透明導電膜及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種在透明膜基板上具有非晶質(zhì)的透明電極層的透明導電膜。透明電極層由銦·錫復合氧化物構(gòu)成，氧化錫的含量為3～12質(zhì)量％，膜厚為15～30nm。透明電極層中，通過X射線光電子能譜測定求出的錫3d5/2的結(jié)合能ESn和銦3d5/2的結(jié)合能EIn在下述分析范圍中滿足下述(1)和(2)。分析范圍：在包含40原子％以上銦的區(qū)域中，除去膜厚方向上的與透明電極層的表面的距離d為0～3nm的區(qū)域后的區(qū)域；(1)結(jié)合能ESn與EIn的結(jié)合能差ESn－EIn的最小值Emin與結(jié)合能差ESn－EIn的最大值Emax相比，存在于透明電極層的表面?zhèn)龋?2)最大值Emax與最小值Emin之差Emax－Emin為0.1eV以上。
【專利說明】
透明導電膜及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及在透明膜基板上形成有透明電極層的透明導電膜、及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在透明膜、玻璃等透明基板上形成有銅.錫復合氧化物（IT0)等導電性氧化物薄 膜的帶有透明電極的基板被廣泛用作顯示器、觸控面板等的透明電極。決定帶有透明電極 的基板的性能的主要因素是電阻和透光率，市場上需要電阻低、透光率高的基板。
[0003] 作為形成運種電阻低且透明性高的IT0膜的方法，廣泛使用了下述方法:通過瓣射 法在透明膜上形成非晶質(zhì)的IT0膜后，在大氣中等氧氣氛下進行加熱，使非晶質(zhì)的IT0結(jié)晶 化。
[0004] 從生產(chǎn)率的方面出發(fā)，優(yōu)選加熱（退火)所致的結(jié)晶化所需要的時間短，W往追求 容易結(jié)晶化的IT0。在專利文獻1和2中公開了一種容易W短時間的加熱而結(jié)晶化的透明導 電膜的制造方法。另一方面，根據(jù)透明導電膜的用途的不同，有時期待非晶質(zhì)的導電性氧化 物薄膜，在專利文獻3中公開了一種不容易發(fā)生結(jié)晶化的透明導電膜的制造方法。
[0005] 在專利文獻4中公開了一種透明導電膜的制造方法，該制造方法不需要在高溫下 加熱，可通過室溫或低溫加熱而結(jié)晶化。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0007] 專利文獻
[000引專利文獻1:日本特開2012-134085號公報
[0009] 專利文獻2:日本特開2004-149884號公報
[0010] 專利文獻3:日本特開2003-100152號公報 [0011 ] 專利文獻4:國際公開第2013/111681號

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]發(fā)明要解決的問題
[0013] 專利文獻4中記載了：在室溫環(huán)境下長時間保存帶有透明電極的基板時，IT0有時 會發(fā)生結(jié)晶化。在室溫環(huán)境下發(fā)生結(jié)晶化的IT0難W進行蝕刻等W形成電極圖案，有時會對 器件的制造工藝產(chǎn)生不良影響。
[0014] 鑒于上述課題，本發(fā)明的目的在于提供一種透明導電膜，該透明導電膜在室溫環(huán) 境下難W發(fā)生結(jié)晶化，是穩(wěn)定的，能夠W短時間的加熱而發(fā)生結(jié)晶化，并且結(jié)晶化后的電阻 低。
[0015] 用于解決問題的手段
[0016] 本發(fā)明人進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在由非晶質(zhì)的銅.錫復合氧化物構(gòu)成的透 明電極層中，由X射線光電子能譜光譜計算出的錫3d5/2的結(jié)合能Esn與銅3d5/2的結(jié)合能Eln的 結(jié)合能差Esn-Ein在透明電極層的膜厚方向滿足特定關(guān)系時，透明導電膜滿足上述特性。
[0017] 目P，本發(fā)明設(shè)及一種在透明膜基板上具有非晶質(zhì)透明電極層的透明導電膜。上述 透明電極層由銅?錫復合氧化物構(gòu)成，氧化錫的含量為3~12質(zhì)量％，膜厚為15~30nm。
[0018] 對于上述透明電極層來說，通過X射線光電子能譜測定求出的錫3d5/2的結(jié)合能Esn 和銅3d5/2的結(jié)合能Eln在下述分析范圍中優(yōu)選滿足下述(1)和(2)。
[0019] 分析范圍：在包含40原子％ W上銅的區(qū)域中，除去膜厚方向上與透明電極層的表 面的距離d為0~3nm的區(qū)域后的區(qū)域；
[0020] (1)上述結(jié)合能Esn與上述結(jié)合能Eln的結(jié)合能差Esn-Ein的最小值Emin與上述結(jié)合能 差Esn -Eln的最大值Emax相比，存在于透明電極層的表面?zhèn)龋?br>[0021] (2)上述最大值Emax與上述最小值Emin之差Emax-Emin為O.leVW上。
[0022] 在上述分析范圍中，通過最小二乘法對W結(jié)合能差Esn-Ein為縱軸、W距離d為橫 軸的標繪點(P lot)進行近似而得到的直線的斜率優(yōu)選為0.005eV/nm W上。
[0023] 在上述分析范圍中，結(jié)合能差Esn-Ein的最大值Emax優(yōu)選為41.92eVW上，并且，結(jié) 合能差Esn-Ein的最小值Emin優(yōu)選為41.95eVW下。
[0024] 本發(fā)明的透明導電膜可W使在140°C加熱30分鐘后的透明電極層的電阻率成為 3.2Xl〇-4QcmW 下。
[0025] 本發(fā)明設(shè)及上述透明導電膜的制造方法。非晶質(zhì)的透明電極層是在具有下述第1 條件和第2條件的2階段W上的制膜條件下進行制膜的，第1條件:在透明膜基板上對第1電 極層進行制膜，第2條件:在上述第1電極層上對第2電極層進行制膜。上述第1電極層的膜厚 優(yōu)選為1~4nm。
