晶圓刻蝕裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種晶圓刻蝕裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]晶圓是制作硅半導(dǎo)體集成電路所用的硅芯片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。在采用晶圓制作半導(dǎo)體器件的過(guò)程中，為了滿足晶圓晶粒的分割以及半導(dǎo)體器件電特性的需求，人們對(duì)晶圓溝槽刻蝕均勻性的要求越來(lái)越高。
[0003]為了使刻蝕后的晶圓的溝槽深度和寬度都達(dá)到理想的要求，現(xiàn)有技術(shù)中通常采用減少一次蝕刻中晶圓數(shù)量的方式，來(lái)增加每個(gè)晶圓與刻蝕溶液的接觸面積，保證晶圓溝槽刻蝕的均勻性，但是，這種刻蝕方式往往會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)周期較長(zhǎng)，生產(chǎn)效率較低。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型提供了一種晶圓刻蝕裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中采用減少一次蝕刻中晶圓數(shù)量，保證晶圓溝槽刻蝕的均勻性的方式，生產(chǎn)周期較長(zhǎng)，生產(chǎn)效率較低的問(wèn)題。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了如下技術(shù)方案:
[0006]一種晶圓刻蝕裝置，包括:
[0007]載體，所述載體包括多個(gè)可承載晶圓的卡槽，所述晶圓可在所述卡槽內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)；
[0008]位于所述載體以及所述晶圓底部的傳動(dòng)裝置，所述傳動(dòng)裝置帶動(dòng)所述晶圓轉(zhuǎn)動(dòng)，使所述晶圓與所述載體內(nèi)的刻蝕溶液均勻反應(yīng)。
[0009]優(yōu)選的，所述傳動(dòng)裝置包括:
[0010]位于所述晶圓底部且?guī)?dòng)所述晶圓轉(zhuǎn)動(dòng)的傳送帶；
[0011]帶動(dòng)所述傳送帶勻速運(yùn)行的傳動(dòng)輪；
[0012]通過(guò)傳動(dòng)軸與所述傳動(dòng)輪相連的電機(jī)。
[0013]優(yōu)選的，所述電機(jī)按照預(yù)設(shè)速度運(yùn)行，并帶動(dòng)所述晶圓勻速轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0014]優(yōu)選的，所述傳送帶、傳動(dòng)輪以及傳動(dòng)軸均為耐酸性材質(zhì)。
[0015]優(yōu)選的，所述載體為鐵氟龍舟。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型所提供的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0017]本實(shí)用新型所提供的晶圓刻蝕裝置，包括可承載晶圓的載體以及位于所述載體以及晶圓底部的傳動(dòng)裝置，由于傳動(dòng)裝置能夠帶動(dòng)晶圓勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，因此，就相當(dāng)于將晶圓放置在流動(dòng)的刻蝕溶液中，這樣與晶圓反應(yīng)后的廢棄溶液就能夠及時(shí)流動(dòng)更新，從而提高了生產(chǎn)效率，縮短了生產(chǎn)周期；并且，由于晶圓與刻蝕溶液相對(duì)勻速運(yùn)動(dòng)，因此，晶圓各個(gè)區(qū)域的反應(yīng)速度趨于一致，從而達(dá)到保證晶圓溝槽刻蝕均勻性的目的。
【附圖說(shuō)明】
[0018]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例提供的晶圓刻蝕裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例提供的傳動(dòng)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]正如【背景技術(shù)】所述，現(xiàn)有技術(shù)中通常采用減少一次蝕刻中晶圓數(shù)量的方式，來(lái)增加每個(gè)晶圓與刻蝕溶液的接觸面積，保證晶圓溝槽刻蝕的均勻性，但是，這種刻蝕方式往往會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)周期較長(zhǎng)，生產(chǎn)效率較低。
[0022]基于此，本實(shí)用新型提供了一種晶圓刻蝕裝置，以克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題，包括:
[0023]載體，所述載體包括多個(gè)可承載晶圓的卡槽，所述晶圓可在所述卡槽內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)；
[0024]位于所述載體以及所述晶圓底部的傳動(dòng)裝置，所述傳動(dòng)裝置帶動(dòng)所述晶圓勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，使所述晶圓與所述載體內(nèi)的刻蝕溶液均勻反應(yīng)。
[0025]本實(shí)用新型所提供的晶圓刻蝕裝置，包括可承載晶圓的載體以及位于所述載體以及晶圓底部的傳動(dòng)裝置，由于傳動(dòng)裝置能夠帶動(dòng)晶圓勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，因此，就相當(dāng)于將晶圓放置在流動(dòng)的刻蝕溶液中，這樣與晶圓反應(yīng)后的廢棄溶液就能夠及時(shí)流動(dòng)更新，從而提高了生產(chǎn)效率，縮短了生產(chǎn)周期；并且，由于晶圓與刻蝕溶液相對(duì)勻速運(yùn)動(dòng)，因此，晶圓各個(gè)區(qū)域的反應(yīng)速度趨于一致，從而達(dá)到保證晶圓溝槽刻蝕均勻性的目的。
[0026]為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0027]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型，但是本實(shí)用新型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣，因此本實(shí)用新型不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。
