国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      一種抗輻照超高速觸發(fā)電路及航天超高速觸發(fā)器的制造方法

      文檔序號:7527524閱讀:355來源:國知局
      一種抗輻照超高速觸發(fā)電路及航天超高速觸發(fā)器的制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明適用于集成電路領(lǐng)域,提供了一種抗輻照超高速觸發(fā)電路及航天超高速觸發(fā)器,該電路包括:具有雙互鎖結(jié)構(gòu)的第一、第二靈敏放大器,通過雙向互鎖將數(shù)據(jù)存放在不同節(jié)點;邏輯門電路,對不同節(jié)點的數(shù)據(jù)進行抗單粒子翻轉(zhuǎn)干擾處理,生成預(yù)充電信號、置位信號或復(fù)位信號;具有交叉耦合結(jié)構(gòu)的RS鎖存器,在接收預(yù)充電信號時,形成反相器對結(jié)構(gòu),以鎖存數(shù)據(jù),或在接收置位信號或復(fù)位信號時,通過對稱結(jié)構(gòu)實現(xiàn)輸出無延時。本發(fā)明采用DICE結(jié)構(gòu)的兩靈敏放大器作為觸發(fā)器的前級以預(yù)防SEU影響,并將前級輸出經(jīng)邏輯門運算后輸出給后一級的RS鎖存器,通過具有交叉耦合結(jié)構(gòu)的兩個對稱RS鎖存器實現(xiàn)上升下降沿?zé)o差別輸出,實現(xiàn)高速傳播數(shù)據(jù)的功能。
      【專利說明】一種抗輻照超高速觸發(fā)電路及航天超高速觸發(fā)器

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域,尤其涉及一種抗輻照超高速觸發(fā)電路及航天超高速觸發(fā)器。

      【背景技術(shù)】
      [0002]在現(xiàn)代集成電路設(shè)計中,觸發(fā)器在系統(tǒng)中扮演著重要角色,尤其當(dāng)觸發(fā)器應(yīng)用在航空航天設(shè)備上時,除了性能上要求更加突出之外,還有一個很重要的一點就是需要足夠的抗輻照能力,因為在空間輻射環(huán)境下,器件很容易受到單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)的影響,很可能就會讓器件的功能受到影響,輸出錯誤的數(shù)據(jù)。
      [0003]目前,航空航天設(shè)備上的觸發(fā)器一般采用基于靈敏放大器的觸發(fā)器(Sense-Amplifier-based Flip-Flop,SAFF),該基于靈敏放大器的觸發(fā)器包括鎖存型靈敏放大器11和RS鎖存器12構(gòu)成,鎖存型靈敏放大器11采用交叉耦合(互鎖)結(jié)構(gòu),鎖存放大后的數(shù)據(jù),還能通過預(yù)充電來實現(xiàn)復(fù)位的功能,其電路結(jié)構(gòu)參見圖1,其中,開關(guān)管M4和M8為輸入管,開關(guān)管M9為時鐘信號開關(guān)管,開關(guān)管Ml和M6為預(yù)充電管,該電路的核心部分是開關(guān)管M2和M3,開關(guān)管M5和M7構(gòu)成的一對交叉耦合(互鎖)的反相器對,鎖存型靈敏放大器11的輸入一般為差分輸入,可以是數(shù)字邏輯信號也可以是低擺幅的差分信號,鎖存型靈敏放大器11通過時鐘信號的控制來實現(xiàn)采樣以及復(fù)位的功能,當(dāng)輸入時鐘CLK為低電平時,輸出Q端和Q_端都被拉到高電平,實現(xiàn)復(fù)位操作,當(dāng)輸入時鐘CLK信號從低電平跳變到高電平時,對輸入信號進行采樣,并且加以放大,最后經(jīng)過交叉耦合的四個開關(guān)管M2、M3、M5、M7來鎖存兩個輸出數(shù)據(jù),然后輸出到RS鎖存器12。RS鎖存器12包括交叉耦合的兩個NAND門,當(dāng)時鐘信號CLK為低時,靈敏放大器為預(yù)充電狀態(tài),輸出端(Q,Q_)為(1,I),則RS鎖存器12為保持狀態(tài),輸出保持不變,當(dāng)時鐘信號CLK從低變成高的跳變沿時,靈敏放大器開始采樣輸入數(shù)據(jù)D,當(dāng)輸入端(S_,R_)為(0,1)時,由于邏輯門為與非門,因此輸出端Q會馬上輸出邏輯高電平,輸出端9_需要經(jīng)過一個門延時才輸出低電平。
      [0004]但是,由于開關(guān)管M2,M3和開關(guān)管M5,M7構(gòu)成的交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)是屬于敏感結(jié)構(gòu),在航空航天應(yīng)用中,由于單粒子沖擊帶來的SEU效應(yīng)造成節(jié)點的點位翻轉(zhuǎn),導(dǎo)致鎖存型靈敏放大器11中鎖存器狀態(tài)的改變,出現(xiàn)關(guān)鍵節(jié)點的翻轉(zhuǎn),從而導(dǎo)致輸出錯誤數(shù)據(jù),影響整個觸發(fā)器正常功能;而由于輸出信號的下降沿一般會比上升沿慢一個門延遲,導(dǎo)致了上升下降不對稱的問題,而且這一個門延遲還會受RS鎖存器12輸出端負(fù)載的影響,限制了觸發(fā)器的工作速度。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本發(fā)明實施例的目的在于提供一種抗輻照超高速觸發(fā)電路,旨在解決傳統(tǒng)觸發(fā)器應(yīng)用于航空航天環(huán)境中,性能受限以及容易受到單粒子翻轉(zhuǎn)干擾的問題。
      [0006]本發(fā)明實施例是這樣實現(xiàn)的,一種抗輻照超高速觸發(fā)電路,所述觸發(fā)電路包括:
