透明導(dǎo)電膜的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及具備ITO透明電極層的透明導(dǎo)電膜的制造方法。卷取式濺射制膜裝置(200)具備與制膜輥(256)相鄰接的至少3個(gè)制膜室(201、202、203、204)。一邊在制膜輥(256)上搬運(yùn)透明膜基材(10)，一邊在1個(gè)以上的制膜室中進(jìn)行濺射制膜，形成膜厚為0.5nm～4nm的基底導(dǎo)電層(21)，在2個(gè)以上的制膜室中依次進(jìn)行濺射制膜，在基底導(dǎo)電層上形成總膜厚為8nm～25nm的主導(dǎo)電層(25)。進(jìn)行基底導(dǎo)電層(21)的形成的制膜室中的施加電功率為進(jìn)行基底導(dǎo)電層(21)和主導(dǎo)電層(25)的形成的各制膜室中的施加電功率的合計(jì)的5％～20％。在主導(dǎo)電層的形成中，與最初對(duì)ITO薄膜進(jìn)行制膜的制膜室中的施加電功率相比，隨后對(duì)ITO薄膜進(jìn)行制膜的制膜室中的施加電功率優(yōu)選較大。
【專利說(shuō)明】
透明導(dǎo)電膜的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及在透明膜上具備透明電極層的透明導(dǎo)電膜的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在透明膜基材上形成有由銅-錫復(fù)合氧化物（IT0)等導(dǎo)電性氧化物形成的透明電 極層的透明導(dǎo)電膜被廣泛用于觸控面板的位置檢測(cè)等中。從提高透明性、低電阻化、抑制電 阻值變化等觀點(diǎn)出發(fā)，透明電極中使用結(jié)晶化的導(dǎo)電性氧化物。
[0003] 通常，在透明導(dǎo)電膜的制造中使用卷取式瓣射裝置。在透明導(dǎo)電膜的制造中，需要 在膜具有耐熱性的范圍內(nèi)進(jìn)行透明電極層的制膜。因此，制膜溫度(基板溫度)通常為20(TC W下，利用卷取式瓣射進(jìn)行的制膜剛結(jié)束后的透明電極層為非晶質(zhì)膜。非晶質(zhì)的透明電極 層通過(guò)在氧氣氛下進(jìn)行加熱而結(jié)晶化。
[0004] 在利用卷取式瓣射進(jìn)行的透明導(dǎo)電膜的制造中，已知來(lái)自瓣射制膜時(shí)的基材膜的 外部氣體會(huì)對(duì)透明電極層的膜質(zhì)或結(jié)晶化行為產(chǎn)生影響。例如，在專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了下述 內(nèi)容:在W低功率密度制造第一薄膜后，在其上W高功率密度進(jìn)行高速制膜，由此可W將對(duì) 基材膜的損傷抑制到最小限度，同時(shí)可W抑制來(lái)自基材的外部氣體。在專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了 下述內(nèi)容:在制膜前對(duì)膜基材進(jìn)行加熱，或者在膜基材上設(shè)置氧化娃等電介質(zhì)層，由此可W 降低瓣射制膜時(shí)的等離子體損傷等導(dǎo)致的外部氣體量，可W控制透明電極層的結(jié)晶性。
[0005] 在專利文獻(xiàn)3中公開(kāi)了下述內(nèi)容:在透明電極層的制膜前，在氣氣等不活潑性氣體 存在下產(chǎn)生等離子體，進(jìn)行膜基材表面的凈化(轟擊處理），從而使得透明電極層的晶粒尺 寸的均勻性增加。具體地說(shuō)，記載了下述內(nèi)容:通過(guò)轟擊處理，有機(jī)成分從膜基材中揮發(fā)，因 此可W降低透明電極層制膜時(shí)氣氛中的質(zhì)量數(shù)為28的氣體分壓，可W使透明電極層的晶粒 均勻化。
[0006] 在專利文獻(xiàn)4中公開(kāi)了下述內(nèi)容:通過(guò)使透明電極層為2層W上的層疊結(jié)構(gòu)，可W 兼顧透明電極層的低電阻化和短時(shí)間內(nèi)的結(jié)晶化。具體地說(shuō)，公開(kāi)了下述內(nèi)容:在透明導(dǎo)電 膜的表面?zhèn)?遠(yuǎn)離膜基材的一側(cè))設(shè)置氧化錫含量小的IT0層，從而促進(jìn)晶核的形成，在膜基 材側(cè)設(shè)置氧化錫含量大的IT0層，從而增加載流子，能夠?qū)崿F(xiàn)短時(shí)間內(nèi)的結(jié)晶化和低電阻 化。另外，在專利文獻(xiàn)4中，為了在除去了來(lái)自膜基材的外部氣體等雜質(zhì)的氣氛中進(jìn)行制膜， 優(yōu)選在制膜開(kāi)始前將瓣射裝置內(nèi)排氣至水分壓達(dá)到1 X l(T4PaW下為止。
[0007] 在專利文獻(xiàn)5中公開(kāi)了下述內(nèi)容:在基材膜上設(shè)置氧化娃等電介質(zhì)層，在其上W低 氧分壓對(duì)透明電極層進(jìn)行瓣射制膜，從而即便在低溫和短時(shí)間的加熱(或室溫)下也能夠使 透明電極層結(jié)晶化。在專利文獻(xiàn)5中記載了下述推定原理:通過(guò)增加導(dǎo)電性氧化物的氧缺 陷，能夠進(jìn)行低溫和短時(shí)間的結(jié)晶化。并且記載了下述內(nèi)容:氧化娃等電介質(zhì)層也作為膜生 長(zhǎng)的基底層發(fā)揮作用，同時(shí)可W作為氣體阻隔層發(fā)揮作用，該氣體阻隔層可降低透明電極 層制膜時(shí)對(duì)于基材膜的等離子體損傷，可W抑制由基材產(chǎn)生的氧氣進(jìn)入膜中，由此膜中的 氧缺陷增大，能夠在低溫和短時(shí)間的條件下進(jìn)行結(jié)晶化。
[000引現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0009] 專利文獻(xiàn)
[0010] 專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2004-339602號(hào)公報(bào)
[0011] 專利文獻(xiàn)2:W02013/115125號(hào)國(guó)際公開(kāi)小冊(cè)子
[0012] 專利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2010-282785號(hào)公報(bào)
[0013] 專利文獻(xiàn)4:日本特開(kāi)2012-112031號(hào)公報(bào)
[0014] 專利文獻(xiàn)5:W02013/111681號(hào)國(guó)際公開(kāi)小冊(cè)子

【發(fā)明內(nèi)容】

