本申請是中國專利申請?zhí)枮?01380018135.4，發(fā)明名稱為“表面處理銅箔”，申請日為2013年3月29日的中國發(fā)明專利申請的分案申請。
本發(fā)明涉及一種用以制造可良好地傳送高頻電氣信號的可撓性印刷配線板(fpc)的覆銅積層板用表面處理銅箔。
背景技術(shù)：
可撓性印刷配線板系通過下述方式制造：蝕刻基板的銅箔而形成各種配線圖案，并利用焊接連接電子零件而進行構(gòu)裝。銅箔根據(jù)其制造方法而分類成電解銅箔與壓延銅箔，于可撓性基板用銅箔中，由于耐彎曲性優(yōu)異的壓延銅箔較佳，故被廣泛使用。又，于計算機或移動體通訊等電子機器中，伴隨著通訊的高速化及大容量化，電信號的高頻化進展，從而要求可與其相對應(yīng)的印刷配線板及銅箔。
雖然于計算機或移動體通訊等電子機器中電信號高頻化，但若電信號的頻率為1ghz以上，則電流僅于導(dǎo)體的表面流通的集膚效應(yīng)的影響變得顯著，從而變得無法無視于下述影響：因表面的凹凸而使電流傳導(dǎo)途徑變化，從而導(dǎo)體損耗增大。根據(jù)此觀點亦為銅箔的表面粗糙度小者較為理想。
生箔的電解銅箔的表面系通過銅的電沉積粒子而形成，生箔的壓延銅箔的表面系通過與壓延輥的接觸而形成。因此，一般而言，生箔的壓延銅箔的表面粗糙度比電解銅箔的表面粗糙度小。又，關(guān)于粗化處理中的電沉積粒子，壓延銅箔的電沉積粒子較細微。據(jù)此，可說是壓延銅箔作為高頻電路用銅箔較為優(yōu)異。
另一方面，雖然愈是高頻則數(shù)據(jù)的傳輸量愈大，但信號電力的損耗(衰減)亦變大，變得無法讀取數(shù)據(jù)，因此，限制fpc的電路長度。為了使上述的信號電力的損耗(衰減)減小，而傾向于導(dǎo)體側(cè)為銅箔的表面粗糙度小者，且樹脂側(cè)為從聚酰亞胺轉(zhuǎn)變成液晶聚合物。再者，自集膚效應(yīng)的觀點而言，最為理想的被認為是未形成粗化處理的粗糙度小的銅箔。
電子電路中的信號電力的損耗(衰減)大致可分為兩種。第一種是導(dǎo)體損耗，即銅箔所導(dǎo)致的損耗，第二種是介電體損耗，即基板所導(dǎo)致的損耗。于導(dǎo)體損耗，在高頻區(qū)域中具有下述特性：具有集膚效應(yīng)，電流流經(jīng)導(dǎo)體的表面。因此，若銅箔表面粗糙，則電流沿著復(fù)雜的路徑流動。如上所述，由于壓延銅箔的粗糙度比電解銅箔小，故有導(dǎo)體耗損較少的傾向。
另一方面，液晶聚合物(lcp)系以液相(熔融或熔液)顯示光學(xué)異向性的聚合物，必須不使用接著劑地與銅箔積層。全芳香族聚酯系液晶聚合物即便于熔融狀態(tài)亦顯示分子的配向性，于固體狀態(tài)亦保持此狀態(tài)，為顯示熱塑性的無鹵素材料。
液晶聚合物(lcp)其特征在于低介電率、低介電損失正切。此外，由于相對于lcp的比介電率為3.3，聚酰亞胺的比介電率為3.5，相對于lcp的介電損失正切為0.002，聚酰亞胺的介電損失正切為0.01，因此，液晶聚合物(lcp)于特性上較為優(yōu)異。又，液晶聚合物(lcp)為低吸水性，且具有低吸濕率的特征，具有電特性的變化少且尺寸變化少此一大優(yōu)點。
于壓延銅箔中，為了確保操作性，具有下述特征：于最后退火后進行壓延的經(jīng)壓延材料為最合適(例如，參閱專利文獻1)。
然而，具有液晶聚合物(lcp)與聚酰亞胺相比，其強度較弱，積層有銅箔的材料難以表現(xiàn)出剝離強度此一大問題。銅箔的粗糙度愈大，則愈可得到物理上的錨固效果，故而有剝離強度變高的傾向，但受到上述集膚效應(yīng)的影響，于高頻時的電特性惡化。
又，雖然有許多高頻電路用銅箔的提案(例如，參閱專利文獻2、3、4、5)，但現(xiàn)狀為從壓延銅箔的制造步驟的簡化及使高頻傳導(dǎo)損耗減少的觀點而言，仍未有有效的技術(shù)。
專利文獻1：日本特開2003－193211號公報
專利文獻2：日本特公昭61－54592號公報
專利文獻3：日本特公平3－34679號公報
專利文獻4：日本特公平7－10564號公報
專利文獻5：日本特開平5－55746號公報。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明系有鑒于如上所述的問題點而完成者，以其為目的時，本案發(fā)明課題在于：獲得一種在提供“在適用于高頻用途的液晶聚合物(lcp)積層有銅箔”的可撓性印刷基板(fpc)用銅箔時剝離強度提高的銅箔。
本發(fā)明人等，發(fā)現(xiàn)根據(jù)下述的理由可減少傳輸損耗。
第一：于高頻區(qū)域中，銅箔表面造成大幅影響。若表面粗糙度變大，則傳輸損耗變大。因此，銅箔的表面粗糙度盡可能地調(diào)整為較小是有效的。
第二：利用液晶聚合物(lcp)積層基板。但是為此必須提高與銅箔的接著強度(剝離強度)。
得到了通過解決以上的問題，可提供抑制了信號電力損耗(衰減)的可撓性印刷基板(fpc)此知識見解。
根據(jù)上述的知識見解，本案發(fā)明提供以下發(fā)明。
1)一種表面處理銅箔，其銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2。
2)如上述1)的表面處理銅箔，其中，銅箔表面的si附著量為10.0～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為8.0～690μg/dm2。
3)如上述1)記載的表面處理銅箔，其中，銅箔表面的si附著量為20.5～245μg/dm2，銅箔表面的n附著量為16.4～565μg/dm2。
4)如上述1)至3)中任一項記載的表面處理銅箔，其系可撓性印刷電路基板用銅箔。
5)如上述1)至4)中任一項記載的表面處理銅箔，其中，銅箔為壓延銅箔或電解銅箔。
6)如上述1)至5)中任一項記載的表面處理銅箔，其系與由液晶聚合物構(gòu)成的可撓性印刷電路基板接合的銅箔。
7)如上述1)至6)中任一項記載的表面處理銅箔，其中，與由液晶聚合物構(gòu)成的可撓性印刷電路基板接合的情形時的90度常態(tài)剝離強度為0.3kg/cm以上。
8)如上述1)至7)中任一項記載的表面處理銅箔，其與可在超過1ghz的高頻率下使用的可撓性印刷電路板接合。
通過本發(fā)明，可制造可使用于高頻電路用途的表面處理銅箔，通過將該銅箔應(yīng)用于液晶聚合物(lcp)積層基板，可得到下述優(yōu)異效果：可提高接著強度(剝離強度)，且可實現(xiàn)可于超過1ghz的高頻率下使用的可撓性印刷電路板。
具體實施方式
可使用于高頻電路用途的表面處理銅箔其特征在于：銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2。由此，于使銅箔接著于液晶聚合物(lcp)積層基板時，可提高接著強度(剝離強度)。再者，作為達成上述銅箔表面的si附著量與n附著量的一個手段，可列舉對銅箔表面進行硅烷處理。又，將本案的表面處理銅箔用于高頻電路用銅箔是有效的。
若銅箔表面的si附著量未達3.1μg/dm2、銅箔表面的n附著量未達2.5μg/dm2，則接著強度不足，于銅箔表面的si附著量超過300μg/dm2、銅箔表面的n附著量超過690μg/dm2的情形，由于與lcp積層時會起泡，因此過多的話，并不佳。
特別是，銅箔表面的si附著量為8.0～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為8.0～690μg/dm2較為理想，銅箔表面的si附著量為20.5～245g/dm2，銅箔表面的n附著量為16.4～565μg/dm2更為理想。
再者，硅烷涂布方法可為硅烷偶合劑溶液的噴霧吹附、涂布機涂布、浸漬、流附等的任一種。關(guān)于這些，由于已為眾所周知的技術(shù)(例如，參閱日本特公昭60－15654號公報)，故省略其細節(jié)。
關(guān)于銅箔表面的si附著量，以酸溶解大小為1dm×1dm的經(jīng)表面處理的銅箔，利用icp(感應(yīng)耦合電漿原子發(fā)射光譜法)進行定量，求出附著的si相對于經(jīng)表面處理的銅箔的單位面積的質(zhì)量(μg)。
關(guān)于銅箔表面的n附著量，以高溫溶解大小為1dm×1dm的經(jīng)表面處理的銅箔，由產(chǎn)生的no2算出附著n量，測定銅箔的整個表面所附著的n量，由此求出附著的n相對于經(jīng)表面處理的銅箔的單位面積的質(zhì)量。
經(jīng)提高接著強度的銅箔，成為最適合用于由液晶聚合物構(gòu)成的可撓性印刷電路基板的高頻電路用銅箔。也就是說，可使與由液晶聚合物構(gòu)成的可撓性印刷電路基板接合的情形時的90度常態(tài)剝離強度為0.3kg/cm以上。
又，由于可提高銅箔的接著強度，故可應(yīng)用于銅箔的表面粗糙度小(導(dǎo)體耗損少)的壓延銅箔及電解銅箔，可得到最合適的高頻電路用銅箔。高頻電路用銅箔可制造可在超過1ghz的高頻率下使用的可撓性印刷電路板。
再者，本案發(fā)明的表面處理銅箔亦可具有粗化處理層及/或耐熱處理層及/或防銹處理層及/或鉻酸鹽處理層及/或鍍敷處理層及/或硅烷偶合處理層。上述粗化處理層并無特別限定，可應(yīng)用所有的粗化處理層或公知的粗化處理層。
上述耐熱處理層并無特別限定，可應(yīng)用所有的耐熱處理層或公知的耐熱處理層。上述防銹處理層并無特別限定，可應(yīng)用所有的防銹處理層或公知的防銹處理層。上述鍍敷處理層并無特別限定，可應(yīng)用所有的鍍敷處理層或公知的鍍敷處理層。上述鉻酸鹽處理層并無特別限定，可應(yīng)用所有的鉻酸鹽處理層或公知的鉻酸鹽處理層。
例如，本案發(fā)明的表面處理銅箔亦可于其表面通過施予例如用于使與絕緣基板的密合性變得良好等的粗化處理而設(shè)置粗化處理層。粗化處理例如可通過利用銅或銅合金來形成粗化粒子而進行。粗化處理亦可為細微者。粗化處理層亦可為由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鈷及鋅構(gòu)成的群中的任一單質(zhì)或含有任一種以上的合金所構(gòu)成的層等。