      [0007]具有雙互鎖(DICE)結(jié)構(gòu)的第一靈敏放大器和第二靈敏放大器,用于通過雙向互鎖將數(shù)據(jù)存放在不同節(jié)點,所述第一靈敏放大器的兩輸入端與所述第二靈敏放大器的兩輸入端對應(yīng)連接,所述第一靈敏放大器的時鐘端與所述第二靈敏放大器的時鐘端連接,所述第一靈敏放大器的第一正向輸出端與所述第二靈敏放大器的第一正向輸出端連接,所述第一靈敏放大器的第一反向輸出端與所述第二靈敏放大器的第一反向輸出端連接,所述第一靈敏放大器的第二正向輸出端與所述第二靈敏放大器的第二正向輸出端連接,所述第一靈敏放大器的第二反向輸出端與所述第二靈敏放大器的第二反向輸出端連接;
      [0008]邏輯門電路,用于對不同節(jié)點的數(shù)據(jù)進行抗單粒子翻轉(zhuǎn)干擾處理,生成預(yù)充電信號、置位信號或復(fù)位信號,所述邏輯門電路的第一輸入端與所述第一、第二靈敏放大器的第二正向輸出端連接,所述邏輯門電路的第二輸入端與所述第一、第二靈敏放大器的第一正向輸出端連接,所述邏輯門電路的第三輸入端與所述第一、第二靈敏放大器的第一反向輸出端連接,所述邏輯門電路的第四輸入端與所述第一、第二靈敏放大器的第二反向輸出端連接;
      [0009]具有交叉耦合結(jié)構(gòu)的RS鎖存器,用于在接收預(yù)充電信號時,形成反相器對結(jié)構(gòu),以鎖存數(shù)據(jù),或,在接收置位信號或復(fù)位信號時,通過對稱結(jié)構(gòu)實現(xiàn)輸出無延時,所述RS鎖存器的3_輸入端與所述邏輯門電路的第一輸出端連接,所述RS鎖存器的R_輸入端與所述邏輯門電路的第二輸出端連接,所述RS鎖存器的兩輸出端為所述觸發(fā)電路的輸出端;
      [0010]所述雙互鎖結(jié)構(gòu)通過至少八個開關(guān)管交互耦合,形成兩個反相器對構(gòu)成。
      [0011]本發(fā)明實施例的另一目的在于,提供一種采用上述抗輻照超高速觸發(fā)電路的航天超高速觸發(fā)器。
      [0012]本發(fā)明實施例采用DICE結(jié)構(gòu)的第一、第二靈敏放大器作為觸發(fā)器的前級,在實現(xiàn)鎖存型靈敏放大器本身的放大與復(fù)位功能的同時還能有效地預(yù)防單粒子翻轉(zhuǎn)帶來的問題,并且進一步將兩個靈敏放大器的輸出通過邏輯門運算后輸出給后一級的RS鎖存器,該RS鎖存器通過完全對稱結(jié)構(gòu)的第一、第二輸出支路,解決了輸出信號上升下降沿不等的問題,并且可以通過合理的調(diào)整關(guān)鍵MOS管的尺寸來減小傳輸延時,增強整個高速觸發(fā)器的輸出驅(qū)動能力。并且該觸發(fā)器具有速度快,性能好的特點,能夠有效防止單粒子翻轉(zhuǎn),尤其符合航空航天【技術(shù)領(lǐng)域】中對于超高速觸發(fā)器的需求特點。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0013]圖1為現(xiàn)有基于靈敏放大器的觸發(fā)器的電路圖;
      [0014]圖2為本發(fā)明實施例提供的抗福照超尚速觸發(fā)電路的結(jié)構(gòu)圖;
      [0015]圖3為本發(fā)明實施例提供的抗輻照超高速觸發(fā)電路中采用DICE結(jié)構(gòu)的靈敏放大器的示例電路圖;
      [0016]圖4為本發(fā)明實施例提供的抗輻照超高速觸發(fā)電路中邏輯門電路的示例電路圖;
      [0017]圖5為本發(fā)明實施例提供的抗輻照超高速觸發(fā)電路中RS鎖存器的示例電路圖。

      【具體實施方式】
      [0018]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實施例,對本發(fā)明進行進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。此外,下面所描述的本發(fā)明各個實施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。
      [0019]本發(fā)明實施例通過雙向互鎖將數(shù)據(jù)存放在不同節(jié)點,對不同節(jié)點的數(shù)據(jù)進行抗單粒子翻轉(zhuǎn)干擾處理,生成預(yù)充電信號、置位信號或復(fù)位信號,再對不同節(jié)點的數(shù)據(jù)通過邏輯運算進行抗單粒子翻轉(zhuǎn)干擾處理,并且通過具有交叉耦合結(jié)構(gòu)的RS鎖存器實現(xiàn)無延時輸出。
      [0020]以下結(jié)合具體實施例對本發(fā)明的實現(xiàn)進行詳細(xì)描述:
      [0021]圖2示出了本發(fā)明實施例提供的抗輻照超高速觸發(fā)電路的結(jié)構(gòu),為了便于說明,僅不出了與本發(fā)明相關(guān)的部分。
      [0022]作為本發(fā)明一實施例,該抗輻照超高速觸發(fā)電路可以應(yīng)用于任何航天超高速觸發(fā)器中,該一種抗輻照超高速觸發(fā)電路包括:
      [0023]具有雙互鎖結(jié)構(gòu)的第一靈敏放大器21A和第二靈敏放大器21B,用于通過雙向互鎖將數(shù)據(jù)存放在不同節(jié)點,第一靈敏放大器21A的兩輸入端與第二靈敏放大器21B的兩輸入端對應(yīng)連接,第一靈敏放大器21A的時鐘端與第二靈敏放大器21B的時鐘端連接,第一靈敏放大器21A的第一正向輸出端與第二靈敏放大器21B的第一正向輸出端連接,第一靈敏放大器21A的第一反向輸出端與第二靈敏放大器21B的第一反向輸出端連接,第一靈敏放大器21A的第二正向輸出端與第二靈敏放大器21B的第二正向輸出端連接,第一靈敏放大器21A的第二反向輸出端與第二靈敏放大器21B的第二反向輸出端連接;
      [0024]在本發(fā)明實施例中,第一靈敏放大器21A與第二靈敏放大器21B構(gòu)成的雙互鎖結(jié)構(gòu)即為DICE結(jié)構(gòu),通過雙重的對稱的結(jié)構(gòu)將數(shù)據(jù)存放在不同節(jié)點。