[0026] 對第1電極層進行制膜時的氧分壓優(yōu)選大于對第2電極層進行制膜時的氧分壓。另 夕h對第1電極層進行制膜時的電功率優(yōu)選小于對第2電極層進行制膜時的電功率。
[0027] 對第1電極層進行制膜時使用的祀材的氧化錫含量優(yōu)選與對第2電極層進行制膜 時使用的祀材的氧化錫含量相同。
[002引發(fā)明的效果
[0029] 根據(jù)本發(fā)明，可得到抑制了在室溫環(huán)境下的結(jié)晶化、并且能夠W短時間的加熱而 結(jié)晶化的透明導電膜。此外，通過對所得到的透明導電膜進行加熱，可W形成低電阻的透明 導電膜。
【附圖說明】
[0030] 圖1是示出透明導電膜的一例的截面示意圖。
[0031] 圖2是示出退火中的透明電極層的電阻值的時間變化的曲線圖。
[0032] 圖3是安裝有平行電極的透明導電膜的示意圖。
[0033] 圖4是示出通過XPS測定得到的Sn3d5/2的峰位置的圖。
[0034] 圖5是示出通過測定得到的In3d5/2的峰位置的圖。
[00巧]圖6是通過XPS深度分布圖測定得到的元素分布(element profile)。
[0036] 圖7是示出結(jié)合能差Esn-Ein和與透明電極層的表面的距離的關(guān)系的曲線圖。
[0037] 圖8是示出氧原子比和與透明電極層的表面的距離的關(guān)系的曲線圖。
【具體實施方式】
[0038] 下面，對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行說明。需要說明的是，關(guān)于厚度等尺寸關(guān)系， 為了附圖的明確和簡化而適當變更，并不表示實際的尺寸關(guān)系。
[0039] [透明導電膜]
[0040] 圖1示出了在透明膜基板11上具有非晶質(zhì)透明電極層22的透明導電膜100。
[0041] 作為透明膜基板11，優(yōu)選使用在可見光區(qū)域為無色透明的透明膜基板。例如，可W 舉出聚對苯二甲酸乙二醇醋（PET)、聚對苯二甲酸下二醇醋（PBT)、聚糞二甲酸乙二醇醋 (PEN)等聚醋樹脂、環(huán)締控系樹脂、聚碳酸醋樹脂、纖維素系樹脂等。其中，優(yōu)選聚醋樹脂、環(huán) 締控系樹脂，特別優(yōu)選使用聚對苯二甲酸乙二醇醋。通用的透明膜基板的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度 為50°C~150°C。另一方面，透明聚酷亞胺等具有200°CW上的高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的膜基板 非常昂貴，因而從成本方面出發(fā)并不優(yōu)選。
[0042] 透明膜基板11的厚度沒有特別限定，優(yōu)選為0.01~4mm，更優(yōu)選為0.02~0.3mm。透 明膜基板越厚則越不易受到制膜所引起的變形，但若過厚則會失去柔軟性，難W利用卷對 卷(roll to roll)方式進行制膜。若透明膜基板的厚度在上述范圍內(nèi)，則可W抑制熱所致 的膜基板變形，能夠W良好的生產(chǎn)率通過卷對卷方式進行制膜。
[0043] 為了提高基板與透明電極層的附著性，可W對透明膜基板11實施表面處理。作為 表面處理的手段，例如有通過使基板表面帶有電極性而提高附著力的方法等。具體地說，可 W舉出電暈放電、等離子體法等。
[0044] 透明電極層22由銅·錫復合氧化物（IT0)構(gòu)成。氧化銅的含量優(yōu)選為87.5~99.0 質(zhì)量％，更優(yōu)選為90~95質(zhì)量％。氧化錫的含量優(yōu)選為3~12質(zhì)量％，更優(yōu)選為6~10質(zhì) 量％。若氧化銅和氧化錫的含量在上述范圍，可良好地得到本發(fā)明的效果。需要說明的是， 只要不損害本發(fā)明的功能，則透明電極層中也可W含有氧化銅和氧化錫W外的成分。
[0045] 已知:氧化銅即便為氧缺陷也比較容易發(fā)生結(jié)晶化。氧化銅的氧缺陷會產(chǎn)生載流 子電子，低溫區(qū)域的IT0的穩(wěn)定性提高，因而認為與銅結(jié)合的氧發(fā)生缺陷會對IT0的膜質(zhì)產(chǎn) 生好的影響。因此，IT0中的氧化銅包含的氧原子的比例優(yōu)選小于化學計量的氧化銅包含的 氧原子的比例。
[0046] 從使透明電極層為低電阻且高透明性的方面出發(fā)，透明電極層22的膜厚優(yōu)選為15 ~30nm，更優(yōu)選為18~25nm。此外，本發(fā)明中，從容易使非晶質(zhì)透明電極層W短時間的加熱 發(fā)生結(jié)晶化、并且抑制室溫環(huán)境下的結(jié)晶化的方面出發(fā)，透明電極層的膜厚也優(yōu)選為上述 范圍。
[0047] 圖1示出了透明電極層22為包括形成于透明膜基板11上的第1電極層22曰、和形成 于第1電極層22a上的第2電極層22b的2層結(jié)構(gòu)的示例，但透明電極層22也可W為1層結(jié)構(gòu)， 還可W為3層W上的結(jié)構(gòu)。
[0048] 對透明電極層22來說，通過在膜厚方向進行X射線光電子能譜(XPS)測定，可W計 算出錫3ds/2的結(jié)合能Esn、銅3ds/2的結(jié)合能Eln等結(jié)合能。此外，通過在元素間比較測定對象 物的峰最大值，也可W計算出錫、銅、氧等的元素比（原子比）。關(guān)于XPS測定的方法、各元素 的結(jié)合能和原子比的詳細計算方法，在后述實施例中進行說明。需要說明的是，在透明電極 層的膜厚方向進行XPS測定的情況下，測定間隔沒有特別限定，例如在膜厚方向可~ 2nm間隔進行測定。
[0049] 上述3d5/2是指構(gòu)成原子的電子軌道之一，3d5/2的結(jié)合能是指為了從原子中除去占 有該電子軌道的電子所需要的能量的大小。已知:結(jié)合能的大小不僅因元素的種類或電子 軌道的種類而不同，而且還因該元素的化學狀態(tài)而變化。相反地，規(guī)定相同元素的相同電子 軌道的結(jié)合能變化量就是規(guī)定了該元素的化學狀態(tài)。例如，已知ITO中的銅或錫的結(jié)合能會 因金屬原子的價數(shù)、即所結(jié)合的氧的數(shù)量而變化。
