一種納米陶瓷插座的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于插座技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種納米陶瓷插座。
【背景技術(shù)】
[0002]插座是指有一個或一個以上電路接線可插入的座，通過它可插入各種接線，便于與其他電路接通。目前的插座材質(zhì)一般為塑料制成，不具有耐磨損、高溫、高壓和腐蝕等性能，導(dǎo)致插座的使用的安全性較低，且使用壽命較短。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種納米陶瓷插座，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種納米陶瓷插座，包括插座本體，所述插座本體的上部從左到右依次設(shè)置有電源總開關(guān)、液晶顯示屏和USB充電端口，所述插座本體的下部設(shè)有電源插座功能件，所述電源插座功能件由直徑2nm的氧化鐵分子團(tuán)與利用氫氧化鐵和碳酸鎂的分解和沉淀反應(yīng)生成的氧化鎂分子團(tuán)經(jīng)過二次加壓成型、低溫快速燒結(jié)制成晶粒平均直徑為90nm的納米氧化陶瓷制成。
[0005]優(yōu)選的，所述USB充電端口設(shè)置為3個。
[0006]優(yōu)選的，所述電源插座功能件設(shè)置為4個。
[0007]優(yōu)選的，所述插座本體的左側(cè)下部設(shè)有商標(biāo)貼位。
[0008]本發(fā)明的技術(shù)效果和優(yōu)點(diǎn):該納米陶瓷插座，由于電源插座功能件由納米陶瓷材料制成，不僅有著耐磨損、耐高壓、耐腐蝕和耐高溫等優(yōu)良的性能，而且還具有很多潛在的如尚初性與超塑性等獨(dú)特的性能，在使用時有著很尚的安全性，可以保障插座具有很長的使用壽命。
【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖中:I插座本體、2電源總開關(guān)、3液晶顯示屏、4USB充電端口、5電源插座功能件、6商標(biāo)貼位。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0012]本發(fā)明提供了如圖1所示的一種納米陶瓷插座，包括插座本體1，所述插座本體I的上部從左到右依次設(shè)置有電源總開關(guān)2、液晶顯示屏3和USB充電端口 4，所述USB充電端口 4設(shè)置為3個，所述插座本體I的下部設(shè)有電源插座功能件5，所述電源插座功能件5由直徑2nm的氧化鐵分子團(tuán)與利用氫氧化鐵和碳酸鎂的分解和沉淀反應(yīng)生成的氧化鎂分子團(tuán)經(jīng)過二次加壓成型、低溫快速燒結(jié)制成晶粒平均直徑為90nm的納米氧化陶瓷制成，所述電源插座功能件5設(shè)置為4個，所述插座本體I的左部設(shè)有商標(biāo)貼位6，該納米陶瓷插座，由于電源插座功能件5由納米陶瓷材料制成，不僅有著耐磨損、耐高壓、耐腐蝕和耐高溫等優(yōu)良的性能，而且還具有很多潛在的如高韌性與超塑性等獨(dú)特的性能，在使用時有著很高的安全性，可以保障插座具有很長的使用壽命。
[0013]最后應(yīng)說明的是:以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，盡管參照前述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種納米陶瓷插座，包括插座本體(I)，其特征在于:所述插座本體(I)的上部從左到右依次設(shè)置有電源總開關(guān)(2)、液晶顯示屏(3)和USB充電端口(4)，所述插座本體(I)的下部設(shè)有電源插座功能件(5)，所述電源插座功能件(5)由直徑2nm的氧化鐵分子團(tuán)與利用氫氧化鐵和碳酸鎂的分解和沉淀反應(yīng)生成的氧化鎂分子團(tuán)經(jīng)過二次加壓成型、低溫快速燒結(jié)制成晶粒平均直徑為90nm的納米氧化陶瓷制成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米陶瓷插座，其特征在于:所述USB充電端口(4)設(shè)置為3個。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米陶瓷插座，其特征在于:所述電源插座功能件(5)設(shè)置為4個。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米陶瓷插座，其特征在于:所述插座本體(I)的左側(cè)下部設(shè)有商標(biāo)貼位(6)。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種納米陶瓷插座，包括插座本體，所述插座本體的上部從左到右依次設(shè)置有電源總開關(guān)、液晶顯示屏和USB充電端口，所述插座本體的下部設(shè)有電源插座功能件，所述電源插座功能件由直徑2nm的氧化鐵分子團(tuán)與利用氫氧化鐵和碳酸鎂的分解和沉淀反應(yīng)生成的氧化鎂分子團(tuán)經(jīng)過二次加壓成型、低溫快速燒結(jié)制成晶粒平均直徑為90nm的納米氧化陶瓷制成。該納米陶瓷插座，由于電源插座功能件由納米陶瓷材料制成，不僅有著耐磨損、耐高壓、耐腐蝕和耐高溫等優(yōu)良的性能，而且還具有很多潛在的如高韌性與超塑性等獨(dú)特的性能，在使用時有著很高的安全性，可以保障插座具有很長的使用壽命。
【IPC分類】H01R27/00, H01R13/70, H01R13/46, H01R13/533, H01R13/66
【公開號】CN105514664
【申請?zhí)枴緾N201510931529
【發(fā)明人】李亞東
【申請人】李亞東
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2015年12月15日