一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置，所述方法包括：提供具有NMOS區(qū)和PMOS區(qū)的半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成有偽柵極結(jié)構(gòu)；在半導(dǎo)體襯底上形成層間介電層，以填充偽柵極結(jié)構(gòu)之間的間隙；去除位于PMOS區(qū)的犧牲柵電極層，并沉積第一金屬柵極材料層；去除位于NMOS區(qū)的犧牲柵電極層，對得到的柵溝槽實施蝕刻后處理；沉積第二金屬柵極材料層，以完全填充所述柵溝槽。根據(jù)本發(fā)明，對所述柵溝槽實施在四氟化碳、四氟化碳和氧氣的混合物、一氧化碳或者氨氣的氛圍下進行的蝕刻后處理，可以減輕后續(xù)形成位于NMOS區(qū)的金屬柵極結(jié)構(gòu)時對位于PMOS區(qū)的第一功函數(shù)設(shè)定金屬層和第一金屬柵極材料層的損傷。
【專利說明】
一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]在下一代集成電路的制造工藝中，對于互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)的柵極的制作，通常采用高k-金屬柵工藝。對于具有較小數(shù)值的工藝節(jié)點的晶體管結(jié)構(gòu)而言，所述高k-金屬柵工藝通常為后柵極(gate-last)工藝，其典型的實施過程包括:首先，在半導(dǎo)體襯底上形成偽柵極結(jié)構(gòu)，所述偽柵極結(jié)構(gòu)由自下而上的界面層、高k介電層、覆蓋層和犧牲柵電極層構(gòu)成；然后，在所述偽柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成柵極間隙壁結(jié)構(gòu)，之后去除所述偽柵極結(jié)構(gòu)中的犧牲柵電極層，在所述柵極間隙壁結(jié)構(gòu)之間留下一溝槽；接著，在所述溝槽內(nèi)依次沉積功函數(shù)金屬層(workfunct1n metal layer)、阻擋層(barrier layer)和浸潤層(wetting layer);最后進行金屬柵(通常為招)的填充。
[0003]位于PMOS區(qū)的犧牲柵電極層和位于NMOS區(qū)的犧牲柵電極層通常分別去除以在PMOS區(qū)和NMOS區(qū)形成具有不同功函數(shù)的功函數(shù)金屬層，如果先去除位于PMOS區(qū)的犧牲柵電極層并在留下的溝槽內(nèi)形成金屬柵極結(jié)構(gòu)，再去除位于NMOS區(qū)的犧牲柵電極層并沉積功函數(shù)金屬層和金屬柵極材料層之后，實施化學(xué)機械研磨的研磨液會對位于PMOS區(qū)的另一功函數(shù)金屬層造成損傷，此外，去除位于NMOS區(qū)的犧牲柵電極層時使用的等離子體會對位于PMOS區(qū)的金屬柵造成損傷，從而導(dǎo)致器件良率的降低。
[0004]因此，需要提出一種方法，以解決上述問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括:a)提供具有NMOS區(qū)和PMOS區(qū)的半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有偽柵極結(jié)構(gòu)；b)在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介電層，以填充所述偽柵極結(jié)構(gòu)之間的間隙；c)去除位于所述PMOS區(qū)的偽柵極結(jié)構(gòu)中的犧牲柵電極層，并沉積第一金屬柵極材料層；d)去除位于所述NMOS區(qū)的偽柵極結(jié)構(gòu)中的犧牲柵電極層，對得到的柵溝槽實施蝕刻后處理；e)沉積第二金屬柵極材料層，以完全填充所述柵溝槽。
[0006]在一個示例中，所述蝕刻后處理在四氟化碳、四氟化碳和氧氣的混合物、一氧化碳或者氨氣的氛圍下進行。
[0007]在一個示例中，實施所述步驟d)中的去除包括:在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成硬掩膜層和圖案化的光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，去除位于所述NMOS區(qū)的硬掩膜層；去除位于所述NMOS區(qū)的偽柵極結(jié)構(gòu)中的犧牲柵電極層；采用灰化工藝去除所述光刻膠層。