[0050] 在測定透明電極層的膜厚方向的結(jié)合能的變化時，由于該測定是從樣品表面除去 電子的分析方法，因而隨著測定進行，樣品表面帶電。若樣品表面帶電，則所檢測出的電子 的結(jié)合能包括因帶電而產(chǎn)生的電場的影響。因此，即便對銅或錫的結(jié)合能自身進行評價，也 不一定能正確反映出各元素與氧的結(jié)合狀態(tài)的變化。運種帶電所致的結(jié)合能值的偏差不依 賴于元素的種類，W相同量產(chǎn)生貢獻。因此，通過對由Sn3ds/2的結(jié)合能Esn減去In3ds/2的結(jié)合 能Eln所得到的結(jié)合能差Esn-Ein進行評價，可W從測定結(jié)果中除去帶電的貢獻。
[0051] 關(guān)于透明電極層22,優(yōu)選的是，由測定求出的錫3d5/2的結(jié)合能Esn和銅3d5/2的結(jié) 合能Eln在下述分析范圍中滿足下述(1)和(2)。
[0052] 分析范圍：在包含40原子％ W上銅的區(qū)域中，除去膜厚方向上與透明電極層的表 面的距離d為0~3nm的區(qū)域后的區(qū)域；
[0053] (1)上述結(jié)合能Esn與上述結(jié)合能Eln的結(jié)合能差Esn-Ein的最小值Emin與上述結(jié)合能 差Esn -Eln的最大值Emax相比，存在于透明電極層的表面?zhèn)龋?br>[0化4] (2)上述最大值Emax與上述最小值Emin之差Emax-Emin為0. leVW上。
[0055] 此處，結(jié)合能差Esn-Ein大則表示，與銅相比，錫被強烈地氧化。通常認為氧化錫比 氧化銅更難W形成結(jié)晶，運表示在錫原子周圍難W發(fā)生原子的再排列。因此，在滿足上述 (1)的情況下，認為與透明膜基板的界面附近的結(jié)合能差Esn-Ein大，錫的周圍元素形成了 接近結(jié)晶質(zhì)的狀態(tài)。其結(jié)果是，認為能夠使與口 0的結(jié)晶化相伴的錫元素周圍的原子再排列 為最小限度，能夠利用短時間的加熱而發(fā)生結(jié)晶化。
[0056] 在滿足上述(2)的情況下，表示結(jié)合能差Esn-Ein在透明電極層的膜厚方向發(fā)生了 變化。即，意味著:錫與氧的結(jié)合狀態(tài)W及銅與氧的結(jié)合狀態(tài)一邊在膜厚方向發(fā)生變化，一 邊在透明膜基板上形成透明電極層。由此，認為對結(jié)晶化速度和電阻穩(wěn)定性產(chǎn)生了影響。
[0057] 根據(jù)W上所述，認為:通過滿足上述（1)和(2)的關(guān)系，可W形成抑制了在室溫環(huán)境 下的結(jié)晶化、并且能夠W短時間的加熱而結(jié)晶化的透明導電膜。
[005引在上述分析范圍中，上述最大值Emax與上述最小值Emin之差Emax-Emin優(yōu)選為0. lev W上，更優(yōu)選為0.2eV W上，優(yōu)選為0.5eV W下，更優(yōu)選為0.4eV W下。
[0化9] 在上述分析范圍中，上述最大值Emax優(yōu)選為41.92eVW上，更優(yōu)選為42.OOeVW上， 優(yōu)選為42.20eVW下，更優(yōu)選為42.12eVW下。另外，上述最小值Emin優(yōu)選為41.95eVW下，更 優(yōu)選為41.90eVW下，優(yōu)選為41.50eVW上，更優(yōu)選為41.60eVW上。
[0060] 在上述分析范圍中，通過最小二乘法對W上述結(jié)合能差Esn-Ein為縱軸、W上述距 離d為橫軸的標繪點進行近似而得到的直線的斜率優(yōu)選為0.005eV/nmW上，更優(yōu)選為 O.OlOeV/nmW上，進一步優(yōu)選為0.013eV/nmW上，優(yōu)選為0.025eV/nmW下，更優(yōu)選為 0.020eV/nmW下。
[0061 ] 上述直線的截距優(yōu)選為41.50eVW上，更優(yōu)選為41.65eVW上，優(yōu)選為42 . OOeVW 下，更優(yōu)選為41.85eVW下。
[0062] 上述的透明導電膜可W使在140°C加熱30分鐘后的透明電極層的電阻率為3.2 X l〇-4QcmW 下。
[0063] 到目前為止，通過對錫3d5/2的結(jié)合能Esn與銅3d5/2的結(jié)合能Eln的結(jié)合能差Esn-Ein 進行評價而規(guī)定了透明電極層，但如下所述，也可W代替結(jié)合能差Esn-Ein而通過對透明電 極層中的氧原子比進行評價來規(guī)定透明電極層。
[0064] 目P，在透明膜基板上具有非晶質(zhì)透明電極層的透明導電膜中，上述透明電極層由 銅?錫復合氧化物構(gòu)成，氧化錫的含量為3~12質(zhì)量％，膜厚為15~30nm，對于上述透明電 極層來說，通過X射線光電子能譜測定求出的氧原子比在下述分析范圍中優(yōu)選滿足下述(3) 和(4)。
[0065] 分析范圍：在包含40原子％ W上銅的區(qū)域中，除去膜厚方向上與透明電極層的表 面的距離d為0~3nm的區(qū)域后的區(qū)域；
[0066] (3)氧原子比的最小值Omin與氧原子比的最大值Omax相比，存在于透明電極層的表 面?zhèn)龋?br>[0067] (4)上述最大值Omax與上述最小值Omin之差Omax-Omin為1.8at%W上。
[0068] 即便代替上述（1)和(2)而滿足上述(3)和(4)的關(guān)系，認為也可W形成抑制了在室 溫環(huán)境下的結(jié)晶化、并且能夠W短時間的加熱而結(jié)晶化的透明導電膜。
[0069] 在上述分析范圍中，上述最大值Omax由上述最小值Omin之差Omax-Omin優(yōu)選為 1.8at % W上，更優(yōu)選為2.2at % W上，優(yōu)選為4. Oat % W下，更優(yōu)選為3.7at % W下。
