一種限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)力微泵的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)力微泵，微泵由PCB電極片和頂蓋通過硅膠膠粘而成，所述的PCB電極片是通過PCB絲網(wǎng)印刷，沉金，松香油涂覆，超精密磨削工藝加工制作。由于對(duì)電極對(duì)側(cè)面產(chǎn)生的電場(chǎng)進(jìn)行了限制，使得電場(chǎng)集中于電極表面，離子的拖拽作用都在電極表面完成，避免了電極結(jié)構(gòu)對(duì)流體運(yùn)動(dòng)的阻擋，大幅提高電流體動(dòng)力泵的動(dòng)力效果。同時(shí)，采用PCB絲網(wǎng)印刷技術(shù)作為基礎(chǔ)，不但提升了電流體動(dòng)力泵極片的生產(chǎn)效率，還可大幅降低微泵制造成本，鍍金層不但可以為電極提供良好的抗腐蝕能力，延長(zhǎng)電極的使用壽命，因金具有較強(qiáng)電子發(fā)射能力，相比于硅電極還大幅提升了單位空間內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度，進(jìn)而提升微泵的動(dòng)力性能。
【專利說明】—種限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及流體動(dòng)カ和微制造領(lǐng)域，特別涉及一種限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵法。
【背景技術(shù)】
[0002]在微電子散熱領(lǐng)域，一方面研究發(fā)現(xiàn)在微通道熱沉中對(duì)エ質(zhì)進(jìn)行強(qiáng)制對(duì)流會(huì)使散熱效果有顯著地提高而液體エ質(zhì)在微通道結(jié)構(gòu)會(huì)產(chǎn)生很高的流動(dòng)壓差常規(guī)的流體的驅(qū)動(dòng)方法在微管道中是不可行的。這就需要一種既不增加熱沉體積又能夠穩(wěn)定工作提供足夠流體出口壓カ的エ質(zhì)驅(qū)動(dòng)器來作為エ質(zhì)流動(dòng)的動(dòng)力源；而另一方面，隨著電子元器件(尤其中央處理器)體積的不斷縮小和功率密度不斷増加，下一代電子元器件對(duì)散熱功能力的要求必將大幅増加。目前高熱流器件的散熱功率已達(dá)
le6W/m2的量級(jí)，而下一代電子元器件的散熱將超過if W/m2。眾所周知，芯片表面的溫
度和其壽命是成反比的。這些熱量需要及時(shí)排出以保證芯片的溫度處于所允許的范圍內(nèi)，現(xiàn)有的風(fēng)冷技術(shù)是不可能滿足如此高的熱流密度的散熱需求。通過對(duì)芯片散熱的研究，研究人員發(fā)現(xiàn)芯片上部散熱量約占總散熱量的20%，從芯片底部散的熱量約為80%，而風(fēng)冷和傳統(tǒng)的液體冷卻技術(shù)只針對(duì)芯片上方局部散熱，不能從根本上解決問題，現(xiàn)有的電子冷卻技術(shù)無(wú)法滿足電子器件所需的散熱功率。大功率電子芯片的散熱問題已經(jīng)成為微電子行業(yè)發(fā)展的一個(gè)瓶頸，也是目前電子器件封裝和應(yīng)用必須解決的核心問題。
[0003]在微流控領(lǐng)域，自1990年瑞士 Ciba-Geigy公司的Manz等提出的以多學(xué)科交叉為重要特征的微全分析系統(tǒng)(micrototal analysis system, uTAS)以來,分析儀器朝著微型化的方向發(fā)展已成為ー種趨勢(shì)，同時(shí)也會(huì)對(duì)分析科學(xué)乃至整個(gè)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展起著重要的推動(dòng)作用和深遠(yuǎn)影響。像芯片實(shí)驗(yàn)室(Iabchip)、生物芯片(biochips)和微流控芯片(microfluidic chips)都屬這個(gè)范疇，其中微流控芯片系統(tǒng)是以分析化學(xué)為基礎(chǔ)，以微機(jī)電加工技術(shù)為依托，以微管道網(wǎng)絡(luò)為結(jié)構(gòu)特征，以生命科學(xué)為目前主要應(yīng)用對(duì)象的重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域。微型機(jī)械技術(shù)的出現(xiàn)和由此引起的分析儀器“微型化”已經(jīng)成為21世紀(jì)分析化學(xué)和分析儀器研究的重要方向，并已滲透到化學(xué)、化工以及生命科學(xué)等學(xué)科領(lǐng)域，將引起ー場(chǎng)劃時(shí)代的科技革命。在研究微流體器件吋，常常需要考慮到怎樣實(shí)現(xiàn)流體的驅(qū)動(dòng)、控制流體的流向和速度、增強(qiáng)流體之間的混合或者分離不同的離子等問題[6，7]。
