一種厚膜光刻加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種LTCC模塊表面線條精細(xì)化加工的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著通信電子產(chǎn)品逐漸向小型化、高頻化等方向發(fā)展，模塊的尺寸也越來越小。LTCC (低溫共燒陶瓷)電路模塊由于具有較低的功耗、低的燒成溫度、高集成度、可內(nèi)置無源元件等特點(diǎn)，已經(jīng)成為制造高集成度電子系統(tǒng)的有利手段之一，在微組裝中發(fā)揮了重要作用。由于LTCC模塊表面線條的精細(xì)加工可以提升整體性能，也已經(jīng)成為LTCC加工中的一項(xiàng)研究熱點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明旨在提出用于LTCC模塊表面線條精細(xì)化的一種厚膜光刻加工方法。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案在于:
一種厚膜光刻加工方法，包括以下步驟:
步驟1:Au的厚膜導(dǎo)體漿料進(jìn)行絲網(wǎng)印刷加工；
步驟2:將上述經(jīng)過絲網(wǎng)印刷的產(chǎn)品干燥十分鐘后烘干，并進(jìn)行燒結(jié)；
步驟3:對燒結(jié)后的導(dǎo)體表面進(jìn)行勻膠、曝光以及顯影，制作出特定形狀的掩膜；
步驟4:將上述掩膜進(jìn)行刻蝕；
步驟5:刻蝕后采用配套去膠液將多余光刻膠去除；
步驟6:在750-850°C下重新燒結(jié)后獲得所需的圖形。
[0005]優(yōu)選地，所述的絲網(wǎng)印刷時采用傳統(tǒng)的D33 um網(wǎng)版。
[0006]優(yōu)選地，所述的燒結(jié)溫度為750-850°C。
[0007]或者優(yōu)選地，所述的刻蝕溶液為Au導(dǎo)體層的刻蝕溶液12/KI。
[0008]或者優(yōu)選地，所述的配套去膠液為丙酮。
[0009]本發(fā)明的技術(shù)效果在于:
本發(fā)明采用可刻蝕的厚膜漿料，該種材料具有電導(dǎo)率高、精度高、鍵合性好等特點(diǎn)，采用本方法加工的線條一般可達(dá)25um，襯底狀態(tài)良好，最細(xì)線條可做到10um，通過本加工方法加工的線寬為50um，本方法簡單易行，易于操作。
【具體實(shí)施方式】
[0010]一種厚膜光刻加工方法，包括以下步驟:
步驟1:Au的厚膜導(dǎo)體漿料進(jìn)行絲網(wǎng)印刷加工；
步驟2:將上述經(jīng)過絲網(wǎng)印刷的產(chǎn)品干燥十分鐘后烘干，并進(jìn)行燒結(jié)；
步驟3:對燒結(jié)后的導(dǎo)體表面進(jìn)行勻膠、曝光以及顯影，制作出特定形狀的掩膜；
步驟4:將上述掩膜進(jìn)行刻蝕； 步驟5:刻蝕后采用配套去膠液將多余光刻膠去除；
步驟6:在750-850°C下重新燒結(jié)后獲得所需的圖形。
[0011]其中，絲網(wǎng)印刷時采用傳統(tǒng)的D33 um網(wǎng)版。燒結(jié)溫度為750_850°C?？涛g溶液為Au導(dǎo)體層的刻蝕溶液12/KI。配套去膠液為丙酮。
[0012]在本加工過程中用到的典型設(shè)備包括印刷機(jī)、勻膠機(jī)、UV曝光機(jī)、顯影機(jī)、去膠臺、刻蝕臺、燒結(jié)爐等。采用本方法加工的線條一般可達(dá)25 um,襯底狀態(tài)良好，最細(xì)線條可做到10um，通過本加工方法加工的線寬為50um。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種厚膜光刻加工方法，其特征在于:包括以下步驟: 步驟1:Au的厚膜導(dǎo)體漿料進(jìn)行絲網(wǎng)印刷加工； 步驟2:將上述經(jīng)過絲網(wǎng)印刷的產(chǎn)品干燥十分鐘后烘干，并進(jìn)行燒結(jié)； 步驟3:對燒結(jié)后的導(dǎo)體表面進(jìn)行勻膠、曝光以及顯影，制作出特定形狀的掩膜； 步驟4:將上述掩膜進(jìn)行刻蝕； 步驟5:刻蝕后采用配套去膠液將多余光刻膠去除； 步驟6:在750-850°C下重新燒結(jié)后獲得所需的圖形。2.如權(quán)利要求1一種厚膜光刻加工方法，其特征在于:所述的絲網(wǎng)印刷時采用傳統(tǒng)的D33 um網(wǎng)版。3.如權(quán)利要求1一種厚膜光刻加工方法，其特征在于:所述的燒結(jié)溫度為750-850°C。4.如權(quán)利要求1一種厚膜光刻加工方法，其特征在于:所述的刻蝕溶液為Au導(dǎo)體層的刻蝕溶液12/KI。5.如權(quán)利要求1一種厚膜光刻加工方法，其特征在于:所述的配套去膠液為丙酮。
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種LTCC模塊表面線條精細(xì)化加工的方法。一種厚膜光刻加工方法，包括以下步驟：步驟1：Au的厚膜導(dǎo)體漿料進(jìn)行絲網(wǎng)印刷加工；步驟2：將上述經(jīng)過絲網(wǎng)印刷的產(chǎn)品干燥十分鐘后烘干，并進(jìn)行燒結(jié)；步驟3：對燒結(jié)后的導(dǎo)體表面進(jìn)行勻膠、曝光以及顯影，制作出特定形狀的掩膜；步驟4：將上述掩膜進(jìn)行刻蝕；步驟5：刻蝕后采用配套去膠液將多余光刻膠去除；步驟6：在750-850℃下重新燒結(jié)后獲得所需的圖形。本發(fā)明采用可刻蝕的厚膜漿料，該種材料具有電導(dǎo)率高、精度高、鍵合性好等特點(diǎn)，采用本方法加工的線條一般可達(dá)25um，襯底狀態(tài)良好，最細(xì)線條可做到10um，通過本加工方法加工的線寬為50um，本方法簡單易行，易于操作。
【IPC分類】G03F7/00, H01L21/027
【公開號】CN105632898
【申請?zhí)枴緾N201410595896
【發(fā)明人】王耀斌
【申請人】陜西盛邁石油有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2014年10月30日