又，于利用銅或銅合金來形成粗化粒子后，亦可進一步進行利用鎳、鈷、銅、鋅的單質(zhì)或合金等來設(shè)置二次粒子或三次粒子的粗化處理。之后，亦可利用鎳、鈷、銅、鋅的單質(zhì)或合金等來形成耐熱處理層或防銹處理層，亦可進一步于其表面施予鉻酸鹽處理、硅烷偶合劑處理等的處理?；蛘撸嗫刹贿M行粗化處理，而以鎳、鈷、銅、鋅的單質(zhì)或合金等來形成耐熱處理層或防銹處理層，并進一步于其表面施予鉻酸鹽處理、硅烷偶合劑處理等的處理。
亦即，可于粗化處理層的表面形成選自由耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶合處理層構(gòu)成的群中的1種以上的層，亦可于表面處理銅箔的表面形成選自由耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶合處理層構(gòu)成的群中的1種以上的層。再者，上述耐熱層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層、硅烷偶合處理層亦可各自形成多層(例如2層以上、3層以上等)。又，于本發(fā)明中，“防銹處理層”包含“鉻酸鹽處理層”。
再者，若考慮與樹脂的密合性，則較佳為于表面處理銅箔的最外層設(shè)置硅烷偶合處理層。作為粗化處理層，較佳為形成有銅的一次粒子層與在該一次粒子層上的由3元系合金構(gòu)成的二次粒子層，該3元系合金是由銅、鈷及鎳構(gòu)成。
又，較佳為該一次粒子層的平均粒徑為0.25～0.45μm，該二次粒子層的平均粒徑為0.05～0.25μm。
又，可使用以下處理作為防銹處理或鉻酸鹽處理。
＜ni－co鍍敷＞：ni－co合金鍍敷
(液體組成)co：1～20g/l，ni：1～20g/l
(ph)1.5～3.5
(液溫)30～80℃
(電流密度)1～20a/dm2
(通電時間)0.5～4秒
＜zn－ni鍍敷＞：zn－ni合金鍍敷
(液體組成)zn：10～30g/l，ni：1～10g/l
(ph)3～4
(液溫)40～50℃
(電流密度)0.5～5a/dm2
(通電時間)1～3秒
＜ni－mo鍍敷＞：ni－mo合金鍍敷
(液體組成)硫酸鎳：270～280g/l，氯化鎳：35～45g/l，乙酸鎳：10～20g/l，鉬(以鉬酸鈉形式添加)：0.1～10g/l，檸檬酸三鈉：15～25g/l，光澤劑：糖精、丁炔二醇等，十二基硫酸鈉：55～75ppm。
(ph)4～6
(液溫)55～65℃
(電流密度)1～11a/dm2
(通電時間)1～20秒
＜cu－zn鍍敷＞：cu－zn合金鍍敷
(液體組成)nacn：10～30g/l，naoh：40～100g/l，cu：60～120g/l，zn：1～10g/l
(液溫)60～80℃
(電流密度)1～10a/dm2
(通電時間)1～10秒
＜電解鉻酸鹽＞
(液體組成)鉻酸酐、鉻酸、或重鉻酸鈣：1～10g/l，鋅(添加的情形以硫酸鋅的形式添加)：0～5g/l
(ph)0.5～10
(液溫)40～60℃
(電流密度)0.1～2.6a/dm2
(庫倫量)0.5～90as/dm2
(通電時間)1～30秒
＜浸漬鉻酸鹽＞
(液體組成)鉻酸酐、鉻酸、或重鉻酸鈣：1～10g/l，鋅(添加的情形以硫酸鋅的形式添加)：0～5g/l
(ph)2～10
(液溫)20～60℃
(處理時間)1～30秒
又，于硅烷偶合劑處理中，在使si與n附著于銅箔表面的情形時，于硅烷偶合劑處理中使用胺基硅烷。而且，使硅烷偶合劑處理液中的硅烷偶合劑的濃度比以往高(例如，1.5vol％以上)，必須進行硅烷偶合劑處理。又，必須不使硅烷偶合劑處理后的干燥溫度過高，且不使干燥時間過長。其是由于在使干燥溫度過高或使干燥時間過長的情形時，有存在于銅箔表面的硅烷偶合劑會脫離的情形。
硅烷偶合劑處理后的干燥，較佳例如為以干燥溫度90～110℃、較佳為95℃～105℃，干燥時間1～10秒鐘、較佳為1～5秒鐘來進行。
又，于較佳的實施方案中，作為胺基硅烷，可使用含有1個以上的胺基及/或亞胺基的硅烷。胺基硅烷中所含的胺基及亞胺基的數(shù)目例如可分別為1～4個，較佳為分別為1～3個，更較佳為1～2個。于較佳的實施方案中，胺基硅烷中所含的胺基及亞胺基的數(shù)目可分別為1個。
胺基硅烷中所含的胺基及亞胺基的數(shù)目的合計為1個的胺基硅烷可特殊地稱為單胺基硅烷，為2個的胺基硅烷可特殊地稱為二胺基硅烷，為3個的胺基硅烷可特殊地稱為三胺基硅烷。于本發(fā)明中可較佳地使用單胺基硅烷、二胺基硅烷。于較佳的實施方案中，作為胺基硅烷，可使用含有1個胺基的單胺基硅烷。于較佳的實施方案中，胺基硅烷可設(shè)為于分子的末端、較佳為直鏈狀或支鏈狀的鏈狀分子的末端含有至少1個，例如1個胺基者。
作為胺基硅烷，例如可列舉：n－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基甲基二甲氧基硅烷、n－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基三甲氧基硅烷、3－胺基丙基三甲氧基硅烷、1－胺基丙基三甲氧基硅烷、2－胺基丙基三甲氧基硅烷、1,2－二胺基丙基三甲氧基硅烷、3－胺基－1－丙烯基三甲氧基硅烷、3－胺基－1－丙炔基三甲氧基硅烷、3－胺基丙基三乙氧基硅烷、3－三乙氧基硅烷基－n－(1,3－二甲基－亞丁基)丙基胺、n－苯基－3－胺基丙基三甲氧基硅烷、n－(乙烯基芐基)－2－胺基乙基－3－胺基丙基三甲氧基硅烷、3－胺基丙基三乙氧基硅烷、3－胺基丙基三甲氧基硅烷、n－(2－胺基乙基)－3－胺基丙基三甲氧基硅烷、n－(2－胺基乙基)－3－胺基丙基甲基二甲氧基硅烷、3－(n－苯基)胺基丙基三甲氧基硅烷。
又，于較佳的實施方案中，硅烷偶合劑處理中可使用具有下式i的結(jié)構(gòu)式的硅烷。
式i：h2n－r1－si(or2)2(r3)
(其中，上述式i中，
r1為直鏈狀或具有支鏈的飽和或不飽和、經(jīng)取代或未經(jīng)取代、環(huán)式或非環(huán)式、具有雜環(huán)或不具有雜環(huán)的c1～c12的烴的二價基，
r2為c1～c5的烷基，
r3為c1～c5的烷基或c1～c5的烷氧基。)
r1較佳為選自由下述者組成的群中的基：經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1～c12的直鏈狀飽和烴的二價基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1～c12的支鏈狀飽和烴的二價基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1～c12的直鏈狀不飽和烴的二價基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1～c12的支鏈狀不飽和烴的二價基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1～c12的環(huán)式烴的二價基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1～c12的雜環(huán)式烴的二價基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的c1～c12的芳香族烴的二價基。
又，r1較佳為選自由下述者組成的群中的基：－(ch2)n－、－(ch2)n－(ch)m－(ch2)j－1－、－(ch2)n－(cc)－(ch2)n－1－、－(ch2)n－nh－(ch2)m－、－(ch2)n－nh－(ch2)m－nh－(ch2)j－、－(ch2)n－1－(ch)nh2－(ch2)m－1－、－(ch2)n－1－(ch)nh2－(ch2)m－1－nh－(ch2)j－(其中，n、m、j為1以上的整數(shù))。
r1較佳為－(ch2)n－或－(ch2)n－nh－(ch2)m－。
n、m、j較佳為各自獨立地為1、2或3。
r2較佳為甲基或乙基。
r3較佳為甲基、乙基、甲氧基、或乙氧基。
又，于另一實施型態(tài)中，亦可通過濺鍍、cvd及pdv等的干式鍍敷而于銅箔表面設(shè)置含有si與n的層。
以下表示濺鍍條件之一例。
(靶)：si：15～65mass％、n：25～55mass％，si濃度與n濃度合計在50mass％以上。剩余部分為任意的元素即可。
(裝置)ulvac股份有限公司制造的濺鍍裝置
(功率)dc50w
(氬壓力)0.2pa
實施例
以下根據(jù)實施例說明本發(fā)明。另，本實施例系表示較佳的一例，故本發(fā)明并不受到這些實施例限制。因此，本發(fā)明的技術(shù)思想中所含的變形、其它實施例或態(tài)樣全部皆被包含于本發(fā)明中。再者，為了與本發(fā)明對比，亦并記比較例。
(實施例1)
將于無氧銅中添加有1200ppm的sn的鑄錠進行熔制，于900℃熱壓延此鑄錠，從而獲得厚度10mm的板。之后，重復(fù)進行冷壓延及退火，而冷壓延成最后厚度為9μm的銅箔。此壓延銅箔的表面粗糙度為rz0.63μm。
接著，對上述壓延銅箔以以下的條件實施鍍ni(未實施粗化處理)。再者，鍍ni液的其余部分為水。又，本案中所記載的粗化處理、鍍敷、硅烷處理、耐熱處理、防銹處理等中所使用的液體的其余部分亦若未特別記載，則為水。
ni離子：10～40g/l
溫度：30～70℃
電流密度：1～9a/dm2
鍍敷時間：0.1～3.0秒
ph：1.0～5.0
接著，對上述進行了鍍ni的壓延銅箔，以以下條件實施浸漬鉻酸鹽處理。
k2cr2o7：1～10g/l
溫度：20～60℃
處理時間：1～5秒
接著，實施表1所示的硅烷偶合劑處理。
硅烷種類：n－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基三甲氧基硅烷
硅烷濃度：1.5vol％
溫度：10～60℃
處理時間：1～5秒
硅烷處理后的干燥：100℃×3秒
