水的液體。第一疏水化劑例如是使硅自身以及含有硅的化合物疏水化的硅類疏水化劑、或是使金屬自身以及含有金屬的化合物疏水化的金屬類疏水化劑。第二疏水化劑也同樣。
[0082]硅類疏水化劑例如是硅烷偶聯(lián)劑。硅烷偶聯(lián)劑例如包括例如HMDS(hexamethyldisilazane:六甲基二娃胺)、TMS(四甲基娃燒)、氟化燒基氯娃燒、以及烷基二硅氮烷中的至少一種。
[0083]金屬類疏水化劑例如是非硅烷偶聯(lián)劑。非硅烷偶聯(lián)劑例如是配位性高的疏水化劑。
[0084]第一疏水化劑既可以是用稀釋溶劑稀釋的疏水化劑，也可以是未由稀釋溶劑稀釋的疏水化劑的原液。第二疏水化劑也同樣。
[0085]“稀釋溶劑”是能夠使前述的疏水化劑以及溶劑、水溶解且?guī)缀醪缓囊后w。稀釋溶劑例如包含醇(一價醇)、多價醇、酮、PGMEA、EGMEA、以及氟類溶劑中的至少一個。稀釋溶劑的表面張力比水的表面張力小，且稀釋溶劑的沸點比水的沸點低。
[0086]醇例如包括甲醇、乙醇、丙醇以及IPA中的至少一個。
[0087]多價醇例如包括乙二醇。
[0088]酮例如包括丙酮、以及二乙基酮中的至少一個。
[0089]氟類溶劑例如包括HFE、HFC中的至少一個。
[0090]圖3是用于對由基板處理裝置1執(zhí)行的第一處理例進行說明的工序圖。以下，說明對在器件形成面即表面形成有圖案(參照圖7A以及圖7B)的基板W進行處理時的處理例。圖案既可以是線狀的圖案，也可以是柱狀(cylinder)的圖案。另外，“基板W的上表面(表面)”包括基板W自身的上表面(表面)以及圖案的表面。以下的各工序通過控制裝置3根據(jù)處理方案(recipe) 33 (參照圖5)對基板處理裝置1進行控制來執(zhí)行。
[0091 ] 在要由處理單元2對基板W進行處理時，進行向腔室內(nèi)搬入基板W的搬入工序。
[0092]具體地說，控制裝置3在使遮斷板8以及藥液噴嘴15位于退避位置的狀態(tài)下，使保持基板W的搬送機械手(未圖示)的手部進入腔室內(nèi)。然后，控制裝置3在器件形成面即表面朝向的狀態(tài)讓搬送機械手使基板W載置在旋轉(zhuǎn)卡盤4上，使旋轉(zhuǎn)卡盤4保持基板W。接著，控制裝置3使搬送機械手的手部從腔室內(nèi)退避。然后，控制裝置3使旋轉(zhuǎn)卡盤4開始基板W的旋轉(zhuǎn)。
[0093]接著，進行向基板W的上表面供給藥液的藥液處理工序(圖3的步驟S1)。
[0094]具體地說，控制裝置3通過控制噴嘴移動單元18，在遮斷板8位于退避位置的狀態(tài)下，使藥液噴嘴15從退避位置移動到處理位置。然后，控制裝置3打開藥液閥17，使藥液噴嘴15向旋轉(zhuǎn)的基板W的上表面中央部噴出藥液。從藥液噴嘴15噴出的藥液沿著基板W的上表面向外方流動。此時，控制裝置3可以通過使噴嘴移動單元18移動藥液噴嘴15，使藥液相對于基板W的上表面的著落位置在中央部和周緣部之間移動。這樣一來，形成覆蓋基板W的整個上表面的藥液的液膜，基板W被藥液處理。當從打開藥液閥17起經(jīng)過規(guī)定時間時，控制裝置3關(guān)閉藥液閥17，停止藥液的噴出。然后，控制裝置3通過控制噴嘴移動單元18，使藥液噴嘴15移動到退避位置。
[0095]接著，接著，進行將作為沖洗液的一例的純水向基板W的上表面供給的水沖洗工序(圖3的步驟S2)。
[0096]具體地說，控制裝置3通過控制遮斷板升降單元10，在使藥液噴嘴15位于退避位置的狀態(tài)下，使遮斷板8從退避位置移動到處理位置。然后，控制裝置3打開沖洗液閥30，使中心噴嘴19向旋轉(zhuǎn)的基板W的上表面中央部噴出純水。由此，藥液的液膜被覆蓋基板W的整個上表面的純水的液膜置換，基板W上的藥液被純水沖洗掉。當從打開沖洗液閥30起經(jīng)過規(guī)定時間時，控制裝置3關(guān)閉沖洗液閥30并停止純水的噴出。
