驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整方法及其裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整方法及其裝置。此裝置包括輸出接口實(shí)體層及環(huán)形振蕩器。輸出接口實(shí)體層接收一操作電壓。環(huán)形振蕩器圍繞輸出接口實(shí)體層，以感測(cè)輸出接口實(shí)體層的一工作溫度或操作電壓以提供一感測(cè)結(jié)果。輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或芯片上終端電阻的電阻值依據(jù)感測(cè)結(jié)果調(diào)整。
【專(zhuān)利說(shuō)明】驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整方法及其裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是有關(guān)于一種自我調(diào)整方法及其裝置，且特別是有關(guān)于一種具有輸出接口 實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整方法及其裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，使得集成電路成為可能，亦即電路可被芯片化。由于 芯片具有高效能及低成本的優(yōu)勢(shì)，電路芯片化遂成為一種趨勢(shì)。并且，由于電子裝置逐步地 朝向數(shù)字化發(fā)展，電路芯片化便被快速應(yīng)用至電子裝置中。然而，由于芯片內(nèi)部的信號(hào)傳輸 方式不同于芯片外部的信號(hào)傳輸方式，因此芯片中會(huì)配置輸出接口實(shí)體層以將芯片內(nèi)部的 信號(hào)傳送至芯片外部。依據(jù)上述，為了使信號(hào)可以正確地被傳送，則輸出接口實(shí)體層的穩(wěn)定 成為裝置設(shè)計(jì)（如芯片設(shè)計(jì)）的一個(gè)重要課題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003] 本發(fā)明提供一種驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整方法及其裝置，其通過(guò)環(huán)形 振蕩器感測(cè)輸出接口實(shí)體層的工作溫度變化及操作電壓的變化，以依據(jù)輸出接口實(shí)體層的 工作溫度變化及操作電壓的變化調(diào)整輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力及芯片上終端電阻的電 阻值，而不用外接精密電阻（precision resistor)。
[0004] 本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整的裝置，包括輸出接口實(shí)體層及環(huán) 形振蕩器。輸出接口實(shí)體層接收一操作電壓。環(huán)形振蕩器圍繞輸出接口實(shí)體層，以感測(cè)輸 出接口實(shí)體層的一工作溫度或操作電壓以提供一感測(cè)結(jié)果，其中輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能 力或芯片上終端電阻（on-die termination, 0DT)的電阻值依據(jù)感測(cè)結(jié)果調(diào)整。
[0005] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整的裝置還包括一計(jì) 數(shù)器，耦接環(huán)形振蕩器，以依據(jù)環(huán)形振蕩器提供的一時(shí)脈信號(hào)進(jìn)行計(jì)數(shù)，其中計(jì)數(shù)器所提供 的一計(jì)數(shù)值對(duì)應(yīng)環(huán)形振蕩器的感測(cè)結(jié)果。
[0006] 本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整的裝置，包括輸出接口實(shí)體層及多 個(gè)環(huán)形振蕩器輸出接口實(shí)體層接收一操作電壓。這些環(huán)形振蕩器圍繞輸出接口實(shí)體層，以 感測(cè)輸出接口實(shí)體層的工作溫度或操作電壓以提供一感測(cè)結(jié)果，其中輸出接口實(shí)體層的驅(qū) 動(dòng)能力或芯片上終端電阻的電阻值依據(jù)感測(cè)結(jié)果調(diào)整。
[0007] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整的裝置還包括多個(gè) 計(jì)數(shù)器及一平均器。這些計(jì)數(shù)器分別耦接這些環(huán)形振蕩器，以依據(jù)這些環(huán)形振蕩器提供的 多個(gè)時(shí)脈信號(hào)分別進(jìn)行計(jì)數(shù)，并且分別提供多個(gè)計(jì)數(shù)值。平均器耦接這些計(jì)數(shù)器，以依據(jù)這 些計(jì)數(shù)器所提供的這些計(jì)數(shù)值計(jì)算一平均計(jì)數(shù)值，其中平均計(jì)數(shù)值對(duì)應(yīng)這些環(huán)形振蕩器的 感測(cè)結(jié)果。
