半導(dǎo)體器件的制造方法及半導(dǎo)體器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法及半導(dǎo)體器件。
【背景技術(shù)】
[0002]橫向高壓半導(dǎo)體器件通常包括橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和橫向絕緣柵雙極型晶體管，其中，橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的應(yīng)用最為廣泛，是功率集成電路中常用的器件。功率集成電路的穩(wěn)定性與橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的各項(xiàng)電性參數(shù)的關(guān)系非常密切，若晶體管的某種電性參數(shù)達(dá)不到要求則直接影響了功率集成電路的運(yùn)行。
[0003]擊穿電壓是橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管最重要的電性參數(shù)之一，在不影響其它電性參數(shù)的前提下，擊穿電壓越大越好。目前，本領(lǐng)域通常采用硅局部氧化工藝來制造橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其制造方法包括如下幾個(gè)步驟:首先，在硅襯底的表面制作體區(qū)和漂移區(qū)，在漂移區(qū)的表面制作場氧化層，將場氧化層覆蓋的區(qū)域稱為場區(qū)，未覆蓋的區(qū)域稱為有源區(qū)。然后在有源區(qū)表面制作柵氧化層，柵氧化層的高度低于場氧化層，且在場氧化層的兩端形成過渡斜面。在柵氧化層、部分場氧化層以及過渡斜面上形成場板。
[0004]在經(jīng)過上述方法形成的晶體管中，過渡斜面稱為“鳥嘴”，多個(gè)方向的電場線集中到鳥嘴區(qū)域，使得該區(qū)域的電場強(qiáng)度較強(qiáng)，最容易發(fā)生擊穿，因此，由于鳥嘴的存在，使得晶體管整體的擊穿電壓較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法及半導(dǎo)體器件，用于提高半導(dǎo)體器件的擊穿電壓。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括:
[0007]在形成有體區(qū)和漂移區(qū)的硅片表面形成鏤空的阻擋層，鏤空區(qū)域與所述漂移區(qū)中待形成第一硅槽區(qū)域?qū)?yīng)；所述阻擋層包括第一氧化層和第一氮化硅層，所述第一氧化層設(shè)置在所述第一氮化娃層與娃片之間；
[0008]在所述待形成第一娃槽區(qū)域形成第一娃槽，并在所述第一娃槽的側(cè)壁形成第二石圭槽，所述阻擋層中靠近所述鏤空區(qū)域的部分懸空在所述第二硅槽上方；所述第一硅槽和第二硅槽連通，構(gòu)成硅槽；
[0009]在所述第一氮化硅層和硅槽的表面形成第二氧化層；
[0010]在所述阻擋層懸空端與所述懸空端下方的第二氧化層之間形成氮化硅區(qū)；
[0011]采用爐管工藝在所述氮化硅區(qū)外圍的第一氧化層和第二氧化層進(jìn)行氧化，以在所述硅槽中形成側(cè)壁為斜面的場氧化層；
[0012]去除所述阻擋層和所述氮化硅區(qū)；
[0013]在所述硅片的表面中除場氧化層表面之外的其余部分形成柵氧化層，所述柵氧化層的表面與所述場氧化層的表面齊平；
[0014]在所述柵氧化層和場氧化層的表面形成場板；
[0015]分別在所述體區(qū)中形成源區(qū)，在所述漂移區(qū)中形成漏區(qū)，以形成所述半導(dǎo)體器件。
[0016]如上所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，在形成有體區(qū)和漂移區(qū)的硅片表面形成鏤空的阻擋層，鏤空區(qū)域與所述漂移區(qū)中待形成第一硅槽區(qū)域?qū)?yīng)；所述阻擋層包括第一氧化層和第一氮化硅層，所述第一氧化層設(shè)置在所述第一氮化硅層與硅片之間，包括:
[0017]依次在形成有體區(qū)和漂移區(qū)的硅片表面形成第一氧化層和第一氮化硅層；
[0018]將所述漂移區(qū)中待形成第一硅槽區(qū)域表面的第一氧化層和第一氮化硅層去除，剩余的第一氧化層和第一氮化硅層構(gòu)成鏤空的阻擋層。
[0019]如上所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，在所述阻擋層懸空端與所述懸空端下方的第二氧化層之間形成氮化硅區(qū)，包括:
[0020]在所述第二氧化層的表面形成第二氮化硅層；
[0021]對所述第二氮化硅層進(jìn)行刻蝕，僅保留所述阻擋層懸空端與所述懸空端下方的第二氧化層之間的第二氮化硅層，形成氮化硅區(qū)。
[0022]如上所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，所述硅槽側(cè)壁和底面圍成的截面為梯形，所述硅槽底面的尺寸小于硅槽開口的尺寸。
