量子點(diǎn)發(fā)光器件及其制備方法及液晶顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)發(fā)光器件及其制備方法及液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]量子點(diǎn)發(fā)光器件，比如，量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum dot Light EmittingD1de，QLED)因具有色域廣、色純度高、穩(wěn)定性好、低功耗、低成本等優(yōu)點(diǎn)被譽(yù)為繼有機(jī)發(fā)光器件之后的新一代照明器件。所述量子點(diǎn)發(fā)光器件包括量子點(diǎn)發(fā)光層，所述量子點(diǎn)發(fā)光層通常通過(guò)如下方式形成:將量子點(diǎn)發(fā)光材料溶于油性的有機(jī)溶劑中，通過(guò)旋涂成膜以形成量子點(diǎn)發(fā)光層。由于量子點(diǎn)發(fā)光層上覆蓋的其他膜層在制作時(shí)容易對(duì)已經(jīng)成膜的量子點(diǎn)發(fā)光層造成破壞，因此，同時(shí)制備出包括多個(gè)量子點(diǎn)發(fā)光層的量子點(diǎn)發(fā)光器件較為困難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種量子點(diǎn)發(fā)光器件，所述量子點(diǎn)發(fā)光器件包括陽(yáng)極、空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一量子點(diǎn)發(fā)光層、電荷產(chǎn)生層、第二量子點(diǎn)發(fā)光層、第一電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陽(yáng)極和所述陰極相對(duì)且間隔設(shè)置，所述空穴注入層、所述第一空穴傳輸層、所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層、所述電荷產(chǎn)生層、所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層、所述第一電子傳輸層及所述電子注入層依次層疊設(shè)置在所述陽(yáng)極和所述陰極之間，且所述空穴注入層與所述陽(yáng)極接觸，所述電子注入層與所述陰極接觸，所述電荷產(chǎn)生層包括第二電子傳輸層、載流子產(chǎn)生層及第二空穴傳輸層，所述第二電子傳輸層、所述載流子產(chǎn)生層及所述第二空穴傳輸層依次層疊設(shè)置，且所述第二電子傳輸層設(shè)置在所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述第一空穴傳輸層的表面，所述第二空穴傳輸層設(shè)置在所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述電子傳輸層的表面，所述陽(yáng)極用于提供第一空穴，所述陰極用于提供第一電子，所述空穴注入層用于將所述第一空穴注入所述第一空穴傳輸層，所述第一空穴傳輸層用于將所述第一空穴傳輸至所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層，所述電子注入層用于將所述第一電子注入所述第一電子傳輸層，所述第一電子傳輸層用于將所述第一電子傳輸至所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層，所述載流子產(chǎn)生層用于產(chǎn)生第二電子和第二空穴，所述第二電子傳輸層用于將所述第二電子傳輸至所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層，所述第二空穴傳輸層用于將所述第二空穴傳輸至所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層，所述第二電子及所述第一空穴在所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層內(nèi)復(fù)合以發(fā)出第一光線，所述第二空穴及所述第一電子在所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層內(nèi)復(fù)合以發(fā)出第二光線，其中，所述第二電子傳輸層包括水醇溶性聚合物。
[0004]其中，所述水醇溶性聚合物包括PFN、PFNBr、PFNSO中的任意一種或者多種。
[0005]其中，所述載流子產(chǎn)生層為金屬層。
[0006]其中，所述第二空穴傳輸層包括P型金屬氧化物，其中，所述P型金屬氧化物包括Mo03、Ni0、V205及Wo03的任意一種或者多種。
[0007]其中，所述第一光線的顏色與所述第二光線的顏色相同；或者所述第一光線的顏色與所述第二光線的顏色不同。
[0008]其中，所述陽(yáng)極包括氧化銦錫，所述陰極包括鋁。
[0009]其中，所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層包括單層或者多層量子點(diǎn)；或者/和所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層包括單層或者多層量子點(diǎn)。
[0010]其中，所述第二電子傳輸層的厚度為10?20nm，所述載流子產(chǎn)生層為5nm，所述第二空穴傳輸層的厚度為1nm0
[0011]本發(fā)明還提供了一種量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法，所述量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法包括:
[0012]提供基板；
[0013]在所述基板的表面形成陽(yáng)極；
[0014]在所述陽(yáng)極遠(yuǎn)離所述基板的表面涂布空穴注入材料以形成空穴注入層；
[0015]在所述空穴注入層遠(yuǎn)離所述陽(yáng)極的表面涂布第一空穴傳輸材料以形成第一空穴傳輸層；
[0016]在所述第一空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述空穴注入層的表面涂布第一量子點(diǎn)發(fā)光材料以形成第一量子點(diǎn)發(fā)光層；
[0017]在所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述第一空穴傳輸層的表面形成電荷產(chǎn)生層，其中，所述電荷產(chǎn)生層包括第二電子傳輸層、載流子產(chǎn)生層及第二空穴傳輸層，所述第二電子傳輸層、所述載流子產(chǎn)生層及所述第二空穴傳輸層依次層疊設(shè)置，且所述第二電子傳輸層設(shè)置在所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述第一空穴傳輸層的表面；
[0018]在所述電荷產(chǎn)生層遠(yuǎn)離所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層的涂布第二量子點(diǎn)發(fā)光材料以形成第二量子點(diǎn)發(fā)光層；
[0019]在所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述電荷產(chǎn)生層的表面涂布第一電子傳輸材料以形成第一電子傳輸層；
[0020]在所述第一電子傳輸層遠(yuǎn)離所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層的表面涂布電子注入材料以形成電子注入層；
[0021]在所述電子注入層遠(yuǎn)離所述第一電子傳輸層的表面形成陰極。