其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz(十點平均粗糙度)成為0.63μm。再者，rz系根據(jù)jisb0601－1982，使用小阪研究所股份有限公司制造的接觸粗糙度計surfcorderse－3c觸針式粗糙度計來進行測定。關(guān)于銅箔表面的si附著量，以酸將大小為1dm×1dm的經(jīng)表面處理的銅箔溶解，利用icp(感應(yīng)耦合電漿原子發(fā)射光譜法)進行定量，求出附著的si相對于經(jīng)表面處理的銅箔的單位面積的質(zhì)量(μg)，其結(jié)果為3.5μg/dm2，又，關(guān)于銅箔表面的n附著量，以高溫將大小為1dm×1dm的經(jīng)表面處理的銅箔熔解，算出產(chǎn)生的no2量，測定銅箔的整個表面所附著的n量，由此求出附著的n相對于經(jīng)表面處理的銅箔的單位面積的質(zhì)量，其結(jié)果為4.5μg/dm2。再者，于通過本測定而檢測出si及n的情形時，可判定為于表面處理銅箔存在有緣自于胺基硅烷的硅烷偶合處理層。
再者，于在未進行樹脂貼合的面亦附著有si及n的情形時，必須以未影響與樹脂的貼合面的測定結(jié)果的方式，進行預(yù)先去除或遮蔽等。
關(guān)于以下實施例及比較例的附著于銅箔表面的si的質(zhì)量(μg)與n的附著量的測定法(評價方法)，由于以同樣的方式實施，故為了避免繁雜，將此操作方法的說明省略。
以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
將以上述方式制得的經(jīng)硅烷處理的壓延銅箔，通過壓合而貼合于厚度50μm的液晶聚合物(kuraray制造的vecstarct－z)的樹脂。使用以上述方式而得的試料，測定90度剝離強度。
剝離強度系將電路寬度設(shè)為3mm，于90度的角度下以50mm/min的速度剝離樹脂與銅箔的情形。測定2次，求其平均值。
此剝離強度的測定，系根據(jù)jisc6471－1995(以下相同)。此結(jié)果，得到90度剝離強度為0.32kg/cm。將其結(jié)果示于表1。如本實施例1所示，可知實施例1的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
又，于將此銅箔貼合于50μm的液晶聚合物后，為了調(diào)查高頻特性，形成了微帶狀線結(jié)構(gòu)。此時，以特性阻抗成為50ω的方式進行電路形成。使用此電路進行傳輸損耗的測定，于30ghz的頻率中的傳輸損耗小于－0.6的情形，將高頻特性記為◎。又，將－0.6～－0.8的情形記為○，將－0.8～－1.2的情形記為△，將傳輸損耗比－1.2大的情形記為×。再者，此測定值僅作為參考，并非為限定范圍者。
[表1]
(實施例2)
變更上述實施例1中的硅烷處理的條件(將硅烷濃度設(shè)為1.7vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.61μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為5.8μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為13.0μg/dm2。
以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.48kg/cm。
將這些示于表1。如本實施例2所示，可知實施例2的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例3)
變更上述實施例1中的硅烷處理的條件(將硅烷濃度設(shè)為2.0vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.61μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為10.0μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為20.1μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.55kg/cm。
將這些示于表1。如本實施例3所示，可知實施例3的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例4)
變更上述實施例1中的硅烷處理的條件(將硅烷濃度設(shè)為3.0vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.67μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為12.5μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為20.4μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.63kg/cm。
將這些示于表1。如本實施例4所示，可知實施例4的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例5)
變更上述實施例1中的硅烷處理的條件(將硅烷濃度設(shè)為4.0vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.65μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為16.8μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為23.0μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.63kg/cm。
將這些示于表1。如本實施例5所示，可知實施例5的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例6)
變更上述實施例1中的硅烷處理的條件(將硅烷濃度設(shè)為5.0vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.61μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為24.5μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為36.2μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.77kg/cm。
將這些示于表1。如本實施例6所示，可知實施例6的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例7)
變更上述實施例1中的硅烷處理的條件(將硅烷濃度設(shè)為6.5vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.60μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為28.5μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為27.6μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.83kg/cm。
將這些示于表1。如本實施例7所示，可知實施例7的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例8)
于上述實施例1的鍍鎳前實施粗化處理，之后進行耐熱及防銹處理，再來，變更硅烷處理的條件(將硅烷濃度設(shè)為5.0vol％)。其它條件設(shè)為與實施例1相同(也就是說，對進行上述實施例1的冷壓延而形成為9μm厚的壓延銅箔進行了粗化處理、耐熱及防銹處理、浸漬鉻酸鹽處理、硅烷處理。不進行鍍鎳處理)。
其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.90μm。以下列舉粗化處理條件之一例。再者，本實施例系以下述的鍍敷條件進行了粗化處理(粗化處理鍍敷)。又，該鍍敷條件僅表示較佳的例，為以下所示的鍍敷條件以外者亦無問題。
(銅的一次粒子的鍍敷條件)
液體組成：銅10～20g/l、硫酸50～100g/l
液溫：25～50℃
電流密度：1～58a/dm2
鍍敷時間：0.1～10秒
(二次粒子的鍍敷條件)
液體組成：銅10～20g/l、鎳5～15g/l、鈷5～15g/l
ph：2～3
液溫：30～50℃
電流密度：24～50a/dm2
鍍敷時間：0.5～4秒
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為77.3μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為90.3μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.95kg/cm。
將這些示于表1。如本實施例8所示，可知實施例8的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例9)
于上述實施例1的鍍鎳前實施粗化處理，之后進行耐熱及防銹處理，再來，變更硅烷處理的條件(將硅烷濃度設(shè)為7.5vol％)。其它條件設(shè)為與實施例1相同(也就是說，對進行上述實施例1的冷壓延而形成為9μm厚的壓延銅箔進行了粗化處理、耐熱及防銹處理、浸漬鉻酸鹽處理、硅烷處理。不進行鍍鎳處理)。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.92μm。再者，于本實施例中，以與實施例8相同的鍍敷條件來進行粗化處理(粗化處理鍍敷)。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為115.0μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為187.2μg/dm2。