[0008]在一個示例中，依次實施主蝕刻和過蝕刻完成對位于所述NMOS區(qū)的硬掩膜層的去除，所述主蝕刻采用以氯氣為主體的蝕刻氣體，所述過蝕刻采用以四氟化碳為主體的蝕刻氣體。
[0009]在一個示例中，實施所述過蝕刻時通入氧氣可以減輕蝕刻過程對所述層間介電層的損耗。
[0010]在一個示例中，依次實施另一主蝕刻和另一過蝕刻完成對位于所述NMOS區(qū)的偽柵極結(jié)構(gòu)中的犧牲柵電極層的去除，所述另一主蝕刻采用以溴化氫為主體的脈沖等離子體，所述過蝕刻采用以氫氣為主體的脈沖等離子體。
[0011]在一個示例中，所述硬掩膜層的材料為氮化鈦，所述犧牲柵電極層的材料為多晶娃、氮化娃或無定型碳。
[0012]在一個示例中，形成所述層間介電層之前，還包括在所述半導(dǎo)體襯底上形成接觸孔蝕刻停止層的步驟，所述接觸孔蝕刻停止層覆蓋所述偽柵極結(jié)構(gòu)。
[0013]在一個實施例中，本發(fā)明還提供一種采用上述方法制造的半導(dǎo)體器件。
[0014]在一個實施例中，本發(fā)明還提供一種電子裝置，所述電子裝置包括所述半導(dǎo)體器件。
[0015]根據(jù)本發(fā)明，在過蝕刻所述硬掩膜層時通入氧氣，去除位于所述NMOS區(qū)的偽柵極結(jié)構(gòu)中的犧牲柵電極層后對形成的所述柵溝槽實施所述在四氟化碳、四氟化碳和氧氣的混合物、一氧化碳或者氨氣的氛圍下進行的蝕刻后處理，可以減輕后續(xù)形成位于所述NMOS區(qū)的金屬柵極結(jié)構(gòu)時對位于所述PMOS區(qū)的第一功函數(shù)設(shè)定金屬層和第一金屬柵極材料層的損傷。
【附圖說明】
[0016]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0017]附圖中:
[0018]圖1A-圖1E為根據(jù)本發(fā)明示例性實施例一的方法依次實施的步驟所分別獲得的器件的示意性剖面圖；
[0019]圖2為根據(jù)本發(fā)明示例性實施例一的方法依次實施的步驟的流程圖。
【具體實施方式】
[0020]在下文的描述中，給出了大量具體的細節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進行描述。
[0021]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細的步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習的特殊細節(jié)。本發(fā)明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
[0022]應(yīng)當理解的是，當在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0023][示例性實施例一]
[0024]參照圖1A-圖1E，其中示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例一的方法依次實施的步驟所分別獲得的器件的示意性剖面圖。
[0025]首先，如圖1A所示，提供半導(dǎo)體襯底100，半導(dǎo)體襯底100的構(gòu)成材料可以采用未摻雜的單晶硅、摻雜有雜質(zhì)的單晶硅、絕緣體上硅(SOI)等。作為示例，在本實施例中，半導(dǎo)體襯底100選用單晶硅材料構(gòu)成。在半導(dǎo)體襯底100中形成有隔離結(jié)構(gòu)101，作為示例，隔離結(jié)構(gòu)101為淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)或者局部氧化硅(LOCOS)隔離結(jié)構(gòu)。隔離結(jié)構(gòu)101將半導(dǎo)體襯底100分為不同的晶體管區(qū)，作為示例，在本實施例中，隔離結(jié)構(gòu)101將半導(dǎo)體襯底100分為PMOS區(qū)和NMOS區(qū)。在半導(dǎo)體襯底100中還形成有各種阱(well)結(jié)構(gòu)，為了簡化，圖示中予以省略。
