一種高壓脈沖電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例公開了一種高壓脈沖電路，包括：振蕩電路、控制電路、開關(guān)電路及脈沖輸出電路；所述振蕩電路與電源相連，用于產(chǎn)生振蕩，輸出感應(yīng)電壓；所述控制電路與所述振蕩電路相連，用于根據(jù)所述振蕩電路產(chǎn)生的振蕩控制所述開關(guān)電路導(dǎo)通；所述開關(guān)電路與所述控制電路相連，用于在導(dǎo)通時控制所述脈沖輸出電路放電以產(chǎn)生高壓脈沖；所述脈沖輸出電路與所述開關(guān)電路并聯(lián)，用于接收所述振蕩電路輸出的感應(yīng)電壓，根據(jù)所述開關(guān)電路的開和關(guān)反復(fù)充放電以連續(xù)輸出高壓脈沖。采用本發(fā)明，可產(chǎn)生連續(xù)的高壓脈沖，成本低，電路結(jié)構(gòu)簡單，性能穩(wěn)定。
【專利說明】—種高壓脈沖電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電路領(lǐng)域，尤其涉及一種高壓脈沖電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在電路領(lǐng)域，高壓脈沖的應(yīng)用越來越廣泛。但是在現(xiàn)有技術(shù)中，通常是采用專用芯片的控制來產(chǎn)生高壓脈沖，這些專用芯片的價格昂貴，使得高壓脈沖的應(yīng)用成本較高，不利于高壓脈沖大范圍的普及應(yīng)用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明實施例所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種高壓脈沖電路。可產(chǎn)生連續(xù)的高壓脈沖,成本低，電路結(jié)構(gòu)簡單，性能穩(wěn)定。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種高壓脈沖電路，包括:
振蕩電路、控制電路、開關(guān)電路及脈沖輸出電路；
所述振蕩電路與電源相連，用于產(chǎn)生振蕩，輸出感應(yīng)電壓；
所述控制電路與所述振蕩電路相連，用于根據(jù)所述振蕩電路產(chǎn)生的振蕩控制所述開關(guān)電路導(dǎo)通；
所述開關(guān)電路與所述控制電路相連，用于在導(dǎo)通時控制所述脈沖輸出電路放電以產(chǎn)生聞壓脈沖；
所述脈沖輸出電路與所述開關(guān)電路并聯(lián)，用于接收所述振蕩電路輸出的感應(yīng)電壓，根據(jù)所述開關(guān)電路的開和關(guān)反復(fù)充放電以連續(xù)輸出高壓脈沖。
[0005]其中，所述振蕩電路包括:第一晶體管、第二晶體管、第一充電電容及振蕩變壓器；
所述第一晶體管的基極接電源正極，集電極接電源正極，發(fā)射極通過所述振蕩變壓器的第二初級線圈接所述第二晶體管的基極；所述第二晶體管的基極通過所述第一電容接電源負(fù)極，集電極通過所述振蕩變壓器的第一初級線圈接所述第一晶體管的集電極，發(fā)射極接電源負(fù)極；所述第一電容一端接電源負(fù)極，另一端接所述振蕩變壓器的次級線圈，所述振蕩變壓器的次級線圈與所述第一電容的公共節(jié)點接所述第二晶體管的基極。
[0006]其中，所述控制電路包括限流電阻、第二電容、及開關(guān)二極管，所述限流電阻與所述第二電容串聯(lián)后再與所述振蕩變壓器的次級線圈及第一電容組成的串聯(lián)電路并聯(lián)，所述開關(guān)二極管的正極接所述限流電阻與所述第二電容的公共節(jié)點，負(fù)極接所述開關(guān)電路。
[0007]其中，所述開關(guān)電路包括可控硅，所述可控硅與所述脈沖輸出電路并聯(lián)，陰極接所述振蕩變壓器的次級線圈，陽極接電源負(fù)極，控制極接所述開關(guān)二極管的負(fù)極。
[0008]其中，所述脈沖輸出電路包括第三電容及升壓變壓器；所述第三電容的一端接所述可控硅的陰極，另一端接所述升壓變壓器的初級線圈；所述升壓變壓器的初級線圈另一端接所述可控硅的陽極。