[0004]而傳統(tǒng)機(jī)械泵由于體積大，功耗高，噪聲大，流量控制精度差等缺點(diǎn)無(wú)論是在微電子散熱領(lǐng)域還是在微流控方面都表現(xiàn)出了嚴(yán)重的不適應(yīng)性。
[0005]在微泵的研究方面，先后出現(xiàn)了微型機(jī)械泵，電熱泵，磁流體泵等依靠不同原理對(duì)微流體進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的方式；其中電流體動(dòng)カ泵的適應(yīng)性表現(xiàn)最為突出，其具有無(wú)運(yùn)動(dòng)部件、運(yùn)行可靠、低耗、容易制作和無(wú)需維護(hù)等優(yōu)點(diǎn)；并且可以直接同芯片或流道集成，無(wú)需獨(dú)立空間，采用直流驅(qū)動(dòng)(但并非全部)，不產(chǎn)生附加磁場(chǎng)，不會(huì)干擾電子元件工作。這類微泵不僅被認(rèn)是解決微電子行業(yè)中高熱流器件的冷卻問題的ー個(gè)突破，還可以被運(yùn)用在微流體冷卻系統(tǒng)，藥物輸送和微機(jī)電系統(tǒng)等領(lǐng)域。
[0006]電流體動(dòng)カ泵是通過液體エ質(zhì)中的離子在強(qiáng)電場(chǎng)作用下受到庫(kù)侖カ而運(yùn)動(dòng)，從而間接帶動(dòng)周圍的液體分子的運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而產(chǎn)生動(dòng)力。然而從目前的實(shí)驗(yàn)研究來看，由于平板型電流體動(dòng)カ泵的電極具有一定的厚度，在不對(duì)電極間的電場(chǎng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行限制吋，電場(chǎng)線走向大部分會(huì)沿著兩電極間最短距離產(chǎn)生，即集中在每對(duì)電極對(duì)相鄰側(cè)面之間凹處，而在電極表面產(chǎn)生的電場(chǎng)很小，然而液體エ質(zhì)運(yùn)動(dòng)的動(dòng)力主要是靠電極表面的離子在電場(chǎng)作用下運(yùn)動(dòng)而形成的對(duì)液體分子的拖拽作用產(chǎn)生的，如果大量的電場(chǎng)線集中于兩電極相鄰的側(cè)面之間，那么拖拽作用只在兩電極側(cè)面的凹處進(jìn)行，又由于存在電極結(jié)構(gòu)的阻擋，導(dǎo)致由離子運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的對(duì)于液體的推動(dòng)作用是無(wú)效的，動(dòng)カ效果很不明顯，進(jìn)而導(dǎo)致平板型電流體動(dòng)カ泵的性能欠佳，流量和出口壓カ相比于其他類型微泵并不具有優(yōu)勢(shì)；同時(shí)微泵采用硅片刻蝕エ藝制作，制作成本較高，不適合高效率批量生產(chǎn)；而另一方面硅基電極雖然穩(wěn)定性較好，但對(duì)電場(chǎng)的削弱作用較大，會(huì)在很大程度上影響泵的動(dòng)カ性能；基于以上有必要設(shè)計(jì)ー種新型微型電液動(dòng)カ泵，保證微泵穩(wěn)定性的前提下，提高泵體性能，降低微泵制造成本。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0007]本實(shí)用新型的首要目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供一種限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵。
[0008]本實(shí)用新型的另ー目的在于，提供一種限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵的制造方法。
[0009]本實(shí)用新型的首要目的通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0010]一種限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵，包括由硅膠相粘黏的PCB電極片和頂蓋，所述PCB電極片相對(duì)頂蓋的一面上通過絲網(wǎng)印刷技術(shù)加工有梳齒狀結(jié)構(gòu)的發(fā)射極和集電極，所述發(fā)射極與集電極平行交錯(cuò)分布，相鄰的發(fā)射極7和集電極構(gòu)成ー個(gè)電極對(duì)，同一電極對(duì)的集電極與發(fā)射極之間的距離為0.1mnT0.3mm，兩個(gè)電極對(duì)之間的距離為電極對(duì)中兩電極之間距離的2?3倍，發(fā)射極和集電極的厚度為20-40 ym，所有發(fā)射極末端與直流電源正極連接，所有集電極末端與直流電源負(fù)極連接；
[0011]所述頂蓋相對(duì)PCB電極片的一面突出地設(shè)置有凸臺(tái)3，所述凸臺(tái)的中間設(shè)置有圓角矩形的腔體，所述頂蓋上還分別貫穿地設(shè)置有直達(dá)所述腔體的流體入口及流體出口。
