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      一種高厚徑比線路板的孔金屬化方法與流程

      文檔序號:12137267閱讀:522來源:國知局

      本發(fā)明屬于線路板加工技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種高厚徑比線路板的孔金屬化方法。



      背景技術(shù):

      線路板的孔金屬化是指在線路板頂層和底層之間的通孔的內(nèi)壁上鍍一層銅,使得線路板的頂層與底層相互連接。通常采用傳統(tǒng)直流電鍍的方式實(shí)現(xiàn)線路板的孔金屬化。隨著高速傳輸技術(shù)的發(fā)展,線路板容量不斷增加,因而線路板的層數(shù)不斷增加,對應(yīng)的線路板厚度不斷增加,同時,為了盡量減小通孔的損耗,線路板通孔孔徑越來越小,從而帶來線路板厚徑比越來越大。傳統(tǒng)的直流鍍銅技術(shù)由于深鍍能力不足,無法滿足高厚徑比線路板孔金屬化的要求,尤其是對通孔有裝配要求的線路板,傳統(tǒng)電鍍方式更是難以滿足對孔徑公差的需求。

      目前,通過以下兩種方式來提高深鍍能力,從而實(shí)現(xiàn)高厚徑比線路板孔金屬化:(1)通過改良電鍍藥水的光劑組分,以及降低通孔孔口到通孔孔中心的電壓降的方式來改良傳統(tǒng)的直流電鍍方式,以實(shí)現(xiàn)高厚徑比線路板的孔金屬化;(2)通過脈沖電鍍設(shè)備采用脈沖電鍍的方式實(shí)現(xiàn)高厚徑比線路板的孔金屬化。

      現(xiàn)有技術(shù)的加工過程中,至少存在以下問題:

      上述兩種方法投入較大,生產(chǎn)成本高;為實(shí)現(xiàn)較高的深鍍能力,使用的電流較小,效率會比較低。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      有鑒于此,本發(fā)明提供一種高厚徑比線路板的孔金屬化方法,以解決背景技術(shù)中所述的問題。

      本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種高厚徑比線路板的孔金屬化方法,包括如下步驟:

      S1、對線路板進(jìn)行控深鉆背鉆孔、磨板、去毛刺后進(jìn)行磁控濺射電鍍;

      S2、填孔電鍍,在步驟S1 中化學(xué)沉銅后的背鉆孔內(nèi)鍍厚銅層;

      S3、線路板表面貼覆板面干膜,制作外層圖形,并進(jìn)行圖形電鍍,在線路板板面及背鉆孔內(nèi)形成保護(hù)錫層,然后退掉所述板面干膜;

      S4、在線路板表面制作掩孔干膜;

      S5、化學(xué)蝕刻線路板,去除掩孔干膜,去除保護(hù)錫層。

      所述步驟S4 中在制作掩孔干膜之前還包括制作掩孔菲林的步驟。

      所述掩孔菲林上掩孔圖形的直徑比所述背鉆孔的孔徑大0.16-0.22mm。

      所述步驟S3 中,貼覆板面干膜后還包括曝光和顯影的步驟。

      所述步驟S1磁控濺射形成的銅層厚度為0.05-0.15μm。

      所述步驟S2 中所述填孔電鍍形成的銅層厚度為5-10μm。

      所述步驟S2 中所述填孔電鍍電流密度為15-18ASF,電鍍時間為20-37min。

      所述背鉆孔的厚徑比為18:1-26:1。

      所述步驟S1中,磁控濺射的方法為:濺射的靶材為99.999% 的高純銅,金屬的直徑為15-25mm、厚度為1-3mm。靶和基板之間的距離為12-15cm,工作氣體為 99.99% 的高純氮?dú)夂?9.99%的高純氬氣,分別使用質(zhì)量流量計控制;基板在放入真空室之前,分別用丙酮、酒精、去離子水超聲清洗,濺射前將真空室氣壓抽到0.5×10-5-1.5×10-5Pa,并充入氬氣預(yù)濺射3-5min以清洗靶面。隨后通入氮?dú)?,控制總濺射氣壓在6-10Pa,控制氮?dú)馀c氬氣的比例為1:2,濺射功率控制在105-118w,濺射時間為20-40min。

