傳感面面朝下的狀態(tài)置入開(kāi)口或空腔中的示意圖；
[0050]圖6a_圖6b是以封裝材料封裝圖5b所示器件及去除器件中的粘接膜并將之倒置的不意圖；
[0051]圖7是在圖6b所示器件上設(shè)置線路的示意圖；
[0052]圖8是在圖7所示器件上設(shè)置焊接掩膜和BGA的示意圖；
[0053]圖9是本實(shí)用新型一實(shí)施例中一種電容指紋傳感器芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0054]圖10是本實(shí)用新型一實(shí)施例中一種CIS傳感器芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0055]附圖標(biāo)記說(shuō)明:指紋傳感器芯片的封裝結(jié)構(gòu)100、封裝基板110、半導(dǎo)體芯片120、半導(dǎo)體芯片傳感面121、半導(dǎo)體芯片傳感面123、導(dǎo)電連線130、封裝膠體140、基板上表面150、電路板1、第一表面101、第二表面102、開(kāi)口或空腔之側(cè)壁103、開(kāi)口或空腔之側(cè)壁104、開(kāi)口或空腔2、第一空間201、第二空間202、第三空間203、模塊對(duì)位標(biāo)識(shí)3、模塊對(duì)位標(biāo)識(shí)連接板4、著陸架(landing pad) 5、封裝材料6、第一線路層7、第一線路層表面701、第二線路層8、第二線路層表面801、導(dǎo)電通路9、粘接膜10、傳感芯片11、傳感面111、I/O焊盤(pán)112、重布線12、第三線路層13、導(dǎo)電通路14、焊接掩膜15、BGA 16、保護(hù)層17、藍(lán)寶石玻璃18、IR玻璃19、間隙20、L-橫向、V-縱向。
【具體實(shí)施方式】
[0056]以下結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案作更為具體的解釋說(shuō)明。
[0057]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體芯片的包埋式板級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的基本結(jié)構(gòu)可以包括:
[0058]電路板I，特別是PCB電路板；
[0059]第一線路層7和第二線路層8，分別設(shè)置于所述電路板I的第一表面101和第二表面102，且所述第一線路層和第二線路層經(jīng)貫穿所述電路板的導(dǎo)電通路9電連接；
[0060]傳感器芯片11，設(shè)置于所述電路板上的開(kāi)口或空腔2內(nèi)，且所述傳感器芯片11與第二線路層8電連接，特別是直接電連接；
[0061]封裝材料6，用以覆蓋所述電路板I的第一表面101、第一線路層及填充所述開(kāi)口或空腔中未被所述芯片占據(jù)的空間，進(jìn)一步的，所述封裝材料還可延伸至覆蓋電路板I的第二表面102 ；
[0062]第三線路層13，設(shè)置在封裝材料6上，并經(jīng)貫穿封裝材料的導(dǎo)電通路14與第一線路層電連接。
[0063]其中，所述傳感器芯片11的傳感面111至少自所述第二線路層8表面801露出，特別是，直接暴露于空氣中。
[0064]進(jìn)一步的，還可在所述封裝結(jié)構(gòu)中設(shè)置保護(hù)結(jié)構(gòu)，以掩蓋并保護(hù)傳感器芯片的傳感面。
[0065]進(jìn)一步的，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)可包括保護(hù)層，其至少掩蓋所述傳感器芯片的傳感面。
[0066]進(jìn)一步的，所述傳感器芯片11的I/O焊盤(pán)(I/O pad) 112經(jīng)線路與第二線路層8上的線路(Trace)電連接。更進(jìn)一步的，所述芯片的I/O pad表面與第二線路層表面801或所述電路板的最低表面處于同一平面。
[0067]進(jìn)一步的，所述電路板I表面，特別是電路板第一表面101上還設(shè)有模塊對(duì)位標(biāo)識(shí)，用以實(shí)現(xiàn)精確的倒裝芯片布置和導(dǎo)電線路互連。
[0068]更進(jìn)一步的，所述第一線路層7含有模塊對(duì)位標(biāo)識(shí)，用于輔助芯片精準(zhǔn)放置。
[0069]更進(jìn)一步的，所述第一線路層7含有模塊對(duì)位標(biāo)識(shí)3，用于輔助芯片精準(zhǔn)放置，全部標(biāo)識(shí)或部分標(biāo)識(shí)同時(shí)成為連接線路和提供導(dǎo)電功能。
[0070]而對(duì)于用于容置所述芯片的開(kāi)口或空腔2，其在豎直方向上的最高表面和最低表面分別為第一線路層表面701和第二線路層表面801，即分別為電路板的最高表面和最低表面。同時(shí)，所述開(kāi)口或空腔2在水平方向上的邊界為所述電路板I在第一表面101和第二表102面之間的開(kāi)口或空腔之側(cè)壁103、104。
[0071]進(jìn)一步的講，所述開(kāi)口或空腔2之空間包括:
[0072]第一空間201，即電路板第一表面101和第二表面102之間的開(kāi)口或空腔空間，
[0073]第二空間202，即第一空間上方表面到第一線路層表面701 (電路板最高表面)的空間，