以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為1.13kg/cm。
將這些示于表1。如本實施例9所示，可知實施例9的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例10)
于上述實施例1的鍍鎳前實施粗化處理，之后進行耐熱及防銹處理，再來，變更硅烷處理的條件(將硅烷濃度設(shè)為7.5vol％)。其它條件設(shè)為與實施例1相同(也就是說，對進行上述實施例1的冷壓延而形成為9μm厚的壓延銅箔進行了粗化處理、耐熱及防銹處理、浸漬鉻酸鹽處理、硅烷處理。不進行鍍鎳處理)。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為1.48μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為243.5μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為399.3μg/dm2。
以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為1.31kg/cm。將這些示于表1。如本實施例10所示，可知實施例10的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例11)
變更上述實施例1中的硅烷處理的種類及條件(n－2－胺基乙基－3－胺基丙基甲基二甲氧基硅烷，將硅烷濃度設(shè)為5.0vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.62μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為33.7μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為77.5μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.71kg/cm。
將這些示于表1。如本實施例11所示，可知實施例11的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例12)
變更上述實施例1中的硅烷處理的種類及條件(3－胺基丙基三甲氧基硅烷，將硅烷濃度設(shè)為7.0vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.65μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為60.5μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為55.3μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.81kg/cm。
將這些示于表1。如本實施例12所示，可知實施例12的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例13)
變更上述實施例1中的硅烷處理的種類及條件(3－三乙氧基硅烷基－n－1,3－二甲基－亞丁基丙基胺，將硅烷濃度設(shè)為5.5vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.64μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為25.5μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為28.9μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.71kg/cm。
將這些示于表1。如本實施例13所示，可知實施例13的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例14)
變更上述實施例1中的硅烷處理的種類及條件(n－苯基－3－胺基丙基三甲氧基硅烷，將硅烷濃度設(shè)為7.5vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.60μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為90.6μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為75.2μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.79kg/cm。
將這些示于表1。如本實施例14所示，可知實施例14的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例1)
變更上述實施例1中的硅烷處理的條件(將硅烷濃度設(shè)為0.5vol％)，同樣的測定90度剝離強度。其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.60μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為1.7μg/dm2，求得附著的n的質(zhì)量的結(jié)果為3.2μg/dm2。
以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度變低至0.11kg/cm。將這些示于表1。如本比較例1所示，比較例1的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，無法具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例2)
變更上述實施例1中的硅烷處理的條件(將硅烷濃度設(shè)為1.0vol％)，同樣的測定90度剝離強度。其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.61μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為2.2μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為3.4μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度變低至0.12kg/cm。將這些示于表1。如本比較例2所示，比較例2的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，無法具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例3)
未實施上述實施例1中的硅烷處理。因此，亦不存在銅箔表面的si、n。然后，同樣的測定90度剝離強度。其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.61μm。
由于亦不存在銅箔表面的si、n，因此未滿足本案發(fā)明的銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度顯著變低至0.03kg/cm。將這些示于表1。如本比較例3所示，于銅箔表面未存在si、n的壓延銅箔，無法具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例4)
于上述實施例1的鍍鎳前實施粗化處理，之后，進行耐熱及防銹處理，但未實施硅烷處理(也就是說，對上述實施例1的進行冷壓延而形成為厚度9μm的壓延銅箔進行粗化處理、耐熱及防銹處理、浸漬鉻酸鹽處理。未進行鍍鎳)。因此，亦不存在銅箔表面的si、n。然后，同樣的測定90度剝離強度。其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.92μm。再者，于本比較例中，以與實施例8相同的鍍敷條件進行粗化處理(粗化處理鍍敷)。
由于亦不存在銅箔表面的si、n，因此未滿足本案發(fā)明的銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度變低至0.32kg/cm。將這些示于表1。若與實施例8、9相比，于銅箔表面未存在si、n的壓延銅箔，無法具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例5)
于上述實施例1的鍍鎳前實施粗化處理，之后，進行耐熱及防銹處理，但未實施硅烷處理(也就是說，對上述實施例1的進行冷壓延而形成為厚度9μm的壓延銅箔進行粗化處理、耐熱及防銹處理、浸漬鉻酸鹽處理。未進行鍍鎳)。因此，亦不存在銅箔表面的si、n。然后，同樣的測定90度剝離強度。其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為1.53μm。再者，于本比較例中，以與實施例10相同的鍍敷條件進行粗化處理(粗化處理鍍敷)。
由于亦不存在銅箔表面的si、n，因此未滿足本案發(fā)明的銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度變低至0.66kg/cm。將這些示于表1。若與實施例10相比，于銅箔表面未存在si、n的壓延銅箔，無法說是為作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上最適的表面性能。
(比較例6)
于上述實施例1的鍍鎳前實施粗化處理，之后，進行耐熱及防銹處理，但未實施硅烷處理(也就是說，對上述實施例1的進行冷壓延而形成為厚度9μm的壓延銅箔進行粗化處理、耐熱及防銹處理、浸漬鉻酸鹽處理。未進行鍍鎳)。因此，亦不存在銅箔表面的si、n。然后，同樣的測定90度剝離強度。其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為3.21μm。