[001引發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0016] 近年來(lái)，為了提高靜電電容方式觸控面板的位置檢測(cè)精度、提高響應(yīng)速度，對(duì)于具 備電阻更低的透明電極層的透明導(dǎo)電膜的需求正在提高。同時(shí)，從提高生產(chǎn)率的方面出發(fā)， 要求能夠利用更短時(shí)間的加熱使透明電極層結(jié)晶化。本發(fā)明人如專利文獻(xiàn)3中公開(kāi)的那樣， 進(jìn)行了透明電極層制膜前的轟擊處理，但未發(fā)現(xiàn)透明電極層的低電阻化及結(jié)晶化時(shí)間縮短 的效果。
[0017] 如專利文獻(xiàn)4中所公開(kāi)的那樣，為了在制膜開(kāi)始前將瓣射裝置內(nèi)的水分壓極端降 低為I.OXICT咕aW下，需要長(zhǎng)時(shí)間的真空排氣，從將膜基板導(dǎo)入制膜室內(nèi)開(kāi)始至制膜完成 為止所需要的時(shí)間（制膜裝置的占有時(shí)間)變長(zhǎng)。因此，即便制膜后的結(jié)晶化時(shí)間被縮短，也 難W提高從制膜開(kāi)始至結(jié)晶化為止的總生產(chǎn)率。
[0018] 如專利文獻(xiàn)5中所公開(kāi)的那樣，在氧化娃等電介質(zhì)層上對(duì)透明電極層進(jìn)行瓣射制 膜的方法能夠降低用于結(jié)晶化的活化能，能夠在室溫下進(jìn)行結(jié)晶化，對(duì)于縮短結(jié)晶化時(shí)間 是有效的。但是，氧化娃容易因光照射而劣化，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生透射率降低或變色等外觀不良。
[0019] 鑒于運(yùn)種現(xiàn)狀，本發(fā)明的目的在于提供一種不使用會(huì)對(duì)視覺(jué)辨認(rèn)性造成影響的氧 化娃等基底層、具備能夠W短時(shí)間發(fā)生結(jié)晶化、并且結(jié)晶化后的電阻低的IT0膜的透明導(dǎo)電 膜。
[0020] 用于解決問(wèn)題的手段
[0021] 鑒于上述情況，本發(fā)明人進(jìn)行了研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過(guò)在透明電極層的制膜初期對(duì) 膜厚小的基底導(dǎo)電層進(jìn)行瓣射制膜，在其上對(duì)占主要膜厚部分的主導(dǎo)電層進(jìn)行瓣射制膜， 進(jìn)而調(diào)整運(yùn)些各層的制膜時(shí)的施加電功率(制膜功率），從而可W解決上述課題。
[0022] 本發(fā)明設(shè)及一種利用卷取式瓣射制膜裝置制造在透明膜基材上具備透明電極層 的透明導(dǎo)電膜的方法。本發(fā)明的制造方法中使用的卷取式瓣射制膜裝置具備與制膜漉相鄰 接的至少3個(gè)制膜室。
[0023] 在本發(fā)明的制造方法中，在卷取式瓣射制膜裝置內(nèi)，從透明膜基材的卷繞體送出 透明膜基材，一邊在制膜漉上搬運(yùn)透明膜基材，一邊進(jìn)行透明電極層的制膜。透明電極層的 制膜具有基底導(dǎo)電層形成工序和主導(dǎo)電層形成工序，在基底導(dǎo)電層形成工序中，在1個(gè)W上 的制膜室中進(jìn)行瓣射制膜，形成由銅-錫復(fù)合氧化物(IT0)薄膜形成的膜厚為0.5nm~4nm的 基底導(dǎo)電層，在主導(dǎo)電層形成工序中，在2個(gè)W上的制膜室中依次進(jìn)行瓣射制膜，在基底導(dǎo) 電層上形成由口 0薄膜形成的總膜厚為8皿~25皿的主導(dǎo)電層。進(jìn)行基底導(dǎo)電層的形成的制 膜室中的施加電功率為進(jìn)行基底導(dǎo)電層和主導(dǎo)電層的形成的各制膜室中的施加電功率的 合計(jì)的5 %~20 %。
[0024] 另外，在本發(fā)明的制造方法中，在主導(dǎo)電層形成工序中，與最初對(duì)ΙΤΟ薄膜進(jìn)行制 膜的制膜室中的施加電功率相比，隨后對(duì)ΙΤ0薄膜進(jìn)行制膜的制膜室中的施加電功率較大。 此外，在進(jìn)行基底導(dǎo)電層的形成的制膜室內(nèi)利用四級(jí)桿質(zhì)譜儀測(cè)定的質(zhì)荷比為28的氣體分 壓為在進(jìn)行基底導(dǎo)電層和主導(dǎo)電層的形成的各制膜室中利用四級(jí)桿質(zhì)譜儀測(cè)定的質(zhì)荷比 為28的氣體分壓的合計(jì)的75% W上。
[0025] 主導(dǎo)電層可W在基材側(cè)主導(dǎo)電層上具備表面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層，該表面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層與基 材側(cè)主導(dǎo)電層相比，相對(duì)于氧化銅與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量較少。該情況下，在主導(dǎo) 電層形成工序中，在2個(gè)W上的制膜室中對(duì)基材側(cè)主導(dǎo)電層進(jìn)行瓣射制膜，之后在其上對(duì)表 面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層進(jìn)行瓣射制膜。
[0026] 基底導(dǎo)電層中，優(yōu)選相對(duì)于氧化銅與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量為8重量％ W 下。主導(dǎo)電層中，優(yōu)選相對(duì)于氧化銅與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量為6重量％~15重 量％。另外，與基底導(dǎo)電層中的相對(duì)于氧化銅與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量相比，主導(dǎo)電 層中的相對(duì)于氧化銅與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量?jī)?yōu)選較大。
[0027] 本發(fā)明的制造方法中，從卷繞體送出的透明膜基材優(yōu)選在搬運(yùn)至制膜漉上之前進(jìn) 行加熱處理。加熱處理例如通過(guò)使透明膜基材與加熱漉接觸來(lái)進(jìn)行。
[0028] 發(fā)明效果