[0026]在半導(dǎo)體襯底100上形成有偽柵極結(jié)構(gòu)102，作為一個示例，偽柵極結(jié)構(gòu)102可包括依次層疊的高k介電層102a、覆蓋層102b和犧牲柵電極層102c。高k介電層102a的k值(介電常數(shù))通常為3.9以上，其構(gòu)成材料可以為氧化鉿、氧化鉿硅、氮氧化鉿硅、氧化鑭、氧化錯、氧化錯娃、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋇鎖鈦、氧化鋇鈦、氧化鎖鈦、氧化鋁等，特別優(yōu)選的是氧化鉿、氧化鋯和氧化鋁。覆蓋層102b可以抑制后續(xù)形成的金屬柵極結(jié)構(gòu)中的金屬柵極材料(通常為鋁)向高k介電層102a中的擴散，其構(gòu)成材料可包括氮化鈦和氮化鉭。犧牲柵電極層102c的材料可包括多晶硅、氮化硅和無定型碳。作為另一個示例，在高k介電層102a和半導(dǎo)體襯底100之間還形成有界面層，為了簡化，圖示中予以省略。界面層可以改善高k介電層102a與半導(dǎo)體襯底100之間的界面特性，其構(gòu)成材料可包括硅氧化物(S1x)。形成以上各層可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟習的各種適宜的工藝技術(shù)，例如采用熱氧化工藝形成界面層，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成高k介電層102a和犧牲柵電極層102c，采用物理氣相沉積工藝、化學(xué)氣相沉積工藝或原子層沉積工藝形成覆蓋層102b。
[0027]此外，作為示例，在偽柵極結(jié)構(gòu)102的兩側(cè)形成有側(cè)壁結(jié)構(gòu)103，其中，側(cè)壁結(jié)構(gòu)103至少包括氧化物層和/或氮化物層。形成側(cè)壁結(jié)構(gòu)103的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，在此不再加以贅述。
[0028]在側(cè)壁結(jié)構(gòu)103兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100中形成有源/漏區(qū)，位于PMOS區(qū)的源/漏區(qū)中形成有嵌入式鍺硅層，位于NMOS區(qū)的源/漏區(qū)中形成有嵌入式碳硅層，在嵌入式鍺硅層的頂部和嵌入式碳硅層的頂部形成有自對準硅化物，為了簡化，圖示中予以省略。需要說明的是，也可以選擇在PMOS區(qū)和NMOS區(qū)分別形成第一金屬柵極結(jié)構(gòu)和第二金屬柵極結(jié)構(gòu)之后，再在形成于半導(dǎo)體襯底100上的層間介電層中形成接觸孔之后于所述接觸孔的底部形成所述自對準硅化物。
[0029]接著，如圖1B所示，在半導(dǎo)體襯底100上形成層間介電層105，覆蓋偽柵極結(jié)構(gòu)102和側(cè)壁結(jié)構(gòu)103。然后，執(zhí)行化學(xué)機械研磨，直至露出偽柵極結(jié)構(gòu)102的頂部。在形成層間介電層105之前，還可以在半導(dǎo)體襯底100上形成接觸孔蝕刻停止層104，覆蓋偽柵極結(jié)構(gòu)102和側(cè)壁結(jié)構(gòu)103。采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟習的各種適宜的工藝分別形成接觸孔蝕刻停止層104和層間介電層105，例如，采用共形沉積工藝形成接觸孔蝕刻停止層104，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成層間介電層105，其中，接觸孔蝕刻停止層104的材料可選擇氮化娃，層間介電層105的材料可選擇氧化物。
[0030]接著，如圖1C所示，先去除位于PMOS區(qū)的偽柵極結(jié)構(gòu)102中的犧牲柵電極層102c，再沉積第一金屬柵極材料層109，然后，執(zhí)行化學(xué)機械研磨，直至露出層間介電層105的頂部。采用傳統(tǒng)工藝實施所述去除，例如干法蝕刻或濕法蝕刻，其中，干法蝕刻所使用的蝕刻氣體可以為氟基、氯基或溴基氣體，濕法蝕刻所使用的腐蝕液可以為四甲基氫氧化銨溶液(TMAH)。在實施所述沉積之前，還包括在形成的柵溝槽的側(cè)壁和底部依次形成第一功函數(shù)設(shè)定金屬層、阻擋層和浸潤層的步驟，為了簡化，圖中未予示出第一功函數(shù)設(shè)定金屬層、阻擋層和浸潤層。其中，第一功函數(shù)設(shè)定金屬層包括一層或多層金屬或金屬化合物，在本實施例中，其構(gòu)成材料為適用于PMOS的金屬材料，包括鈦、釕、鈀、鉑、鎢及其合金，還包括上述金屬元素的碳化物、氮化物等；阻擋層的材料包括氮化鉭或氮化鈦；浸潤層的材料包括鈦或鈦鋁合金；第一金屬柵極材料層109的構(gòu)成材料包括鋁。形成以上各層可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟習的各種適宜的工藝技術(shù)，例如采用原子層沉積工藝或物理氣相沉積工藝形成第一功函數(shù)設(shè)定金屬層，采用原子層沉積工藝或物理氣相沉積工藝形成阻擋層和浸潤層；采用化學(xué)氣相沉積工藝或物理氣相沉積工藝形成第一金屬柵極材料層109。