[0012]進(jìn)ー步地，所述發(fā)射極和集電極的表面設(shè)置有鍍金層，這不但為電極提供良好的抗腐蝕能力，延長(zhǎng)電極的使用壽命，相比于常規(guī)的硅電極還大幅提升了電極對(duì)內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng)度，進(jìn)而提升微泵的動(dòng)カ性能。
[0013]進(jìn)ー步地，所述鍍金層的厚度為4-6 U m。
[0014]進(jìn)ー步地，所述發(fā)射極和集電極側(cè)面的鍍金層之間還涂覆有松香油。
[0015]進(jìn)ー步地，所述凸臺(tái)高度為1mm。
[0016]進(jìn)ー步地，所述腔體的深度為0.lmnT0.5mm。
[0017]進(jìn)ー步地，所述頂蓋的寬度與PCB電極片的寬度相同，長(zhǎng)度比PCB電極片短。
[0018]進(jìn)ー步地，所述頂蓋材料為聚四氟こ烯。
[0019]所述的PCB電極片，只有電極上表面裸露在外，在電極側(cè)面之間均填有松香油，限制了相鄰兩電極側(cè)面間的電場(chǎng)強(qiáng)度，使得電場(chǎng)集中于電極表面區(qū)域。[0020]在使用限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵時(shí)，應(yīng)先將流體入口與出口分別與外部流體循環(huán)系統(tǒng)連接，讓流體充滿整個(gè)微泵腔室，然后接通直流電源，利用電液動(dòng)力效應(yīng)驅(qū)使流體流動(dòng)，產(chǎn)生泵送效果。
[0021]本實(shí)用新型的另一目的在于，提供一種限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵的制造方法，包括步驟:
[0022]( I)采用PCB絲網(wǎng)印刷技木，通過切板，壓膜，曝光，蝕刻和沖洗エ藝在覆銅板上刻蝕出帶有梳齒狀發(fā)射極和集電極結(jié)構(gòu)的PCB電極片；
[0023]( 2 )采用沉金處理工藝，在發(fā)射極和集電極的表面生成鍍金層，所述鍍金層的厚度應(yīng)達(dá)到4 ii m，并去除原始銅電極邊緣的毛刺和棱角；
[0024](3)采用涂覆的方法在已加工好的PCB電極片表面涂覆ー層松香油，松香油的厚度以能完全掩蓋電極為宜，厚度為50 u nT70 u m,同時(shí)應(yīng)保證松香油層不宜過后，否則浪費(fèi)材料和加工時(shí)間；
[0025](4)待松香油涂層徹底凝固后，采用超精密磨削エ藝，去除掉PCB電極片I表面的松香油，使得發(fā)射極和集電極表面的鍍金層從松香油中露出，使得發(fā)射極和集電極最終以電極表面剛剛露出為宜；去除量不宣過大，以防破壞電極表面鍍金層；
[0026](5)將制作好的PCB電極片采用硅膠膠粘的方式與聚四氟こ烯頂蓋結(jié)構(gòu)相連，完全固化完成后即可使用，因?yàn)樗上阌蛯?duì)于電場(chǎng)的屏蔽作用要比液體エ質(zhì)大得多，電場(chǎng)大多集中于電極表面區(qū)域，進(jìn)而對(duì)液體產(chǎn)生有效的推動(dòng)作用。
[0027]與現(xiàn)有技術(shù)方法相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0028](I)本實(shí)用新型一種限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵，由于對(duì)電極對(duì)側(cè)面產(chǎn)生的電場(chǎng)進(jìn)行了限制，使得電場(chǎng)集中于電極表面區(qū)域，離子的拖拽作用都在電極表面完成，由于避免了電極結(jié)構(gòu)對(duì)流體運(yùn)動(dòng)的阻擋，將大幅提高電流體動(dòng)カ泵的動(dòng)カ效果。
[0029](2)本實(shí)用新型一種限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵的制造方法，以PCB絲網(wǎng)印刷技術(shù)作為基礎(chǔ)，不但提升了微泵電極片的生產(chǎn)效率，同時(shí)還可大幅降低了微泵制造的成本。
[0030](3)本實(shí)用新型一種限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵的制造方法，采用沉金工藝對(duì)銅電極進(jìn)行表面處理，生成的鍍金層不但可以為電極提供良好的抗腐蝕能力，延長(zhǎng)電極的使用壽命，同時(shí)由于金具有較強(qiáng)的電子發(fā)射能力，相比于硅電極大幅提升了単位空間內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度，進(jìn)而提升微泵的動(dòng)カ性能。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0031]圖1為ー種限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵裝配示意圖。