[0029] 本發(fā)明的制造方法中，利用用于透明電極層整體的制膜的施加電功率的5~20% 的施加電功率對(duì)基底導(dǎo)電層進(jìn)行制膜，由此，含碳原子的氣體、含氮原子的氣體(利用四級(jí) 桿質(zhì)譜儀測(cè)定的質(zhì)荷比為28的氣體)從基材釋放到基底導(dǎo)電層的制膜氣氛(制膜室內(nèi)）中。 由于從基材釋放出氣體后實(shí)施主導(dǎo)電層的制膜，因而，主導(dǎo)電層的制膜環(huán)境中的含碳原子 的氣體、含氮原子的氣體的氣體分壓相對(duì)地降低。因此，占透明電極層的膜質(zhì)的主要部分的 主導(dǎo)電層的膜質(zhì)變得良好，可W形成能夠W短時(shí)間進(jìn)行結(jié)晶化、并且結(jié)晶化后的電阻小的 透明電極層。
【附圖說(shuō)明】
[0030] 圖1是一個(gè)實(shí)施方式的透明導(dǎo)電膜的示意性截面圖。
[0031] 圖2是一個(gè)實(shí)施方式的透明導(dǎo)電膜的示意性截面圖。
[0032] 圖3是示出卷取式瓣射制膜裝置的構(gòu)成例的示意性截面圖。
[0033] 圖4是示出實(shí)施例和比較例中的各制膜室的氣體濃度的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034] [透明導(dǎo)電膜的構(gòu)成]
[0035] 下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖1示出了在透明膜基材10上 具備透明電極層20的透明導(dǎo)電膜101。透明電極層20具備透明膜基材10側(cè)的基底導(dǎo)電層21 和表面?zhèn)鹊闹鲗?dǎo)電層25。如圖2所示的透明導(dǎo)電膜102那樣，主導(dǎo)電層25也可W為在基材側(cè) 主導(dǎo)電層22上具有組成與其不同的表面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層23的層疊結(jié)構(gòu)。
[0036] <透明膜基材〉
[0037] 透明膜基材10優(yōu)選在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)闊o(wú)色透明的透明膜基材。作為透明膜基材的材 料，可W舉出聚對(duì)苯二甲酸乙二醇醋(PET)、聚對(duì)苯二甲酸下二醇醋(ΡΒΤ)、聚糞二甲酸乙二 醇醋(PEN)等聚醋樹(shù)脂、環(huán)締控系樹(shù)脂、聚碳酸醋樹(shù)脂、聚酷亞胺樹(shù)脂、纖維素系樹(shù)脂等。其 中，優(yōu)選聚醋系樹(shù)脂，特別優(yōu)選使用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇醋。
[0038] 透明膜基材的厚度沒(méi)有特別限定，優(yōu)選為ΙΟμπι~400μπι，更優(yōu)選為25μπι~200μπι。若 透明膜基材的厚度在上述范圍，可W具有耐久性和適度的柔軟性。因此，可W通過(guò)使用卷取 式瓣射制膜裝置的卷對(duì)卷(roll to roll)方式W高生產(chǎn)率在透明膜基材上進(jìn)行透明電極 層20的制膜。
[0039] 透明膜基材可W在單面或雙面形成有硬涂層或易粘接層等功能性層(未圖示）。另 夕h為了降低反射率或調(diào)整色調(diào)等視覺(jué)辨認(rèn)性的提高，透明膜基材也可W在透明電極層形 成面?zhèn)染哂泄鈱W(xué)調(diào)節(jié)層(未圖示）。光學(xué)調(diào)節(jié)層可W通過(guò)將折射率不同的多個(gè)層層疊而成。 出于提高密合性等目的，也可W在透明膜基材上進(jìn)行等離子體處理或電暈放電、火焰、紫外 線照射、電子射線照射、表面粗糖化等表面處理。
[0040] 上述光學(xué)調(diào)節(jié)層優(yōu)選在可見(jiàn)光區(qū)域?yàn)闊o(wú)色透明，且電阻率為10 Ω . cmW上。光學(xué) 調(diào)節(jié)層的材料可W使用有機(jī)材料、無(wú)機(jī)材料中的任一種。作為有機(jī)材料，使用丙締酸系樹(shù) 月旨、氣系樹(shù)脂、氨基甲酸醋系樹(shù)脂、Ξ聚氯胺系樹(shù)脂、醇酸系樹(shù)脂、硅氧烷系聚合物等。作為 無(wú)機(jī)材料，適合使用Nb、Ta、Ti、Zn、Zr、冊(cè)等金屬的氧化物。另外，從調(diào)整折射率等觀點(diǎn)出發(fā)， 也可W使用有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料。光學(xué)調(diào)節(jié)層可W通過(guò)真空蒸鍛法、瓣射法、CV的去等干法工 藝、或各種濕法等來(lái)形成。光學(xué)調(diào)節(jié)層的膜厚沒(méi)有特別限定，例如可在2(K)nmW下的范圍內(nèi) 考慮到材料的折射率而根據(jù)上述目的適當(dāng)設(shè)定。
[0041] <透明電極層〉
[0042] 透明電極層20為透明膜基材10側(cè)的基底導(dǎo)電層21與表面?zhèn)鹊闹鲗?dǎo)電層25的層疊 體，基底導(dǎo)電層21和主導(dǎo)電層25均為銅-錫復(fù)合氧化物(IT0)薄膜(需要說(shuō)明的是，基底導(dǎo)電 層21也可W為不含有氧化錫的氧化銅薄膜）?；讓?dǎo)電層21的膜厚為0.5nm~4nm，主導(dǎo)電層 25的膜厚為8nm~25nm。本發(fā)明中，在膜厚小的基底導(dǎo)電層上形成占透明電極層20的膜厚的 主要部分的主導(dǎo)電層25。
[0043] [透明導(dǎo)電膜的制造方法]
[0044] 本發(fā)明的制造方法中，使用具備3個(gè)W上制膜室的卷取式瓣射制膜裝置，在透明膜 基材10上形成透明電極層20。圖3是具備加熱室209和4個(gè)制膜室201、202、203、204的卷取式 瓣射制膜裝置的構(gòu)成例的示意性截面圖。各制膜室和加熱室被隔壁隔開(kāi)。在加熱室209內(nèi)設(shè) 有加熱漉251。另外，在制膜室中與各室的隔板相鄰接地設(shè)有制膜漉256。在送出漉271與加 熱漉251之間、加熱漉251與制膜漉256之間、W及制膜漉256與卷取漉276之間配置有搬運(yùn)漉 261~269。在利用卷取式瓣射進(jìn)行的制膜中，從送出漉271連續(xù)地送出透明膜基材10,膜基 材在加熱室209中被加熱后，在制膜室201~204內(nèi)瓣射制膜成非晶質(zhì)IT0透明電極層20,用 卷取漉276卷取透明導(dǎo)電膜。
[0045] <加熱處理〉
[0046] 從送出漉271送出的透明膜基材10優(yōu)選在透明電極層20的制膜前進(jìn)行加熱處理。 通過(guò)加熱處理，可W使透明膜基材中的水分等揮發(fā)，可W降低進(jìn)入制膜室中的水分等揮發(fā) 成分量。