[0008] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，其中輸出接口實(shí)體層具有一驅(qū)動(dòng)能力寄存器及一電阻值 寄存器，用以決定輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力及一芯片上終端電阻的電阻值。
[0009] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整的裝置還包括一控 制單元，耦接輸出接口實(shí)體層及計(jì)數(shù)器，以比較一參考計(jì)數(shù)值及計(jì)數(shù)器所提供的計(jì)數(shù)值或 比較一參考平均計(jì)數(shù)值及平均器提供的平均計(jì)數(shù)值，并依據(jù)比較結(jié)果調(diào)整驅(qū)動(dòng)能力寄存器 或電阻值寄存器的數(shù)值。
[0010] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，當(dāng)計(jì)數(shù)值或平均計(jì)數(shù)值等于參考計(jì)數(shù)值時(shí)，控制單元不 調(diào)整驅(qū)動(dòng)能力寄存器及電阻值寄存器的數(shù)值。當(dāng)計(jì)數(shù)值或平均計(jì)數(shù)值等大于參考計(jì)數(shù)值 時(shí)，控制單元調(diào)整驅(qū)動(dòng)能力寄存器或電阻值寄存器的數(shù)值以降低輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能 力或提高芯片上終端電阻的電阻值。當(dāng)計(jì)數(shù)值或平均計(jì)數(shù)值小于參考計(jì)數(shù)值時(shí)，控制單元 調(diào)整驅(qū)動(dòng)能力寄存器或電阻值寄存器的數(shù)值以提高輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或降低芯 片上終端電阻的電阻值。
[0011] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整的裝置還包括一存 儲(chǔ)元件，耦接控制單元，用以存儲(chǔ)參考計(jì)數(shù)值或或參考平均計(jì)數(shù)值。
[0012] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，參考計(jì)數(shù)值為輸出接口實(shí)體層在一室溫及操作電壓為一 額定電壓時(shí)，計(jì)數(shù)器所提供的計(jì)數(shù)值。
[0013] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，參考平均計(jì)數(shù)值為輸出接口實(shí)體層在一室溫及操作電壓 為一額定電壓時(shí)，平均器所提供的平均計(jì)數(shù)值。
[0014] 本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整方法，包括下列步驟。利用至少 一環(huán)形振蕩器感測(cè)一輸出接口實(shí)體層的一工作溫度或輸出接口實(shí)體層所接收的一操作電 壓以提供一感測(cè)結(jié)果。依據(jù)感測(cè)結(jié)果調(diào)整輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或芯片上終端電阻 (on-die termination，0DT)的電阻值。
[0015] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，依據(jù)感測(cè)結(jié)果調(diào)整輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或芯片上 終端電阻的電阻值的步驟包括：取得對(duì)應(yīng)感測(cè)結(jié)果的一計(jì)數(shù)值；取得一參考計(jì)數(shù)值，其中 參考計(jì)數(shù)值為輸出接口實(shí)體層在一室溫及操作電壓為一額定電壓時(shí)所取得的計(jì)數(shù)值；比較 參考計(jì)數(shù)值及計(jì)數(shù)值，并依據(jù)比較結(jié)果調(diào)整輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或芯片上終端電阻 的電阻值。