[0032]圖2為微泵頂蓋的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]圖3為特制的PCB電極片的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]圖4為以ー對(duì)電極對(duì)為例，特制的PCB電極板的制作エ藝流程圖。
[0035]圖4 (a)為初始覆銅板示意圖。
[0036]圖4 (b)為采用PCB絲網(wǎng)印刷技術(shù)后，蝕刻出電極結(jié)構(gòu)示意圖。
[0037]圖4 (C)為采用沉金工藝后電極結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038]圖4 (d)為涂覆后的電極結(jié)構(gòu)示意圖。[0039]圖4 (e)為超精密磨削后的電極結(jié)構(gòu)示意圖。
[0040]圖5 Ca)為施加電壓后限制電場(chǎng)型電極對(duì)的電場(chǎng)形式。
[0041]圖5 (b)為施加電壓后非限制電場(chǎng)型電極對(duì)的電場(chǎng)形式。
[0042]圖中所示為:1-PCB電極片；2-頂蓋；3-凸臺(tái)；4_腔體；5_流體入口 ；6_流體出口 ；7-發(fā)射極；8_集電極；9_鍍金層；10_松香油；11_覆銅板。
【具體實(shí)施方式】
[0043]下面結(jié)合實(shí)施例及附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)ー步地詳細(xì)說明，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。
[0044]實(shí)施例1
[0045]如圖1所示，1.一種限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵，包括由硅膠相粘黏的PCB電極片I和頂蓋2，所述PCB電極片I相對(duì)頂蓋2的一面上通過絲網(wǎng)印刷技術(shù)加工有梳齒狀結(jié)構(gòu)的發(fā)射極7和集電極8，所述發(fā)射極7與集電極8平行交錯(cuò)分布，相鄰的發(fā)射極7和集電極8構(gòu)成ー個(gè)電極對(duì)，同一電極對(duì)的集電極7與發(fā)射極8之間的距離為0.lmnT0.3mm,兩個(gè)電極對(duì)之間的距離為電極對(duì)中兩電極之間距離的2?3倍，發(fā)射極7和集電極8的厚度為20-40 y m，所有發(fā)射極8末端與直流電源正極連接，所有集電極末端與直流電源負(fù)極連接
[0046]所述頂蓋2相對(duì)PCB電極片I的一面突出地設(shè)置有凸臺(tái)3，所述凸臺(tái)3的中間設(shè)置有圓角矩形的腔體4，所述頂蓋2上還分別貫穿地設(shè)置有直達(dá)所述腔體4的流體入口 5及流體出口 6。
[0047]如圖2所示，頂蓋2具有凸臺(tái)3結(jié)構(gòu)，凸臺(tái)3高度為1mm，為涂膠預(yù)留空間。凸臺(tái)3上有同時(shí)加工有圓角矩形的內(nèi)腔作為腔體4，腔體4深度為0.3mm，頂蓋2的寬度與特制的PCB電極片I的寬度大小一致，長(zhǎng)度比特制的PCB電極片I略短。頂蓋2的材料選用聚四氟こ烯，頂蓋2上分別開有流體入口 5和流體出ロ 6。
[0048]如圖3和圖4共同所示，所述的PCB電極片I是通過絲網(wǎng)印刷技術(shù)加工而成，其上加工有梳齒狀結(jié)構(gòu)的發(fā)射極7和集電極8，發(fā)射極7與集電極8平行交錯(cuò)分布，相鄰較近的發(fā)射極7和集電極8構(gòu)成ー個(gè)電極對(duì)，同一電極對(duì)的發(fā)射極7與集電極8之間的距離為
0.1mm，兩個(gè)電極對(duì)之間的距離為電極對(duì)中兩電極之間距離的2或3倍，電極厚度為30 y m，所有發(fā)射極7末端與直流電源正極連接，所有集電極8末端與直流電源負(fù)極連接。
[0049]如圖4 (c)所示，所有電極都經(jīng)過沉金工藝處理，電極表面存在ー層鍍金層9 ;此夕卜，如圖4 (d)所示，在特制的PCB電極片I上，為了限制相鄰兩電極側(cè)面間的電場(chǎng)強(qiáng)度，確保電場(chǎng)集中于電極表面附近，所有電極只有電極上表面裸露在外，在電極側(cè)面之間均填有松香油10。
[0050]實(shí)施例2
[0051]一種限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵的制造方法，包括步驟:
[0052](I)如圖4 (b)所示，采用PCB絲網(wǎng)印刷技術(shù)，通過切板，壓膜，曝光，蝕刻和沖洗エ藝在覆銅板上刻蝕出帶有梳齒狀發(fā)射極7和集電極8結(jié)構(gòu)的PCB電極片I ;