[0047] 加熱處理的方法可W使用：使膜基材與加熱漉等加熱介質(zhì)接觸的方法;利用了微 波、遠(yuǎn)紅外線等的加熱器或熱管等溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)、或者熱風(fēng)吹出噴嘴等非接觸性加熱方法。 運(yùn)些之中，從確保加熱時(shí)間和加熱效率的方面出發(fā)，如圖2所示，優(yōu)選通過(guò)與加熱漉251的接 觸而進(jìn)行透明膜基材的加熱。另外，還可W將加熱漉等接觸式的加熱手段與非接觸式的加 熱手段并用。
[004引加熱溫度優(yōu)選按照透明膜基材的表面溫度達(dá)到7(TC~16(TC的方式進(jìn)行設(shè)定。例 如，在通過(guò)與加熱漉的接觸而進(jìn)行加熱處理的情況下，加熱漉的溫度優(yōu)選為80°C~150°C， 更優(yōu)選為85°C~130°C，進(jìn)一步優(yōu)選為90°C~11(TC。加熱處理時(shí)的膜的表面溫度更優(yōu)選為 80°C~150°C，進(jìn)一步優(yōu)選為90°C~130°C。通過(guò)使加熱溫度為70°C W上，可W使膜基材中的 水分等揮發(fā)，可W降低進(jìn)入制膜室中的水分量。另外，若加熱溫度為160°CW下，可W抑制因 膜的熱收縮而引起的外觀不良等不良情況。加熱時(shí)間（加熱漉與透明膜的接觸時(shí)間)優(yōu)選為 5秒~180秒，更優(yōu)選為10秒~120秒，進(jìn)一步優(yōu)選為15秒~60秒。
[0049] 在加熱處理工序中，為了促進(jìn)膜基材中的水分除去，優(yōu)選對(duì)加熱室內(nèi)進(jìn)行減壓排 氣。加熱室內(nèi)的壓力優(yōu)選為1 X l〇-2Pa W下，更優(yōu)選為7.0 X l〇-3PaW下，進(jìn)一步優(yōu)選為5.0 X 1〇-3化^下。
[0050] <制膜工序〉
[0051] 對(duì)于從送出漉271送出的透明膜基材10,根據(jù)需要進(jìn)行加熱處理后，一邊沿著制膜 漉256進(jìn)行搬運(yùn)，一邊進(jìn)行透明電極層20的制膜。關(guān)于透明電極層20的制膜，優(yōu)選不從瓣射 制膜裝置200中取出加熱后的透明膜基材10而連續(xù)地進(jìn)行。
[0052] 作為透明電極層制膜時(shí)的瓣射電源，可W使用DC、RF、MF電源等。在各制膜室201~ 204內(nèi)的制膜漉256的附近配置陰極281~284,在陰極281~284與制膜漉256之間配置祀材 221~224。在IT0透明電極層的制膜中，優(yōu)選使用氧化銅與氧化錫的混合燒結(jié)祀材。配置于 各制膜室的祀材的組成可W相同，也可W不同。瓣射制膜裝置配置4個(gè)W上制膜室的情況 下，只要在3個(gè)W上的制膜室進(jìn)行瓣射制膜即可，未必需要在瓣射裝置內(nèi)的所有制膜室進(jìn)行 制膜。在不進(jìn)行制膜的制膜室內(nèi)可W不配置祀材。
[0053] 在透明電極層的制膜開(kāi)始前，為了對(duì)祀材表面的雜質(zhì)進(jìn)行排氣除去，優(yōu)選進(jìn)行預(yù) 瓣射。預(yù)瓣射時(shí)的制膜室內(nèi)的壓力優(yōu)選與透明電極層制膜時(shí)的壓力相同或者比透明電極層 制膜時(shí)的壓力低。預(yù)瓣射時(shí)的功率密度、預(yù)瓣射時(shí)間等條件可W在不損害生產(chǎn)率的范圍內(nèi) 適當(dāng)設(shè)定。
[0054] 關(guān)于透明電極層的制膜，一邊向各制膜室內(nèi)導(dǎo)入包含氣氣等不活潑性氣體和氧氣 的載氣一邊進(jìn)行。導(dǎo)入氣體優(yōu)選氣氣與氧氣的混合氣體。各制膜室內(nèi)的壓力（總壓)優(yōu)選為 1.5化W下，更優(yōu)選為0.05化~1.2Pa，進(jìn)一步優(yōu)選為0.1化~0.9Pa。需要說(shuō)明的是，只要不 損害本發(fā)明的功能，則混合氣體中可W包含其它氣體。
[0055] 透明電極層制膜時(shí)的基板溫度(制膜漉256的溫度）只要為透明膜基材具有耐熱性 的范圍即可?；鍦囟葍?yōu)選為-40°C~80°C，更優(yōu)選為10°C~60°C。通過(guò)使基板溫度為上述 范圍，可W抑制等離子體損傷等導(dǎo)致的膜基材上權(quán)皺的產(chǎn)生等。
[0056] 本發(fā)明的制造方法中，在透明電極層的制膜中使用3個(gè)W上的制膜室。首先，在上 游側(cè)(接近送出漉271的一側(cè)）的制膜室，對(duì)膜厚為0.5nm~4nm的基底導(dǎo)電層21進(jìn)行瓣射制 膜，在下游側(cè)的制膜室，在基底導(dǎo)電層上對(duì)膜厚為8nm~25nm的主導(dǎo)電層25進(jìn)行制膜。
[0057] 主導(dǎo)電層的形成中使用2個(gè)W上的制膜室。例如，在主導(dǎo)電層的形成中使用2個(gè)制 膜室的情況下，在上游側(cè)的制膜室中，按照與基底導(dǎo)電層21上接觸的方式瓣射制膜形成導(dǎo) 電層22a后，在其下游側(cè)的制膜室中，瓣射制膜形成導(dǎo)電層22b。導(dǎo)電層22a與導(dǎo)電層22b的制 膜中使用組成相同的祀材。在主導(dǎo)電層的形成中使用3個(gè)W上制膜室的情況下，可W在導(dǎo)電 層22a、22b上制膜形成與它們組成相同的導(dǎo)電層，也可W使用與基材側(cè)的主導(dǎo)電層22a、22b 組成不同的祀材，如圖3所示那樣，制膜形成表面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層23。
[0058] 在本發(fā)明的制造方法中，通過(guò)調(diào)整上述各導(dǎo)電層的形成中所用的制膜室的個(gè)數(shù)、 和各制膜室中的施加電功率，可W使基底導(dǎo)電層21和主導(dǎo)電層25的膜厚在上述范圍。
[0059] W下，使用如圖3所示具備4個(gè)制膜室201~204的瓣射裝置，如圖2所示那樣依次形 成基底導(dǎo)電層21、W及由基材側(cè)主導(dǎo)電層22和表面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層23構(gòu)成的主導(dǎo)電層25, W該 情況為例，對(duì)各層的制膜條件等詳細(xì)情況進(jìn)行說(shuō)明。
[0060] 該方式中，對(duì)于從送出漉271送出的透明膜基材10,在加熱室209的加熱漉251上進(jìn) 行加熱處理后，經(jīng)過(guò)位于下游側(cè)的搬運(yùn)漉264、266而被導(dǎo)入第一制膜室201中。
[0061] (基底導(dǎo)電層的形成）