      [0025]邏輯門電路22,用于對不同節(jié)點的數(shù)據(jù)進行抗單粒子翻轉(zhuǎn)干擾處理,生成預(yù)充電信號、置位信號或復(fù)位信號,邏輯門電路22的第一輸入端與第一、第二靈敏放大器21B的第二正向輸出端連接,邏輯門電路22的第二輸入端與第一、第二靈敏放大器21B的第一正向輸出端連接,邏輯門電路22的第三輸入端與第一、第二靈敏放大器21B的第一反向輸出端連接,邏輯門電路22的第四輸入端與第一、第二靈敏放大器21B的第二反向輸出端連接;
      [0026]具有交叉耦合結(jié)構(gòu)的RS鎖存器23,用于在接收預(yù)充電信號時,形成反相器對結(jié)構(gòu),以鎖存數(shù)據(jù),或,在接收置位信號或復(fù)位信號時,通過對稱結(jié)構(gòu)實現(xiàn)輸出無延時,RS鎖存器23的S_輸入端與邏輯門電路22的第一輸出端連接,RS鎖存器23的R_輸入端與邏輯門電路22的第二輸出端連接,RS鎖存器23的兩輸出端為觸發(fā)電路的輸出端;
      [0027]雙互鎖結(jié)構(gòu)通過至少八個開關(guān)管交互耦合,形成兩個反相器對構(gòu)成。
      [0028]本發(fā)明實施例采用DICE結(jié)構(gòu)的第一、第二靈敏放大器作為觸發(fā)器的前級,在實現(xiàn)鎖存型靈敏放大器本身的放大與復(fù)位功能的同時還能有效地預(yù)防單粒子翻轉(zhuǎn)帶來的問題,并且進一步將兩個靈敏放大器的輸出通過邏輯門運算后輸出給后一級的RS鎖存器,該RS鎖存器通過完全對稱結(jié)構(gòu)的第一、第二輸出支路,解決了輸出信號上升下降沿不等的問題,可以實現(xiàn)超高速觸發(fā),并且可以通過合理的調(diào)整關(guān)鍵MOS管的尺寸來減小傳輸延時,增強整個高速觸發(fā)器的輸出驅(qū)動能力。
      [0029]本發(fā)明實施例提供的觸發(fā)電路以及觸發(fā)器具有速度快,性能好的特點,能夠有效防止單粒子翻轉(zhuǎn),尤其符合航空航天【技術(shù)領(lǐng)域】中對于超高速觸發(fā)器的需求特點。
      [0030]圖3示出了本發(fā)明實施例提供的抗輻照超高速觸發(fā)電路中采用DICE結(jié)構(gòu)的靈敏放大器的示例電路,為了便于說明,僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分。
      [0031]作為本發(fā)明一實施例,第一靈敏放大器21A包括:
      [0032]開關(guān)管Ml至開關(guān)管M14 ;
      [0033]開關(guān)管Ml的控制端為第一靈敏放大器21A的時鐘端,開關(guān)管Ml的輸入端連接電源電壓,開關(guān)管Ml的輸出端為第一靈敏放大器2IA的第一正向輸出端,開關(guān)管M6的輸入端連接電源電壓,開關(guān)管M6的控制端為第一靈敏放大器21A的第一反向輸出端,開關(guān)管M6的輸出端與開關(guān)管M8的輸入端連接,開關(guān)管M8的控制端為第一靈敏放大器21A第二反向輸出端,開關(guān)管M8的輸出端同時與開關(guān)管Ml的輸出端和開關(guān)管MlO的輸入端連接,開關(guān)管MlO的控制端為第一靈敏放大器21A的第一反向輸出端,開關(guān)管MlO的輸出端與開關(guān)管M12的輸入端連接,開關(guān)管M12的控制端為第一靈敏放大器21A的第二反向輸出端,開關(guān)管M12的輸出端同時與開關(guān)管M4的輸入端和開關(guān)管M14的輸入端連接,開關(guān)管M4的控制端為第一靈敏放大器21A的正向輸入端,開關(guān)管M4的輸出端與開關(guān)管M5的輸入端連接,開關(guān)管M5的控制端為第一靈敏放大器21A的時鐘端,開關(guān)管M5的輸出端接地,開關(guān)管M5的輸入端還與開關(guān)管M3的輸出端連接,開關(guān)管M3的控制端為第一靈敏放大器21A的反向輸入端,開關(guān)管M3的輸入端同時與開關(guān)管M14的輸出端和開關(guān)管M13的輸出端連接,開關(guān)管M14的控制端連接電源電壓,開關(guān)管M13的控制端為第一靈敏放大器21A的第二正向輸出端,開關(guān)管M13的輸入端與開關(guān)管MlI的輸出端連接,開關(guān)管MlI的控制端為第一靈敏放大器21A的第一正向輸出端,開關(guān)管Mll的輸入端同時與開關(guān)管M9的輸出端和開關(guān)管M2的輸出端連接,開關(guān)管M9的控制端為第一靈敏放大器21A的第二正向輸出端,開關(guān)管M9的輸入端與開關(guān)管M7的輸出端連接,開關(guān)管M7的控制端為第一靈敏放大器21A的第一正向輸出端,開關(guān)管M7的輸入端和開關(guān)管M2的輸入端同時連接電源電壓,開關(guān)管M2的控制端為第一靈敏放大器21A的時鐘端,開關(guān)管M2的輸出端為第一靈敏放大器21A的第一反向輸出端。
      [0034]作為本發(fā)明一優(yōu)選實施例,開關(guān)管Ml、開關(guān)管M2、開關(guān)管M6至開關(guān)管M9為P型MOS管,P型MOS管的源極為開關(guān)管的輸入端,P型MOS管的漏極為開關(guān)管的輸出端,P型MOS管的棚極為開關(guān)管的控制端;
      [0035]開關(guān)管M3、開關(guān)管M4、開關(guān)管M5、開關(guān)管MlO至開關(guān)管M14為N型MOS管,N型MOS管的漏極為開關(guān)管的輸入端,N型MOS管的源極為開關(guān)管的輸出端,N型MOS管的柵極為開關(guān)管的控制端。
      [0036]第二靈敏放大器22B包括:
      [0037]開關(guān)管ml至開關(guān)管ml4;