[0016] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，依據(jù)比較結(jié)果調(diào)整輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或芯片上 終端電阻的電阻值的步驟包括：當(dāng)計(jì)數(shù)值等于參考計(jì)數(shù)值時(shí)，不調(diào)整輸出接口實(shí)體層的驅(qū) 動(dòng)能力或芯片上終端電阻的電阻值；當(dāng)計(jì)數(shù)值等大于參考計(jì)數(shù)值時(shí)，降低輸出接口實(shí)體層 的驅(qū)動(dòng)能力或提高芯片上終端電阻的電阻值；當(dāng)計(jì)數(shù)值小于參考計(jì)數(shù)值時(shí)，提高輸出接口 實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或降低芯片上終端電阻的電阻值。
[0017] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述至少一環(huán)形振蕩器圍繞輸出接口實(shí)體層。
[0018] 基于上述，本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整方法及其裝置， 利用至少一環(huán)形振蕩器感測(cè)輸出接口實(shí)體層的工作溫度或操作電壓而取得感測(cè)結(jié)果，并且 依據(jù)感測(cè)結(jié)果調(diào)整輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或輸出接口實(shí)體層的芯片上終端電阻的電 阻值。藉此，可調(diào)整輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或輸出接口實(shí)體層的芯片上終端電阻的電 阻值為適當(dāng)?shù)臄?shù)值，而不用外接精密電阻。
[0019] 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳 細(xì)說(shuō)明如下。
【專(zhuān)利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0020] 圖1為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整的裝置的系 統(tǒng)示意圖；
[0021] 圖2為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整的裝置的 系統(tǒng)不意圖；
[0022] 圖3為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整的裝置的輸 出接口實(shí)體層的調(diào)整方法的流程圖。
[0023] 附圖標(biāo)記說(shuō)明：
[0024] 10:外部電路；
[0025] 100、200 :驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整的裝置；
[0026] 110:系統(tǒng)電路；
[0027] 120:輸出接口實(shí)體層；
[0028] 130、231、233、235、237 :計(jì)數(shù)器；
[0029] 140、240 :控制單元；
[0030] 150 :存儲(chǔ)元件；
[0031] 239 :平均器；
[0032] CAV :平均計(jì)數(shù)值；
[0033] CAVR :參考平均計(jì)數(shù)值；
[0034] CLK、CLK1 ?CLK4 :時(shí)脈信號(hào)；
[0035] CNT、CNT1 ?CNT4 :計(jì)數(shù)值；
[0036] CNTR :參考計(jì)數(shù)值；
[0037] INT :反相器；
[0038] RD:驅(qū)動(dòng)能力寄存器；
[0039] ROSC、R0SC1 ?R0SC4 :環(huán)形振蕩器；
[0040] RR:電阻值寄存器；
[0041] V0P:操作電壓；
[0042] S310、S320、S330、S340、S350、S360、S370 :步驟。
【具體實(shí)施方式】
[0043] 圖1為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整的裝置的系 統(tǒng)示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整的裝置100包 括系統(tǒng)電路110、輸出接口實(shí)體層120、環(huán)形振蕩器R0SC、計(jì)數(shù)器130、控制單元140及存儲(chǔ) 元件150,其中上述輸出接口例如是通用序列匯流排（Universal Serial Bus，USB)2.0、第 三代雙數(shù)據(jù)傳輸存儲(chǔ)器（Double-Data-Rate Memory Three，DDR3)的傳輸接口或高解析度 多媒體接口（High Definition Multimedia，HDMI)等。存儲(chǔ)元件150用以存儲(chǔ)一參考計(jì)數(shù) 值CNTR，并且可以是電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPR0M)、快閃存儲(chǔ)器（FLASH Memory)或電子溶絲（eFuse)等存儲(chǔ)兀 件。輸出接口實(shí)體層120接收操作電壓V0P，并且耦接在系統(tǒng)電路110與外部電路10之間， 用以傳送系統(tǒng)電路110提供的信號(hào)至外部電路10,其中外部電路可以是一電子裝置或一電 子元件，本發(fā)明實(shí)施例不以此為限。