[0062] 在第一制膜室201中形成基底導(dǎo)電層21。在透明膜基材10上形成基底導(dǎo)電層21時(shí)， 從透明膜基材10釋放出一氧化碳、二氧化碳、控等含碳原子的氣體、或氮?dú)獾群拥臍?體。運(yùn)些含碳原子的氣體和含氮原子的氣體可通過(guò)質(zhì)譜儀作為質(zhì)荷比(m/z) = 28的氣體而 檢測(cè)出。含碳原子的氣體、含氮原子的氣體為通過(guò)對(duì)瓣射制膜時(shí)的膜基材(或形成于其表面 的硬涂層或光學(xué)調(diào)節(jié)層等）的等離子體損傷等而從透明膜基材被釋放到制膜氣氛中的氣 體。
[0063] 本發(fā)明中，進(jìn)行基底導(dǎo)電層21的形成的制膜室201中的施加電功率為進(jìn)行基底導(dǎo) 電層21和主導(dǎo)電層25的形成的各制膜室201~204中的施加電功率的合計(jì)的5%~20%。通 過(guò)W整體的5% W上的施加電功率進(jìn)行基底導(dǎo)電層的瓣射制膜，可W增大從透明膜基材10 向制膜室201放出的外部氣體的量。具體地說(shuō)，可W使在進(jìn)行基底導(dǎo)電層21的形成的制膜室 201內(nèi)利用四級(jí)桿質(zhì)譜儀測(cè)定的質(zhì)荷比為28的氣體分壓為在各制膜室201~204中利用四級(jí) 桿質(zhì)譜儀測(cè)定的質(zhì)荷比為28的氣體分壓的合計(jì)的70% W上。制膜室201內(nèi)的質(zhì)荷比為28的 氣體分壓優(yōu)選為全部制膜室201~204的質(zhì)荷比為28的氣體分壓的合計(jì)的75% W上，更優(yōu)選 為80% W上，進(jìn)一步優(yōu)選為85% W上。質(zhì)荷比為28的氣體分壓可W通過(guò)設(shè)置于各制膜室的 在線四級(jí)桿質(zhì)譜儀(Q-mass)來(lái)監(jiān)測(cè)。
[0064] 如上述專利文獻(xiàn)3(日本特開(kāi)2010-282785號(hào)公報(bào)）中記載的那樣，若制膜氣氛中存 在從基材揮發(fā)的含碳原子的氣體、含氮原子的氣體，則會(huì)對(duì)透明電極層的制膜后的結(jié)晶化 行為產(chǎn)生影響。因此，為了形成能夠W短時(shí)間進(jìn)行結(jié)晶化的透明電極層，通常認(rèn)為制膜氣氛 中的質(zhì)荷比為28的氣體分壓小較好。與此相對(duì)，本發(fā)明中，在基底導(dǎo)電層21的瓣射制膜時(shí)使 含碳原子的氣體、含氮原子的氣體主動(dòng)從基材釋放到制膜室201，由此可W降低在其上對(duì)主 導(dǎo)電層25進(jìn)行制膜時(shí)的制膜室202~204中的含碳原子的氣體、含氮原子的氣體的分壓（由 Q-mass計(jì)測(cè)的質(zhì)荷比為28的氣體分壓）。因此，可W使占透明電極層20的主要膜厚的主導(dǎo)電 層25形成能夠W短時(shí)間進(jìn)行結(jié)晶化且低電阻的導(dǎo)電膜。
[0065] 需要說(shuō)明的是，根據(jù)本發(fā)明人的研究，在專利文獻(xiàn)3中公開(kāi)的轟擊處理中，未觀察 到制膜室內(nèi)的質(zhì)荷比為28的氣體分壓的上升，僅在利用IT0祀材(氧化銅與氧化錫的混合燒 結(jié)祀材)進(jìn)行基底導(dǎo)電層的制膜的情況下，制膜室201內(nèi)的質(zhì)荷比為28的氣體分壓上升。推 測(cè)運(yùn)是因?yàn)?，如本發(fā)明運(yùn)樣通過(guò)利用氧化物祀材進(jìn)行制膜，從而對(duì)祀材施加電功率而產(chǎn)生 氧等離子體，到達(dá)基材表面的氧等離子體具有將含碳原子的氣體、含氮原子的氣體從膜基 材"趕出"到制膜室內(nèi)的作用。
[0066] 在基底導(dǎo)電層21的形成時(shí)，為了增大釋放到制膜室201內(nèi)的含碳原子的氣體、含氮 原子的氣體的氣體分壓，減小之后的制膜室202~204中的含碳原子的氣體、含氮原子的氣 體的氣體分壓，基底導(dǎo)電層21制膜時(shí)的施加電功率優(yōu)選為全部制膜室201~204中的施加電 功率的合計(jì)的7% W上，更優(yōu)選為8% W上。另一方面，若基底導(dǎo)電層21的施加電功率過(guò)大， 則透明電極層20中的基底導(dǎo)電層21所占的膜厚比例增大，因此具有透明電極層變成高電 阻、結(jié)晶化需要長(zhǎng)時(shí)間的傾向。因此，基底導(dǎo)電層21的施加電功率優(yōu)選為全部制膜室201~ 204中的施加電功率的合計(jì)的17 % W下，更優(yōu)選為15 % W下?；讓?dǎo)電層21制膜的電功率密 度優(yōu)選為0.5W/cm2~8W/cm2，更優(yōu)選為0.8W/cm2~7W/cm2，進(jìn)一步優(yōu)選為lW/cm2~6W/cm2。
[0067] 在基底導(dǎo)電層21的制膜中，與主導(dǎo)電層的制膜時(shí)相比，制膜室201中的含碳原子的 氣體、含氮原子的氣體的濃度高，因而，基底導(dǎo)電層21自身會(huì)成為相對(duì)難W結(jié)晶化的層。另 一方面，基底導(dǎo)電層21自身也構(gòu)成透明電極層20的一部分，因而為了縮短透明電極層20整 體的結(jié)晶化時(shí)間，優(yōu)選形成易于結(jié)晶化的組成的口0作為基底導(dǎo)電層21。通常，IT0中的氧化 錫的含量越小，則抑制氧化銅的結(jié)晶化的載體雜質(zhì)越少，因此具有結(jié)晶化時(shí)間變短的傾向。 因此，基底導(dǎo)電層21的氧化錫的含量?jī)?yōu)選小于主導(dǎo)電層25的氧化錫含量?；讓?dǎo)電層21中， 優(yōu)選相對(duì)于氧化銅與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量為8重量％ ^下，優(yōu)選為6重量％ W下， 進(jìn)一步優(yōu)選為4重量％ ^下。需要說(shuō)明的是，基底導(dǎo)電層21也可W為不含有氧化錫的氧化 銅。
[0068] 在基底導(dǎo)電層21的形成后，在第二制膜室202和第Ξ制膜室203對(duì)基材側(cè)主導(dǎo)電層 22進(jìn)行瓣射制膜，在第四制膜室204對(duì)表面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層23進(jìn)行瓣射制膜，從而形成主導(dǎo)電層 25。本發(fā)明的制造方法中，在主導(dǎo)電層25的制膜之前形成基底導(dǎo)電層21，此時(shí)釋放出透明膜 基材中的氣體。因此，在主導(dǎo)電層25形成時(shí)的各制膜室202~204中，通過(guò)Q-mass測(cè)定的質(zhì)荷 比為28的氣體分壓減小，可形成能夠W短時(shí)間進(jìn)行結(jié)晶化的主導(dǎo)電層25。