[0097]接著，進行將溶劑(液體)向基板W的上表面供給的第一溶劑置換工序(圖3的步驟S3)。
[0098]具體地說，控制裝置3在遮斷板8位于處理位置的狀態(tài)下，打開溶劑閥28，使中心噴嘴19向旋轉(zhuǎn)的基板W的上表面中央部噴出溶劑。由此，作為第一溶劑的溶劑被供給到基板W的整個上表面。由于溶劑是能夠使水溶解的液體，所以基板W上的純水的一部分被供給到基板W上的溶劑向基板W的周圍擠出，剩余的純水溶入到供給到基板W上的溶劑。溶入有純水的溶劑之后被供給到基板W上的溶劑向基板W的周圍擠出。因此，通過持續(xù)供給溶劑，所有或幾乎所有的純水從基板W排出，純水的液膜被覆蓋基板W的整個上表面的溶劑的液膜置換。當從打開溶劑閥28起經(jīng)過規(guī)定時間時，控制裝置3關(guān)閉溶劑閥28，停止溶劑的噴出。
[0099]接著，進行將疏水化劑(液體)向基板W的上表面供給的第一疏水化工序(參照圖3的步驟S4)。
[0100]具體地說，控制裝置3在遮斷板8位于處理位置的狀態(tài)下，打開疏水化劑閥(第一疏水化劑閥23或第二疏水化劑閥26)，使中心噴嘴19向旋轉(zhuǎn)的基板W的上表面中央部噴出疏水化劑。由此，疏水化劑被供給到基板W的整個上表面。由于基板W上的溶劑是能夠使疏水化劑溶解的液體，所以通過持續(xù)供給疏水化劑，所有或幾乎所有的溶劑從基板W排出，溶劑的液膜被置換為覆蓋基板W的整個上表面的疏水化劑的液膜。由此，疏水化劑進入到圖案的內(nèi)部，基板W的上表面被疏水化。當從打開所述疏水化劑閥起經(jīng)過規(guī)定時間時，控制裝置3關(guān)閉所述疏水化劑閥，停止疏水化劑的噴出。
[0101]接著，并行進行將室溫的溶劑(液體)向基板W的上表面供給的干燥前沖洗工序(圖3的步驟S5)和將溫度比室溫高的加熱液的一例即溫水向基板W的下表面供給來對基板W上的溶劑進行加熱的加熱工序(圖3的步驟S6)。
[0102]就干燥前沖洗工序而言，控制裝置3在遮斷板8位于處理位置的狀態(tài)下，打開溶劑閥28，使中心噴嘴19將室溫的溶劑向旋轉(zhuǎn)的基板W的上表面中央部噴出。由此，溶劑被供給懂啊基板W的整個上表面。因此，所有或幾乎所有的疏水化劑從基板W排出，疏水化劑的液膜被覆蓋基板W的整個上表面的溶劑的液膜置換。當從打開溶劑閥28起經(jīng)過規(guī)定時間時，控制裝置3關(guān)閉溶劑閥28并停止溶劑的噴出。
[0103]就加熱工序而言，控制裝置3打開加熱閥13，使加熱噴嘴11將溫水向旋轉(zhuǎn)的基板W的下表面中央部噴出。從加熱噴嘴11噴出的溫水著落到基板W的下表面中央部后，沿著基板W的下表面向外方流動。由此，溫水被供給到基板W的整個下表面。因此，整個基板W被溫水加熱，基板W上的溶劑被基板W加熱。當從打開加熱閥13起經(jīng)過規(guī)定時間時，控制裝置3關(guān)閉加熱閥13，停止從加熱噴嘴11噴出溫水。
[0104]加熱噴嘴11開始噴出溫水的時刻既可以與中心噴嘴19開始噴出溶劑的時刻相同，也可以在其之后或之后。同樣，加熱噴嘴11結(jié)束噴出溫水的時刻既可以與中心噴嘴19結(jié)束噴出溶劑的時刻相同，也可以在其之前或之后。也就是說，如果要在中心噴嘴19噴出溶劑的期間的至少一部分中，加熱噴嘴11噴出溫水，則開始噴出溫水的時刻和結(jié)束噴出溫水的時刻可以是任意的時刻。例如，也可以在中心噴嘴19噴出溶劑的整個期間，加熱噴嘴11噴出溫水。
[0105]在進行干燥前沖洗工序以及加熱工序后，進行使基板W干燥的干燥工序(圖3的步驟S7)。