[0044] 環(huán)形振蕩器R0SC由多個(gè)反相器INT串接所組成，并且提供一時(shí)脈信號(hào)CLK，其中環(huán) 形振蕩器R0SC圍繞輸出接口實(shí)體層120。由于環(huán)形振蕩器R0SC圍繞輸出接口實(shí)體層120， 因此輸出接口實(shí)體層120的工作溫度會(huì)影響反相器INT，因此時(shí)脈信號(hào)CLK的責(zé)任周期（或 頻率）會(huì)對(duì)應(yīng)輸出接口實(shí)體層120的工作溫度而改變。并且，由于反相器INT與輸出接口 實(shí)體層120同樣位于驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整的裝置100內(nèi)，因此輸出接口實(shí) 體層120所接收的操作電壓V0P與反相器INT的電源應(yīng)為由同一電源電路（未示出）所提 供，以致于操作電壓V0P在變動(dòng)時(shí)反相器INT的電源亦會(huì)同步變動(dòng)，使得時(shí)脈信號(hào)CLK的責(zé) 任周期（或頻率）會(huì)對(duì)應(yīng)輸出接口實(shí)體層120的操作電壓V0P而改變。
[0045] 依據(jù)上述，圍繞輸出接口實(shí)體層120的環(huán)形振蕩器R0SC可感測(cè)輸出接口實(shí)體層 120的工作溫度及操作電壓V0P的至少其一以改變時(shí)脈信號(hào)CLK的責(zé)任周期或頻率（等同 于提供一感測(cè)結(jié)果）。計(jì)數(shù)器130耦接環(huán)形振蕩器R0SC，以依據(jù)環(huán)形振蕩器R0SC提供的時(shí) 脈信號(hào)CLK進(jìn)行計(jì)數(shù)。由于計(jì)數(shù)器130依據(jù)環(huán)形振蕩器R0SC提供的時(shí)脈信號(hào)CLK進(jìn)行計(jì) 數(shù)，因此計(jì)數(shù)器130所提供的計(jì)數(shù)值CNT會(huì)對(duì)應(yīng)環(huán)形振蕩器R0SC感測(cè)輸出接口實(shí)體層120 的工作溫度及操作電壓V0P的至少其一的感測(cè)結(jié)果。
[0046] 控制單元140耦接輸出接口實(shí)體層120及計(jì)數(shù)器130,以依據(jù)計(jì)數(shù)器130所提供 的計(jì)數(shù)值CNT調(diào)整輸出接口實(shí)體層120的驅(qū)動(dòng)能力（例如驅(qū)動(dòng)電流）及其芯片上終端電 阻（on-die termination，0DT)的電阻值的至少其一，亦即輸出接口實(shí)體層120的驅(qū)動(dòng)能力 及其芯片上終端電阻的電阻值的至少其一會(huì)對(duì)應(yīng)環(huán)形振蕩器R0SC所提供感測(cè)結(jié)果進(jìn)行調(diào) 整。進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，控制單元140耦接存儲(chǔ)元件150,以接收一參考計(jì)數(shù)值CNTR，并且控制單 元140會(huì)比較參考計(jì)數(shù)值CNTR與計(jì)數(shù)器130當(dāng)下所提供的計(jì)數(shù)值CNT，以決定是否調(diào)整輸 出接口實(shí)體層120的驅(qū)動(dòng)能力及其芯片上終端電阻的電阻值的至少其一。其中，當(dāng)輸出接 口實(shí)體層120在一室溫（例如25°C )及操作電壓V0P為額定電壓（例如1. 0V)時(shí)，控制單 元140將計(jì)數(shù)器130所提供的計(jì)數(shù)值CNT存儲(chǔ)于存儲(chǔ)元件150作為參考計(jì)數(shù)值CNTR。
[0047] 在本實(shí)施例中，輸出接口實(shí)體層120例如具有一驅(qū)動(dòng)能力寄存器RD及電阻值寄存 器RR，用以決定輸出接口實(shí)體層120的驅(qū)動(dòng)能力及芯片上終端電阻的電阻值。因此，控制單 元140在比較參考計(jì)數(shù)值CNTR與計(jì)數(shù)器130當(dāng)下所提供的計(jì)數(shù)值CNT，會(huì)依據(jù)比較結(jié)果決 定是否調(diào)整驅(qū)動(dòng)能力寄存器RD及電阻值寄存器RR的至少其一的數(shù)值。