[0069] 在主導(dǎo)電層25的形成中，與進(jìn)行最初的IT0薄膜、即與基底導(dǎo)電層21接觸的IT0薄 膜22a的制膜的制膜室202中的施加電功率相比，隨后進(jìn)行IT0薄膜22b的制膜的制膜室203 中的施加電功率增大。在基底導(dǎo)電層21的正上方形成IT0薄膜22a時(shí)，在基底導(dǎo)電層21形成 時(shí)放出的制膜室201內(nèi)的氣體、或吸附于基底導(dǎo)電層21的表面的氣體有時(shí)會(huì)被帶入制膜室 202中。本發(fā)明的制造方法中，通過(guò)相對(duì)地減小基底導(dǎo)電層21的正上方的IT0薄膜2^1的制膜 時(shí)的施加電功率，可W抑制被帶入制膜室202內(nèi)的氣體對(duì)結(jié)晶化所產(chǎn)生的影響。然后，通過(guò) 在與制膜室202相鄰的制膜室203中W相對(duì)高的電功率對(duì)IT0薄膜22b進(jìn)行制膜，能夠W高速 率制膜形成由含碳原子的氣體、含氮原子的氣體產(chǎn)生的影響少的高品質(zhì)的膜。
[0070] 從提高透明導(dǎo)電膜的生產(chǎn)率的觀點(diǎn)出發(fā)，IT0薄膜22b制膜時(shí)的制膜室203中的施 加電功率優(yōu)選為與基底導(dǎo)電層21接觸的IT0薄膜22a制膜時(shí)的制膜室202中的施加電功率的 1.1倍W上，更優(yōu)選為1.3倍W上，進(jìn)一步優(yōu)選為1.5倍W上。另一方面，從抑制對(duì)IT0薄膜22b 制膜時(shí)作為基底的口0薄膜22a等的損傷的觀點(diǎn)出發(fā)，IT0薄膜22b制膜時(shí)的施加電功率優(yōu)選 為IT0薄膜22a制膜時(shí)的施加電功率的5倍W下，更優(yōu)選為4倍W下，進(jìn)一步優(yōu)選為3倍W下。
[0071] 需要說(shuō)明的是，基底導(dǎo)電層21制膜時(shí)的制膜室201中的施加電功率與IT0薄膜22a 制膜時(shí)的制膜室202中的施加電功率之比沒(méi)有特別限定。從適當(dāng)?shù)乇３只讓?dǎo)電層與主導(dǎo) 電層的膜厚比的觀點(diǎn)出發(fā)，ΙΤΟ薄膜22a制膜時(shí)的施加電功率優(yōu)選大于基底導(dǎo)電層21制膜時(shí) 的施加電功率。IT0薄膜22a制膜時(shí)的施加電功率更優(yōu)選為基底導(dǎo)電層21制膜時(shí)的施加電功 率的1.1倍~5倍，進(jìn)一步優(yōu)選為1.3倍~4倍、特別優(yōu)選為1.5倍~3倍。另外，IT0薄膜22bf|jU 膜時(shí)的施加電功率優(yōu)選為基底導(dǎo)電層21制膜時(shí)的施加電功率的1.5倍~10倍，更優(yōu)選為2倍 ~8倍，進(jìn)一步優(yōu)選為3倍~6倍。
[0072] 與基底導(dǎo)電層21接觸的IT0薄膜2?制膜時(shí)的電功率密度優(yōu)選為0.8W/cm2~9W/ cm2，更優(yōu)選為1.0W/cm2~6W/cm2，進(jìn)一步優(yōu)選為1.2W/cm2~抓/cm2。IT0薄膜22a上的IT0薄膜 2化制膜時(shí)的電功率密度優(yōu)選為l.OW/cm2~12W/cm2,更優(yōu)選為1.抓/cm 2~9W/cm2,進(jìn)一步優(yōu) 選為 2.0W/cm2 ~6W/cm2。
[0073] 為了提高透明電極層20的載流子密度而進(jìn)行低電阻化，優(yōu)選增大主導(dǎo)電層25中的 氧化錫的含量。主導(dǎo)電層25中，優(yōu)選相對(duì)于氧化銅與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量大于基 底導(dǎo)電層21中的相對(duì)于氧化銅與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量。為了使透明電極層低電阻 化，主導(dǎo)電層25中的相對(duì)于氧化銅與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量?jī)?yōu)選為6重量％^上，更 優(yōu)選為7重量％ ^上，進(jìn)一步優(yōu)選為8重量％ ^上。另外，為了縮短透明電極層的結(jié)晶化時(shí) 間，主導(dǎo)電層25中的相對(duì)于氧化銅與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量?jī)?yōu)選為15重量％ W下， 更優(yōu)選為13重量％ ^下，進(jìn)一步優(yōu)選為12重量％ ^下。需要說(shuō)明的是，如圖2所示，在主導(dǎo)電 層25由氧化錫含量不同的多個(gè)IT0薄膜22、23形成的情況下，優(yōu)選使主導(dǎo)電層25整體的相對(duì) 于氧化銅與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量的平均值為上述范圍內(nèi)。
[0074] 在制膜室202、203中形成基材側(cè)主導(dǎo)電層22后，可W進(jìn)一步在制膜室204中形成組 成與基材側(cè)主導(dǎo)電層不同的表面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層23。例如，在基材側(cè)主導(dǎo)電層22上設(shè)置與基材 側(cè)主導(dǎo)電層22相比，相對(duì)于氧化銅與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量少的IT0薄膜作為表面 側(cè)主導(dǎo)電層23,由此可W縮短透明電極層的結(jié)晶化時(shí)間。
[0075] 表面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層23中，優(yōu)選相對(duì)于氧化銅與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量為8重 量％ ^下，更優(yōu)選為6重量％ ^下，進(jìn)一步優(yōu)選為4重量％ ^下。需要說(shuō)明的是，表面?zhèn)戎鲗?dǎo) 電層23也可W為不含有氧化錫的氧化銅。
[0076] 從使透明電極層低電阻化的方面出發(fā)，表面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層23的膜厚例如可W為Inm ~12nm左右，優(yōu)選為化m~加 m。表面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層23的膜厚優(yōu)選小于基材側(cè)主導(dǎo)電層22的膜 厚（導(dǎo)電層22a與22b的總膜厚），更優(yōu)選為基材側(cè)主導(dǎo)電層22的膜厚的90% W下，進(jìn)一步優(yōu) 選為80 % W下、特別優(yōu)選為75 % W下。表面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層23制膜時(shí)的施加電功率(和電功率密 度)優(yōu)選按照使膜厚達(dá)到上述范圍的方式進(jìn)行設(shè)定。