[0009]其中，所述高壓脈沖電路還包括整流電路，所述整流電路連接在所述振蕩變壓器的次級線圈與所述第二電容之間。
[0010]其中，所述整流電路包括整流二極管，所述整流二極管的正極接所述第二電容，負(fù)極接所述振蕩變壓器的次級線圈。
[0011]其中，所述高壓脈沖電路還包括分壓電阻，所述分壓電阻連接在電源正極與所述第一晶體管的基極之間。
[0012]其中，所述第一晶體管及第二晶體管為NPN型晶體管。
[0013]其中，所述可控硅為單向可控硅。
[0014]實施本發(fā)明實施例，具有如下有益效果:
通過振蕩電路產(chǎn)生的振蕩,脈沖輸出電路周期性的接收振蕩電路的感應(yīng)電壓實現(xiàn)充電，控制電路根據(jù)振蕩周期性的控制開關(guān)電路導(dǎo)通，此時脈沖輸出電路短路實現(xiàn)放電，開關(guān)電路關(guān)斷，從而產(chǎn)生高壓脈沖，隨著振蕩的不斷進行，控制電路間隔地控制開關(guān)電路導(dǎo)通，脈沖輸出電路也不斷地充放電，從而實現(xiàn)整個電路連續(xù)地輸出高壓脈沖，整個電路結(jié)構(gòu)簡單，成本低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1是本發(fā)明高壓脈沖電路的第一實施例組成示意圖；
圖2是本發(fā)明高壓脈沖電路的第二實施例電路示意圖。
[0017]【具體實施方式】
下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0018]請參照圖1，為本發(fā)明高壓脈沖電路的第一實施例組成示意圖；在本實施例中，所述高壓脈沖電路包括:振蕩電路10、控制電路20、開關(guān)電路30及脈沖輸出電路40。
[0019]所述振蕩電路10與電源相連，用于產(chǎn)生振蕩，輸出感應(yīng)電壓。
[0020]所述控制電路20與所述振蕩電路10相連，用于根據(jù)所述振蕩電路10產(chǎn)生的振蕩控制所述開關(guān)電路30導(dǎo)通。
[0021]所述開關(guān)電路30與所述控制電路20相連，用于在導(dǎo)通時控制所述脈沖輸出電路40放電以產(chǎn)生高壓脈沖。
[0022]所述脈沖輸出電路40與所述開關(guān)電路30并聯(lián)，用于接收所述振蕩電路10輸出的感應(yīng)電壓，根據(jù)所述開關(guān)電路30的開和關(guān)反復(fù)充放電以不斷輸出高壓脈沖。
[0023]優(yōu)選地，還可以在振蕩電路10與控制電路20之間設(shè)置整流電路實現(xiàn)對電流的整流效果。
[0024]通過振蕩電路產(chǎn)生的振蕩，脈沖輸出電路周期性的接收振蕩電路的感應(yīng)電壓實現(xiàn)充電，控制電路根據(jù)振蕩周期性的控制開關(guān)電路導(dǎo)通，此時脈沖輸出電路短路實現(xiàn)放電，開關(guān)電路關(guān)斷，從而廣生聞壓脈沖，隨著振蕩的不斷進行，控制電路間隔地控制開關(guān)電路導(dǎo)通，脈沖輸出電路也不斷地充放電，從而實現(xiàn)整個電路連續(xù)地輸出高壓脈沖，整個電路結(jié)構(gòu)簡單，成本低。
[0025]請參照圖2，為本發(fā)明高壓脈沖電路的第二實施例電路示意圖。在本實施例中，所述振蕩電路包括:第一晶體管VTl、第二晶體管VT2、第一充電電容Cl及振蕩變壓器Tl。
[0026]所述第一晶體管VTl的基極接電源正極，集電極接電源正極，發(fā)射極通過所述振蕩變壓器Tl的第二初級線圈L2接所述第二晶體管VT2的基極；所述第二晶體管VT2的基極通過所述第一電容Cl接電源負(fù)極，集電極通過所述振蕩變壓器Tl的第一初級線圈LI接所述第一晶體管VTl的集電極，發(fā)射極接電源負(fù)極；所述第一電容Cl 一端接電源負(fù)極，另一端接所述振蕩變壓器Tl的次級線圈L3，所述振蕩變壓器Tl的次級線圈L3與所述第一電容Cl的公共節(jié)點接所述第二晶體管VTl的基極。
[0027]所述控制電路包括限流電阻R2、第二電容C2、及開關(guān)二極管VD2，所述限流電阻R2與所述第二電容C2串聯(lián)后再與所述振蕩變壓器Tl的次級線圈L3及第一電容Cl組成的串聯(lián)電路并聯(lián)，所述開關(guān)二極管VD2的正極接所述限流電阻R2與所述第二電容C2的公共節(jié)點，負(fù)極接所述開關(guān)電路。