      [0038]開關(guān)管ml的控制端為第二靈敏放大器21B的時鐘端,開關(guān)管ml的輸入端連接電源電壓,開關(guān)管ml的輸出端為第二靈敏放大器2IB的第二正向輸出端,開關(guān)管m6的輸入端連接電源電壓,開關(guān)管m6的控制端為第二靈敏放大器21B的第二反向輸出端,開關(guān)管m6的輸出端與開關(guān)管m8的輸入端連接,開關(guān)管m8的控制端為第二靈敏放大器21B第一反向輸出端,開關(guān)管m8的輸出端同時與開關(guān)管ml的輸出端和開關(guān)管mlO的輸入端連接,開關(guān)管mlO的控制端為第二靈敏放大器21B的第二反向輸出端,開關(guān)管mlO的輸出端與開關(guān)管ml2的輸入端連接,開關(guān)管ml2的控制端為第二靈敏放大器21B的第一反向輸出端,開關(guān)管ml2的輸出端同時與開關(guān)管m4的輸入端和開關(guān)管ml4的輸入端連接,開關(guān)管m4的控制端為第二靈敏放大器21B的正向輸入端,開關(guān)管m4的輸出端與開關(guān)管m5的輸入端連接,開關(guān)管m5的控制端為第一靈敏放大器21A的時鐘端,開關(guān)管m5的輸出端接地,開關(guān)管m5的輸入端還與開關(guān)管m3的輸出端連接,開關(guān)管m3的控制端為第二靈敏放大器21B的反向輸入端,開關(guān)管m3的輸入端同時與開關(guān)管ml4的輸出端和開關(guān)管ml3的輸出端連接,開關(guān)管ml4的控制端連接電源電壓,開關(guān)管ml3的控制端為第二靈敏放大器21B的第一正向輸出端,開關(guān)管ml3的輸入端與開關(guān)管mil的輸出端連接,開關(guān)管mil的控制端為第二靈敏放大器21B的第二正向輸出端,開關(guān)管mil的輸入端同時與開關(guān)管m9的輸出端和開關(guān)管m2的輸出端連接,開關(guān)管m9的控制端為第一靈敏放大器21A的第一正向輸出端,開關(guān)管m9的輸入端與開關(guān)管m7的輸出端連接,開關(guān)管m7的控制端為第二靈敏放大器21B的第二正向輸出端,開關(guān)管m7的輸入端和開關(guān)管m2的輸入端同時連接電源電壓,開關(guān)管m2的控制端為第二靈敏放大器21B的時鐘端,開關(guān)管m2的輸出端為第二靈敏放大器21B的第一反向輸出端。
      [0039]作為本發(fā)明一優(yōu)選實施例,開關(guān)管ml、開關(guān)管m2、開關(guān)管m6至開關(guān)管!119為?型皿)3管,P型MOS管的源極為開關(guān)管的輸入端,P型MOS管的漏極為開關(guān)管的輸出端,P型MOS管的棚極為開關(guān)管的控制端;
      [0040]開關(guān)管m3、開關(guān)管m4、開關(guān)管m5、開關(guān)管mlO至開關(guān)管ml4為N型MOS管,N型MOS管的漏極為開關(guān)管的輸入端,N型MOS管的源極為開關(guān)管的輸出端,N型MOS管的柵極為開關(guān)管的控制端。
      [0041]在本發(fā)明實施例中,兩個雙互鎖結(jié)構(gòu)的靈敏放大器21A、21B,這兩個靈敏放大器的輸入相同,都是輸入數(shù)據(jù)D和D_以及時鐘信號CLK,第一靈敏放大器21A的數(shù)據(jù)通過第一正向輸出端Al和第一反向輸出端BI輸出,第二靈敏放大器21B的數(shù)據(jù)通過第二正向輸出端A2和第二反向輸出端B2輸出,這兩個靈敏放大器分別通過M6?M13以及m6?ml3的各八個MOS管作為交叉耦合結(jié)構(gòu)的MOS管。
      [0042]對于這兩個靈敏放大器,與傳統(tǒng)的靈敏放大器相比,采用兩個結(jié)構(gòu)與尺寸相同的開關(guān)管(開關(guān)管M6和開關(guān)管M8、開關(guān)管M7和開關(guān)管M9、開關(guān)管MlO和開關(guān)管M12、開關(guān)管Mll和開關(guān)管M13,以及開關(guān)管m6和開關(guān)管m8、開關(guān)管m7和開關(guān)管m9、開關(guān)管mlO和開關(guān)管ml2、開關(guān)管mil和開關(guān)管ml3)代替現(xiàn)有技術(shù)中的一個開關(guān)管,同時在A,B (a,b)節(jié)點上連接?xùn)沤与娫措妷篤DD的NMOS管M14,以實現(xiàn)抗單粒子的加固設(shè)計,具體結(jié)合邏輯門電路的實施例進行詳細(xì)說明。
      [0043]圖4示出了本發(fā)明實施例提供的抗輻照超高速觸發(fā)電路中邏輯門電路的示例電路,為了便于說明,僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分。
      [0044]作為本發(fā)明一實施例,邏輯門電路22包括:
      [0045]第一或門,第一或門的兩輸入端分別為邏輯門電路22的第一、第二輸入端,第一或門的輸出端為邏輯門電路22的第一輸出端;
      [0046]第二或門,第二或門的兩輸入端分別為邏輯門電路22的第三、第四輸入端,第二或門的輸出端為邏輯門電路22的第二輸出端。
      [0047]在本發(fā)明實施例中,兩個靈敏放大器的輸出分別為Al,BI和A2,B2,其中輸出端Al和A2通過一個或門后輸出為后級RS鎖存器的S_端輸出,輸出端BI和B2通過一個或門后的輸出為后級RS鎖存器的R_端輸出。
      [0048]正常情況下輸出端Al、A2的信號是相同的,輸出端B1、B2的信號是相同的,S_ =A1+A2,R_ = B1+B2,這時候是正常輸出;
      [0049]如果單粒子沖擊是發(fā)生在預(yù)充電階段,時鐘信號CLK為低,對第一靈敏放大器21A中的Al、BI節(jié)點的一個或者兩個的電位造成了翻轉(zhuǎn),使得電位為O,這時,由于第二靈敏放大器21B中輸出沒改變,那么S_ = A1+A2 = 1,R_ = B1+B2 = 1,也是沒有改變的,直到預(yù)充電管Ml和M2把第一靈敏放大器21A的兩個電位拉高電路恢復(fù)正常,這樣觸發(fā)器額輸出是沒有受到干擾的,同樣情況第二靈敏放大器21B受到?jīng)_擊情況是相同的;