[0077] [透明導(dǎo)電膜的物性]
[0078] 在制膜漉256上進(jìn)行向基材上的透明電極層的制膜后，透明導(dǎo)電膜被卷取漉276所 卷取，得到透明導(dǎo)電膜的卷繞體250。在透明膜基材10上瓣射制膜而成的透明電極層20在剛 制膜后為非晶質(zhì)的IT0膜。通過(guò)對(duì)透明導(dǎo)電膜進(jìn)行加熱，IT0發(fā)生結(jié)晶化。本發(fā)明的制造方法 中，在膜厚小的基底導(dǎo)電層21上形成占透明電極層的膜厚的主要部分的主導(dǎo)電層25,因此 非晶質(zhì)IT0膜能夠W短時(shí)間的加熱而結(jié)晶化，例如，在氧的存在下、在120°C~150°C的環(huán)境 中通過(guò)30~90分鐘的加熱而進(jìn)行結(jié)晶化。對(duì)于本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜來(lái)說(shuō)，在14(TC加熱30分 鐘所致的結(jié)晶化后的透明電極層的表面電阻優(yōu)選為210 Ω /□ W下，更優(yōu)選為180 Ω /□ W 下，進(jìn)一步優(yōu)選為150 Ω/ΠΚ下。
[0079] [透明導(dǎo)電膜的用途]
[0080] 利用本發(fā)明的制造方法得到的透明導(dǎo)電膜可W用作顯示器、發(fā)光元件、光電轉(zhuǎn)換 元件等的透明電極。特別是，由于結(jié)晶化后的透明電極層為低電阻，因而優(yōu)選用作靜電電容 方式觸控面板的位置檢測(cè)用電極。透明導(dǎo)電膜被用于靜電電容方式的觸控面板的情況下， 透明電極層20通過(guò)濕蝕刻等而圖案化成電極形成部和電極非形成部。
[0081 ]實(shí)施例
[0082] W下，舉出實(shí)施例來(lái)更具體地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于運(yùn)些實(shí)施例。
[0083] [測(cè)定方法]
[0084] (表面電阻和電阻率）
[0085] 關(guān)于透明電極層的表面電阻，利用低電阻率計(jì)Loresta GP(MCP-T710、S菱化學(xué)社 制造），通過(guò)四探針壓接測(cè)定進(jìn)行測(cè)定。關(guān)于結(jié)晶化后的透明電極層的表面電阻，將結(jié)晶化 完成的樣品從烘箱中取出，冷卻至室溫后進(jìn)行測(cè)定。另外，由表面電阻與膜厚之積計(jì)算出電 阻率。
[0086] [實(shí)施例。
[0087] 在實(shí)施例1中，使用卷取式瓣射制膜裝置，在透明膜基材上對(duì)基底導(dǎo)電層、基材側(cè) 主導(dǎo)電層和表面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層形成的透明電極層進(jìn)行制膜，由此制作透明導(dǎo)電膜。
[0088] 作為透明膜基材，使用雙面形成有由氨基甲酸醋系樹(shù)脂形成的硬涂層的厚度50皿 的PET膜。該透明膜基材的卷繞體被導(dǎo)入卷取式瓣射制膜裝置內(nèi)。將加熱漉的溫度調(diào)節(jié)為 l〇〇°C、制膜漉調(diào)節(jié)為40°C，將加熱室內(nèi)和制膜室內(nèi)減壓至1 X 10-中aW下，進(jìn)行14分鐘預(yù)瓣 射。之后，向各制膜室供給氣和氧，壓力調(diào)節(jié)為〇.2Pa。用于基底導(dǎo)電層形成的制膜室201中 的氧供給量為4. Osccm，用于主導(dǎo)電層形成的制膜室202、203、304各自中的氧供給量為 1.3sccm〇
[0089] 將膜基材W7.7m/分鐘從送出漉271側(cè)向卷取漉276側(cè)搬運(yùn)，用加熱漉251將膜加熱 后，在制膜漉256上通過(guò)下述條件進(jìn)行透明電極層的制膜。在第一制膜室201內(nèi)，使用氧化錫 含量為3%的IT0祀材，W電功率密度1.4W/cm2施加電功率，進(jìn)行基底導(dǎo)電層21的制膜。在第 二制膜室202內(nèi)，使用氧化錫含量為10%的口0祀材，W電功率密度3. OW/cm2施加電功率，進(jìn) 行基材側(cè)主導(dǎo)電層22a的制膜。在第Ξ制膜室203內(nèi)，使用氧化錫含量為10%的IT0祀材，W 電功率密度5.6W/cm2施加電功率，進(jìn)行基材側(cè)主導(dǎo)電層22b的制膜。在第四制膜室204內(nèi)，使 用氧化錫含量為3%的IT0祀材，W電功率密度5.6W/cm2施加電功率，進(jìn)行表面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層 23的制膜。需要說(shuō)明的是，各層的制膜中使用的祀材的面積相同，進(jìn)行基底導(dǎo)電層的形成的 制膜室中的施加電功率為全部制膜室的施加電功率的9.0%。
[0090] 關(guān)于在與上述各層相同的條件下制造單一的膜時(shí)的膜厚，基底導(dǎo)電層21為化m，基 材側(cè)主導(dǎo)電層22a和22b分別為4nm和8nm，表面?zhèn)葘?dǎo)電層23為8nm。
[0091] [實(shí)施例2]
[0092] 在實(shí)施例2中，將基底導(dǎo)電層制膜時(shí)的施加電功率密度變更為l.OW/cm2(相對(duì)于總 電功率之比為6.6%)，除此W外，與實(shí)施例1同樣地制作透明導(dǎo)電膜。基底導(dǎo)電層21的膜厚 為1.5nm。
[0093] [比較例1]
[0094] 在比較例1中，將基底導(dǎo)電層制膜時(shí)的施加電功率密度變更為0.5W/cm2(相對(duì)于總 電功率之比為3.4%)，除此W外，與實(shí)施例1同樣地制作透明導(dǎo)電膜?；讓?dǎo)電層21的膜厚 為 lnm〇
[0095]各實(shí)施例和比較例的透明導(dǎo)電膜的制造條件（電功率密度和各制膜室中的m/z = 28的氣體分壓）、W及通過(guò)140°C30分鐘的加熱使透明導(dǎo)電膜結(jié)晶化后的表面電阻、電阻率、 和透射率示于表1。另外，對(duì)各實(shí)施例和比較例的第一制膜室(基底導(dǎo)電層21的制膜室)的電 功率相對(duì)于全部制膜室的電功率的合計(jì)之比、與各制膜室中通過(guò)在線Q-mass測(cè)定的m/z = 28的氣體分壓的關(guān)系作圖，示于圖4。
[0096；
