一種衛(wèi)星用vmos管芯片錫鍋搪錫的持具工裝及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及芯片鍍金引腳搪錫工藝技術(shù)，尤其是具備高可靠特征，具體涉及一種衛(wèi)星用VM0S管芯片搪錫持具工裝及其操作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前許多型號衛(wèi)星從研制初期，就將整星減重作為產(chǎn)品研制的重要任務(wù)。從設(shè)計源頭減輕重量將成為整星減重的有效手段之一，VM0S器件以開關(guān)頻率高以及導(dǎo)通電阻小的特性，使得航天電子產(chǎn)品中采用VM0S管來代替繼電器成為一種趨勢。根據(jù)航天產(chǎn)品的研制要求，為避免“金脆”現(xiàn)象的發(fā)生，對于鍍金引腳的芯片或器件，要求必須進行管腳搪錫。而目前對于VM0S管芯片業(yè)內(nèi)基本采用了手工搪錫的方式進行，而手工搪錫中又以電烙鐵手工搪錫方式為典型。然而，由于衛(wèi)星用VM0S管焊盤面積大，散熱速度較快，采用電烙鐵方式搪錫時，烙鐵設(shè)置溫度必須高于300°C才可完成操作，而VM0S管使用手冊則規(guī)定，器件焊接溫度不宜高于300°C，這其中帶來搪錫溫度過高帶來的芯片熱沖擊的隱患。
[0003]錫鍋由于其熱容量大，可實現(xiàn)精確溫度控制，逐漸成為常規(guī)器件搪錫時的首選設(shè)備。而對VM0S管芯片錫鍋搪錫，常規(guī)作業(yè)方法芯片無法可靠固定，容易在搪錫過程中掉落，形成極大操作風險。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決VM0S管芯片有效、可靠、高質(zhì)量的搪錫，本發(fā)明提供了一種衛(wèi)星用VM0S管芯片搪錫的持具工裝及方法。
[0005]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的:
[0006]一種衛(wèi)星用VM0S管芯片搪錫的持具工裝，包括芯片翻邊托盤、定位片及定位片卡槽、持具把手，定位片通過定位片卡槽安裝至托盤上，待搪錫的芯片焊盤向下置于定位片上，焊盤完全對準定位片的開口槽。
[0007]優(yōu)選地，定位片為可更換的定位片，針對不同封裝尺寸的VM0S管進行搪錫。
[0008]優(yōu)選地，持具邊緣進行折邊處理，確保搪錫過程中，焊錫不會污染非焊盤處的器件本體。
[0009]優(yōu)選地，持具采用窗口式設(shè)計，可方便拾取芯片。
[0010]優(yōu)選地，還包括定位片底部設(shè)置的刮刀，可有效控制VM0S管芯片底部搪錫后的錫層平整度與光潔度。
[0011]優(yōu)選地，使用蘸酒精的無紡布浸潤3D-PLUS芯片底部硅橡膠，靜置數(shù)分鐘。
[0012]—種衛(wèi)星用VM0S管芯片搪錫方法，通過上述的持具工裝完成，包括步驟如下:
[0013]1)準備
[0014]打開搪錫鍋，將錫鍋溫度設(shè)置為預(yù)定溫度；
[0015]2)定位片安裝
[0016]根據(jù)待搪錫芯片尺寸，選擇合適的定位片，通過定位片卡槽，安裝至持具托盤；
[0017]3)芯片放置
[0018]使用防靜電鑷子，夾取待搪錫芯片，將芯片焊盤向下置于持具窗口，焊盤需完全對準定位片開口槽；
[0019]4)浸助焊劑
[0020]手握持具把手，將芯片浸于助焊劑溶液中，待焊盤完全浸潤后即抬起；
[0021]5)搪錫
[0022]一手握住持具把手，另一手持防靜電鑷子輕壓芯片頂部，將芯片輕輕浸入錫鍋，將焊盤完全浸入錫鍋液面，數(shù)秒后提起，芯片焊盤離開液面前，將握持把手的手食指抵住刮刀握桿，將刮刀沿開口槽滑動一個來回，使焊盤錫量均勻；
[0023]6)清洗
[0024]將搪完錫的芯片自然冷卻至室溫，并用蘸無水乙醇的的無塵布擦拭焊盤。
