2可以為金屬層，比如，鋁，優(yōu)選地，所述載流子產(chǎn)生的152的厚度為5nm。
[0038]所述第二空穴傳輸層153包括P型金屬氧化物，其中，所述P型金屬氧化物包括Mo03、Ni0、V205及Wo03的任意一種或者多種。優(yōu)選地，所述第二空穴傳輸層153的厚度為1nm0
[0039]所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層160的厚度為30?40nm。所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層160包括單層或者多層量子點(diǎn)。
[0040]所述陰極190可以為金屬，所述金屬包括鋁。
[0041 ]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的量子點(diǎn)發(fā)光器件100包括電荷產(chǎn)生層150，所述電荷產(chǎn)生層150將所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層140和所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層160串聯(lián)起來(lái)，所述電荷產(chǎn)生層150包括第二電子傳輸層151、載流子產(chǎn)生層152及第二空穴傳輸層153，所述第二電子傳輸層151包括水醇溶性聚合物。所述水醇溶性聚合物可以溶解在極性較大的溶劑中，比如，水、甲醛等。可以避免所述第二電子傳輸層151制備成膜時(shí)對(duì)所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層140產(chǎn)生破壞，因此，可以提高所述量子點(diǎn)發(fā)光器件的性能。進(jìn)一步地，所述水醇溶性聚合物是無(wú)毒的，在生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)環(huán)境無(wú)污染，綠色環(huán)保。
[0042]下面結(jié)合圖1及前述對(duì)量子點(diǎn)發(fā)光器件的描述，下面對(duì)本發(fā)明的量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行介紹。請(qǐng)一并參閱圖2，圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法的流程示意圖。所述量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法包括但不僅限于如下步驟。
[0043]步驟Slll，提供基板20。
[0044]步驟S112，在所述基板20的表面形成陽(yáng)極110。
[0045]步驟S113，在所述陽(yáng)極110遠(yuǎn)離所述基板20的表面涂布空穴注入材料以形成空穴注入層120。步驟S114，在所述空穴注入層120遠(yuǎn)離所述陽(yáng)極110的表面涂布第一空穴傳輸材料以形成第一空穴傳輸層130。
[0046]步驟SI15，在所述第一空穴傳輸層130遠(yuǎn)離所述空穴注入層120的表面涂布第一量子點(diǎn)發(fā)光材料以形成第一量子點(diǎn)發(fā)光層140。
[0047]步驟S116，在所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層140遠(yuǎn)離所述第一空穴傳輸層130的表面形成電荷產(chǎn)生層150，其中，所述電荷產(chǎn)生層150包括第二電子傳輸層151、載流子產(chǎn)生層152及第二空穴傳輸層153，所述第二電子傳輸層151、所述載流子產(chǎn)生層152及所述第二空穴傳輸層153依次層疊設(shè)置，且所述第二電子傳輸層151設(shè)置在所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層140遠(yuǎn)離所述第一空穴傳輸層153的表面。
[0048]步驟SI17，在所述電荷產(chǎn)生層150遠(yuǎn)離所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層140的涂布第二量子點(diǎn)發(fā)光材料以形成第二量子點(diǎn)發(fā)光層160。
[0049]步驟SI18，在所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層160遠(yuǎn)離所述電荷產(chǎn)生層150的表面涂布第一電子傳輸材料以形成第一電子傳輸層17 O。
[0050]步驟S119，在所述第一電子傳輸層170遠(yuǎn)離所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層160的表面涂布電子注入材料以形成電子注入層180。
[0051]步驟S120，在所述電子注入層180遠(yuǎn)離所述第一電子傳輸層170的表面形成陰極190。
[0052]具體地，所述空穴注入層120、所述第一空穴傳輸層130、所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層140、所述第二電子傳輸層151、所述第二空穴傳輸層153、所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層160、所述第一電子傳輸層170、所述電子注入層180中的一層或者多個(gè)層可以通過(guò)旋涂或者噴涂的方式形成。舉例而言，所述空穴注入層120可以通過(guò)旋涂或者噴涂的方式形成，具體地，在所述陽(yáng)極110遠(yuǎn)離所述基板20的表面旋涂或者噴涂所述空穴注入材料以形成所述空穴注入層120。當(dāng)所述第一空穴傳輸層130、所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層140、所述第二電子傳輸層151、所述第二空穴傳輸層153、所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層160、所述第一電子傳輸層170、所述電子注入層180也通過(guò)旋涂或者噴涂的方式形成時(shí)，可以參照所述空穴注入層120的形成方式，在此不再贅述。
[0053]所述載流子產(chǎn)生層152和所述陰極190可以通過(guò)蒸鍍的方式形成。具體地，當(dāng)所述載流子產(chǎn)生層150通過(guò)蒸鍍的方式形成時(shí)，在所述第二電子傳輸層151遠(yuǎn)離所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層140的表面蒸鍍技術(shù)材料，以形成所述載流子產(chǎn)生層152。當(dāng)所述陰極190通過(guò)蒸鍍的方式形成時(shí)，在所述電子注入層180遠(yuǎn)離所述第一電子傳輸層170的表面蒸鍍金屬材料，以形成所述陰極190。
[0054]本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置10，請(qǐng)參閱圖3，所述液晶顯示裝置10包括前述介紹的量子點(diǎn)發(fā)光器件100，在此不再贅述。所述液晶顯示裝置10可以包括但不僅限于為智能手機(jī)、互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備(Mobile Internet Device，MID)，電子書，便攜式播放站(PlayStat1n Portable，PSP)或者個(gè)人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant ,PDA)等便攜式電子設(shè)備，也可以為液晶顯示器等。