[0070] 在上述分析范圍中，上述最大值Omax優(yōu)選為53.2at % W上，更優(yōu)選為53.4at % W 上，優(yōu)選為54.8at % W下，更優(yōu)選為54.4at % W下。另外，上述最小值Omin優(yōu)選為51.9at % W 下，更優(yōu)選為51.7at % W下，優(yōu)選為49.8at % W上，更優(yōu)選為50.0 at % W上。
[0071] 在上述分析范圍中，通過最小二乘法對W上述氧原子比為縱軸、W上述距離d為橫 軸的標繪點進行近似而得到的直線的斜率優(yōu)選為〇.〇48at%/nmW上，更優(yōu)選為0.090at%/ nmW上，進一步優(yōu)選為0.10at%/nmW上，優(yōu)選為0.20at%/nmW下，更優(yōu)選為0.15at%/nm W下，進一步優(yōu)選為0.13at % /nm W下。
[0072] 上述直線的截距優(yōu)選為50.5at % W上，更優(yōu)選為50.9at % W上，優(yōu)選為52. Oat % W下，更優(yōu)選為51.5at%W下。
[0073] 作為透明導電膜，可W采用各種構(gòu)成。例如，為了提高密合性，可W在透明膜基板 與透明電極層之間設(shè)置無機絕緣層。特別是，從兼顧高透明性和附著性的方面出發(fā)，優(yōu)選在 透明膜基板與透明電極層之間設(shè)置SiOx(x=l.8~2.0)層。作為透明導電膜的具體構(gòu)成，例 如可W舉出：在透明膜基板上依次層疊了作為基底層的SiOx層、作為光學調(diào)整層的抓2〇5層、 Si化層、作為透明電極層的IT0層的構(gòu)成;在透明膜基板上依次層疊了作為易粘接層的有機 無機復合材料層、作為透明電極層的IT0層的構(gòu)成;在透明膜基板上依次層疊了作為應力緩 沖層的有機材料層、無機光學調(diào)整層、作為透明電極層的IT0層的構(gòu)成;依次層疊了作為具 有光學調(diào)整能力的硬涂層的有機無機復合材料層、作為透明電極層的IT0層的構(gòu)成;等等。 除了上述示例W外，也可W在透明電極層與透明膜基板之間、或者透明電極層的表面、與透 明電極層相反一側(cè)的透明膜基板的面等上設(shè)置光學調(diào)整層、防反射層、防眩光層、易粘接 層、應力緩沖層、硬涂層、易滑層、抗靜電層、結(jié)晶化促進層、耐久性提高層、其它功能層。運 些功能層可W分別具有單一的功能，也可W具有多種功能。另外，運些功能層可W僅使用1 種，也可W多種層疊而使用。運些功能層例如可W利用瓣射或氣溶膠沉積等干法工藝來形 成，也可W利用將有機物作為粘結(jié)劑而分散無機粒子、或通過溶膠凝膠法形成無機膜等濕 法工藝來形成。作為運些功能層的原料，除了丙締酸系有機物、氨基甲酸醋系有機物、娃酬 系化合物、硅烷化合物、酷亞胺化合物等W外，還可W優(yōu)選使用儀、巧、鐵、錠、錯、妮、鋒、侶、 銅、娃、錫、碳等元素、和包含運些元素的氧化物、氮化物、氣化物等化合物、W及由它們的組 合得到的化合物等。
[0074] [透明導電膜的制造方法]
[0075] 上述透明導電膜可W通過在透明膜基板上制膜形成非晶質(zhì)透明電極層而制造。根 據(jù)需要，也可W在透明膜基板與透明電極層之間制膜形成無機絕緣層。
[0076] 作為透明電極層、無機絕緣層的制膜方法，從可W形成雜質(zhì)少且均質(zhì)的膜的方面、 制膜快且生產(chǎn)率優(yōu)異的方面出發(fā)，優(yōu)選瓣射法。在通過瓣射法制膜時，優(yōu)選一邊向制膜室 (腔室）內(nèi)導入包含氣氣或氮氣等惰性氣體和氧氣的載氣一邊進行制膜。導入氣體優(yōu)選氣氣 與氧氣的混合氣體。
[0077] 本發(fā)明中，通過在2階段W上的不同制膜條件下進行制膜，可W形成滿足上述特定 關(guān)系(結(jié)合能差或氧原子比）的透明電極層。W下，對于在2階段的制膜條件下對透明電極層 進行制膜的示例進行說明，將透明膜基板側(cè)的透明電極層(第1電極層22a)稱為下部IT0層， 將在其上部制膜而成的透明電極層(第2電極層22b)稱為上部IT0層。
[0078] 在下部IT0層的制膜中導入的氧量優(yōu)選多于在之后制膜而成的上部IT0層的制膜 中導入的氧量。首先，通過一邊導入大量的氧一邊對下部IT0層進行制膜，認為可形成錫比 銅更強烈地被氧化的基底層，可W對基板界面附近的IT0賦予用于促進結(jié)晶生長的作為基 底層的效果。之后，通過減少氧量而對上部IT0層進行制膜，認為能夠在膜厚方向使錫與氧 的結(jié)合狀態(tài)及銅與氧的結(jié)合狀態(tài)發(fā)生變化。其結(jié)果是，能夠形成滿足與結(jié)合能差有關(guān)的上 述(1)和(2)的關(guān)系的透明電極層。另外，通過運樣使制膜中導入的氧量在膜厚方向變化，能 夠形成滿足與氧原子比有關(guān)的上述(3)和(4)的關(guān)系的透明電極層。通過上述方法，可得到 抑制了在室溫環(huán)境下的結(jié)晶化、并且能夠W短時間的加熱而結(jié)晶化的透明導電膜。
[0079] W往，已知從透明膜基板側(cè)朝向透明電極層的最表面?zhèn)鹊販p小對透明電極層進行 制膜時的氧分壓的技術(shù)，在運種現(xiàn)有技術(shù)中，在IT0制膜中導入大量的氧，可W促進載流子 的惰性化，同時增加中性雜質(zhì)散射，由此使電阻增大，使作為透明電極的功能變差。另一方 面，本發(fā)明中，通過將氧的大量導入限定為基板界面附近(距離基板表面為1~4nm的膜厚）， 可W認為不會使透明電極的功能變差，并且可W使具有結(jié)晶生長控制功能的區(qū)域存在于 口 0膜中。
[0080] 下部IT0層的制膜時的氧分壓優(yōu)選為1.5X10-3~7Xl〇-3Pa，更優(yōu)選為2Xl〇- 3~5 X10-3 化。