[0106]具體地說，控制裝置3通過控制旋轉(zhuǎn)馬達7，在遮斷板8位于處理位置的狀態(tài)下，使基板W以高旋轉(zhuǎn)速度(例如數(shù)千rpm)旋轉(zhuǎn)。由此，大的離心力施加于在基板W上附著的溶劑，溶劑被從基板W甩到周圍。因此，溶劑被從基板W除去，使基板W干燥。當從基板W開始高速旋轉(zhuǎn)起經(jīng)過規(guī)定時間時，控制裝置3使旋轉(zhuǎn)馬達7停止基板W的旋轉(zhuǎn)。
[0107]接著，進行將基板W從腔室搬出的搬出工序。
[0108]具體地說，控制裝置3使旋轉(zhuǎn)卡盤4解除對基板W的保持。進而，控制裝置3通過控制遮斷板升降單元10，使遮斷板8從該處理位置移動到退避位置。然后，控制裝置3使搬送機械手的手部進入腔室內(nèi)，使旋轉(zhuǎn)卡盤4上的基板W支撐在手部上。然后，控制裝置3使搬送機械手的手部從腔室內(nèi)退避。由此，處理完的基板W從腔室搬出。
[0109]圖4是用于對由基板處理裝置1執(zhí)行的第二處理例進行說明的工序圖。以下，說明對在器件形成面即表面形成有圖案(參照圖7A以及圖7B)的基板W進行處理時的處理例。以下的各工序通過控制裝置3根據(jù)處理方案33 (參照圖5)對基板處理裝置1進行控制來執(zhí)行。
[0110]第二處理例與第一處理例不同之處在于，還包括第二溶劑置換工序(圖4的步驟S11)以及第二疏水化工序(圖4的步驟S12)。因此，以下，對第二溶劑置換工序以及第二疏水化工序進行說明，省略除此以外的工序的說明。
[0111]在進行第一疏水化工序(圖4的步驟S4)后，進行將溶劑(液體)向基板W的上表面供給的第二溶劑置換工序(圖4的步驟S11)。
[0112]具體地說，控制裝置3在遮斷板8位于處理位置的狀態(tài)下，打開溶劑閥28，使中心噴嘴19向旋轉(zhuǎn)的基板W的上表面中央部噴出中心噴嘴19。由此，作為第二溶劑的溶劑被供給到基板W的整個上表面。由于溶劑是能夠使疏水化劑溶解的液體，所以基板W上的疏水化劑的一部分被供給到基板W上的溶劑向基板W的周圍擠出，剩余的疏水化劑溶入供給到基板W上的溶劑。溶入有疏水化劑的溶劑被之后供給到基板W上的溶劑向基板W的周圍擠出。因此，通過持續(xù)供給溶劑，所有或幾乎所有的疏水化劑從基板W排出，疏水化劑的液膜被覆蓋基板W的整個上表面的溶劑的液膜置換。當從打開溶劑閥28起經(jīng)過規(guī)定時間時，控制裝置3關(guān)閉溶劑閥28，停止溶劑的噴出。
[0113]接著，進行將第二疏水化劑(液體)向基板W的上表面供給的第二疏水化工序(圖4的步驟S12)。
[0114]具體地說，控制裝置3在遮斷板8位于處理位置的狀態(tài)下，打開疏水化劑閥。SP，在第一疏水化工序(圖4的步驟S4)中打開第一疏水化劑閥23的情況下，控制裝置3打開第二疏水化劑閥26，在第一疏水化工序(圖3的步驟S4)中打開第二疏水化劑閥26的情況下，控制裝置3打開第一疏水化劑閥23。因此，種類與在第一疏水化工序(圖4的步驟S4)中供給到基板W上的疏水化劑不同的疏水化劑從中心噴嘴19向旋轉(zhuǎn)的基板W的上表面中央部噴出，供給到基板W的整個上表面。由于溶劑是能夠使疏水化劑溶解的液體，因此通過持續(xù)供給疏水化劑，所有或幾乎所有的溶劑從基板W排出，溶劑的液膜被覆蓋基板W的整個上表面的疏水化劑的液膜置換。由此，疏水化劑進入到圖案的內(nèi)部，基板W的上表面被疏水化。當從打開所述疏水化劑閥起經(jīng)過規(guī)定時間時，控制裝置3關(guān)閉所述疏水化劑閥，停止疏水化劑的噴出。然后，進行干燥前沖洗工序(圖4的步驟S5)以及加熱工序(圖4的步驟S6) ο
[0115]圖5是用于說明基板處理裝置1的電氣結(jié)構(gòu)的框圖。圖6是表示在控制裝置3存儲的表格34的圖。圖7Α以及圖7Β是表示使基板W干燥之前和之后的圖案的狀態(tài)的示意圖。圖7Α是表示圖案的高度Η1為最大高度Hm