[0074]以及，第三空間203，即第一空間下方表面到第二層線路層表面801 (電路板最低表面)的空間。
[0075]更進(jìn)一步的，所述第一空間201的側(cè)壁為電路板第一表面101和第二表面102之間的電路板連續(xù)截面，而所述第二空間和第三空間無(wú)側(cè)壁。
[0076]進(jìn)一步的，所述半導(dǎo)體芯片的包埋式板級(jí)封裝結(jié)構(gòu)還包括焊接掩膜15，用以連續(xù)覆蓋所述電路板I的第二表面102以及所述第二、第三線路層8、13和封裝材料6，但傳感器芯片11的傳感面111自覆蓋所述電路板第二表面102的焊接掩膜中露出。
[0077]第一線路層7和第二線路層8分別設(shè)于所述電路板I的第一、第二表面101、102上，且所述第一線路層表面701和第二線路層表面801分別并對(duì)應(yīng)于所述開(kāi)口或空腔2的上、下端面，也即是所述電路板的最高表面和最低表面。
[0078]在一更為具體的實(shí)施案例中，所述第一線路層還可包含模塊對(duì)位標(biāo)識(shí)，用以實(shí)現(xiàn)精確的芯片布置，該模塊對(duì)位標(biāo)識(shí)包含與線路連接的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，該線路經(jīng)由導(dǎo)電途徑與第二線路層的線路互聯(lián)，和/或，模塊對(duì)位標(biāo)識(shí)是用以實(shí)現(xiàn)精確芯片布置的對(duì)位標(biāo)識(shí)。
[0079]進(jìn)一步的，參閱圖2，所述模塊對(duì)位標(biāo)識(shí)可包含模塊對(duì)位標(biāo)識(shí)3、模塊對(duì)位標(biāo)識(shí)連接板4、著陸架5等。
[0080]優(yōu)選的，所述傳感器芯片11的傳感面111與第二線路表面801，亦即所述開(kāi)口或空腔的底端面共平面。
[0081]其中，所述第一、第二、第三線路層可優(yōu)選由Cu等材質(zhì)形成。
[0082]其中，所述的第三線路層13亦可稱為RDL (重布線層)，其與第二線路層上的線路互連。
[0083]進(jìn)一步的，傳感器芯片封裝包含RDL和與第一線路層的線路互聯(lián)的導(dǎo)電途徑。
[0084]進(jìn)一步的，RDL線路與封裝積聚層表面連接。
[0085]進(jìn)一步的，RDL線路與第一線路層上的線路經(jīng)穿過(guò)封裝材料的導(dǎo)電途徑互聯(lián)。
[0086]進(jìn)一步的，封裝材料填充于開(kāi)口或空腔內(nèi)除被傳感器芯片占據(jù)的區(qū)域之外的其余空間、開(kāi)口或空腔以上的區(qū)域，未被線路和模塊對(duì)位標(biāo)識(shí)覆蓋的區(qū)域。
[0087]進(jìn)一步的，覆蓋了第一線路層、開(kāi)口或空腔以上的區(qū)域、未被線路和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記覆蓋的區(qū)域的封裝材料是一積聚層。
[0088]進(jìn)一步的，焊接掩膜層覆蓋積聚層及積聚層上的RDL，但預(yù)留了 BGA或LGA區(qū)域。
[0089]進(jìn)一步的，焊接掩膜層覆蓋第二線路層，連接I/O pad和第二線路層上的線路，未被第二線路層覆蓋的電路板區(qū)域，但不覆蓋芯片傳感面。
[0090]進(jìn)一步的，前述的各導(dǎo)電途徑可以是導(dǎo)電盲孔(blind via)或?qū)щ奝TH(沉銅孔，Plating Through Hole)，但不限于此。
[0091]進(jìn)一步的，所述半導(dǎo)體芯片的包埋式板級(jí)封裝結(jié)構(gòu)還包括保護(hù)層，其至少連續(xù)掩蓋所述傳感器芯片的傳感面，優(yōu)選的，其至少連續(xù)掩蓋所述電路板第二表面的焊接掩膜及所述傳感器芯片的傳感面。
[0092]在一更為具體的實(shí)施案例中，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括覆設(shè)在所述保護(hù)層上的藍(lán)寶石玻璃。
[0093]在另一更為具體的實(shí)施案例中，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)進(jìn)一步紅外玻璃，其至少連續(xù)掩蓋所述電路板第二表面的焊接掩膜及所述傳感器芯片的傳感面，并且所述紅外玻璃與所述傳感器芯片的傳感面之間留有間隙，使透過(guò)所述紅外玻璃的光線能夠直接照射到所述傳感器芯片的傳感面上。
[0094]進(jìn)一步的，所述半導(dǎo)體芯片的包埋式板級(jí)封裝結(jié)構(gòu)還包括焊點(diǎn)陣列，其設(shè)置在覆蓋所述第三線路層和封裝材料表面的焊接掩膜開(kāi)口中并與第三線路層電連接，所述焊點(diǎn)陣列包括 BGA(Ball Grid Array)陣列或 LGA(Land Grid Array)陣列。
[0095]而在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體芯片的包埋式板級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法可以包括:
[0096](I)提供電路板1，所述電路板的第一表面101和第二表面102分別設(shè)置有第一線