[0025]所述步驟1)中，錫鍋溫度設(shè)置為250°C ± 1°C。
[0026]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下的有益效果:
[0027](1)徹底解決了 VMOS管芯片手工搪錫的單點局部加熱帶來的溫度過熱沖擊以及焊盤受熱不均勻的操作風險；
[0028](2)解決了VM0S管芯片焊盤以較低溫度均勻快速受熱，搪錫溫度控制最低可達250°C±1°C，保證了芯片的使用可靠性；
[0029](2)提高了 VM0S管芯片SMT貼片安裝的成功率，搪錫后焊盤平整度、光亮度優(yōu)于手工搪錫，SMT自動貼裝機機器視覺識別度高于手工搪錫芯片。
【附圖說明】
[0030]通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯:
[0031]圖1為衛(wèi)星用VM0S管搪錫持具工裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖2為衛(wèi)星用VM0S管搪錫工藝流程圖。
【具體實施方式】
[0033]下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明進行詳細說明。以下實施例將有助于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進一步理解本發(fā)明，但不以任何形式限制本發(fā)明。應(yīng)當指出的是，對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進。這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0034]本發(fā)明所公開的衛(wèi)星用VM0S管芯片錫鍋搪錫持具工裝，是通過設(shè)計一種持具，實現(xiàn)衛(wèi)星用VM0S管芯片錫鍋搪錫的工藝。圖1所示，本發(fā)明持具工裝包括芯片翻邊托盤1、定位片2及定位片卡槽3、持具把手4。定位片2通過定位片卡槽3安裝至托盤1上，待搪錫的芯片焊盤向下置于定位片2上，焊盤完全對準定位片的開口槽.
[0035]持具具備可更換的定位片，可針對不同封裝尺寸的VM0S管進行搪錫。
[0036]持具邊緣進行了折邊處理，確保搪錫過程中，焊錫不會污染非焊盤處的器件本體。
[0037]持具采用窗口式設(shè)計，可方便芯片從持具窗口5拾取。
[0038]定位片2底部設(shè)置刮刀，握持把手的手食指抵住刮刀握桿6，將刮刀沿開口槽滑動一個來回，使焊盤錫量均勻，從而可有效控制VMOS管芯片底部搪錫后的錫層平整度與光潔度。
[0039]搪錫工藝中增加了靜電防護措施，使得靜電敏感的VM0S管芯片在搪錫作業(yè)的過程中產(chǎn)品性能得到保證。
[0040]圖2所示，利用本發(fā)明持具工裝進行VM0S管芯片錫鍋搪錫的工藝流程，包括如下:[0041 ] 1)準備
[0042]將短路保護插頭安裝到位，打開離子風機，人員著防靜電服，佩戴防靜電手環(huán)，打開搪錫鍋，將錫鍋溫度設(shè)置為250°C;
[0043]2)定位片安裝
[0044]根據(jù)待搪錫芯片尺寸，選擇合適的定位片，通過定位片卡槽，安裝至持具托盤；
[0045]3)芯片放置
[0046]使用防靜電鑷子，夾取待搪錫芯片，將芯片焊盤向下置于持具窗口，焊盤需完全對準定位片開口槽；
[0047]4)浸助焊劑
[0048]手握持具把手，將芯片浸于按質(zhì)量比7:3配置的酒精松香助焊劑溶液中，待焊盤完全浸潤后即可抬起；
[0049]5)搪錫
[0050]—手握住持具把手，另一手持防靜電鑷子輕壓芯片頂部，將芯片輕輕浸入錫鍋，將焊盤完全浸入錫鍋液面，2?3s后提起，芯片焊盤離開液面前，將握持把手的手食指抵住刮刀握桿，將刮刀沿開口槽滑動一個來回，使焊盤錫量均勻；