[0081] 為了形成滿足上述關(guān)系的透明電極層，優(yōu)選下部IT0層比上部IT0層更薄，具體地 說，下部口0層的膜厚優(yōu)選為InmW上4nmW下，更優(yōu)選為2nmW上4nmW下。大量導入了氧的 下部IT0層會難W發(fā)揮導電性，成為電阻增加的原因，因此，下部IT0層的膜厚優(yōu)選為膜厚整 體的50% W下，更優(yōu)選為20% W下。
[0082] 對下部口 0層進行制膜時的電功率優(yōu)選高于對上部IT0層進行制膜時的電功率。下 部口 0層的制膜時的電功率優(yōu)選為2~8kW，更優(yōu)選為2~5kW。
[0083] 特別是，在對下部IT0層進行制膜時，與對上部IT0層進行制膜時相比導入更多的 氧，同時較低地設(shè)定制膜電功率，從而可W使大量導入氧的效果增大。
[0084]上述口 0層的制膜條件沒有特別限定，上部口 0層的制膜時的氧分壓優(yōu)選為3Χ10-4~10 X 10-4Pa，更優(yōu)選為6 X 10-4~9 X 10-4Pa。另外，上部ΙΤ0層的制膜時的電功率優(yōu)選為9~ 15kW，更優(yōu)選為10~13kW。
[00化]上部口0層的膜厚優(yōu)選為14nmW上29nmW下，更優(yōu)選為15nmW上20nmW下。下部 IT0層和上部口 0層的總膜厚優(yōu)選為15nmW上30nmW下，更優(yōu)選為18nmW上25nmW下。
[0086] 下部IT0層和上部IT0層可W通過分別對制膜條件進行時間變化而連續(xù)地制膜，也 可W在相同的制膜腔室中一邊變化制膜條件一邊進行多次制膜，還可W使用設(shè)定為各自不 同的條件的多個制膜腔室來進行制膜。
[0087] 從下部IT0層向上部IT0層的制膜條件的轉(zhuǎn)換可W是連續(xù)的，也可W是不連續(xù)的。 另外，不限定于下部IT0層和上部IT0層的2階段制膜，也可W在2階段W上的制膜條件下對 透明電極層進行制膜。
[0088] 作為制膜時使用的祀材，例如可W使用金屬、金屬氧化物、金屬碳化物。作為透明 電極的祀材，優(yōu)選使氧化錫固溶于氧化銅中而成的燒結(jié)體。
[0089] 即便在轉(zhuǎn)換制膜條件的情況下，也優(yōu)選使用具有相同氧化錫含量的祀材來制膜形 成透明電極層。祀材中的氧化錫含量沒有特別限定，氧化錫含量過少時，結(jié)晶化后的載流子 密度減少，從而使電阻增加;氧化錫含量過多時，氧化錫散射電子，使遷移率降低，從而使電 阻增加。因此，在對期待表現(xiàn)出特別高的導電性的上部IT0層進行制膜時，祀材中的氧化錫 含量優(yōu)選為3質(zhì)量％ ^上12質(zhì)量％ ^下。另外，為了提高結(jié)晶化后的耐濕熱性，在上部IT0層 的制膜中使用的祀材中的氧化錫含量更優(yōu)選為6質(zhì)量％^上10質(zhì)量％^下。關(guān)于在下部IT0 層的制膜中使用的祀材中的氧化錫含量，由于結(jié)晶性控制功能很重要，因而未必需要期待 導電性而設(shè)定為上述范圍。從晶格匹配的方面出發(fā)，優(yōu)選在下部IT0層的制膜中使用的祀材 中的氧化錫含量與在上部IT0層的制膜中使用的祀材中的氧化錫含量之差為10質(zhì)量％ W 下。
[0090] 已知水會吸附至開放于大氣的腔室中。水在透明電極層形成時進入膜，作為雜質(zhì) 發(fā)揮作用。因此，在透明電極層形成時，優(yōu)選背壓(工藝氣體導入前的腔室內(nèi)的壓力）為10- 3化W下。需要說明的是，工藝氣體導入后的腔室內(nèi)的壓力（總壓)優(yōu)選為O.lPa~l.OPa，更 優(yōu)選為〇.2Pa~0.6Pa。
[0091] 剛制膜后的透明電極層包含非晶質(zhì)成分，也可W包含結(jié)晶成分。此時的結(jié)晶成分 的含有比例小于50%。關(guān)于結(jié)晶成分的含有比例，基于由掃描透射電子顯微鏡(STEM)得到 的透明電極層的平面觀察照片，由視野內(nèi)的晶粒所占的面積比可W求出。
[0092] 對于如此得到的透明導電膜，通過進行加熱（退火），可W使非晶質(zhì)透明電極層發(fā) 生結(jié)晶化，可W形成低電阻的透明導電膜。通過利用上述方法對滿足特定關(guān)系的透明電極 層進行制膜，可W確保在室溫環(huán)境下的電阻穩(wěn)定性，即，將剛制膜后的透明導電膜在25°C放 置1周的環(huán)境下，電阻也不變化，同時還可W實現(xiàn)將剛制膜后的透明導電膜在140°C加熱30 分鐘后的電阻率為3.0 X 1 0-4 Ω cmW下的低電阻。
[0093] 加熱溫度和加熱時間可W適當選擇。加熱溫度優(yōu)選為120~160°C，更優(yōu)選為130~ 150°C。加熱時間優(yōu)選為60分鐘W下，更優(yōu)選為45分鐘W下，進一步優(yōu)選為30分鐘W下。為了 使透明電極層結(jié)晶化，加熱時間優(yōu)選為5分鐘W上。
[0094] 實施例
[OOM]下面，通過實施例來具體說明本發(fā)明。需要說明的是，本發(fā)明并不限定于運些實施 例。
[0096] [膜厚測定]
[0097] 透明電極層的膜厚通過截面的透射型電子顯微鏡(TEM)觀察而求出。需要說明的 是，通過??Μ觀察求出透明電極層的總厚度，由制膜時間和制膜電功率之比計算出下部IT0 層和上部IT0層的膜厚。
[009引[電阻率測定]
[0099] 關(guān)于電阻率，利用Ξ菱化學社制造的Loresta GP，通過四探針法得到表面電阻的 值，由該表面電阻的值和通過上述截面TEM觀察求出的膜厚計算出電阻率。
[0100] [結(jié)晶化時間測定]
[0101] 加熱（退火)前的透明電極層大部分由非晶質(zhì)形成，通過使非晶質(zhì)變化為結(jié)晶從而 形成低電阻的透明電極。即，電阻的變化量反映了變化為結(jié)晶的非晶質(zhì)的量。因此，通過調(diào) 查退火中的電阻的時間變化，可W調(diào)查結(jié)晶化過程的時間變化。根據(jù)上述，結(jié)晶化所需要的 時間由退火中的電阻的時間變化來測定。結(jié)晶化完成后，電阻的時間變化結(jié)束。結(jié)晶化完成 的判斷是與電阻的時間變化消失時的電阻值之差達到ΙΩ/nW內(nèi)的時間。圖2是示出對退 火中的電阻的時間變化進行測定的結(jié)果的一例的曲線圖。由圖2的曲線圖可W讀出，電阻的 時間變化消失時的電阻值Rsi為120 Ω /□，結(jié)晶化完成時間Τι為15分鐘。
