一種低彈跳結(jié)構(gòu)的真空滅弧室縱磁線圈的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種真空滅弧室縱磁線圈，特別是一種低彈跳結(jié)構(gòu)的真空滅弧室縱磁線圈。
【背景技術(shù)】
[0002]縱磁線圈是一種應(yīng)用在真空滅弧室中，用于滅弧的觸頭設(shè)備，現(xiàn)有的小型真空滅弧室中，其滅弧所用的杯狀縱磁線圈的觸頭座線圈的構(gòu)成包括一個導(dǎo)電圓環(huán)，圓環(huán)的環(huán)壁上開有沿圓環(huán)圓周旋轉(zhuǎn)的斜槽，斜槽為非貫通結(jié)構(gòu)，斜槽的頂端低于圓環(huán)的端面，這種結(jié)構(gòu)的縱磁線圈結(jié)構(gòu)強度較大，回路電阻較高，彈跳時間長(約為2-3.5ms)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型的目的在于，提供一種低彈跳結(jié)構(gòu)的真空滅弧室縱磁線圈。本實用新型具有結(jié)構(gòu)強度小，回路電阻低，彈跳時間短的特點。
[0004]本實用新型的技術(shù)方案:一種低彈跳結(jié)構(gòu)的真空滅弧室縱磁線圈，包括有導(dǎo)電圓環(huán)，導(dǎo)電圓環(huán)的端面上設(shè)有兩個或兩個以上的半缺口，半缺口的寬度為所述導(dǎo)電圓環(huán)環(huán)壁厚度的1/3-2/3，所述半缺口的下方連接有斜槽，斜槽的厚度等于導(dǎo)電圓環(huán)環(huán)壁的厚度，所述斜槽沿導(dǎo)電圓環(huán)的中部圓周旋轉(zhuǎn)，其另一端與所述導(dǎo)電圓環(huán)底部的底槽連接。
[0005]前述的低彈跳結(jié)構(gòu)的真空滅弧室縱磁線圈，所述半缺口為6個。
[0006]前述的低彈跳結(jié)構(gòu)的真空滅弧室縱磁線圈，所述半缺口的寬度為所述導(dǎo)電圓環(huán)環(huán)壁厚度的1/2。
[0007]本實用新型的有益效果:本實用新型通過將斜槽的頂端延伸至導(dǎo)電圓環(huán)的端面，并在端面上開設(shè)寬度小于導(dǎo)電圓環(huán)環(huán)壁厚度的半缺口，減少了斜槽兩側(cè)的導(dǎo)電圓環(huán)環(huán)壁之間連接部位的尺寸，降低了線圈的結(jié)構(gòu)強度，同時降低了回路電阻，減少了彈跳時間。
[0008]實驗證明，本實用新型的彈跳時間小于或等于2ms。
【附圖說明】
[0009]附圖1為本實用新型的透視圖；
[0010]附圖2為本實用新型的正視圖；
[0011 ]附圖3為本實用新型的俯視圖。
[0012]附圖標(biāo)記說明:1_導(dǎo)電圓環(huán)，2-半缺口，3_斜槽，4-底槽。
【具體實施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進一步的說明，但并不作為對本實用新型限制的依據(jù)。
[0014]本實用新型的實施例:一種低彈跳結(jié)構(gòu)的真空滅弧室縱磁線圈，如附圖1-3所示，包括有導(dǎo)電圓環(huán)I，導(dǎo)電圓環(huán)I的端面上開設(shè)有兩個或兩個以上的半缺口 2，半缺口 2位于導(dǎo)電圓環(huán)I端面的外側(cè)，半缺口 2的寬度為所述導(dǎo)電圓環(huán)I環(huán)壁厚度的1/3-2/3，沿所述半缺口 2的下方切割出一個斜槽3，斜槽3的厚度等于導(dǎo)電圓環(huán)I環(huán)壁的厚度，所述斜槽3沿導(dǎo)電圓環(huán)I的中部圓周旋轉(zhuǎn)，使斜槽3從導(dǎo)電圓環(huán)I的上端面延伸至下端面，并與所述導(dǎo)電圓環(huán)I底部的底槽4連通。
[0015]較好的是，所述半缺口2為6個。
[0016]較好的是，所述半缺口2的寬度為所述導(dǎo)電圓環(huán)I環(huán)壁厚度的1/2。
【主權(quán)項】
1.一種低彈跳結(jié)構(gòu)的真空滅弧室縱磁線圈，其特征在于:包括有導(dǎo)電圓環(huán)(I)，導(dǎo)電圓環(huán)(I)的端面上設(shè)有兩個或兩個以上的半缺口(2)，半缺口(2)的寬度為所述導(dǎo)電圓環(huán)(I)環(huán)壁厚度的1/3-2/3，所述半缺口(2)的下方連接有斜槽(3)，斜槽(3)的厚度等于導(dǎo)電圓環(huán)(I)環(huán)壁的厚度，所述斜槽(3)沿導(dǎo)電圓環(huán)(I)的中部圓周旋轉(zhuǎn)，其另一端與所述導(dǎo)電圓環(huán)(I)底部的底槽(4)連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低彈跳結(jié)構(gòu)的真空滅弧室縱磁線圈，其特征在于:所述半缺口(2)為6個。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低彈跳結(jié)構(gòu)的真空滅弧室縱磁線圈，其特征在于:所述半缺口(2)的寬度為所述導(dǎo)電圓環(huán)(I)環(huán)壁厚度的1/2。
【專利摘要】<b>本實用新型公開了</b><b>一種低彈跳結(jié)構(gòu)的真空滅弧室縱磁線圈</b><b>，包括有導(dǎo)電圓環(huán)（1），導(dǎo)電圓環(huán)（1）的端面上設(shè)有兩個或兩個以上的半缺口（2），半缺口（2）的寬度為所述導(dǎo)電圓環(huán)（1）環(huán)壁厚度的1/3-2/3，所述半缺口（2）的下方連接有斜槽（3），斜槽（3）的厚度等于導(dǎo)電圓環(huán)（1）環(huán)壁的厚度，所述斜槽（3）沿導(dǎo)電圓環(huán)（1）的中部圓周旋轉(zhuǎn)，其另一端與所述導(dǎo)電圓環(huán)（1）底部的底槽（4）連接。</b><b>本實用新型具有結(jié)構(gòu)強度小，回路電阻低，彈跳時間短的有益效果。</b>
【IPC分類】H01H33/664
【公開號】CN205319083
【申請?zhí)枴緾N201521094437
【發(fā)明人】張毅, 周吉冰, 陳志會, 歐陽廣龍, 顧黎陽
【申請人】中國振華電子集團宇光電工有限公司（國營第七七一廠）
【公開日】2016年6月15日
【申請日】2015年12月26日