      所述高厚徑比線路板的孔內(nèi)表面電阻率在25°C時為3.7×10-8-6.4×10-8Ω·m。

      本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明能夠解決由于高厚徑比金屬化背鉆孔比較深,圖形電鍍后錫層難以鍍到孔底部,導(dǎo)致蝕刻后孔底無錫層保護(hù)、出現(xiàn)孔內(nèi)無金屬銅的現(xiàn)象,進(jìn)而導(dǎo)致線路板報廢,從而提出一種改善高厚徑比線路板金屬化背鉆孔無銅的方法;能夠有效控制孔壁銅的厚度,厚薄可控,能夠避免現(xiàn)有技術(shù)中常用的厚銅工藝造成的材料的浪費(fèi),并且采用此方式能夠使孔壁表面銅層厚度均勻,表面平整,能夠滿足精密電路元件線路板性能的要求;加工方法簡單,技術(shù)先進(jìn),提高了電鍍電流密度,縮短了電鍍的時間,提高了深鍍能力,并有效減少電鍍所造成的污染。

      具體實(shí)施方式

      下面將對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

      實(shí)施例1

      本實(shí)施例提供一種高厚徑比線路板的孔金屬化方法,包括如下步驟:

      S1、對線路板進(jìn)行控深鉆背鉆孔、磨板、去毛刺后進(jìn)行磁控濺射電鍍;

      S2、填孔電鍍,在步驟S1 中化學(xué)沉銅后的背鉆孔內(nèi)鍍厚銅層;

      S3、線路板表面貼覆板面干膜,制作外層圖形,并進(jìn)行圖形電鍍,在線路板板面及背鉆孔內(nèi)形成保護(hù)錫層,然后退掉所述板面干膜;

      S4、在線路板表面制作掩孔干膜;

      S5、化學(xué)蝕刻線路板,去除掩孔干膜,去除保護(hù)錫層。

      所述步驟S4 中在制作掩孔干膜之前還包括制作掩孔菲林的步驟。

      所述掩孔菲林上掩孔圖形的直徑比所述背鉆孔的孔徑大0.19mm。

      所述步驟S3 中,貼覆板面干膜后還包括曝光和顯影的步驟。

      所述步驟S1磁控濺射形成的銅層厚度為0.08μm。

      所述步驟S2 中所述填孔電鍍形成的銅層厚度為8μm。

      所述步驟S2 中所述填孔電鍍電流密度為16ASF,電鍍時間為28min。

      所述背鉆孔的厚徑比為22:1。

      所述步驟S1中,磁控濺射的方法為:濺射的靶材為99.999% 的高純銅,金屬的直徑為20mm、厚度為2mm。靶和基板之間的距離為13cm,工作氣體為 99.99% 的高純氮?dú)夂?9.99%的高純氬氣,分別使用質(zhì)量流量計控制;基板在放入真空室之前,分別用丙酮、酒精、去離子水超聲清洗,濺射前將真空室氣壓抽到0.8×10-5,并充入氬氣預(yù)濺射4.2min以清洗靶面。隨后通入氮?dú)?,控制總濺射氣壓在8Pa,控制氮?dú)馀c氬氣的比例為1:2,濺射功率控制在113w,濺射時間為32min。

      所述高厚徑比線路板的孔內(nèi)表面電阻率在25°C時為4.7×10-8-Ω·m。

      本實(shí)施例方法能夠解決由于高厚徑比金屬化背鉆孔比較深,圖形電鍍后錫層難以鍍到孔底部,導(dǎo)致蝕刻后孔底無錫層保護(hù)、出現(xiàn)孔內(nèi)無金屬銅的現(xiàn)象,進(jìn)而導(dǎo)致線路板報廢,從而提出一種改善高厚徑比線路板金屬化背鉆孔無銅的方法;能夠有效控制孔壁銅的厚度,厚薄可控,能夠避免現(xiàn)有技術(shù)中常用的厚銅工藝造成的材料的浪費(fèi),并且采用此方式能夠使孔壁表面銅層厚度均勻,表面平整,能夠滿足精密電路元件線路板性能的要求;加工方法簡單,技術(shù)先進(jìn),提高了電鍍電流密度,縮短了電鍍的時間,提高了深鍍能力,并有效減少電鍍所造成的污染。

      實(shí)施例2

      本實(shí)施例提供一種高厚徑比線路板的孔金屬化方法,包括如下步驟:

      S1、對線路板進(jìn)行控深鉆背鉆孔、磨板、去毛刺后進(jìn)行磁控濺射電鍍;

      S2、填孔電鍍,在步驟S1 中化學(xué)沉銅后的背鉆孔內(nèi)鍍厚銅層;