[0102] 圖3中示出安裝有平行電極的透明導電膜的示意圖。關(guān)于退火中的電阻測定，在退 火前的透明導電膜100的相對的2邊安裝平行電極110,將其放入熱風循環(huán)烘箱中，利用電阻 測定裝置120測定電阻的時間變化，由此進行退火中的電阻測定。在安裝平行電極時，使電 極間距離與安裝有電極的邊的長度相等，從而在能夠由電阻值計算表面電阻（sheet resistant)的狀態(tài)下進行實驗。
[0103] 關(guān)于結(jié)晶化完成后的電阻測定，將電阻變化結(jié)束了的透明導電膜從烘箱中取出， 拆下平行電極后，利用Ξ菱化學社制造的Loresta GP通過四探針法進行測定。
[0104] [電阻穩(wěn)定性評價]
[0105] 為了評價室溫環(huán)境下的電阻穩(wěn)定性，對剛制膜后的透明導電膜的表面電阻進行測 定，之后在25°C的環(huán)境下保存1周，測定電阻的變化。表面電阻的測定中，利用Ξ菱化學社制 造的Loresta GP通過四探針法進行。將剛制膜后的電阻設(shè)為R日，將在25°C經(jīng)過1周后的電阻 設(shè)為Ri時，對由化/Ro表示的電阻變化率進行評價。
[0106] [結(jié)晶性評價]
[0107] 關(guān)于剛制膜后的透明電極層的結(jié)晶性，在室溫環(huán)境下在5%鹽酸中浸潰10分鐘，由 此進行評價，在表面電阻增加為100倍W上的情況下，判斷為非晶質(zhì)。在下述所有的實施例 和比較例中，確認了剛制膜后的透明電極層為非晶質(zhì)。
[010引 [XPS測定]
[0109] XPS測定使用化VAC-PHI制造的Quantum 2000進行，分析使用裝置的附帶程序 Mul t ipak進行。在測定中，對于在444eV附近觀測到的銅的3ds/2軌道（In3ds/2)來源的信號、 在486eV附近觀測到的錫的3d5/2軌道(Sn3d5/2)來源的信號、在529eV附近觀測到的氧的1S軌 道(01s)來源的信號、和碳的Is軌道(CIS)來源的信號、氮的Is軌道(Nls)來源的信號、娃的 化軌道(Si2p)來源的信號，分別按照每0.25eV的刻度進行測定，得到峰狀的譜圖。將該測定 與從透明電極層的最表面的氣蝕刻交替地反復進行，反復進行到無法觀測到銅為止。關(guān)于 氣蝕刻，每一次進行1分鐘，一次蝕刻1.3nm。對于如此得到的各峰，利用高斯函數(shù)進行擬合， 計算出作為峰中屯、的結(jié)合能和峰的最大值。為了使峰的非對稱性反映到峰位置，如下述式1 所示，將背景設(shè)為常數(shù)，利用單一的高斯函數(shù)進行擬合。式1中，y為峰強度，X為能量值，e為 表示自然對數(shù)的底的納皮爾數(shù)，η為圓周率。關(guān)于擬合，使式1中的四個常數(shù)a、b、c、d變化，按 照與實測值之差成為最小的方式來進行擬合。
[0110] [數(shù)學式。
[0111]
[0112] 〔結(jié)合能差的計算）
[0113] 圖4是通過利用高斯函數(shù)的擬合計算出結(jié)合能的Sn3d5/2的峰的一例。圖5是通過利 用高斯函數(shù)的擬合計算出結(jié)合能的In3d5/2的峰的一例。由圖4可知，Sn3d5/2的結(jié)合能Esn為 485.40eV，由圖5可知，In3d5/2的結(jié)合能Ein為443.72eV。如上所述，為了從測定結(jié)果中除去帶 電的貢獻，從Sn3d5/2的結(jié)合能Esn中減去In3d5/2的結(jié)合能Eln，由此評價錫與銅的結(jié)合能差 Esn - Eln。
[0114] 〔氧原子比的計算）
[0115] 如上所述，在元素間比較由XPS測定得到的測定對象物的峰最大值，從而求出試樣 中包含的元素比（原子比）。在實施例和比較例中，組成元素比利用在修正后除去背景的各 峰的積分強度與靈敏度系數(shù)進行計算。一系列分析利用測定裝置附帶的Multipak進行。修 正中使用Savitzky-Golay的化oints，背景除去使用了化irley。靈敏度系數(shù)還會因測定裝 置而變化，因此使用了測定裝置附帶的Multipak所內(nèi)置的值。關(guān)于靈敏度系數(shù)的物理意義， 例如在化ysical Electronics公司的"X射線光電子能譜手冊（Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy)"中有詳細說明。將假設(shè)含有的元素 In、Sn、0、C、N、Si的合計 設(shè)為100%，計算出其中包含的各元素的比例。
[0116] 圖6是通過XPS深度分布圖測定得到的元素分布圖的一例。可W認為:在與透明電 極層的表面的距離為0~Inm的區(qū)域中存在大氣污染，在與表面的距離為0~3nm的區(qū)域中透 明電極層的結(jié)晶化過程與層內(nèi)不同，因此，將運些區(qū)域從分析中所用的數(shù)據(jù)中除去。另外， 由于原子擴散的影響等，透明電極層與基板的界面難W明確地定義。因此，在實施例和比較 例中，將In濃度為40原子％ ^上的區(qū)域作為分析范圍，在該分析范圍對結(jié)合能差和氧原子 比進行評價。
[0117] [實施例1]
[0118] 作為透明膜基板，使用了兩面形成有具有折射率調(diào)節(jié)功能的硬涂層的PET膜(玻璃 化轉(zhuǎn)變溫度80°C)。在透明電極層的制膜前，在真空中對透明膜基板進行加熱，進行脫氣。之 后，通過瓣射法，利用卷對卷方式在透明膜基板的硬涂層上制膜形成IT0。
[0119] IT0的制膜分成下部IT0層和上部口 0層運2個階段來進行，在下部口 0層的情況下， 在基板上W氧導入量多的條件進行制膜;在上部IT0層的情況下，在下部IT0層上W氧導入 量少于下部IT0層、放電功率大的條件進行制膜。
