明半導(dǎo)體封裝件的制法的第一實(shí)施例的示意圖，其中，圖2A’為圖2A的另一實(shí)施例，圖2B’為圖2B的另一實(shí)施方式示意圖，圖2D’為圖2D的另一實(shí)施方式示意圖；以及
[0026]圖3A至圖3G’為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝件的制法的第二實(shí)施例的示意圖，其中，圖3A’為圖3A的另一實(shí)施方式示意圖，圖3G’為圖3G的另一實(shí)施例。
[0027]符號說明
[0028]1半導(dǎo)體封裝件
[0029]10硬質(zhì)板
[0030]10a、20a 頂面
[0031]10b、20b 底面
[0032]11焊球
[0033]12晶片
[0034]13包覆層
[0035]14介電層
[0036]15線路層
[0037]16拒焊層
[0038]17電子元件
[0039]20、20’ 離型件
[0040]200鐵
[0041]201金屬材料
[0042]202電性隔離層
[0043]21封裝體
[0044]21a 第一表面
[0045]21b第二表面
[0046]210第一介電層
[0047]210a 第一開口
[0048]210b 第二開口
[0049]211a 第一電性連接墊
[0050]211b 第二電性連接墊
[0051]212 第二介電層
[0052]212a貫孔
[0053]213導(dǎo)電元件
[0054]213a第一端
[0055]213b第二端
[0056]22絕緣層
[0057]22a開口
[0058]23導(dǎo)電層
[0059]24第三介電層
[0060]24a第三開口
[0061]25金屬層
[0062]26絕緣保護(hù)層
[0063]26a第四開口
[0064]27表面處理層
[0065]3封裝結(jié)構(gòu)
[0066]30半導(dǎo)體元件
[0067]31堆迭件
[0068]311電子元件
[0069]312封裝膠體。
【具體實(shí)施方式】
[0070]以下藉由特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明亦可藉由其他不同的具體實(shí)例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用