[0031]接著，如圖1D所示，去除位于NMOS區(qū)的偽柵極結(jié)構(gòu)102中的犧牲柵電極層102c，得到另一柵溝槽106。作為示例，在半導(dǎo)體襯底100上依次形成硬掩膜層110和圖案化的光刻膠層111，硬掩膜層110的材料可以為氮化鈦；以光刻膠層111為掩膜，去除位于NMOS區(qū)的硬掩膜層110，通過依次實施的主蝕刻和過蝕刻完成該去除，所述主蝕刻采用以氯氣為主體的蝕刻氣體(還可以包括甲烷等)，所述過蝕刻采用以四氟化碳為主體的蝕刻氣體(還可以包括氧氣等)，實施所述過蝕刻時通入氧氣可以減輕蝕刻過程對層間介電層105的損耗；依次實施另一主蝕刻和另一過蝕刻完成位于NMOS區(qū)的偽柵極結(jié)構(gòu)102中的犧牲柵電極層102c的去除，所述另一主蝕刻采用以溴化氫為主體的脈沖等離子體，所述過蝕刻采用以氫氣為主體的脈沖等離子體；采用灰化工藝去除光刻膠層111。
[0032]然后，執(zhí)行氮氣沖洗過程，以去除另一柵溝槽106內(nèi)的蝕刻殘留物和雜質(zhì)。接下來，執(zhí)行蝕刻后處理過程，所述蝕刻后處理可以在四氟化碳、四氟化碳和氧氣的混合物、一氧化碳或者氨氣的氛圍下進行。
[0033]接著，如圖1E所示，沉積第二金屬柵極材料層107，以完全填充另一柵溝槽106。然后，執(zhí)行化學(xué)機械研磨，直至露出層間介電層105的頂部。在實施所述沉積之前，還包括在另一柵溝槽106的側(cè)壁和底部依次形成第二功函數(shù)設(shè)定金屬層、阻擋層和浸潤層的步驟，為了簡化，圖中未予示出第二功函數(shù)設(shè)定金屬層、阻擋層和浸潤層。其中，第二功函數(shù)設(shè)定金屬層包括一層或多層金屬或金屬化合物，適用于NMOS的金屬材料，包括鈦、鉭、鋁、鋯、鉿及其合金，還包括上述金屬元素的碳化物、氮化物等；阻擋層的材料包括氮化鉭或氮化鈦；浸潤層的材料包括鈦或鈦鋁合金；第二金屬柵極材料層107的構(gòu)成材料包括鋁。形成以上各層可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟習的各種適宜的工藝技術(shù)，例如采用原子層沉積工藝或物理氣相沉積工藝形成第二功函數(shù)設(shè)定金屬層，采用原子層沉積工藝或物理氣相沉積工藝形成阻擋層和浸潤層；采用化學(xué)氣相沉積工藝或物理氣相沉積工藝形成第二金屬柵極材料層 107。
[0034]至此，完成了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例一的方法實施的工藝步驟。根據(jù)本發(fā)明，在過蝕刻硬掩膜層110時通入氧氣，去除位于NMOS區(qū)的偽柵極結(jié)構(gòu)102中的犧牲柵電極層102c后對形成的另一柵溝槽106實施在四氟化碳、四氟化碳和氧氣的混合物、一氧化碳或者氨氣的氛圍下進行的蝕刻后處理，可以減輕后續(xù)形成位于NMOS區(qū)的金屬柵極結(jié)構(gòu)時對位于PMOS區(qū)的第一功函數(shù)設(shè)定金屬層和第一金屬柵極材料層109的損傷。
[0035]參照圖2，其中示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例一的方法依次實施的步驟的流程圖，用于簡要示出制造工藝的流程。
[0036]在步驟201中，提供具有NMOS區(qū)和PMOS區(qū)的半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成有偽柵極結(jié)構(gòu)；
[0037]在步驟202中，在半導(dǎo)體襯底上形成層間介電層，以填充偽柵極結(jié)構(gòu)之間的間隙；
[0038]在步驟203中，去除位于PMOS區(qū)的偽柵極結(jié)構(gòu)中的犧牲柵電極層，并沉積第一金屬柵極材料層；
[0039]在步驟204中，去除位于NMOS區(qū)的偽柵極結(jié)構(gòu)中的犧牲柵電極層，對得到的柵溝槽實施蝕刻后處理；
[0040]在步驟205中，沉積第二金屬柵極材料層，以完全填充柵溝槽。
[0041][示例性實施例二]
[0042]接下來，可以通過后續(xù)工藝完成整個半導(dǎo)體器件的制作，包括:在層間介電層105上形成另一層間介電層，覆蓋第一金屬柵極材料層109和第二金屬柵極材料層107的頂部；在所述層間介電層中形成接觸孔，露出第一金屬柵極材料層109和第二金屬柵極材料層107的頂部以及形成于半導(dǎo)體襯底100中的源/漏區(qū)的頂部；填充金屬(通常為鎢)于接觸孔中形成連接后續(xù)形成的互連金屬層與所述自對準硅化物的接觸塞；形成多個互連金屬層，通常采用雙大馬士革工藝來完成；形成金屬焊盤，用于后續(xù)實施器件封裝時的引線鍵入口 ο