由于亦不存在銅箔表面的si、n，因此未滿足本案發(fā)明的銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度變低至0.89kg/cm。將這些示于表1。若與其它比較例相比，剝離強度較高，其系表面粗糙度較大所造成的物里效果，但如上所述，若粗糙度較大，則集膚效應(yīng)所導(dǎo)致的損耗變大，故無法說是具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上最適的表面性能。
(比較例7)
于上述實施例1的鍍鎳前實施粗化處理，之后，進行耐熱及防銹處理，但改變硅烷處理的條件(將硅烷濃度設(shè)為10.0vol％)。其它條件設(shè)為與實施例1相同(也就是說，對上述實施例1的進行冷壓延而形成為厚度9μm的壓延銅箔進行粗化處理、耐熱及防銹處理、浸漬鉻酸鹽處理、硅烷處理。未進行鍍鎳)。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為1.51μm。再者，于本比較例中，以與實施例10相同的鍍敷條件進行粗化處理(粗化處理鍍敷)。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為343.0μg/dm2，求得附著的n的質(zhì)量的結(jié)果為879.0μg/dm2。
以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。又，與液晶聚合物(lcp)積層時起泡。因此，未測定此銅箔的剝離強度。
將這些示于表1。如本比較例7所示，比較例7的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，無法具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例8)
變更上述實施例1中的硅烷處理的條件(使用縮水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷，將濃度設(shè)為1.5vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.62μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為3.5μg/dm2，求得附著的n的質(zhì)量的結(jié)果為0.0μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度變低至0.13kg/cm。將這些示于表1。如本比較例8所示，比較例8的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，無法具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例9)
變更上述實施例1中的硅烷處理的條件(使用縮水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷，將濃度設(shè)為5.0vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.63μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為31.2μg/dm2，求得附著的n的質(zhì)量的結(jié)果為0.0μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度變低至0.19kg/cm。將這些示于表1。如本比較例9所示，比較例9的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，無法具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例10)
變更上述實施例1中的硅烷處理的條件(使用3－(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷，將濃度設(shè)為2.0vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.67μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為9.3μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為0.0μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度顯著變低至0.04kg/cm。將這些示于表1。如本比較例10所示，比較例10的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，無法具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例11)
變更上述實施例1中的硅烷處理的條件(使用乙烯基三甲氧基硅烷，將濃度設(shè)為0.5vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.65μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為2.2μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為0.0μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度顯著變低至0.07kg/cm。將這些示于表1。如本比較例11所示，比較例11的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，無法具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例12)
變更上述實施例1中的硅烷處理的條件(使用乙烯基三甲氧基硅烷，將濃度設(shè)為2.0vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.65μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為14.4μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為0.0μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度顯著變低至0.09kg/cm。將這些示于表1。如本比較例12所示，比較例12的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，無法具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例13)
變更上述實施例1中的硅烷處理的條件(使用乙烯基三甲氧基硅烷，將濃度設(shè)為5.0vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.65μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為63.1μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為0.0μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度顯著變低至0.11kg/cm。將這些示于表1。如本比較例13所示，比較例13的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，無法具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例14)
變更上述實施例1中的硅烷處理的條件(使用3－巰基丙基三甲氧基硅烷，將濃度設(shè)為2.0vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.64μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為9.8μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為0.0μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度顯著變低至0.07kg/cm。將這些示于表1。如本比較例14所示，比較例14的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，無法具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例15)
變更上述實施例1中的硅烷處理的條件(使用四甲氧基硅烷，將濃度設(shè)為2.0vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.67μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為10.1μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為0.0μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度顯著變低至0.07kg/cm。將這些示于表1。如本比較例15所示，比較例15的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，無法具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例16)