[0120] 在IT0的制膜中，使銅?錫復合氧化物(氧化錫含量7.0質(zhì)量％)的祀材并列而作為 雙陰極(dual ca化ode)，利用MF電源進行瓣射。首先，W電功率3kW、氧分壓2. ο X 1〇-3化制膜 了3皿的下部ΙΤ0層。接著，在下部ΙΤ0層上，W電功率12kW、氧分壓8.0X10>a制膜了 17nm的 上部IT0層。腔室內(nèi)壓力均為0.2Pa。
[0121]退火前（剛制膜后）的電阻率為7.2Xl0-4Ωcm，在14(rC進行退火時的結(jié)晶化所需 要的時間為20分鐘，結(jié)晶化完成后的電阻率為2.8Xl(T4Qcm。在25°C經(jīng)過1周后的電阻變化 率為1.0倍，未確認到電阻的變化。
[01剖結(jié)合能Esn與結(jié)合能Eln的結(jié)合能差Esn-Ein的最大值Emax為42.09eV、最小值Emin為 41.85eV，最大值Emax與最小值Emin之差Emax -Emin為0.24eV。另外，氧原子比的最大值Omax為 53.6at % ,巧小值Omin為50 . lat % ,巧大值Omax與巧小值Omin之差Omax - Omin為3.5at %。
[0123] [實施例2]
[0124] 在口 0制膜前，在硬涂層上制膜了 3皿的Si化層，在Si化層上制膜了下部口 0層，除此 W外，與實施例1同樣地進行口 0的制膜。
[01巧]在Si化層的制膜中，將Si用作革時才，W氧200sccm、氣lOOOsccm的流量進行供給，使 腔室內(nèi)壓力為〇.2Pa，利用MF電源WlOkW的功率進行瓣射。所得到的Si化層的膜厚為3皿。
[01 %] 退火前的電阻率為4.8 X 1 0-4 Ω cm，在140°C進行退火時的結(jié)晶化所需要的時間為 10分鐘，結(jié)晶化完成后的電阻率為2.8 X 10-4 Ω cm。在化°C經(jīng)過1周后的電阻變化率為1.0倍， 未確認到電阻的變化。
[0127]結(jié)合能Esn與結(jié)合能Eln的結(jié)合能差Esn-Ein的最大值Emax為42.01eV，最小值Emin為 41.67eV，最大值Emax與最小值Emin之差Emax -Emin為0.34eV。另外，氧原子比的最大值Omax為 54 . lat % ,巧小值 Omin 為 51.5at % ,巧大值 Omax 與巧小值 Omin 之差 Omax - Omin 為 2.6at%。
[012引[比較例1]
[0129] 不進行下部IT0層的制膜，在上部口 0層的制膜條件、即電功率12kW、氧分壓8.0X 10>a下進行23nm的制膜，除此W外，與實施例1同樣地進巧TO的制膜。
[0130] 退火前的電阻率為7.8Xl0-4Ωcm，在14(rC進行退火時的結(jié)晶化所需要的時間為 120分鐘，在140°C退火30分鐘后的電阻率為6.9 X 1 0-4Ω cm，結(jié)晶化完成后的電阻率為2.8 X 1 0-4 Ω cm。在25 °C經(jīng)過1周后的電阻變化率為1.0倍，未確認到電阻的變化。
[0131] 結(jié)合能Esn與結(jié)合能Eln的結(jié)合能差Esn-Ein的最大值Emax為41.86eV、最小值Emin為 41.56eV，最大值Emax與最小值Emin之差Emax -Emin為0.30eV。另外，氧原子比的最大值Omax為 52.8at %、巧小值 Omin 為 51.6at % ,巧大值 Omax 與巧小值 Omin 之差 Omax - Omin為 1。
[0132] [比較例2]
[0133] 代替下部IT0層的制膜，而在與實施例2同樣的條件下在硬涂層上制膜化m的Si化 層，之后在實施例1的上部IT0層的制膜條件、即電功率12kW、氧分壓8.0X10>a下進行20nm 的制膜，除此W外，與實施例1同樣地進行口 0的制膜。
[0134] 退火前的電阻率為4.8 X 1 0-4 Ω cm，在140°C進行退火時的結(jié)晶化所需要的時間為5 分鐘，結(jié)晶化完成后的電阻率為2.8 X 10-4 Ω cm。在25°C經(jīng)過1周后的電阻變化率為0.7倍，確 認到電阻的降低。
[01對結(jié)合能Esn與結(jié)合能Eln的結(jié)合能差Esn-Ein的最大值Emax為42.17eV、最小值Emin為 42.08eV，最大值Emax與最小值Emin之差Emax -Emin為0.09eV。另外，氧原子比的最大值Omax為 53.9at %、巧小值Omin為52.6at % ,巧大值Omax與巧小值Omin之差Omax - Omin為 1.4at%。
[0136] [比較例3]
[0137] W電功率IkW、氧分壓2.0X10-中a制膜了5nm的下部口0層后，W電功率12kW、氧分 壓8.0 X 10-咕a對15nm的上部口 0層進行制膜，除此W外，與實施例1同樣地進行口 0的制膜。
[0138] 退火前的電阻率為5.6 X 1 0-4 Ω cm，在140°C進行退火時的結(jié)晶化所需要的時間為 300分鐘，在140°C退火30分鐘后的電阻率為4.8 X 1 0-4Ω cm，結(jié)晶化完成后的電阻率為4.0 X 1 0-4 Ω cm。在25 °C經(jīng)過1周后的電阻變化率為1.0倍，未確認到電阻的變化。
[0139] 結(jié)合能Esn與結(jié)合能Eln的結(jié)合能差Esn-Ein的最大值Emax為42.15eV、最小值Emin為 42.08eV，最大值Emax與最小值Emin之差Emax -Emin為0.07eV。另外，氧原子比的最大值Omax為 54.4at % ,巧小值Omin為53 . Oat % ,巧大值Omax與巧小值Omin之差Omax - Omin為 1.5at%。
[0140] 對于實施例和比較例，將結(jié)合能差Esn-Ein作為縱軸、將與透明電極層的表面的距 離作為橫軸來標繪作圖，將所得到的曲線圖示于圖7;將氧原子比作為縱軸、將與透明電極 層的表面的距離作為橫軸來標繪作圖，將所得到的曲線圖示于圖8。此外，實施例和比較例 的結(jié)果歸納示于表1。
[0141]