[0048] 進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，當(dāng)計(jì)數(shù)值CNT等于參考計(jì)數(shù)值CNTR時(shí)，表示輸出接口實(shí)體層120輸 出信號(hào)的能力與預(yù)期相同，因此控制單元140不調(diào)整驅(qū)動(dòng)能力寄存器RD及電阻值寄存器RR 的數(shù)值。當(dāng)計(jì)數(shù)值CNT等大于參考計(jì)數(shù)值CNTR時(shí)，表示輸出接口實(shí)體層120輸出信號(hào)的能 力大于預(yù)期，因此控制單元140調(diào)整驅(qū)動(dòng)能力寄存器RD及電阻值寄存器RR的至少其一的 數(shù)值以降低輸出接口實(shí)體層120的驅(qū)動(dòng)能力或提高芯片上終端電阻的電阻值，或者降低輸 出接口實(shí)體層120的驅(qū)動(dòng)能力及提高芯片上終端電阻的電阻值。當(dāng)計(jì)數(shù)值CNT小于參考計(jì) 數(shù)值CNTR時(shí)，表示輸出接口實(shí)體層120輸出信號(hào)的能力小于預(yù)期，控制單元140調(diào)整驅(qū)動(dòng) 能力寄存器RD及電阻值寄存器RR的至少其一的數(shù)值以提高輸出接口實(shí)體層120的驅(qū)動(dòng)能 力或降低芯片上終端電阻的電阻值，或者提高輸出接口實(shí)體層120的驅(qū)動(dòng)能力及降低芯片 上終端電阻的電阻值。
[0049] 表一為本發(fā)明一實(shí)施例的輸出接口實(shí)體層120的驅(qū)動(dòng)能力及芯片上終端電阻的 電阻值的調(diào)整對(duì)照表，其中輸出接口實(shí)體層120的驅(qū)動(dòng)能力及芯片上終端電阻的電阻值的 調(diào)整可以持續(xù)進(jìn)行或周期性進(jìn)行（例如1秒調(diào)整一次）。如表一所示，當(dāng)輸出接口實(shí)體層 120的運(yùn)作狀態(tài)為較低操作電壓VOP及/或較高工作溫度時(shí)，計(jì)數(shù)器130當(dāng)下所提供的計(jì) 數(shù)值CNT會(huì)小于參考計(jì)數(shù)值X。當(dāng)計(jì)數(shù)值CNT為X-100時(shí)，控制單元140會(huì)調(diào)整驅(qū)動(dòng)能力 寄存器RD及電阻值寄存器RR的至少其一的數(shù)值，以提高驅(qū)動(dòng)能力1階或降低芯片上終端 電阻的電阻值1階，或者提高驅(qū)動(dòng)能力1階及降低芯片上終端電阻的電阻值1階。當(dāng)計(jì)數(shù) 值CNT為X-200時(shí)，控制單元140會(huì)調(diào)整驅(qū)動(dòng)能力寄存器RD及電阻值寄存器RR的至少其 一的數(shù)值，以提高驅(qū)動(dòng)能力2階或降低芯片上終端電阻的電阻值2階，或者提高驅(qū)動(dòng)能力2 階及降低芯片上終端電阻的電阻值2階。
[0050] 當(dāng)輸出接口實(shí)體層120的運(yùn)作狀態(tài)為標(biāo)準(zhǔn)電壓及標(biāo)準(zhǔn)溫度時(shí)，計(jì)數(shù)器130當(dāng)下所 提供的計(jì)數(shù)值CNT會(huì)等于參考計(jì)數(shù)值X，此時(shí)控制單元140不會(huì)調(diào)整驅(qū)動(dòng)能力寄存器RD及 電阻值寄存器RR的數(shù)值以維持驅(qū)動(dòng)能力及維持芯片上終端電阻的電阻值。當(dāng)輸出接口實(shí) 體層120的運(yùn)作狀態(tài)為較高操作電壓V0P及/或較低工作溫度時(shí)，計(jì)數(shù)器130當(dāng)下所提供 的計(jì)數(shù)值CNT會(huì)大于參考計(jì)數(shù)值X。當(dāng)計(jì)數(shù)值CNT為X+100時(shí)，控制單元140會(huì)調(diào)整驅(qū)動(dòng)能 力寄存器RD及電阻值寄存器RR的至少其一的數(shù)值，以降低驅(qū)動(dòng)能力1階或提高芯片上終 端電阻的電阻值1階，或者降低驅(qū)動(dòng)能力1階及提高芯片上終端電阻的電阻值1階。當(dāng)計(jì) 數(shù)值CNT為X+200時(shí)，控制單元140會(huì)調(diào)整驅(qū)動(dòng)能力寄存器RD及電阻值寄存器RR的至少 其一數(shù)值，以降低驅(qū)動(dòng)能力2階或提高芯片上終端電阻的電阻值2階，或者降低驅(qū)動(dòng)能力2 階及提高芯片上終端電阻的電阻值2階。其中，上述1階驅(qū)動(dòng)能力所對(duì)應(yīng)的調(diào)整量及1階 電阻值所對(duì)應(yīng)的調(diào)整量可依據(jù)本領(lǐng)域通常知識(shí)者及電路需求而自行設(shè)計(jì)，本發(fā)明實(shí)施例不 以此為限。
[0051] 表一
【權(quán)利要求】