變更上述實施例1中的硅烷處理的條件(使用四甲氧基與3－巰基丙基三甲氧基的混合，將濃度設(shè)為0.2+0.5vol％)，其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.64μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為5.1μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為0.0μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度顯著變低至0.05kg/cm。將這些示于表1。如本比較例16所示，比較例16的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，無法具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
接著，表示改變了銅箔的種類及粗化處理、耐熱處理、防銹處理的情形的例子。本例中亦包含不進行耐熱處理及/或防銹處理的例(實施例28、29、31－33)。于此情形時，硅烷使用n－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基三甲氧基硅烷，將硅烷濃度設(shè)為5.0vol％。硅烷處理后的干燥全部設(shè)為100℃×3秒。再者，耐熱處理只要為在銅箔與液晶聚合物(lcp)的積層時可確保耐熱性即可，不需管金屬的種類。例如，可列舉zn、ni、co、mo、p、cr、w等的單一鍍敷或合金鍍敷。又，亦可為不含有zn的耐熱處理層。
除了下述的實施例21～實施例33及比較例21～比較例27為止的制造條件與評價(剝離強度)的方法個別記載以外，其余皆與實施例1相同。再者，ni－co鍍敷處理、zn－ni鍍敷處理、ni－mo鍍敷處理、cu－zn鍍敷處理、電解鉻酸鹽處理及浸漬鉻酸鹽處理的處理條件如上所述。又，浸漬鉻酸鹽處理的條件設(shè)為與實施例1相同。
(實施例21)
對板厚為6μm的壓延銅箔實施粗化處理，進行ni－co鍍敷處理作為耐熱處理。又，進行電解鉻酸鹽處理作為防銹處理。再來，于其上進行硅烷處理。將硅烷濃度設(shè)為5.0vol％。其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.82μm。將此處理條件示于表2。
[表2]
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為60.5μg/dm2，求得附著的n的質(zhì)量的結(jié)果為77.5μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.88kg/cm此較高的值。
將這些結(jié)果示于表3。如本實施例21所示，可知實施例21的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
[表3]
(實施例22)
對板厚為12μm的壓延銅箔實施粗化處理，實施zn－ni鍍敷處理作為耐熱處理。又，進行浸漬鉻酸鹽處理作為防銹處理。再來，于其上進行硅烷處理。將硅烷濃度設(shè)為5.0vol％。
其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.90μm。將此處理條件示于表2。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為75.2μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為94.6μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.93kg/cm此較高的值。將這些結(jié)果示于表3。如本實施例22所示，可知實施例22的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例23)
對板厚為35μm的壓延銅箔實施粗化處理，實施ni－mo鍍敷處理作為耐熱處理。又，進行浸漬鉻酸鹽處理作為防銹處理。再來，于其上進行硅烷處理。將硅烷濃度設(shè)為5.0vol％。
其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為1.55μm。將此處理條件示于表2。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為90.1μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為109.2μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果得到了90度剝離強度為1.30kg/cm此較高的值。將這些結(jié)果示于表3。如本實施例23所示，可知實施例23的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例24)
對板厚為18μm的壓延銅箔實施粗化處理，實施cu－zn鍍敷處理作為耐熱處理。又，進行電解鉻酸鹽處理作為防銹處理。再來，于其上進行硅烷處理。將硅烷濃度設(shè)為5.0vol％。
其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.81μm。將此處理條件示于表2。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為43.5μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為54.9μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.85kg/cm此較高的值。將這些結(jié)果示于表3。如本實施例24所示，可知實施例24的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例25)
對板厚為18μm的電解銅箔的光澤面實施粗化處理，實施ni－co鍍敷處理作為耐熱處理。又，進行電解鉻酸鹽處理作為防銹處理。再來，于其上進行硅烷處理。將硅烷濃度設(shè)為5.0vol％。
其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為1.62μm。將此處理條件示于表2。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為76.9μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為93.2μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果得到了90度剝離強度為1.29kg/cm此較高的值。將這些結(jié)果示于表3。如本實施例25所示，可知實施例25的經(jīng)表面處理的電解銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例26)
對板厚為5μm的電解銅箔的光澤面實施粗化處理，實施zn－ni鍍敷處理作為耐熱處理。又，進行浸漬鉻酸鹽處理作為防銹處理。再來，于其上進行硅烷處理。將硅烷濃度設(shè)為5.0vol％。
其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為1.31μm。將此處理條件示于表2。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為50.6μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為60.9μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果得到了90度剝離強度為1.01kg/cm此較高的值。將這些結(jié)果示于表3。如本實施例26所示，可知實施例26的經(jīng)表面處理的電解銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例27)
對板厚為12μm的電解銅箔的光澤面實施粗化處理，實施ni－mo鍍敷處理作為耐熱處理。又，進行浸漬鉻酸鹽處理作為防銹處理。再來，于其上進行硅烷處理。將硅烷濃度設(shè)為5.0vol％。
其它條件設(shè)為與實施例1相同。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為1.42μm。將此處理條件示于表2。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為55.5μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為64.7μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果得到了90度剝離強度為1.18kg/cm此較高的值。將這些結(jié)果示于表3。如本實施例27所示，可知實施例27的經(jīng)表面處理的電解銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例28)
對厚度為9μm的壓延銅箔(jx日礦日石金屬股份有限公司制造，精銅(jish3100，合金編號c1100))以下述條件實施粗化處理，之后，進行硅烷偶合劑處理。再者，粗化處理系通過于上述壓延銅箔的表面進行設(shè)置銅的一次粒子的處理，之后，進行設(shè)置二次粒子的處理來進行。又，硅烷處理的硅烷使用n－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基三甲氧基硅烷，將硅烷濃度設(shè)為5.0vol％。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.91μm。
＜粗化處理條件＞
(銅的一次粒子的鍍敷條件)