[0028]其次，本實(shí)用新型結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本實(shí)用新型實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表示裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0029]本實(shí)施例提供了一種晶圓刻蝕裝置，用于晶圓深槽的刻蝕，以制作集成電路及半導(dǎo)體器件。如圖1所示，本實(shí)施例中的晶圓刻蝕裝置包括:載體10和傳動(dòng)裝置20，其中，所述載體10具有多個(gè)可承載晶圓的卡槽101，所述卡槽101可放置晶圓102，且晶圓102可在所述卡槽101內(nèi)自由轉(zhuǎn)動(dòng)；傳動(dòng)裝置20位于所述載體10的底面以及所述晶圓102的底部，在所述晶圓102上刻蝕深槽時(shí)，所述傳動(dòng)裝置20帶動(dòng)所述晶圓102轉(zhuǎn)動(dòng)，使所述晶圓102與所述載體10內(nèi)的刻蝕溶液均勻反應(yīng)。
[0030]本實(shí)施例中，載體10優(yōu)選為鐵氟龍舟，其材質(zhì)是鐵氟龍，耐酸堿，不易被刻蝕溶液腐蝕，且其內(nèi)部為弧形設(shè)計(jì)，且具有多個(gè)卡槽，在卡槽內(nèi)放置晶圓后，晶圓可自由轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0031]并且，本實(shí)施例中的傳動(dòng)裝置20，如圖2所示，包括:位于所述晶圓102底部且?guī)?dòng)所述晶圓102轉(zhuǎn)動(dòng)的傳送帶201 ;帶動(dòng)所述傳送帶201勾速運(yùn)行的傳動(dòng)輪202 ;通過(guò)傳動(dòng)軸203與所述傳動(dòng)輪202相連的電機(jī)204。其中，傳送帶201可帶動(dòng)晶圓102的邊緣沿某一方向轉(zhuǎn)動(dòng)，當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，傳送帶也可帶動(dòng)晶圓以其他方式轉(zhuǎn)動(dòng)，本實(shí)用新型并不僅限于此。
[0032]由于載體10內(nèi)承載有刻蝕溶液，因此，位于載體10底面的傳送帶201必須為耐酸性材質(zhì)，并且，需要同樣耐酸性材質(zhì)的傳動(dòng)輪202以及傳動(dòng)軸203與電機(jī)204相連。在電機(jī)204設(shè)置一定的轉(zhuǎn)速并啟動(dòng)后，電機(jī)204通過(guò)傳動(dòng)軸203的傳動(dòng)使傳送帶201轉(zhuǎn)動(dòng)起來(lái)，由于傳送帶201在轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)也帶動(dòng)了晶圓102的轉(zhuǎn)動(dòng)，因此，就增加了刻蝕溶液在晶圓102表面的流動(dòng)，使得刻蝕反應(yīng)快速且均勻，最終達(dá)到了溝槽深寬度蝕刻均勻的效果。
[0033]本實(shí)施例提供的晶圓刻蝕裝置，包括可承載晶圓的載體以及位于所述載體以及晶圓底部的傳動(dòng)裝置，由于傳動(dòng)裝置能夠帶動(dòng)晶圓勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，因此，就相當(dāng)于將晶圓放置在流動(dòng)的刻蝕溶液中，這樣與晶圓反應(yīng)后的廢棄溶液就能夠及時(shí)流動(dòng)更新，從而提高了生產(chǎn)效率，縮短了生產(chǎn)周期；并且，由于晶圓與刻蝕溶液相對(duì)勻速運(yùn)動(dòng)，因此，使得晶圓各個(gè)區(qū)域的反應(yīng)速度趨于一致，從而達(dá)到保證晶圓溝槽刻蝕均勻性的目的。
[0034]雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例披露如上，然而并非用以限定本實(shí)用新型。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案做出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶圓刻蝕裝置，其特征在于，包括: 載體，所述載體具有多個(gè)可承載晶圓的卡槽，所述晶圓可在所述卡槽內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)； 位于所述載體以及所述晶圓底部的傳動(dòng)裝置，所述傳動(dòng)裝置帶動(dòng)所述晶圓勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，使所述晶圓與所述載體內(nèi)的刻蝕溶液均勻反應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述傳動(dòng)裝置包括: 位于所述晶圓底部且?guī)?dòng)所述晶圓轉(zhuǎn)動(dòng)的傳送帶； 帶動(dòng)所述傳送帶勻速運(yùn)行的傳動(dòng)輪； 通過(guò)傳動(dòng)軸與所述傳動(dòng)輪相連的電機(jī)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述電機(jī)按照預(yù)設(shè)速度運(yùn)行，并帶動(dòng)所述晶圓勻速轉(zhuǎn)動(dòng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述傳送帶、傳動(dòng)輪以及傳動(dòng)軸均為耐酸性材質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述載體為鐵氟龍舟。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供了一種晶圓刻蝕裝置，包括：載體，所述載體具有多個(gè)可承載晶圓的卡槽，所述晶圓可在所述卡槽內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)；位于所述載體以及所述晶圓底部的傳動(dòng)裝置，所述傳動(dòng)裝置帶動(dòng)所述晶圓勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，使所述晶圓與所述載體內(nèi)的刻蝕溶液均勻反應(yīng)。由于傳動(dòng)裝置能夠帶動(dòng)晶圓勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，因此，就相當(dāng)于將晶圓放置在流動(dòng)的刻蝕溶液中，這樣與晶圓反應(yīng)后的廢棄溶液就能夠及時(shí)流動(dòng)更新，從而提高了生產(chǎn)效率，縮短了生產(chǎn)周期；并且，由于晶圓與刻蝕溶液相對(duì)勻速運(yùn)動(dòng)，因此，晶圓各個(gè)區(qū)域的反應(yīng)速度趨于一致，從而達(dá)到保證晶圓溝槽刻蝕均勻性的目的。
【IPC分類(lèi)】H01L21-67
【公開(kāi)號(hào)】CN204289403
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420556400
【發(fā)明人】汪良恩, 汪曦凌
【申請(qǐng)人】安徽安芯電子科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2014年9月25日