[0028]所述開關(guān)電路包括可控硅MCR，所述可控硅MCR與所述脈沖輸出電路并聯(lián)，陰極接所述振蕩變壓器Tl的次級線圈L3，陽極接電源負(fù)極，控制極接所述開關(guān)二極管VD2的負(fù)極。
[0029]所述脈沖輸出電路包括第三電容C3及升壓變壓器T2 ;所述第三電容C3的一端接所述可控硅MCR的陰極，另一端接所述升壓變壓器T2的初級線圈；所述升壓變壓器T2的初級線圈另一端接所述可控硅MCR的陽極。
[0030]所述高壓脈沖電路還包括整流電路，所述整流電路連接在所述振蕩變壓器Tl的次級線圈L3與所述第二電容C2之間。
[0031]所述整流電路包括整流二極管VD1，所述整流二極管VDl的正極接所述第二電容C2,負(fù)極接所述振蕩變壓器Tl的次級線圈L3。
[0032]所述高壓脈沖電路還包括分壓電阻R1，所述分壓電阻Rl連接在電源正極與所述第一晶體管VTl的基極之間。
[0033]所述第一晶體管VTl及第二晶體管VT2為NPN型晶體管。
[0034]所述可控硅MCR為單向可控硅。
[0035]需要說明的是，雖然圖2示出了具體的振蕩電路、控制電路、開關(guān)電路及脈沖輸出電路，但是本發(fā)明并不限于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明還可以包括其他任意合適的通過振蕩連續(xù)輸出高壓脈沖的電路結(jié)構(gòu)，但是，如圖2所示的高壓脈沖電路不僅結(jié)構(gòu)簡單，而且整個電路的實現(xiàn)成本低。
[0036]下面結(jié)合圖2介紹本實施例高壓脈沖電路的工作原理，當(dāng)開關(guān)SA閉合時，電路通電，第一晶體管VTl導(dǎo)通，對第一電容Cl充電的同時，經(jīng)振蕩變壓器Tl的第二初級線圈L2向第二晶體管VT2提供偏置電壓，第二晶體管VT2導(dǎo)通，第一初級線圈LI中有電流流過，振蕩變壓器Tl的次級線圈L3中產(chǎn)生了感應(yīng)電壓，極性為上負(fù)下正。次級線圈L3中的感應(yīng)電壓在對Cl充電的同時經(jīng)整流二極管VDl整流后端供電。隨著充電的進行，第一電容Cl上的電壓逐漸升高，第一晶體管VTl的發(fā)射極電壓也隨之升高，當(dāng)電壓升高到某一閾值時，第一晶體管VTl由導(dǎo)通轉(zhuǎn)向截止，第一電容Cl經(jīng)第二晶體管VT2的回路迅速放電，第二晶體管VT2隨后截止。因為第一電容Cl放電后電壓降低，第一晶體管VTl將再次導(dǎo)通，第二晶體管VT2隨后導(dǎo)通，振蕩電路重復(fù)上述過程，從而產(chǎn)生振蕩。振蕩變壓器Tl的次級線圈中L3產(chǎn)生感應(yīng)電壓，由整流二極管VDl整流后經(jīng)升壓變壓器T2的初級線圈對第三電容C3充電。第二電容C2、限流電阻R2，開關(guān)二極管VD2組成可控硅MCR的控制電路，第二電容C2、限流電阻R2產(chǎn)生的觸發(fā)脈沖可觸發(fā)單向可控硅MCR導(dǎo)通，第三電容C3經(jīng)升壓變壓器T2的初級線圈和可控硅MCR迅速放電，此時，升壓變壓器T2的次級線圈中將感應(yīng)出高壓，可控硅MCR導(dǎo)通的同時，相當(dāng)于振蕩變壓器Tl的次級線圈L3被短路，可控硅MCR將關(guān)斷，當(dāng)?shù)诙娙軨2、限流電阻R2再次產(chǎn)生的觸發(fā)脈沖觸發(fā)可控硅再次導(dǎo)通時，繼續(xù)重復(fù)上述放電過程，輸出高壓脈沖，從而實現(xiàn)整個電路輸出連續(xù)的高壓脈沖。
[0037]通過上述實施例的描述，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
通過振蕩電路產(chǎn)生的振蕩，脈沖輸出電路周期性的接收振蕩電路的感應(yīng)電壓實現(xiàn)充電，控制電路根據(jù)振蕩周期性的控制開關(guān)電路導(dǎo)通，此時脈沖輸出電路短路實現(xiàn)放電，開關(guān)電路關(guān)斷，從而產(chǎn)生高壓脈沖，隨著振蕩的不斷進行，控制電路間隔地控制開關(guān)電路導(dǎo)通，脈沖輸出電路也不斷地充放電，從而實現(xiàn)整個電路連續(xù)地輸出高壓脈沖，整個電路結(jié)構(gòu)簡單，成本低。