[0053](2)如圖4 (C)所示，采用沉金處理工藝，在發(fā)射極7和集電極8的表面生成鍍金層9，所述鍍金層9的厚度應(yīng)達(dá)到4 u m,并去除原始銅電極邊緣的毛刺和棱角；[0054](3)如圖4 (d)所示，采用涂覆的方法在已加工好的PCB電極片I表面涂覆ー層松香油10，松香油10的厚度以能完全掩蓋電極為宜，厚度為50 u nT70 u m,同時(shí)應(yīng)保證松香油層不宜過后，否則浪費(fèi)材料和加工時(shí)間；
[0055](4)如圖4 (e)所示，待松香油10涂層徹底凝固后，采用超精密磨削エ藝，去除掉PCB電極片I表面的松香油10，使得發(fā)射極7和集電極8表面的鍍金層9從松香油10中露出，使得發(fā)射極7和集電極8最終以電極表面剛剛露出為宜；去除量不宣過大，以防破壞電極表面鍍金層；
[0056](5)將制作好的PCB電極片I采用硅膠膠粘的方式與聚四氟こ烯頂蓋結(jié)構(gòu)相連，完全固化完成后即可使用，因?yàn)樗上阌蛯?duì)于電場(chǎng)的屏蔽作用要比液體エ質(zhì)大得多，電場(chǎng)大多集中于電極表面區(qū)域，進(jìn)而對(duì)液體產(chǎn)生有效的推動(dòng)作用。
[0057]使用限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵時(shí)，先將流體入口 5與流體出ロ 6分別與外部流體循環(huán)系統(tǒng)連接，讓流體充滿整個(gè)微泵腔室，然后接通直流電源，利用電液動(dòng)力效應(yīng)驅(qū)使流體流動(dòng)，達(dá)到產(chǎn)生泵送效應(yīng)的目的。
[0058]上述實(shí)施例為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式并不受所述實(shí)施例的限制，其他的任何未背離本實(shí)用新型的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵，包括由硅膠相粘黏的PCB電極片(I)和頂蓋(2)，其特征在干: 所述PCB電極片(I)相對(duì)頂蓋(2)的一面上通過絲網(wǎng)印刷技術(shù)加工有梳齒狀結(jié)構(gòu)的發(fā)射極(7)和集電極(8)，所述發(fā)射極(7)與集電極(8)平行交錯(cuò)分布，相鄰的發(fā)射極(7)和集電極⑶構(gòu)成ー個(gè)電極對(duì)，同一電極對(duì)的集電極⑶與發(fā)射極⑴之間的距離為0.1mnT0.3mm，兩個(gè)電極對(duì)之間的距離為電極對(duì)中兩電極之間距離的2?3倍，發(fā)射極(7)和集電極(8)的厚度為20-40 iim，所有發(fā)射極(7)末端與直流電源正極連接，所有集電極(8)末端與直流電源負(fù)極連接； 所述頂蓋(2)相對(duì)PCB電極片(I)的一面突出地設(shè)置有凸臺(tái)(3)，所述凸臺(tái)(3)的中間設(shè)置有圓角矩形的腔體(4)，所述頂蓋(2)上還分別貫穿地設(shè)置有直達(dá)所述腔體(4)的流體入口(5)及流體出口(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵，其特征在于:經(jīng)過沉金工藝處理，所述發(fā)射極(7)和集電極(8)的表面設(shè)置有鍍金層(9)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵，其特征在于:所述鍍金層(9)的厚度為4-6 u m。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵，其特征在于:所述發(fā)射極(7)和集電極⑶側(cè)面的鍍金層(9)之間還涂覆有松香油(10)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵，其特征在于:所述凸臺(tái)(3)高度為1mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵，其特征在于:所述腔體(4)的深度為0.1mm?0.5mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵，其特征在于:所述頂蓋(2)的寬度與PCB電極片⑴的寬度相同，長(zhǎng)度比PCB電極片⑴短。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的限制電場(chǎng)型平板電流體動(dòng)カ微泵，其特征在于:所述頂蓋(2)材料為聚四氟こ烯。
【文檔編號(hào)】H02K44/04GK203457024SQ201320591601
【公開日】2014年2月26日 申請(qǐng)日期:2013年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月25日
【發(fā)明者】周波, 萬(wàn)珍平, 張華杰, 李耀超 申請(qǐng)人:華南理工大學(xué)