      [0050]如果單粒子沖擊發(fā)生在時鐘信號為高時,假設(shè)正常輸出鎖存的信號(A,B)為(1,O),如果靈敏放大器由于單粒子翻轉(zhuǎn)BI輸出翻轉(zhuǎn)為高電位,則因為S_ = A1+A2,R_ =B1+B2,(S_,R_)則會變成(1,1),這時相對于后級的RS鎖存器來說即是“保持”的指令,所以輸出是不受影響的,因為此時開關(guān)管Mll和開關(guān)管M13管是打開的,升高的BI點的電位可以隨著M11、M13、M14、M4或者M11、M13、M3這兩條支路放電來恢復(fù)到低電位,因為M3管與M4管總有一個是打開的,而M14管是常開的。當(dāng)Al從I變成0,時,因為輸出S_ = A1+A2,R_ = B1+B2, (S_,R_)還是(1,0),觸發(fā)器的輸出不受影響,而且因為16與118的打開,Al的電位會被逐漸拉回為高。
      [0051]因此可以有效的預(yù)防單粒子翻轉(zhuǎn)帶來的輸出的錯誤數(shù)據(jù)。
      [0052]本發(fā)明實施例采用DICE結(jié)構(gòu)的第一、第二靈敏放大器作為觸發(fā)器的前級,在實現(xiàn)鎖存型靈敏放大器本身的放大與復(fù)位功能的同時還能有效地預(yù)防單粒子翻轉(zhuǎn)帶來的問題,并且進一步將兩個靈敏放大器的輸出通過邏輯門運算后輸出給后一級的RS鎖存器,可以實現(xiàn)超高速觸發(fā),該抗輻照超高速觸發(fā)電路速度快,性能好,能夠有效防止單粒子翻轉(zhuǎn),尤其符合航空航天【技術(shù)領(lǐng)域】中對于超高速觸發(fā)器的需求特點。
      [0053]圖5示出了本發(fā)明實施例提供的抗輻照超高速觸發(fā)電路中RS鎖存器的示例電路,為了便于說明,僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分。
      [0054]作為本發(fā)明一實施例,RS鎖存器23包括:
      [0055]對稱結(jié)構(gòu)的第一輸出支路23A和第二輸出支路23B ;
      [0056]第一輸出支路23A的第一輸入端與第二輸出支路23B的輸出端連接,第一輸出支路23A的第二輸出端為RS鎖存器23的S_輸入端,第一輸出支路23A的輸出端為RS鎖存器23的反向輸出端;
      [0057]第二輸出支路23B的第一輸入端與第一輸出支路23A的輸出端連接,第二輸出支路23B的第二輸出端與為RS鎖存器23的R_輸入端,第二輸出支路23B的輸出端為RS鎖存器23的正向輸出端。
      [0058]作為本發(fā)明一優(yōu)選實施例,第一輸出支路23A包括:
      [0059]開關(guān)管M21至開關(guān)管M26,以及第一反相器Il ;
      [0060]開關(guān)管M21的輸入端連接電源電壓,開關(guān)管M21的控制端為第一輸出支路23A的第二輸入端,開關(guān)管M21的輸出端為第一輸出支路23A的第一輸入端與開關(guān)管M22的控制端連接,開關(guān)管M22的輸入端連接電源電壓,開關(guān)管M22的輸出端與開關(guān)管M24的輸入端連接,開關(guān)管M24的控制端同時與第一反相器的輸出端和開關(guān)管M26的控制端連接,開關(guān)管M24的輸出端為第一輸出支路23A的輸出端與開關(guān)管M26的輸入端連接,開關(guān)管M26的輸出端接地,第一反相器Il的輸入端與開關(guān)管M21的控制端連接,開關(guān)管M21的輸出端還與開關(guān)管M23的輸入端連接,開關(guān)管M23的控制端與開關(guān)管M24的輸出端連接,開關(guān)管M23的輸出端與開關(guān)管M25的輸入端連接,開關(guān)管M25的控制端與開關(guān)管M21的控制端連接,開關(guān)管M25的輸出端接地;
      [0061]第二輸出支路23B包括:
      [0062]開關(guān)管M27至開關(guān)管M32,以及第二反相器12 ;
      [0063]開關(guān)管M27的輸入端連接電源電壓,開關(guān)管M27的控制端為第二輸出支路23B的第二輸入端,開關(guān)管M27的輸出端為第二輸出支路23B的第一輸入端與開關(guān)管M28的控制端連接,開關(guān)管M28的輸入端連接電源電壓,開關(guān)管M28的輸出端與開關(guān)管M30的輸入端連接,開關(guān)管M30的控制端同時與第二反相器12的輸出端和開關(guān)管M32的控制端連接,開關(guān)管M30的輸出端為第二輸出支路23B的輸出端與開關(guān)管M32的輸入端連接,開關(guān)管M32的輸出端接地,第二反相器12的輸入端與開關(guān)管M27的控制端連接,開關(guān)管M29的輸入端與開關(guān)管M27的輸出端連接,開關(guān)管M29的控制端與開關(guān)管M30的輸出端連接,開關(guān)管M29的輸出端與開關(guān)管M31的輸入端連接,開關(guān)管M31的控制端與開關(guān)管M27的控制端連接,開關(guān)管M31的輸出端接地。
      [0064]作為本發(fā)明一優(yōu)選實施例,開關(guān)管M21、開關(guān)管M22、開關(guān)管M24、開關(guān)管M27、開關(guān)管M28、開關(guān)管M30為P型MOS管,P型MOS管的源極為開關(guān)管的輸入端,P型MOS管的漏極為開關(guān)管的輸出端,P型MOS管的柵極為開關(guān)管的控制端;
      [0065]開關(guān)管M23、開關(guān)管M25、開關(guān)管M26、開關(guān)管M29、開關(guān)管M31、開關(guān)管M32為N型MOS管,N型MOS管的漏極為開關(guān)管的輸入端,N型MOS管的源極為開關(guān)管的輸出端,N型MOS管的柵極為開關(guān)管的控制端。