[0022]本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置包括前述任一實(shí)施方式所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件。
[0023]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的量子點(diǎn)發(fā)光器件100包括電荷產(chǎn)生層，所述電荷產(chǎn)生層將所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層和所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層串聯(lián)起來(lái)，所述電荷產(chǎn)生層包括第二電子傳輸層、載流子產(chǎn)生層及第二空穴傳輸層，所述第二電子傳輸層包括水醇溶性聚合物。所述水醇溶性聚合物可以溶解在極性較大的溶劑中，比如，水、甲醛等?？梢员苊馑龅诙娮觽鬏攲又苽涑赡r(shí)對(duì)所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層產(chǎn)生破壞，因此，可以提高所述量子點(diǎn)發(fā)光器件的性能。進(jìn)一步地，所述水醇溶性聚合物是無(wú)毒的，在生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)環(huán)境無(wú)污染，綠色環(huán)保。
【附圖說(shuō)明】
[0024]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的量子點(diǎn)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法的流程示意圖。
[0027]圖3為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0029]請(qǐng)參閱圖1，圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的量子點(diǎn)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。所述量子點(diǎn)發(fā)光器件100包括陽(yáng)極110、空穴注入層120、第一空穴傳輸層130、第一量子點(diǎn)發(fā)光層140、電荷產(chǎn)生層150、第二量子點(diǎn)發(fā)光層160、第一電子傳輸層170、電子注入層180及陰極190。所述陽(yáng)極110與所述陰極190相對(duì)且間隔設(shè)置，所述空穴注入層120、所述第一空穴傳輸層130、所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層140、所述電荷產(chǎn)生層150、所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層160、所述第一電子傳輸層170及所述電子注入層180依次稱帝設(shè)置在所述陽(yáng)極110和所述陰極190之間，且所述空穴注入層120與所述陽(yáng)極110接觸，所述電子注入層180與所述陰極190接觸。所述電荷產(chǎn)生層150包括第二電子傳輸層151、載流子產(chǎn)生層152及第二空穴傳輸層153。所述第二電阻傳輸層151、所述載流子產(chǎn)生層152及所述第二空穴傳輸層153依次層疊設(shè)置，且所述第二電子傳輸層151設(shè)置在所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層140遠(yuǎn)離所述第一空穴傳輸層130的表面，所述第二空穴傳輸層153設(shè)置在所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層160遠(yuǎn)離所述第一電子傳輸層170的表面。所述陽(yáng)極110用于提供第一空穴，所述陰極190用于提供第一電子，所述空穴注入層120用于將所述第一空穴注入所述第一空穴傳輸層130，所述第一空穴傳輸層130用于將所述第一空穴傳輸至所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層140，所述電子注入層180用于將所述第一電子注入所述第一電子傳輸層170，所述第一電子傳輸層170用于將所述第一電子傳輸至第二量子點(diǎn)發(fā)光層160，所述載流子產(chǎn)生層152用于產(chǎn)生第二電子及第二空穴，所述第二電子傳輸層151用于將所述第二電子傳輸至所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層140，所述第二空穴傳輸層153用于將所述第二空穴傳輸至所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層160，所述第二電子及所述第一空穴在所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層140內(nèi)復(fù)合以發(fā)出第一光線，所述第二空穴及所述第一電子在所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層160內(nèi)復(fù)合以發(fā)出第二光線，其中，所述第二電子傳輸層151包括水醇溶性聚合物。
[0030]在一實(shí)施方式中，所述第一光線的顏色與所述第二光線的顏色相同；在另一實(shí)施方式中，所述第一光線的顏色與所述第二光線的顏色不同。
[0031 ] 所述水醇溶性聚合物包括PFN、PFNBr、PFNSO中的任意一種或者多種。
[0032]所述量子點(diǎn)發(fā)光器件100還包括基板20，所述基板20可以為透明的玻璃基板或者塑料基板。所述陽(yáng)極110、所述空穴注入層120、所述第一空穴傳輸層130、所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層140、所述電荷產(chǎn)生層150、所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層160、所述第一電子傳輸層170、所述電子注入層180及陰極190設(shè)置在所述基板20的同側(cè)，且所述陽(yáng)極110與所述基板20的表面。
[0033]所述空穴注入層120可以為聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(P0ly(3，4-ethylened1xyth1phene):poly styrenesulfonate ,PEDOT:PSS)。所述空穴注入層 120的厚度可以為40nmo
[0034]所述第一空穴傳輸層130包括有機(jī)空穴傳輸材料，所述有機(jī)空穴傳輸材料為P型有機(jī)材料，所述P型有機(jī)材料可以為PVK、TFB、Poly-TPD等。所述第一空穴傳輸層130的厚度可以為30?40nm。
[0035]所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層140的厚度為30?40nm。所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層140包括單層或者多層量子點(diǎn)。
[0036]所述電荷產(chǎn)生層150用于將所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層140及所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層160串聯(lián)起來(lái)。所述第二電子傳輸層151的材料可以為PFN層，所述第二電子傳輸層151的厚度為10?20nm。
[0037]所述載流子產(chǎn)生層15