[0043][示例性實施例三]
[0044]本發(fā)明還提供一種電子裝置，其包括根據(jù)本發(fā)明示例性實施例二的方法制造的半導(dǎo)體器件。所述電子裝置可以是手機、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機、電視機、VCD、DVD、導(dǎo)航儀、照相機、攝像機、錄音筆、MP3、MP4、PSP等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備，也可以是任何包括所述半導(dǎo)體器件的中間產(chǎn)品。所述電子裝置，由于使用了所述半導(dǎo)體器件，因而具有更好的性能。
[0045]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進行了說明，但應(yīng)當理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括: a)提供具有NMOS區(qū)和PMOS區(qū)的半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有偽柵極結(jié)構(gòu)； b)在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介電層，以填充所述偽柵極結(jié)構(gòu)之間的間隙； c)去除位于所述PMOS區(qū)的偽柵極結(jié)構(gòu)中的犧牲柵電極層，并沉積第一金屬柵極材料層； d)去除位于所述NMOS區(qū)的偽柵極結(jié)構(gòu)中的犧牲柵電極層，對得到的柵溝槽實施蝕刻后處理； e)沉積第二金屬柵極材料層，以完全填充所述柵溝槽。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述蝕刻后處理在四氟化碳、四氟化碳和氧氣的混合物、一氧化碳或者氨氣的氛圍下進行。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，實施所述步驟d)中的去除包括:在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成硬掩膜層和圖案化的光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，去除位于所述NMOS區(qū)的硬掩膜層；去除位于所述NMOS區(qū)的偽柵極結(jié)構(gòu)中的犧牲柵電極層；采用灰化工藝去除所述光刻膠層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，依次實施主蝕刻和過蝕刻完成對位于所述NMOS區(qū)的硬掩膜層的去除，所述主蝕刻采用以氯氣為主體的蝕刻氣體，所述過蝕刻采用以四氟化碳為主體的蝕刻氣體。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，實施所述過蝕刻時通入氧氣可以減輕蝕刻過程對所述層間介電層的損耗。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，依次實施另一主蝕刻和另一過蝕刻完成對位于所述NMOS區(qū)的偽柵極結(jié)構(gòu)中的犧牲柵電極層的去除，所述另一主蝕刻采用以溴化氫為主體的脈沖等離子體，所述過蝕刻采用以氫氣為主體的脈沖等離子體。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材料為氮化鈦，所述犧牲柵電極層的材料為多晶硅、氮化硅或無定型碳。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述層間介電層之前，還包括在所述半導(dǎo)體襯底上形成接觸孔蝕刻停止層的步驟，所述接觸孔蝕刻停止層覆蓋所述偽柵極結(jié)構(gòu)。9.一種采用權(quán)利要求1-8之一所述的方法制造的半導(dǎo)體器件。10.一種電子裝置，所述電子裝置包括權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件。
【文檔編號】H01L21/8238GK105845628SQ201510019290
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年1月14日
【發(fā)明人】張海洋, 紀世良
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司