      [0066]在本發(fā)明實施例中,RS鎖存器23的輸入為S_, R_,其中,第一、第二輸出支路的結(jié)構(gòu)是完全對稱的,其中一個的輸出又作為另一個的輸入,即交叉耦合結(jié)構(gòu)。開關(guān)管M2,開關(guān)管M3,以及開關(guān)管M8,開關(guān)管M9作為數(shù)據(jù)的鎖存管,開關(guān)管M1,開關(guān)管M6與開關(guān)管M7,開關(guān)管M12為輸出驅(qū)動管,控制輸出驅(qū)動電流。
      [0067]下面描述其功能實現(xiàn)過程:因為前級放大器的輸出為兩種模式,一種輸出預(yù)充電信號進入預(yù)充電模式,另一種輸出置位或者復(fù)位信號進入置位或者復(fù)位模式。
      [0068]當(dāng)前級放大器處于預(yù)充電模式時,RS鎖存器23的輸入端S_,R_都為高電平,此時開關(guān)管M1,開關(guān)管M5,開關(guān)管M7,開關(guān)管M12關(guān)閉,開關(guān)管M4,開關(guān)管M5,開關(guān)管M10,開關(guān)管Mll管打開,相當(dāng)于開關(guān)管M2和開關(guān)管M3,開關(guān)管M9和開關(guān)管M8構(gòu)成了兩對交叉耦合的反相器對,作為鎖存數(shù)據(jù)的作用,在預(yù)充電階段,數(shù)據(jù)的輸入時不影響后面鎖存器的工作狀態(tài)的。
      [0069]當(dāng)前級放大器處于工作模式時,若RS鎖存器23的輸入端S_, R_分別為低和高電平時,此時開關(guān)管Ml打開對Q節(jié)點進行充電,開關(guān)管M5打開,對Q_節(jié)點進行放電,在這個過程中開關(guān)管M8慢慢打開直至Q_下降到低電平,Q由于開關(guān)管M10,開關(guān)管M8導(dǎo)通而穩(wěn)定到高電平,這個過程因為兩個輸出支路的是完全對稱結(jié)構(gòu),所以輸出上升沿和下降沿的時間是一致的,這樣就不會有輸出延時不對稱的問題。
      [0070]更進一步地,因為在狀態(tài)改變時,開關(guān)管Ml,開關(guān)管M6與開關(guān)管M7,開關(guān)管M12只分別導(dǎo)通一個,如果能把交叉耦合的開關(guān)管M2和開關(guān)管M3,開關(guān)管M9和開關(guān)管M8的尺寸做的合適的小點,就能使得轉(zhuǎn)化的速度大幅度提升,繼而使得觸發(fā)器的速度得到大幅度的提高,而適當(dāng)調(diào)整驅(qū)動管的尺寸還能進一步提高輸出的驅(qū)動能力。
      [0071]本發(fā)明實施例的另一目的在于,提供一種采用上述抗輻照超高速觸發(fā)電路的航天超高速觸發(fā)器。
      [0072]本發(fā)明實施例采用DICE結(jié)構(gòu)的第一、第二靈敏放大器作為觸發(fā)器的前級,在實現(xiàn)鎖存型靈敏放大器本身的放大與復(fù)位功能的同時還能有效地預(yù)防單粒子翻轉(zhuǎn)帶來的問題,并且進一步將兩個靈敏放大器的輸出通過邏輯門運算后輸出給后一級的RS鎖存器,該RS鎖存器通過完全對稱結(jié)構(gòu)的第一、第二輸出支路,解決了輸出信號上升下降沿不等的問題,可以實現(xiàn)超高速觸發(fā),并且可以通過合理的調(diào)整關(guān)鍵MOS管的尺寸來減小傳輸延時,增強整個高速觸發(fā)器的輸出驅(qū)動能力。
      [0073]本發(fā)明實施例提供的觸發(fā)電路以及觸發(fā)器具有速度快,性能好的特點,能夠有效防止單粒子翻轉(zhuǎn),尤其符合航空航天【技術(shù)領(lǐng)域】中對于超高速觸發(fā)器的需求特點。
      [0074]以上僅為本發(fā)明的較佳實施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種抗輻照超高速觸發(fā)電路,其特征在于,所述觸發(fā)電路包括: 具有雙互鎖結(jié)構(gòu)的第一靈敏放大器和第二靈敏放大器,用于通過雙向互鎖將數(shù)據(jù)存放在不同節(jié)點,所述第一靈敏放大器的兩輸入端與所述第二靈敏放大器的兩輸入端對應(yīng)連接,所述第一靈敏放大器的時鐘端與所述第二靈敏放大器的時鐘端連接,所述第一靈敏放大器的第一正向輸出端與所述第二靈敏放大器的第一正向輸出端連接,所述第一靈敏放大器的第一反向輸出端與所述第二靈敏放大器的第一反向輸出端連接,所述第一靈敏放大器的第二正向輸出端與所述第二靈敏放大器的第二正向輸出端連接,所述第一靈敏放大器的第二反向輸出端與所述第二靈敏放大器的第二反向輸出端連接; 邏輯門電路,用于對不同節(jié)點的數(shù)據(jù)進行抗單粒子翻轉(zhuǎn)干擾處理,生成預(yù)充電信號、置位信號或復(fù)位信號,所述邏輯門電路的第一輸入端與所述第一、第二靈敏放大器的第二正向輸出端連接,所述邏輯門電路的第二輸入端與所述第一、第二靈敏放大器的第一正向輸出端連接,所述邏輯門電路的第三輸入端與所述第一、第二靈敏放大器的第一反向輸出端連接,所述邏輯門電路的第四輸入端與所述第一、第二靈敏放大器的第二反向輸出端連接; 具有交叉耦合結(jié)構(gòu)的RS鎖存器,用于在接收預(yù)充電信號時,形成反相器對結(jié)構(gòu),以鎖存數(shù)據(jù),或,在接收置位信號或復(fù)位信號時,通過對稱結(jié)構(gòu)實現(xiàn)輸出無延時,所述RS鎖存器的3_輸入端與所述邏輯門電路的第一輸出端連接,所述RS鎖存器的R_輸入端與所述邏輯門電路的第二輸出端連接,所述RS鎖存器的兩輸出端為所述觸發(fā)電路的輸出端; 所述雙互鎖結(jié)構(gòu)通過至少八個開關(guān)管交互耦合,形成兩個反相器對構(gòu)成。