液體組成：銅10～20g/l、硫酸50～100g/l
液溫：25～50℃
電流密度：1～58a/dm2
鍍敷時間：0.1～10秒
(二次粒子的鍍敷條件)
液體組成：銅10～20g/l、鎳5～15g/l、鈷5～15g/l
ph：2～3
液溫：30～50℃
電流密度：24～50a/dm2
鍍敷時間：0.5～4秒
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為75.3μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為89.3μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.95kg/cm。
又，對硅烷處理后的表面處理銅箔的表面使用掃描式電子顯微鏡(sem)而進行照片的拍攝。然后，使用該照片而進行粗化處理的粒子的觀察。其結(jié)果，銅的一次粒子層的平均粒徑為0.25～0.45μm，二次粒子層的平均粒徑為0.05～0.25μm。再者，將包圍住粒子的最小圓的直徑設(shè)為粒徑而進行測定，算出平均粒徑。
將這些示于表3。如本實施例28所示，可知實施例28的經(jīng)表面處理的銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例29)
對厚度為9μm的壓延銅箔(jx日礦日石金屬股份有限公司制造，精銅(jish3100，合金編號c1100))以下述條件實施粗化處理，之后，進行電解鉻酸鹽處理，并于其后進一步進行硅烷偶合劑處理。再者，粗化處理系通過于上述壓延銅箔的表面進行設(shè)置銅的一次粒子的處理，之后，進行設(shè)置二次粒子的處理來進行。又，硅烷處理的硅烷使用n－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基三甲氧基硅烷，將硅烷濃度設(shè)為5.0vol％。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.91μm。
＜粗化處理條件＞
(銅的一次粒子的鍍敷條件)
液體組成：銅10～20g/l、硫酸50～100g/l
液溫：25～50℃
電流密度：1～58a/dm2
鍍敷時間：0.1～10秒
(二次粒子的鍍敷條件)
液體組成：銅10～20g/l、鎳5～15g/l、鈷5～15g/l
ph：2～3
液溫：30～50℃
電流密度：24～50a/dm2
鍍敷時間：0.5～4秒
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為76.2μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為88.5μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.96kg/cm。
又，對硅烷處理后的表面處理銅箔的表面使用掃描式電子顯微鏡(sem)而進行照片的拍攝。然后，使用該照片而進行粗化處理的粒子的觀察。其結(jié)果，銅的一次粒子層的平均粒徑為0.25～0.45μm，二次粒子層的平均粒徑為0.05～0.25μm。再者，將包圍住粒子的最小圓的直徑設(shè)為粒徑而進行測定，算出平均粒徑。
將這些示于表3。如本實施例29所示，可知實施例29的經(jīng)表面處理的銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例30)
對厚度為9μm的壓延銅箔(jx日礦日石金屬股份有限公司制造，精銅(jish3100，合金編號c1100))以下述條件實施粗化處理，之后，進行ni－co鍍敷處理，然后進行電解鉻酸鹽處理，并于其后進一步進行硅烷偶合劑處理。再者，上述粗化處理系通過于上述壓延銅箔的表面進行設(shè)置銅的一次粒子的處理，之后，進行設(shè)置二次粒子的處理來進行。又，于硅烷處理的硅烷中使用n－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基三甲氧基硅烷，將硅烷濃度設(shè)為5.0vol％。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.90μm。
＜粗化處理條件＞
(銅的一次粒子的鍍敷條件)
液體組成：銅10～20g/l、硫酸50～100g/l
液溫：25～50℃
電流密度：1～58a/dm2
鍍敷時間：0.1～10秒
(二次粒子的鍍敷條件)
液體組成：銅10～20g/l、鎳5～15g/l、鈷5～15g/l
ph：2～3
液溫：30～50℃
電流密度：24～50a/dm2
鍍敷時間：0.5～4秒
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為77.0μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為90.1μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.96kg/cm。
又，對硅烷處理后的表面處理銅箔的表面使用掃描式電子顯微鏡(sem)而進行照片的拍攝。然后，使用該照片而進行粗化處理的粒子的觀察。其結(jié)果，銅的一次粒子層的平均粒徑為0.25～0.45μm，二次粒子層的平均粒徑為0.05～0.25μm。再者，將包圍住粒子的最小圓的直徑設(shè)為粒徑而進行測定，算出平均粒徑。
將這些示于表3。如本實施例30所示，可知實施例30的經(jīng)表面處理的銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例31)
對厚度為12μm的壓延銅箔(jx日礦日石金屬股份有限公司制造，精銅(jish3100，合金編號c1100))進行電解鉻酸鹽處理，并于其后進一步進行硅烷偶合劑處理。硅烷處理的硅烷使用n－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基三甲氧基硅烷，將硅烷濃度設(shè)為5.0vol％。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.62μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為76.1μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為89.0μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.67kg/cm。
將這些示于表3。如本實施例31所示，可知實施例31的經(jīng)表面處理的銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例32)
對厚度為12μm的高光澤壓延銅箔(jx日礦日石金屬股份有限公司制造，精銅(jish3100，合金編號c1100)，60度鏡面光澤度為500％以上)進行硅烷偶合劑處理。硅烷處理的硅烷使用n－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基三甲氧基硅烷，將硅烷濃度設(shè)為5.0vol％。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.31μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為75.6μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為88.9μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.61kg/cm。
將這些示于表3。如本實施例32所示，可知實施例32的經(jīng)表面處理的銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(實施例33)
對厚度為12μm的高光澤壓延銅箔(jx日礦日石金屬股份有限公司制造，精銅(jish3100，合金編號c1100)，60度鏡面光澤度為500％以上)以下述濺鍍條件形成sin膜。濺鍍后的銅箔表面粗糙度rz成為0.30μm。
(靶)：si59.5mass％以上，n39.5mass％以上
(裝置)ulvac股份有限公司制造的濺鍍裝置
(功率)dc50w
(氬壓力)0.2pa
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為90.6μg/dm2，附著的n的質(zhì)量為60.4μg/dm2。以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。以上結(jié)果得到了90度剝離強度為0.65kg/cm。
將這些示于表3。如本實施例33所示，可知實施例33的經(jīng)表面處理的銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
接著，表示改變了銅箔的種類及粗化處理、耐熱處理、防銹處理的情形的例子。于此情形時，硅烷使用n－2－(胺基乙基)－3－胺基丙基三甲氧基硅烷，將硅烷濃度設(shè)為0.5vol％。硅烷處理后的干燥全部設(shè)為100℃×3秒。
再來，關(guān)于比較例21～比較例27，其基材的種類及粗化處理、防銹處理、鉻酸鹽處理的條件系與實施例21～實施例27相同，顯示僅改變硅烷濃度的情形時(理所當(dāng)然，si及n的附著量會改變)的例子。
(比較例21)
對板厚為6μm的壓延銅箔實施粗化處理，進行ni－co鍍敷處理作為耐熱處理。又，進行電解鉻酸鹽處理作為防銹處理。再來，于其上進行硅烷處理。將硅烷濃度設(shè)為0.5vol％。再者，硅烷濃度為0.5vol％系一般的硅烷處理中所設(shè)定的濃度。又，由于硅烷的比重約為1.0，故0.5vol％系指約0.5wt％。