[0038]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例方法中的全部或部分流程，是可以通過計算機程序來指令相關(guān)的硬件來完成，所述的程序可存儲于一計算機可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，可包括如上述各方法的實施例的流程。其中，所述的存儲介質(zhì)可為磁碟、光盤、只讀存儲記憶體(Read-Only Memory, ROM)或隨機存儲記憶體(Random AccessMemory, RAM)等。
[0039]以上所揭露的僅為本發(fā)明較佳實施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種高壓脈沖電路，其特征在于，包括:振蕩電路、控制電路、開關(guān)電路及脈沖輸出電路； 所述振蕩電路與電源相連，用于產(chǎn)生振蕩，輸出感應(yīng)電壓； 所述控制電路與所述振蕩電路相連，用于根據(jù)所述振蕩電路產(chǎn)生的振蕩控制所述開關(guān)電路導(dǎo)通； 所述開關(guān)電路與所述控制電路相連，用于在導(dǎo)通時控制所述脈沖輸出電路放電以產(chǎn)生聞壓脈沖； 所述脈沖輸出電路與所述開關(guān)電路并聯(lián)，用于接收所述振蕩電路輸出的感應(yīng)電壓，根據(jù)所述開關(guān)電路的開和關(guān)反復(fù)充放電以連續(xù)輸出高壓脈沖。
2.如權(quán)利要求1所述的高壓脈沖電路，其特征在于，所述振蕩電路包括:第一晶體管、第二晶體管、第一充電電容及振蕩變壓器； 所述第一晶體管的基極接電源正極，集電極接電源正極，發(fā)射極通過所述振蕩變壓器的第二初級線圈接所述第二晶體管的基極；所述第二晶體管的基極通過所述第一電容接電源負(fù)極，集電極通過所述振蕩變壓器的第一初級線圈接所述第一晶體管的集電極，發(fā)射極接電源負(fù)極；所述第一電容一端接電源負(fù)極，另一端接所述振蕩變壓器的次級線圈，所述振蕩變壓器的次級線圈與所述第一電容的公共節(jié)點接所述第二晶體管的基極。
3.如權(quán)利要求2所述的高壓脈沖電路，其特征在于，所述控制電路包括限流電阻、第二電容、及開關(guān)二極管，所述限流電阻與所述第二電容串聯(lián)后再與所述振蕩變壓器的次級線圈及第一電容組成的串聯(lián)電路并聯(lián)，所述開關(guān)二極管的正極接所述限流電阻與所述第二電容的公共節(jié)點，負(fù)極接所述開關(guān)電路。
4.如權(quán)利要求3所述的高壓脈沖電路，其特征在于，所述開關(guān)電路包括可控硅，所述可控硅與所述脈沖輸出電路并聯(lián)，陰極接所述振蕩變壓器的次級線圈，陽極接電源負(fù)極，控制極接所述開關(guān)二極管的負(fù)極。
5.如權(quán)利要求4所述的高壓脈沖電路，其特征在于，所述脈沖輸出電路包括第三電容及升壓變壓器；所述第三電容的一端接所述可控硅的陰極，另一端接所述升壓變壓器的初級線圈；所述升壓變壓器的初級線圈另一端接所述可控硅的陽極。
6.如權(quán)利要求5所述的高壓脈沖電路，其特征在于，所述高壓脈沖電路還包括整流電路，所述整流電路連接在所述振蕩變壓器的次級線圈與所述第二電容之間。
7.如權(quán)利要求6所述的高壓脈沖電路，其特征在于，所述整流電路包括整流二極管，所述整流二極管的正極接所述第二電容，負(fù)極接所述振蕩變壓器的次級線圈。
8.如權(quán)利要求7所述的高壓脈沖電路，其特征在于，所述高壓脈沖電路還包括分壓電阻，所述分壓電阻連接在電源正極與所述第一晶體管的基極之間。
9.如權(quán)利要求8所述的高壓脈沖電路，其特征在于，所述第一晶體管及第二晶體管為NPN型晶體管。
10.如權(quán)利要求9所述的高壓脈沖電路，其特征在于，所述可控硅為單向可控硅。
【文檔編號】H03K3/02GK103856188SQ201210500649
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月30日
【發(fā)明者】周明杰, 屈煜 申請人:深圳市海洋王照明工程有限公司, 海洋王照明科技股份有限公司