      2.如權(quán)利要求1所述的觸發(fā)電路,其特征在于,所述第一靈敏放大器包括: 開關(guān)管Ml至開關(guān)管M14 ; 所述開關(guān)管Ml的控制端為所述第一靈敏放大器的時鐘端,所述開關(guān)管Ml的輸入端連接電源電壓,所述開關(guān)管Ml的輸出端為所述第一靈敏放大器的第一正向輸出端,所述開關(guān)管M6的輸入端連接電源電壓,所述開關(guān)管M6的控制端為所述第一靈敏放大器的第一反向輸出端,所述開關(guān)管M6的輸出端與所述開關(guān)管M8的輸入端連接,所述開關(guān)管M8的控制端為所述第一靈敏放大器第二反向輸出端,所述開關(guān)管M8的輸出端同時與所述開關(guān)管Ml的輸出端和所述開關(guān)管MlO的輸入端連接,所述開關(guān)管MlO的控制端為所述第一靈敏放大器的第一反向輸出端,所述開關(guān)管MlO的輸出端與所述開關(guān)管M12的輸入端連接,所述開關(guān)管M12的控制端為所述第一靈敏放大器的第二反向輸出端,所述開關(guān)管M12的輸出端同時與所述開關(guān)管M4的輸入端和所述開關(guān)管M14的輸入端連接,所述開關(guān)管M4的控制端為所述第一靈敏放大器的正向輸入端,所述開關(guān)管M4的輸出端與所述開關(guān)管M5的輸入端連接,所述開關(guān)管M5的控制端為所述第一靈敏放大器的時鐘端,所述開關(guān)管M5的輸出端接地,所述開關(guān)管M5的輸入端還與所述開關(guān)管M3的輸出端連接,所述開關(guān)管M3的控制端為所述第一靈敏放大器的反向輸入端,所述開關(guān)管M3的輸入端同時與所述開關(guān)管M14的輸出端和所述開關(guān)管M13的輸出端連接,所述開關(guān)管M14的控制端連接電源電壓,所述開關(guān)管M13的控制端為所述第一靈敏放大器的第二正向輸出端,所述開關(guān)管M13的輸入端與所述開關(guān)管Mll的輸出端連接,所述開關(guān)管Mll的控制端為所述第一靈敏放大器的第一正向輸出端,所述開關(guān)管Mll的輸入端同時與所述開關(guān)管M9的輸出端和所述開關(guān)管M2的輸出端連接,所述開關(guān)管M9的控制端為所述第一靈敏放大器的第二正向輸出端,所述開關(guān)管M9的輸入端與所述開關(guān)管M7的輸出端連接,所述開關(guān)管WJ的控制端為所述第一靈敏放大器的第一正向輸出端,所述開關(guān)管M7的輸入端和所述開關(guān)管M2的輸入端同時連接電源電壓,所述開關(guān)管M2的控制端為所述第一靈敏放大器的時鐘端,所述開關(guān)管M2的輸出端為所述第一靈敏放大器的第一反向輸出端。
      3.如權(quán)利要求2所述的觸發(fā)電路,其特征在于,所述開關(guān)管M1、所述開關(guān)管M2、所述開關(guān)管M6至所述開關(guān)管M9為P型MOS管,所述P型MOS管的源極為所述開關(guān)管的輸入端,所述P型MOS管的漏極為所述開關(guān)管的輸出端,所述P型MOS管的柵極為所述開關(guān)管的控制端; 所述開關(guān)管M3、所述開關(guān)管M4、所述開關(guān)管M5、所述開關(guān)管MlO至所述開關(guān)管M14為N型MOS管,所述N型MOS管的漏極為所述開關(guān)管的輸入端,所述N型MOS管的源極為所述開關(guān)管的輸出端,所述N型MOS管的柵極為所述開關(guān)管的控制端。
      4.如權(quán)利要求1所述的觸發(fā)電路,其特征在于,所述第二靈敏放大器包括: 開關(guān)管ml至開關(guān)管ml4 ; 所述開關(guān)管ml的控制端為所述第二靈敏放大器的時鐘端,所述開關(guān)管ml的輸入端連接電源電壓,所述開關(guān)管ml的輸出端為所述第二靈敏放大器的第二正向輸出端,所述開關(guān)管m6的輸入端連接電源電壓,所述開關(guān)管m6的控制端為所述第二靈敏放大器的第二反向輸出端,所述開關(guān)管m6的輸出端與所述開關(guān)管m8的輸入端連接,所述開關(guān)管m8的控制端為所述第二靈敏放大器第一反向輸出端,所述開關(guān)管m8的輸出端同時與所述開關(guān)管ml的輸出端和所述開關(guān)管mlO的輸入端連接,所述開關(guān)管mlO的控制端為所述第二靈敏放大器的第二反向輸出端,所述開關(guān)管mlO的輸出端與所述開關(guān)管ml2的輸入端連接,所述開關(guān)管ml2的控制端為所述第二靈敏放大器的第一反向輸出端,所述開關(guān)管ml2的輸出端同時與所述開關(guān)管m4的輸入端和所述開關(guān)管ml4的輸入端連接,所述開關(guān)管m4的控制端為所述第二靈敏放大器的正向輸入端,所述開關(guān)管m4的輸出端與所述開關(guān)管m5的輸入端連接,所述開關(guān)管m5的控制端為所述第一靈敏放大器的時鐘端,所述開關(guān)管m5的輸出端接地,所述開關(guān)管m5的輸入端還與所述開關(guān)管m3的輸出端連接,所述開關(guān)管m3的控制端為所述第二靈敏放大器的反向輸入端,所述開關(guān)管m3的輸入端同時與所述開關(guān)管ml4的輸出端和所述開關(guān)管ml3的輸出端連接,所述開關(guān)管ml4的控制端連接電源電壓,所述開關(guān)管ml3的控制端為所述第二靈敏放大器的第一正向輸出端,所述開關(guān)管ml3的輸入端與所述開關(guān)管mil的輸出端連接,所述開關(guān)管mil的控制端為所述第二靈敏放大器的第二正向輸出端,所述開關(guān)管mil的輸入端同時與所述開關(guān)管m9的輸出端和所述開關(guān)管m2的輸出端連接,所述開關(guān)管m9的控制端為所述第一靈敏放大器的第一正向輸出端,所述開關(guān)管m9的輸入端與所述開關(guān)管m7的輸出端連接,所述開關(guān)管m7的控制端為所述第二靈敏放大器的第二正向輸出端,所述開關(guān)管m7的輸入端和所述開關(guān)管m2的輸入端同時連接電源電壓,所述開關(guān)管m2的控制端為所述第二靈敏放大器的時鐘端,所述開關(guān)管m2的輸出端為所述第二靈敏放大器的第一反向輸出端。