其它條件設(shè)為與實施例1相同。將此處理條件示于表2。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.82μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為0.7μg/dm2，求得附著的n的質(zhì)量為0.9μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度變低至0.29kg/cm。將這些結(jié)果示于表3。如本比較例21所示，比較例21的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，無法達成具有作為高頻用電路基板的素材所期待的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例22)
對板厚為12μm的壓延銅箔實施粗化處理，實施zn－ni鍍敷處理作為耐熱處理。又，進行浸漬鉻酸鹽處理作為防銹處理。再來，于其上進行硅烷處理。將硅烷濃度設(shè)為0.5vol％。
其它條件設(shè)為與實施例1相同。將此處理條件示于表2。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.90μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為0.8μg/dm2，求得附著的n的質(zhì)量為1.1μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度變低至0.32kg/cm。將這些結(jié)果示于表3。如本比較例22所示，比較例22的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，無法達成具有作為高頻用電路基板的素材所期待的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例23)
對板厚為35μm的壓延銅箔實施粗化處理，實施ni－mo鍍敷處理作為耐熱處理。又，進行浸漬鉻酸鹽處理作為防銹處理。再來，于其上進行硅烷處理。將硅烷濃度設(shè)為0.5vol％。
其它條件設(shè)為與實施例1相同。將此處理條件示于表2。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為1.55μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為1.5μg/dm2，求得附著的n的質(zhì)量為1.5μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度變低至0.70kg/cm。將這些結(jié)果示于表3。如本比較例23所示，比較例23的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，無法達成具有作為高頻用電路基板的素材所期待的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例24)
對板厚為18μm的壓延銅箔實施粗化處理，實施cu－zn鍍敷處理作為耐熱處理。又，進行電解鉻酸鹽處理作為防銹處理。再來，于其上進行硅烷處理。將硅烷濃度設(shè)為0.5vol％。
其它條件設(shè)為與實施例1相同。將此處理條件示于表2。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.81μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為0.9μg/dm2，求得附著的n的質(zhì)量為1.3μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度顯著變低至0.30kg/cm。將這些結(jié)果示于表3。如本比較例24所示，比較例24的經(jīng)表面處理的壓延銅箔，無法具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例25)
對板厚為18μm的電解銅箔的光澤面實施粗化處理，實施ni－co鍍敷處理作為耐熱處理。又，進行電解鉻酸鹽處理作為防銹處理。再來，于其上進行硅烷處理。將硅烷濃度設(shè)為0.5vol％。
其它條件設(shè)為與實施例1相同。將此處理條件示于表2。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為1.62μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為1.9μg/dm2，求得附著的n的質(zhì)量為1.7μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度變低至0.65kg/cm。將這些結(jié)果示于表3。如本比較例25所示，比較例25的經(jīng)表面處理的電解銅箔，無法達成具有作為高頻用電路基板的素材所期待的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例26)
對板厚為5μm的電解銅箔實施粗化處理，實施zn－ni鍍敷處理作為耐熱處理。又，進行浸漬鉻酸鹽處理作為防銹處理。再來，于其上進行硅烷處理。將硅烷濃度設(shè)為0.5vol％。
其它條件設(shè)為與實施例1相同。將此處理條件示于表2。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為1.31μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為1.7μg/dm2，求得附著的n的質(zhì)量為2.1μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度變低至0.44kg/cm。將這些結(jié)果示于表3。如本比較例26所示，比較例26的經(jīng)表面處理的電解銅箔，無法達成具有作為高頻用電路基板的素材所期待的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例27)
對板厚為12μm的電解銅箔實施粗化處理，實施ni－mo鍍敷處理作為耐熱處理。又，進行浸漬鉻酸鹽處理作為防銹處理。再來，于其上進行硅烷處理。將硅烷濃度設(shè)為0.5vol％。
其它條件設(shè)為與實施例1相同。將此處理條件示于表2。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為1.42μm。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為1.9μg/dm2，求得附著的n的質(zhì)量為2.0μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度變低至0.45kg/cm。將這些結(jié)果示于表3。如本比較例27所示，比較例27的經(jīng)表面處理的電解銅箔，無法達成具有作為高頻用電路基板的素材所期待的工業(yè)上充足的表面性能。
(比較例28)
對板厚為12μm的電解銅箔的光澤面實施ni－zn鍍敷處理作為耐熱處理。又，進行電解鉻酸鹽處理作為防銹處理。再來，于其上進行硅烷處理。將硅烷濃度設(shè)為0.5vol％。
其它條件設(shè)為與實施例1相同。將此處理條件示于表2。再者，其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.60μm。又，此時的ni及zn的附著量分別成為600μg/dm2及90μg/dm2。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為1.1μg/dm2，求得附著的n的質(zhì)量為1.4μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度變低至0.10kg/cm。將這些結(jié)果示于表3。如本比較例28所示，比較例28的經(jīng)表面處理的電解銅箔，無法達成具有作為高頻用電路基板的素材所期待的工業(yè)上充足的表面性能。再者，若將此銅箔與聚酰亞胺貼合而測定剝離強度，則為0.8kg/cm，可確定到由于樹脂而造成剝離強度差變大。
(比較例29)
對板厚為12μm的電解銅箔實施粗化處理，實施ni－mo鍍敷處理作為耐熱處理。又，進行浸漬鉻酸鹽處理作為防銹處理。再來，于其上進行硅烷處理。將硅烷濃度設(shè)為0.5vol％。
其它條件設(shè)為與實施例1相同。將此處理條件示于表2。其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度rz成為0.61μm。又，此時的ni及zn的附著量分別成為2850μg/dm2及190μg/dm2。
與實施例1進行同樣的處理，求得附著的si的質(zhì)量(μg)的結(jié)果為1.4μg/dm2，求得附著的n的質(zhì)量為1.7μg/dm2。以上的結(jié)果為，未滿足銅箔表面的si附著量為3.1～300μg/dm2，銅箔表面的n附著量為2.5～690μg/dm2此本案發(fā)明的條件。
以上結(jié)果，90度剝離強度變低至0.11kg/cm。將這些結(jié)果示于表3。如本比較例29所示，比較例29的經(jīng)表面處理的電解銅箔，無法達成具有作為高頻用電路基板的素材所期待的工業(yè)上充足的表面性能。再者，若將此銅箔與聚酰亞胺貼合而測定剝離強度，則為1.2kg/cm，可確定到由于樹脂而造成剝離強度差變大。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
本發(fā)明可得到下述優(yōu)異效果，于工業(yè)上極為有用，該效果系：可制造高頻電路用銅箔，通過將該銅箔應(yīng)用于液晶聚合物(lcp)積層基板，可提高接著強度(剝離強度)，且可實現(xiàn)可于超過1ghz的高頻率下使用的可撓性印刷電路板。