1. 一種驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整裝置，其特征在于，包括： 一輸出接口實(shí)體層，接收一操作電壓；以及 一環(huán)形振蕩器，圍繞該輸出接口實(shí)體層，以感測(cè)該輸出接口實(shí)體層的一工作溫度或該 操作電壓以提供一感測(cè)結(jié)果，其中該輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或芯片上終端電阻的電阻 值依據(jù)該感測(cè)結(jié)果調(diào)整。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整裝置，其特征在于，還 包括： 一計(jì)數(shù)器，耦接該環(huán)形振蕩器，以依據(jù)該環(huán)形振蕩器提供的一時(shí)脈信號(hào)進(jìn)行計(jì)數(shù)，其中 該計(jì)數(shù)器所提供的一計(jì)數(shù)值對(duì)應(yīng)該環(huán)形振蕩器的該感測(cè)結(jié)果。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整裝置，其特征在于，該 輸出接口實(shí)體層具有一驅(qū)動(dòng)能力寄存器及一電阻值寄存器，用以決定該輸出接口實(shí)體層的 驅(qū)動(dòng)能力及該芯片上終端電阻的電阻值。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整裝置，其特征在于，還 包括： 一控制單元，耦接該輸出接口實(shí)體層及該計(jì)數(shù)器，以比較一參考計(jì)數(shù)值及該計(jì)數(shù)器所 提供的該計(jì)數(shù)值，并依據(jù)比較結(jié)果調(diào)整該驅(qū)動(dòng)能力寄存器及該電阻值寄存器的數(shù)值。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整裝置，其特征在于，當(dāng) 該計(jì)數(shù)值等于該參考計(jì)數(shù)值時(shí)，該控制單元不調(diào)整該驅(qū)動(dòng)能力寄存器及該電阻值寄存器的 數(shù)值，當(dāng)該計(jì)數(shù)值等大于該參考計(jì)數(shù)值時(shí)，該控制單元調(diào)整該驅(qū)動(dòng)能力寄存器或該電阻值 寄存器的數(shù)值以降低該輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或提高該芯片上終端電阻的電阻值，當(dāng) 該計(jì)數(shù)值小于該參考計(jì)數(shù)值時(shí)，該控制單元調(diào)整該驅(qū)動(dòng)能力寄存器或該電阻值寄存器的數(shù) 值以提高該輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或降低該芯片上終端電阻的電阻值。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整裝置，其特征在于，還 包括： 一存儲(chǔ)元件，耦接該控制單元，用以存儲(chǔ)該參考計(jì)數(shù)值。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整裝置，其特征在于，該 參考計(jì)數(shù)值為該輸出接口實(shí)體層在一室溫及該操作電壓為一額定電壓時(shí)，該計(jì)數(shù)器所提供 的該計(jì)數(shù)值。
8. -種驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整裝 置，其特征在于，包括： 一輸出接口實(shí)體層，接收一操作電壓；以及 多個(gè)環(huán)形振蕩器，圍繞該輸出接口實(shí)體層，以感測(cè)該輸出接口實(shí)體層的一工作溫度或 該操作電壓以提供一感測(cè)結(jié)果，其中該輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或芯片上終端電阻的電 阻值依據(jù)該感測(cè)結(jié)果調(diào)整。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整裝置，其特征在于，還 包括： 多個(gè)計(jì)數(shù)器，分別耦接該些環(huán)形振蕩器，以依據(jù)該些環(huán)形振蕩器提供的多個(gè)時(shí)脈信號(hào) 分別進(jìn)行計(jì)數(shù)，并且分別提供多個(gè)計(jì)數(shù)值；以及 一平均器，耦接該些計(jì)數(shù)器，以依據(jù)該些計(jì)數(shù)器所提供的該些計(jì)數(shù)值計(jì)算一平均計(jì)數(shù) 值，其中該平均計(jì)數(shù)值對(duì)應(yīng)該些環(huán)形振蕩器的該感測(cè)結(jié)果。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整裝置，其特征在于，其 中該輸出接口實(shí)體層具有一驅(qū)動(dòng)能力寄存器及一電阻值寄存器，用以決定該輸出接口實(shí)體 層的驅(qū)動(dòng)能力及該芯片上終端電阻的電阻值。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整裝置，其特征在于， 還包括： 一控制單元，耦接該輸出接口實(shí)體層及該平均器，以比較一參考平均計(jì)數(shù)值及該平均 計(jì)數(shù)值，并依據(jù)比較結(jié)果調(diào)整該驅(qū)動(dòng)能力寄存器及該電阻值寄存器的數(shù)值。