      5.如權(quán)利要求4所述的觸發(fā)電路,其特征在于,所述開關(guān)管ml、所述開關(guān)管m2、所述開關(guān)管m6至所述開關(guān)管m9為P型MOS管,所述P型MOS管的源極為所述開關(guān)管的輸入端,所述P型MOS管的漏極為所述開關(guān)管的輸出端,所述P型MOS管的柵極為所述開關(guān)管的控制端; 所述開關(guān)管m3、所述開關(guān)管m4、所述開關(guān)管m5、所述開關(guān)管mlO至所述開關(guān)管ml4為N型MOS管,所述N型MOS管的漏極為所述開關(guān)管的輸入端,所述N型MOS管的源極為所述開關(guān)管的輸出端,所述N型MOS管的柵極為所述開關(guān)管的控制端。
      6.如權(quán)利要求1所述的觸發(fā)電路,其特征在于,所述邏輯門電路包括: 第一或門,所述第一或門的兩輸入端分別為所述邏輯門電路的第一、第二輸入端,所述第一或門的輸出端為所述邏輯門電路的第一輸出端; 第二或門,所述第二或門的兩輸入端分別為所述邏輯門電路的第三、第四輸入端,所述第二或門的輸出端為所述邏輯門電路的第二輸出端。
      7.如權(quán)利要求1所述的觸發(fā)電路,其特征在于,所述RS鎖存器包括: 對稱結(jié)構(gòu)的第一輸出支路和第二輸出支路; 所述第一輸出支路的第一輸入端與所述第二輸出支路的輸出端連接,所述第一輸出支路的第二輸出端為所述RS鎖存器的S_輸入端,所述第一輸出支路的輸出端為所述RS鎖存器的反向輸出端; 所述第二輸出支路的第一輸入端與所述第一輸出支路的輸出端連接,所述第二輸出支路的第二輸出端與為所述RS鎖存器的R_輸入端,所述第二輸出支路的輸出端為所述RS鎖存器的正向輸出端。
      8.如權(quán)利要求7所述的觸發(fā)電路,其特征在于,所述第一輸出支路包括: 開關(guān)管M21至開關(guān)管M26,以及第一反向器; 所述開關(guān)管M21的輸入端連接電源電壓,所述開關(guān)管M21的控制端為所述第一輸出支路的第二輸入端,所述開關(guān)管M21的輸出端為所述第一輸出支路的第一輸入端與所述開關(guān)管M22的控制端連接,所述開關(guān)管M22的輸入端連接電源電壓,所述開關(guān)管M22的輸出端與所述開關(guān)管M24的輸入端連接,所述開關(guān)管M24的控制端同時與所述第一反相器的輸出端和所述開關(guān)管M26的控制端連接,所述開關(guān)管M24的輸出端為所述第一輸出支路的輸出端與所述開關(guān)管M26的輸入端連接,所述開關(guān)管M26的輸出端接地,所述第一反向器的輸入端與所述開關(guān)管M21的控制端連接,所述開關(guān)管M21的輸出端還與所述開關(guān)管M23的輸入端連接,所述開關(guān)管M23的控制端與所述開關(guān)管M24的輸出端連接,所述開關(guān)管M23的輸出端與所述開關(guān)管M25的輸入端連接,所述開關(guān)管M25的控制端與所述開關(guān)管M21的控制端連接,所述開關(guān)管M25的輸出端接地; 所述第二輸出支路包括: 開關(guān)管M27至開關(guān)管M32,以及第二反相器; 所述開關(guān)管M27的輸入端連接電源電壓,所述開關(guān)管M27的控制端為所述第二輸出支路的第二輸入端,所述開關(guān)管M27的輸出端為所述第二輸出支路的第一輸入端與所述開關(guān)管M28的控制端連接,所述開關(guān)管M28的輸入端連接電源電壓,所述開關(guān)管M28的輸出端與所述開關(guān)管M30的輸入端連接,所述開關(guān)管M30的控制端同時與所述第二反相器的輸出端和所述開關(guān)管M32的控制端連接,所述開關(guān)管M30的輸出端為所述第二輸出支路的輸出端與所述開關(guān)管M32的輸入端連接,所述開關(guān)管M32的輸出端接地,所述第二反相器的輸入端與所述開關(guān)管M27的控制端連接,所述開關(guān)管M29的輸入端與所述開關(guān)管M27的輸出端連接,所述開關(guān)管M29的控制端與所述開關(guān)管M30的輸出端連接,所述開關(guān)管M29的輸出端與所述開關(guān)管M31的輸入端連接,所述開關(guān)管M31的控制端與所述開關(guān)管M27的控制端連接,所述開關(guān)管M31的輸出端接地。
      9.如權(quán)利要求7所述的觸發(fā)電路,其特征在于,所述開關(guān)管M21、所述開關(guān)管M22、所述開關(guān)管M24、所述開關(guān)管M27、所述開關(guān)管M28、所述開關(guān)管M30為P型MOS管,所述P型MOS管的源極為所述開關(guān)管的輸入端,所述P型MOS管的漏極為所述開關(guān)管的輸出端,所述P型MOS管的柵極為所述開關(guān)管的控制端; 所述開關(guān)管M23、所述開關(guān)管M25、所述開關(guān)管M26、所述開關(guān)管M29、所述開關(guān)管M31、所述開關(guān)管M32為N型MOS管,所述N型MOS管的漏極為所述開關(guān)管的輸入端,所述N型MOS管的源極為所述開關(guān)管的輸出端,所述N型MOS管的柵極為所述開關(guān)管的控制端。
      10.一種航天超高速觸發(fā)器,其特征在于,所述航天超高速觸發(fā)器包括如權(quán)利要求1至9任一項所述的抗輻照超高速觸發(fā)電路。
      【文檔編號】H03K3/02GK104506168SQ201410756538
      【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年12月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月10日
      【發(fā)明者】寧源, 劉云龍, 孫博文, 李大超 申請人:深圳市國微電子有限公司
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1