[0142] 由表1可知，在實施例1和2中，在25°C經(jīng)過1周后電阻也沒有變化，并且在140°C下 的結(jié)晶化所需要的時間為30分鐘W內(nèi)。
[014引在實施例1和2中，如圖巧日表1所示，滿足下述關(guān)系：結(jié)合能差Esn-Ein的最小值Emin 與結(jié)合能差Esn -Eln的最大值Emax相比存在于透明電極層的表面?zhèn)?，并且，上述最大值Emax與 上述最小值Emin之差Emax-Emin為0 . lev W上。另外，如圖8和表1所示，還滿足下述關(guān)系：氧原 子比的最小值Omin與氧原子比的最大值Omax相比存在于透明電極層的表面?zhèn)龋⑶?，上述?大值Omax與上述最小值Omin之差Omax-Omin為1.8at% W上。通過滿足運些關(guān)系，確認到可W形 成抑制了在室溫環(huán)境下的結(jié)晶化、并且能夠W短時間的加熱而結(jié)晶化的透明導電膜。
[0144] 在實施例1和2中，可知通過在制膜初期增加氧導入量，能夠形成滿足上述關(guān)系的 透明電極層。需要說明的是，如比較例3那樣，可知：即便在下部ITO層的制膜時的氧分壓高 的情況下，根據(jù)膜厚或制膜電功率的不同，也無法形成滿足上述關(guān)系的透明電極層。
[0145] 在比較例1中，雖然最大值Emax與最小值Emin之差Emax-Emin為0. leVW上，但最小值 Emin與最大值Emax相比不存在于透明電極層的表面?zhèn)取Ｆ浣Y(jié)果是，結(jié)晶化所需要的時間變長 為120分鐘。由該結(jié)果可知，結(jié)合能差Esn-Ein在透明膜基板側(cè)小的情況下，可能難W形成用 于加熱所致的結(jié)晶化的晶核。
[0146] 在最大值Emax與最小值Emin之差Emax-Emin小于0. lev的比較例巧日比較例3中，或者 在室溫環(huán)境就可結(jié)晶化，結(jié)晶化變得過快(比較例2);或者相反地，結(jié)晶化變得過慢(比較例 3)。
[0147] 可W認為：最大值Emax與最小值Emin之差Emax - Emin小于0 . leV表不透明電極層的膜 厚方向的結(jié)合能差Esn-Ein的變化量小，錫與氧的結(jié)合狀態(tài)及銅與氧的結(jié)合狀態(tài)在膜厚方 向基本上沒有變化地形成了透明電極層。因此，在形成了如Si化運樣用于促進結(jié)晶化的基 底層的比較例2中，認為在室溫環(huán)境就可結(jié)晶化，透明電極層的結(jié)晶化變快。另外，在形成了 如下部ITO層運樣不具有促進結(jié)晶化的作用的基底層的比較例3中，認為透明電極層的結(jié)晶 化時間變長。
[0148] 由此可知，通過形成滿足特定關(guān)系的透明電極層，可得到抑制了在室溫環(huán)境下的 結(jié)晶化、并且能夠W短時間的加熱而結(jié)晶化的透明導電膜。
[0149] 符號說明
[0150] 11透明膜基板
[0151] 22透明電極層
[0152] 22a第1電極層
[0153] 22b第2電極層
[0154] 100透明導電膜
【主權(quán)項】
1. 一種透明導電膜，其為在透明膜基板上具有非晶質(zhì)的透明電極層的透明導電膜， 所述透明電極層由銦?錫復合氧化物構(gòu)成，氧化錫的含量為3~12質(zhì)量％，膜厚為15~ 30nm， 所述透明電極層中，通過X射線光電子能譜測定求出的錫3d5/2的結(jié)合能ESn和銦3d 5/2的 結(jié)合能EIn在下述分析范圍中滿足下述(1)和(2): 分析范圍：在包含40原子％以上銦的區(qū)域中，除去膜厚方向上的與透明電極層的表面 的距離d為0~3nm的區(qū)域后的區(qū)域； (1) 所述結(jié)合能ESn與所述結(jié)合能EIn的結(jié)合能差ESn -EIr^最小值Emig所述結(jié)合能差 Esn - Eln的最大值Emax相比，存在于透明電極層的表面?zhèn)龋? (2) 所述最大值Emax與所述最小值Emin之差Emax-Emin為0. lev以上。2. 如權(quán)利要求1所述的透明導電膜，其中，在所述分析范圍中，通過最小二乘法對以所 述結(jié)合能差ESn"E In為縱軸、以所述距離d為橫軸的標繪點進行近似而得到的直線的斜率為 0.005eV/nm以上。3. 如權(quán)利要求1或2所述的透明導電膜，其中，在所述分析范圍中，所述結(jié)合能差ESn"EIn 的最大值EmX為41.92eV以上。4. 如權(quán)利要求1~3中任一項所述的透明導電膜，其中，在所述分析范圍中，所述結(jié)合能 差ESn-Em的最小值E min為41.95eV以下。5. 如權(quán)利要求1~4中任一項所述的透明導電膜，其中，在140°C加熱30分鐘后的所述透 明電極層的電阻率為3.2 X 10-4 Ω cm以下。6. -種透明導電膜的制造方法，其為權(quán)利要求1~5中任一項所述的透明導電膜的制造 方法，其中， 非晶質(zhì)的透明電極層在具有第1條件和第2條件的2階段以上的制膜條件下進行制膜， 第1條件:在透明膜基板上對第1電極層進行制膜， 第2條件:在所述第1電極層上對第2電極層進行制膜， 所述第1電極層的膜厚為1~4nm。7. 如權(quán)利要求6所述的透明導電膜的制造方法，其中，對所述第1電極層進行制膜時的 氧分壓大于對所述第2電極層進行制膜時的氧分壓。8. 如權(quán)利要求6或7所述的透明導電膜的制造方法，其中，對所述第1電極層進行制膜時 的電功率小于對所述第2電極層進行制膜時的電功率。9. 如權(quán)利要求6~8中任一項所述的透明導電膜的制造方法，其中，對所述第1電極層進 行制膜時使用的靶材的氧化錫含量與對所述第2電極層進行制膜時使用的靶材的氧化錫含 量相同。
【文檔編號】H01B5/14GK105874544SQ201580003746
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2015年2月3日
【發(fā)明人】早川弘毅, 口山崇
【申請人】株式會社鐘化