      S3、線路板表面貼覆板面干膜,制作外層圖形,并進(jìn)行圖形電鍍,在線路板板面及背鉆孔內(nèi)形成保護(hù)錫層,然后退掉所述板面干膜;

      S4、在線路板表面制作掩孔干膜;

      S5、化學(xué)蝕刻線路板,去除掩孔干膜,去除保護(hù)錫層。

      所述步驟S4 中在制作掩孔干膜之前還包括制作掩孔菲林的步驟。

      所述掩孔菲林上掩孔圖形的直徑比所述背鉆孔的孔徑大0.16mm。

      所述步驟S3 中,貼覆板面干膜后還包括曝光和顯影的步驟。

      所述步驟S1磁控濺射形成的銅層厚度為0.05μm。

      所述步驟S2 中所述填孔電鍍形成的銅層厚度為5μm。

      所述步驟S2 中所述填孔電鍍電流密度為18ASF,電鍍時間為20min。

      所述背鉆孔的厚徑比為26:1。

      所述步驟S1中,磁控濺射的方法為:濺射的靶材為99.999% 的高純銅,金屬的直徑為15mm、厚度為1mm。靶和基板之間的距離為12cm,工作氣體為 99.99% 的高純氮?dú)夂?9.99%的高純氬氣,分別使用質(zhì)量流量計控制;基板在放入真空室之前,分別用丙酮、酒精、去離子水超聲清洗,濺射前將真空室氣壓抽到1.5×10-5Pa,并充入氬氣預(yù)濺射3min以清洗靶面。隨后通入氮?dú)猓刂瓶倿R射氣壓在10Pa,控制氮?dú)馀c氬氣的比例為1:2,濺射功率控制在118w,濺射時間為20min。

      所述高厚徑比線路板的孔內(nèi)表面電阻率在25°C時為6.4×10-8Ω·m。

      實(shí)施例3

      本實(shí)施例提供一種高厚徑比線路板的孔金屬化方法,包括如下步驟:

      S1、對線路板進(jìn)行控深鉆背鉆孔、磨板、去毛刺后進(jìn)行磁控濺射電鍍;

      S2、填孔電鍍,在步驟S1 中化學(xué)沉銅后的背鉆孔內(nèi)鍍厚銅層;

      S3、線路板表面貼覆板面干膜,制作外層圖形,并進(jìn)行圖形電鍍,在線路板板面及背鉆孔內(nèi)形成保護(hù)錫層,然后退掉所述板面干膜;

      S4、在線路板表面制作掩孔干膜;

      S5、化學(xué)蝕刻線路板,去除掩孔干膜,去除保護(hù)錫層。

      所述步驟S4 中在制作掩孔干膜之前還包括制作掩孔菲林的步驟。

      所述掩孔菲林上掩孔圖形的直徑比所述背鉆孔的孔徑大0.22mm。

      所述步驟S3 中,貼覆板面干膜后還包括曝光和顯影的步驟。

      所述步驟S1磁控濺射形成的銅層厚度為0.15μm。

      所述步驟S2 中所述填孔電鍍形成的銅層厚度為10μm。

      所述步驟S2 中所述填孔電鍍電流密度為15ASF,電鍍時間為37min。

      所述背鉆孔的厚徑比為18:1。

      所述步驟S1中,磁控濺射的方法為:濺射的靶材為99.999% 的高純銅,金屬的直徑為25mm、厚度為3mm。靶和基板之間的距離為15cm,工作氣體為 99.99% 的高純氮?dú)夂?9.99%的高純氬氣,分別使用質(zhì)量流量計控制;基板在放入真空室之前,分別用丙酮、酒精、去離子水超聲清洗,濺射前將真空室氣壓抽到0.5×10-5Pa,并充入氬氣預(yù)濺射5min以清洗靶面。隨后通入氮?dú)?,控制總濺射氣壓在6Pa,控制氮?dú)馀c氬氣的比例為1:2,濺射功率控制在105w,濺射時間為40min。

      所述高厚徑比線路板的孔內(nèi)表面電阻率在25°C時為3.7×10-8Ω·m。

      實(shí)施例4

      本實(shí)施例提供一種高厚徑比線路板的孔金屬化方法,包括如下步驟:

      S1、對線路板進(jìn)行控深鉆背鉆孔、磨板、去毛刺后進(jìn)行磁控濺射電鍍;

      S2、填孔電鍍,在步驟S1 中化學(xué)沉銅后的背鉆孔內(nèi)鍍厚銅層;