[0097]如圖4所示，可知:通過(guò)增大基底導(dǎo)電層制膜時(shí)的施加電功率，第一制膜室中的m/z =28的氣體分壓增大，與此相伴，主導(dǎo)電層的制膜環(huán)境(第二、第Ξ、第四制膜室）中的m/z = 28的氣體分壓減小。即，在基底導(dǎo)電層的制膜時(shí)，基材中的含碳原子的氣體和含氮原子的氣 體被釋放出，因此主導(dǎo)電層制膜時(shí)的含碳原子的氣體和含氮原子的氣體釋放量降低。
[009引在實(shí)施例巧日實(shí)施例2中，在140°C加熱30分鐘后的電阻率低于3Xl0-4Qcm，透射率 也變?yōu)?0 %。另一方面，在比較例1中，與實(shí)施例1、2相比，電阻率高，透射率小。認(rèn)為運(yùn)是因 為，在比較例1中，在14(TC、30分鐘的加熱中，結(jié)晶化未充分進(jìn)行。認(rèn)為其原因是：由于基底 導(dǎo)電層制膜時(shí)的施加電功率小，基材中的氣體未被充分釋放出，主導(dǎo)電層制膜時(shí)的釋放氣 體量增大，因此結(jié)晶化所需要的時(shí)間變長(zhǎng)。
[0099] 由W上結(jié)果可知，通過(guò)使基底導(dǎo)電層制膜時(shí)的施加電功率為特定范圍，使透明膜 基材中的氣體放出，可W減小主導(dǎo)電層制膜氣氛的含碳原子的氣體、含氮原子的氣體的濃 度，由此可得到能夠W短時(shí)間的加熱而結(jié)晶化的透明導(dǎo)電膜。
[0100] 符號(hào)說(shuō)明
[0101] 10U102 透明導(dǎo)電膜
[0102] 10 透明膜基材
[0103] 20 透明電極層
[0104] 21 基底導(dǎo)電層
[0105] 25 主導(dǎo)電層
[0106] 22 基材側(cè)主導(dǎo)電層
[0107] 23 表面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層
[010引200 瓣射制膜裝置
[0109] 271 送出漉
[0110] 276 卷取漉
[0111] 209 加熱室
[0112] 251 加熱漉
[0113] 256 制膜漉
[0114] 201~204 制膜室
[0115] 221 ~224 祀材
[0116] 281 ~284 陰極
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種透明導(dǎo)電膜的制造方法，其為利用卷取式濺射制膜裝置制造在透明膜基材上具 備透明電極層的透明導(dǎo)電膜的方法，所述卷取式濺射制膜裝置具備與制膜輥相鄰接的至少 3個(gè)制膜室， 所述制造方法具有基底導(dǎo)電層形成工序和主導(dǎo)電層形成工序， 所述基底導(dǎo)電層形成工序是，在所述卷取式濺射制膜裝置內(nèi)，從透明膜基材的卷繞體 送出透明膜基材，在所述制膜輥上進(jìn)行搬運(yùn)，同時(shí)，在1個(gè)以上的制膜室中進(jìn)行濺射制膜，形 成由銦-錫復(fù)合氧化物薄膜形成的膜厚為〇.5nm~4nm的基底導(dǎo)電層， 所述主導(dǎo)電層形成工序是，在2個(gè)以上的制膜室中依次進(jìn)行濺射制膜，在所述基底導(dǎo)電 層上形成由銦-錫復(fù)合氧化物薄膜形成的總膜厚為8nm~25nm的主導(dǎo)電層， 進(jìn)行所述基底導(dǎo)電層的形成的制膜室中的施加電功率為進(jìn)行所述基底導(dǎo)電層和所述 主導(dǎo)電層的形成的各制膜室中的施加電功率的合計(jì)的5 %~2 0 %， 在所述主導(dǎo)電層形成工序中，與最初對(duì)ITO薄膜進(jìn)行制膜的制膜室中的施加電功率相 比，隨后對(duì)ITO薄膜進(jìn)行制膜的制膜室中的施加電功率較大， 在進(jìn)行所述基底導(dǎo)電層的形成的制膜室內(nèi)利用四級(jí)桿質(zhì)譜儀測(cè)定的質(zhì)荷比為28的氣 體分壓為在進(jìn)行所述基底導(dǎo)電層和所述主導(dǎo)電層的形成的各制膜室中利用四級(jí)桿質(zhì)譜儀 測(cè)定的質(zhì)荷比為2 8的氣體分壓的合計(jì)的7 5 %以上。2. 如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜的制造方法，其中，所述基底導(dǎo)電層中，相對(duì)于氧化 銦與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量為8重量％以下。3. 如權(quán)利要求1或2所述的透明導(dǎo)電膜的制造方法，其中，所述主導(dǎo)電層具備基材側(cè)主 導(dǎo)電層和表面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層，所述表面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層與所述基材側(cè)主導(dǎo)電層相比，相對(duì)于氧化 銦與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量較少， 在所述主導(dǎo)電層形成工序中，在2個(gè)以上的制膜室中對(duì)所述基材側(cè)主導(dǎo)電層進(jìn)行濺射 制膜，之后在其上對(duì)所述表面?zhèn)戎鲗?dǎo)電層進(jìn)行濺射制膜。4. 如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電膜的制造方法，其中，所述主導(dǎo)電層中，相 對(duì)于氧化銦與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量為6重量％~15重量％，并且，與所述基底導(dǎo)電 層中的相對(duì)于氧化銦與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量相比，所述主導(dǎo)電層中的相對(duì)于氧化 銦與氧化錫的合計(jì)的氧化錫的含量較大。5. 如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電膜的制造方法，其中，從所述卷繞體送出 的透明膜基材在被搬運(yùn)至所述制膜輥上之前進(jìn)行加熱處理。6. 如權(quán)利要求5所述的透明導(dǎo)電膜的制造方法，其中，所述加熱處理通過(guò)使所述透明膜 基材與加熱輥接觸來(lái)進(jìn)行。
【文檔編號(hào)】H01B13/00GK105874545SQ201580003747
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2015年2月27日
【發(fā)明人】上田拓明
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社鐘化