[0051]6)清洗
[0052]將搪完錫的芯片自然冷卻至室溫，并用蘸無水乙醇的的無塵布擦拭焊盤。
[0053]以上對本發(fā)明的具體實施例進行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容。
【主權(quán)項】
1.一種衛(wèi)星用VMOS管芯片錫鍋搪錫的持具工裝，其特征在于，包括芯片翻邊托盤、定位片及定位片卡槽、持具把手，定位片通過定位片卡槽安裝至托盤上，待搪錫的芯片焊盤向下置于定位片上，焊盤完全對準定位片的開口槽。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的衛(wèi)星用VM0S管芯片錫鍋搪錫的持具工裝，其特征在于，所述定位片為可更換的定位片，適應(yīng)于不同封裝尺寸的VM0S管進行搪錫。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的衛(wèi)星用VM0S管芯片錫鍋搪錫的持具工裝，其特征在于，所述持具邊緣進行折邊處理，確保搪錫過程中，焊錫不會污染非焊盤處的器件本體。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的衛(wèi)星用VM0S管芯片錫鍋搪錫的持具工裝，其特征在于，所述持具采用窗口式設(shè)計，方便拾取芯片。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的衛(wèi)星用VM0S管芯片錫鍋搪錫的持具工裝，其特征在于，所述定位片底部設(shè)置刮刀，用于控制VM0S管芯片底部搪錫后的錫層平整度與光潔度。6.一種衛(wèi)星用VM0S管芯片錫鍋搪錫方法，其特征在于，通過權(quán)利要求1至5任一所述的持具工裝完成，包括步驟如下: 1)準備 打開搪錫鍋，將錫鍋溫度設(shè)置為預(yù)定溫度； 2)定位片安裝 根據(jù)待搪錫芯片尺寸，選擇合適的定位片，通過定位片卡槽，安裝至持具托盤； 3)芯片放置 使用防靜電鑷子，夾取待搪錫芯片，將芯片焊盤向下置于持具窗口，焊盤需完全對準定位片開口槽； 4)浸助焊劑 手握持具把手，將芯片浸于助焊劑溶液中，待焊盤完全浸潤后即抬起； 5)搪錫 一手握住持具把手，另一手持防靜電鑷子輕壓芯片頂部，將芯片輕輕浸入錫鍋，將焊盤完全浸入錫鍋液面，數(shù)秒后提起，芯片焊盤離開液面前，將握持把手的手食指抵住刮刀握桿，將刮刀沿開口槽滑動一個來回，使焊盤錫量均勻； 6)清洗 將搪完錫的芯片自然冷卻至室溫，并用蘸無水乙醇的的無塵布擦拭焊盤。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的衛(wèi)星用VM0S管芯片錫鍋搪錫方法，其特征在于，所述步驟1)中，錫鍋溫度設(shè)置為250°C ± 1°C。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種衛(wèi)星用VMOS管芯片錫鍋搪錫的持具工裝及方法，包括芯片翻邊托盤、定位片及定位片卡槽、持具把手，定位片通過定位片卡槽安裝至托盤上，待搪錫的芯片焊盤向下置于定位片上，焊盤完全對準定位片的開口槽。本發(fā)明通過設(shè)計一種持具，實現(xiàn)了衛(wèi)星用VMOS管芯片錫鍋搪錫的工藝，該方法相比手工烙鐵搪錫的方式溫度控制更為精準，管腳搪錫處更為平整，且使用該工藝搪錫后芯片設(shè)備貼裝正確性可大幅提高。
【IPC分類】H01L21/48, H01L21/687, H01L21/68
【公開號】CN105448791
【申請?zhí)枴緾N201510821999
【發(fā)明人】曹熙丹, 馬力, 丁琳
【申請人】上海衛(wèi)星裝備研究所
【公開日】2016年3月30日
【申請日】2015年11月23日