      S3、線路板表面貼覆板面干膜,制作外層圖形,并進(jìn)行圖形電鍍,在線路板板面及背鉆孔內(nèi)形成保護(hù)錫層,然后退掉所述板面干膜;

      S4、在線路板表面制作掩孔干膜;

      S5、化學(xué)蝕刻線路板,去除掩孔干膜,去除保護(hù)錫層。

      所述步驟S4 中在制作掩孔干膜之前還包括制作掩孔菲林的步驟。

      所述掩孔菲林上掩孔圖形的直徑比所述背鉆孔的孔徑大0.19mm。

      所述步驟S3 中,貼覆板面干膜后還包括曝光和顯影的步驟。

      所述步驟S1磁控濺射形成的銅層厚度為0.08μm。

      所述步驟S2 中所述填孔電鍍形成的銅層厚度為8μm。

      所述步驟S2 中所述填孔電鍍電流密度為16ASF,電鍍時間為28min。

      所述背鉆孔的厚徑比為20:1。

      所述步驟S1中,磁控濺射的方法為:濺射的靶材為99.999% 的高純銅,金屬的直徑為25mm、厚度為3mm。靶和基板之間的距離為15cm,工作氣體為 99.99% 的高純氮?dú)夂?9.99%的高純氬氣,分別使用質(zhì)量流量計控制;基板在放入真空室之前,分別用丙酮、酒精、去離子水超聲清洗,濺射前將真空室氣壓抽到0.5×10-5Pa,并充入氬氣預(yù)濺射5min以清洗靶面。隨后通入氮?dú)猓刂瓶倿R射氣壓在6Pa,控制氮?dú)馀c氬氣的比例為1:2,濺射功率控制在105w,濺射時間為40min。

      所述高厚徑比線路板的孔內(nèi)表面電阻率在25°C時為5.3×10-8Ω·m。

      實(shí)施例5

      本實(shí)施例提供一種高厚徑比線路板的孔金屬化方法,包括如下步驟:

      S1、對線路板進(jìn)行控深鉆背鉆孔、磨板、去毛刺后進(jìn)行磁控濺射電鍍;

      S2、填孔電鍍,在步驟S1 中化學(xué)沉銅后的背鉆孔內(nèi)鍍厚銅層;

      S3、線路板表面貼覆板面干膜,制作外層圖形,并進(jìn)行圖形電鍍,在線路板板面及背鉆孔內(nèi)形成保護(hù)錫層,然后退掉所述板面干膜;

      S4、在線路板表面制作掩孔干膜;

      S5、化學(xué)蝕刻線路板,去除掩孔干膜,去除保護(hù)錫層。

      所述步驟S4 中在制作掩孔干膜之前還包括制作掩孔菲林的步驟。

      所述掩孔菲林上掩孔圖形的直徑比所述背鉆孔的孔徑大0.19mm。

      所述步驟S3 中,貼覆板面干膜后還包括曝光和顯影的步驟。

      所述步驟S1磁控濺射形成的銅層厚度為0.08μm。

      所述步驟S2 中所述填孔電鍍形成的銅層厚度為8μm。

      所述步驟S2 中所述填孔電鍍電流密度為16ASF,電鍍時間為28min。

      所述背鉆孔的厚徑比為24:1。

      所述步驟S1中,磁控濺射的方法為:濺射的靶材為99.999% 的高純銅,金屬的直徑為15mm、厚度為1mm。靶和基板之間的距離為12cm,工作氣體為 99.99% 的高純氮?dú)夂?9.99%的高純氬氣,分別使用質(zhì)量流量計控制;基板在放入真空室之前,分別用丙酮、酒精、去離子水超聲清洗,濺射前將真空室氣壓抽到1.5×10-5Pa,并充入氬氣預(yù)濺射3min以清洗靶面。隨后通入氮?dú)?,控制總濺射氣壓在10Pa,控制氮?dú)馀c氬氣的比例為1:2,濺射功率控制在118w,濺射時間為20min。

      所述高厚徑比線路板的孔內(nèi)表面電阻率在25°C時為4.2×10-8Ω·m。

      對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié),而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下,能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此,無論從哪一點(diǎn)來看,均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定,因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。

      此外,應(yīng)當(dāng)理解,雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述,但并非每個實(shí)施方式僅包含一個獨(dú)立的技術(shù)方案,說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見,本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說明書作為一個整體,各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合,形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。對于本發(fā)明中所有未詳盡描述的技術(shù)細(xì)節(jié),均可通過本領(lǐng)域任一現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)。

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