[0055]以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光器件包括陽(yáng)極、空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一量子點(diǎn)發(fā)光層、電荷產(chǎn)生層、第二量子點(diǎn)發(fā)光層、第一電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陽(yáng)極和所述陰極相對(duì)且間隔設(shè)置，所述空穴注入層、所述第一空穴傳輸層、所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層、所述電荷產(chǎn)生層、所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層、所述第一電子傳輸層及所述電子注入層依次層疊設(shè)置在所述陽(yáng)極和所述陰極之間，且所述空穴注入層與所述陽(yáng)極接觸，所述電子注入層與所述陰極接觸，所述電荷產(chǎn)生層包括第二電子傳輸層、載流子產(chǎn)生層及第二空穴傳輸層，所述第二電子傳輸層、所述載流子產(chǎn)生層及所述第二空穴傳輸層依次層疊設(shè)置，且所述第二電子傳輸層設(shè)置在所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述第一空穴傳輸層的表面，所述第二空穴傳輸層設(shè)置在所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述電子傳輸層的表面，所述陽(yáng)極用于提供第一空穴，所述陰極用于提供第一電子，所述空穴注入層用于將所述第一空穴注入所述第一空穴傳輸層，所述第一空穴傳輸層用于將所述第一空穴傳輸至所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層，所述電子注入層用于將所述第一電子注入所述第一電子傳輸層，所述第一電子傳輸層用于將所述第一電子傳輸至所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層，所述載流子產(chǎn)生層用于產(chǎn)生第二電子和第二空穴，所述第二電子傳輸層用于將所述第二電子傳輸至所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層，所述第二空穴傳輸層用于將所述第二空穴傳輸至所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層，所述第二電子及所述第一空穴在所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層內(nèi)復(fù)合以發(fā)出第一光線，所述第二空穴及所述第一電子在所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層內(nèi)復(fù)合以發(fā)出第二光線，其中，所述第二電子傳輸層包括水醇溶性聚合物。2.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述水醇溶性聚合物包括PFN、PFNBr、PFNSO中的任意一種或者多種。3.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述載流子產(chǎn)生層為金屬層。4.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述第二空穴傳輸層包括P型金屬氧化物，其中，所述P型金屬氧化物包括Mo03、Ni0、V205及Wo03的任意一種或者多種。5.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述第一光線的顏色與所述第二光線的顏色相同；或者所述第一光線的顏色與所述第二光線的顏色不同。6.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述陽(yáng)極包括氧化銦錫，所述陰極包括招。7.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層包括單層或者多層量子點(diǎn);或者/和所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層包括單層或者多層量子點(diǎn)。8.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述第二電子傳輸層的厚度為10?20nm，所述載流子產(chǎn)生層為5nm，所述第二空穴傳輸層的厚度為1nm09.一種量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法包括: 提供基板； 在所述基板的表面形成陽(yáng)極； 在所述陽(yáng)極遠(yuǎn)離所述基板的表面涂布空穴注入材料以形成空穴注入層； 在所述空穴注入層遠(yuǎn)離所述陽(yáng)極的表面涂布第一空穴傳輸材料以形成第一空穴傳輸層； 在所述第一空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述空穴注入層的表面涂布第一量子點(diǎn)發(fā)光材料以形成第一量子點(diǎn)發(fā)光層； 在所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述第一空穴傳輸層的表面形成電荷產(chǎn)生層，其中，所述電荷產(chǎn)生層包括第二電子傳輸層、載流子產(chǎn)生層及第二空穴傳輸層，所述第二電子傳輸層、所述載流子產(chǎn)生層及所述第二空穴傳輸層依次層疊設(shè)置，且所述第二電子傳輸層設(shè)置在所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述第一空穴傳輸層的表面； 在所述電荷產(chǎn)生層遠(yuǎn)離所述第一量子點(diǎn)發(fā)光層的涂布第二量子點(diǎn)發(fā)光材料以形成第二量子點(diǎn)發(fā)光層； 在所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述電荷產(chǎn)生層的表面涂布第一電子傳輸材料以形成第一電子傳輸層； 在所述第一電子傳輸層遠(yuǎn)離所述第二量子點(diǎn)發(fā)光層的表面涂布電子注入材料以形成電子注入層； 在所述電子注入層遠(yuǎn)離所述第一電子傳輸層的表面形成陰極。10.—種液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置包括如權(quán)利要求1?8任意一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種量子點(diǎn)發(fā)光器件及其制備方法及液晶顯示裝置。量子點(diǎn)發(fā)光器件包括相對(duì)且間隔設(shè)置的陽(yáng)極和陰極以及依次層疊設(shè)置在陽(yáng)極和陰極之間的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一量子點(diǎn)發(fā)光層、電荷產(chǎn)生層、第二量子點(diǎn)發(fā)光層、第一電子傳輸層及電子注入層，且空穴注入層與陽(yáng)極接觸，電子注入層與陰極接觸，電荷產(chǎn)生層包括依次層疊設(shè)置的第二電子傳輸層、載流子產(chǎn)生層及第二空穴傳輸層，且第二電子傳輸層設(shè)置在第一量子點(diǎn)發(fā)光層遠(yuǎn)離第一空穴傳輸層的表面，第二空穴傳輸層設(shè)置在第二量子點(diǎn)發(fā)光層遠(yuǎn)離電子傳輸層的表面，第一量子點(diǎn)發(fā)光層發(fā)出第一光線，第二量子點(diǎn)發(fā)光層發(fā)出第二光線，其中，第二電子傳輸層包括水醇溶性聚合物。
【IPC分類】H01L51/50, H01L51/54, H01L51/56
【公開號(hào)】CN105679955
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610050077
【發(fā)明人】徐超
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2016年6月15日
【申請(qǐng)日】2016年1月25日