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整裝置，其特征在于， 當(dāng)該平均計(jì)數(shù)值等于該參考平均計(jì)數(shù)值時(shí)，該控制單元不調(diào)整該驅(qū)動(dòng)能力寄存器及該電阻 值寄存器的數(shù)值，當(dāng)該平均計(jì)數(shù)值等大于該參考平均計(jì)數(shù)值時(shí)，該控制單元調(diào)整該驅(qū)動(dòng)能 力寄存器或該電阻值寄存器的數(shù)值以降低該輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或提高該芯片上 終端電阻的電阻值，當(dāng)該平均計(jì)數(shù)值小于該參考平均計(jì)數(shù)值時(shí)，該控制單元調(diào)整該驅(qū)動(dòng)能 力寄存器或該電阻值寄存器的數(shù)值以提高該輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或降低該芯片上 終端電阻的電阻值。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整裝置，其特征在于， 還包括： 一存儲(chǔ)元件，耦接該控制單元，用以存儲(chǔ)該參考平均計(jì)數(shù)值。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整裝置，其特征在于， 該參考平均計(jì)數(shù)值為該輸出接口實(shí)體層在一室溫及該操作電壓為一額定電壓時(shí)，該平均器 所提供的該平均計(jì)數(shù)值。
15. -種驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整方法，其特征在于，包括： 利用至少一環(huán)形振蕩器感測(cè)一輸出接口實(shí)體層的一工作溫度或該輸出接口實(shí)體層所 接收的一操作電壓以提供一感測(cè)結(jié)果；以及 依據(jù)該感測(cè)結(jié)果調(diào)整該輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或芯片上終端電阻的電阻值。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整方法，其特征在于， 依據(jù)該感測(cè)結(jié)果調(diào)整該輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或芯片上終端電阻的電阻值的步驟包 括： 取得對(duì)應(yīng)該感測(cè)結(jié)果的一計(jì)數(shù)值； 取得一參考計(jì)數(shù)值，其中該參考計(jì)數(shù)值為該輸出接口實(shí)體層在一室溫及該操作電壓為 一額定電壓時(shí)所取得的該計(jì)數(shù)值；以及 比較該參考計(jì)數(shù)值及該計(jì)數(shù)值，并依據(jù)比較結(jié)果調(diào)整該輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或 芯片上終端電阻的電阻值。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整方法，其特征在于， 依據(jù)比較結(jié)果調(diào)整該輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或芯片上終端電阻的電阻值的步驟包 括： 當(dāng)該計(jì)數(shù)值等于該參考計(jì)數(shù)值時(shí)，不調(diào)整該輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或芯片上終端 電阻的電阻值； 當(dāng)該計(jì)數(shù)值等大于該參考計(jì)數(shù)值時(shí)，降低該輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或提高該芯片 上終端電阻的電阻值； 當(dāng)該計(jì)數(shù)值小于該參考計(jì)數(shù)值時(shí)，提高該輸出接口實(shí)體層的驅(qū)動(dòng)能力或降低該芯片上 終端電阻的電阻值。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的驅(qū)動(dòng)能力與芯片終端電阻值自我調(diào)整方法，其特征在于， 該至少一環(huán)形振蕩器圍繞該輸出接口實(shí)體層。
【文檔編號(hào)】H03K19/00GK104065368SQ201310095253
【公開(kāi)日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2013年3月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月22日
【發(fā)明者】莊曜誠(chéng), 黃一桓 申請(qǐng)人:聯(lián)詠科技股份有限公司