[0023]如上所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，在將所述漂移區(qū)中待形成第一硅槽區(qū)域表面的第一氧化層和第一氮化硅層去除之前，還包括:
[0024]在所述第一氮化硅層的表面涂覆光刻膠，形成膠層；
[0025]對所述膠層進(jìn)行曝光顯影處理，以去除所述漂移區(qū)中待形成第一硅槽區(qū)域?qū)?yīng)位置處的光刻膠；
[0026]在將所述漂移區(qū)中待形成第一硅槽區(qū)域表面的第一氧化層和第一氮化硅層去除之后，還包括:
[0027]將所述第一氮化硅層表面的膠層去除。
[0028]如上所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，所述硅槽側(cè)壁與所述第一氧化層的接觸點(diǎn)與所述第一氧化層懸空端面的距離為0.1微米至0.5微米。
[0029]如上所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，所述硅槽的深度為2000埃至4000埃。
[0030]如上所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，所述硅槽側(cè)壁與所述第一氧化層之間的夾角為 30° 至 60°。
[0031]本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件，包括:設(shè)置有體區(qū)和漂移區(qū)的硅片，所述體區(qū)中設(shè)置有源區(qū)，所述漂移區(qū)設(shè)置有場氧化層和漏區(qū)，所述場氧化層的側(cè)壁為斜面；
[0032]所述硅片的表面中除場氧化層表面之外的其余部分設(shè)置有柵氧化層，所述柵氧化層的表面與所述場氧化層的表面齊平；
[0033]所述柵氧化層和場氧化層的表面設(shè)置有場板。
[0034]如上所述的半導(dǎo)體器件，所述場氧化層的側(cè)壁與所述柵氧化層表面之間的夾角為
30。至 60°。
[0035]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案通過在襯底表面形成鏤空的阻擋層，其中，鏤空區(qū)域與漂移區(qū)中待形成第一硅槽區(qū)域?qū)?yīng)，然后在漂移區(qū)中刻蝕形成第一硅槽和第二硅槽合稱石圭槽，并且娃槽的側(cè)壁位于阻擋層的下方，以使阻擋層靠近娃槽的一端懸空在娃槽的上方，之后，在阻擋層和硅槽的表面形成第二氧化層，且在阻擋層懸空端的下方形成氮化硅區(qū)，再通過爐管工藝使得氧氣在氮化硅區(qū)外圍的第二氧化層中進(jìn)行擴(kuò)散，并與襯底發(fā)生反應(yīng)生成側(cè)壁為斜面的場氧化層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例在形成硅槽的基礎(chǔ)上所形成的場氧化層的高度僅僅是略高于漂移區(qū)表面，且在形成柵氧化層之后能夠與柵氧化層的表面齊平，則在柵氧化層和場氧化層之間不會產(chǎn)生臺階，當(dāng)然也不需要如現(xiàn)有技術(shù)所必需的過渡段，也就不存在“鳥嘴”，因此，解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于“鳥嘴”的存在而導(dǎo)致半導(dǎo)體器件擊穿電壓較低的問題。本實(shí)施例提供的技術(shù)方案能夠提高半導(dǎo)體器件的擊穿電壓，進(jìn)而提高半導(dǎo)體器件的電性參數(shù)。
【附圖說明】
[0036]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖；
[0037]圖2為本發(fā)明實(shí)施例二提供的半導(dǎo)體器件的制造方法中形成第一氧化層和第一氮化硅層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的半導(dǎo)體器件的制造方法中形成膠層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的半導(dǎo)體器件的制造方法中經(jīng)過曝光顯影處理后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖5為本發(fā)明實(shí)施例二提供的半導(dǎo)體器件的制造方法中去除待形成硅槽區(qū)域上方的第一氧化層和第一氮化硅層后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的半導(dǎo)體器件的制造方法中去除膠層后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖7為本發(fā)明實(shí)施例二提供的半導(dǎo)體器件的制造方法中形成硅槽的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖8為本發(fā)明實(shí)施例二提供的半導(dǎo)