本發(fā)明涉及顯示，尤其涉及一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、自發(fā)光顯示面板是一種顯示技術(shù)，能夠在沒(méi)有背光源的情況下自行發(fā)光。常見(jiàn)的自發(fā)光顯示面板包括oled(organic?light-emitting?diode，有機(jī)發(fā)光二極管)、qled(quantum?dot?light?emitting?diodes，量子點(diǎn)發(fā)光二極管)等顯示面板。自發(fā)光顯示面板由于其自發(fā)光的特點(diǎn)，已經(jīng)被越來(lái)越廣泛的應(yīng)用在手機(jī)、平板、電腦、電視，ar(增強(qiáng)現(xiàn)實(shí))和vr(虛擬現(xiàn)實(shí))等各種顯示裝置中。

2、自發(fā)光顯示面板中設(shè)有發(fā)光元件，發(fā)光元件包括層疊設(shè)置的陽(yáng)極、發(fā)光層和陰極。在相關(guān)技術(shù)中，為了實(shí)現(xiàn)更好顯示效果，通過(guò)增設(shè)輔助陰極，與陰極進(jìn)行搭接，但是存在著輔助陰極與陰極搭接不良的問(wèn)題，影響顯示產(chǎn)品品質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置，可以提升顯示產(chǎn)品品質(zhì)。

2、本公開(kāi)實(shí)施例所提供的技術(shù)方案如下：

3、第一方面，本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種顯示基板，包括：

4、襯底，包括多個(gè)像素；

5、像素定義層，設(shè)于所述襯底之上并限定出與多個(gè)所述像素對(duì)應(yīng)的多個(gè)像素開(kāi)口；

6、隔離柱，位于所述像素定義層的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，且位于相鄰所述像素開(kāi)口之間，所述隔離柱包括沿背離所述襯底的方向依次堆疊的輔助陰極和絕緣圖形，其中所述絕緣圖形相對(duì)所述輔助陰極朝向所述像素開(kāi)口突出，形成底切結(jié)構(gòu)；

7、多個(gè)發(fā)光元件和封裝層，所述發(fā)光元件設(shè)置在對(duì)應(yīng)的所述像素開(kāi)口中，所述發(fā)光元件包括沿背離所述襯底的方向依次堆疊的陽(yáng)極、發(fā)光層和陰極，所述封裝層覆蓋在所述陰極的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，相鄰所述像素的所述發(fā)光層、所述陰極和所述封裝層被所述隔離柱隔開(kāi)；其中，

8、至少部分所述像素中，所述像素定義層在背離所述襯底的一側(cè)面上設(shè)有凹槽，所述凹槽與所述絕緣圖形中相對(duì)所述輔助陰極突出的部分在所述襯底上的正投影至少部分交疊，所述凹槽遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)堆疊有膜層殘留圖形，所述發(fā)光層、所述陰極和所述封裝層從所述像素開(kāi)口向所述凹槽連續(xù)延伸，并堆疊在所述膜層殘留圖形與所述絕緣圖形之間的空間中，所述陰極經(jīng)過(guò)所述空間連接至所述輔助陰極。

9、示例性的，所述膜層殘留圖形包括至少一層子殘留圖形，所述子殘留圖形沿背離所述襯底的方向依次堆疊的殘留發(fā)光層、殘留陰極和殘留封裝層，至少部分所述像素中的所述殘留發(fā)光層同層且同材質(zhì)設(shè)置，至少部分所述像素中的所述殘留陰極同層且同材質(zhì)設(shè)置，至少部分所述像素中的所述殘留陽(yáng)極同層且同材質(zhì)設(shè)置。

10、示例性的，多個(gè)像素包括第一像素和第二像素，所述膜層殘留圖形包括第一子殘留圖形；

11、所述第一子殘留圖形中的所述殘留發(fā)光層、所述殘留陰極和所述殘留封裝層分別與所述第一像素中的第一發(fā)光層、第一陰極和第一封裝層同層且同材質(zhì)設(shè)置；

12、在所述第二像素中，所述像素定義層在背離所述襯底的一側(cè)面上設(shè)有所述凹槽，所述第二像素中的第二發(fā)光層、第二陰極和第二封裝層從所述像素開(kāi)口向所述凹槽連續(xù)延伸，并隨形覆蓋在所述第一子殘留圖形與所述像素定義層的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)面上，所述第二陰極經(jīng)由所述空間與所述輔助陰極接觸連接。

13、示例性的，多個(gè)像素還包括第三像素，所述膜層殘留圖形還包括堆疊在所述第一子殘留圖形的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)的第二子殘留圖形，所述第二子殘留圖形中的所述殘留發(fā)光層、所述殘留陰極和所述殘留封裝層分別與所述第二像素中的所述第二發(fā)光層、所述第二陰極和所述第二封裝層同層且同材質(zhì)設(shè)置；

14、在所述第三像素中，所述像素定義層在背離所述襯底的一側(cè)面上設(shè)有所述凹槽，所述第三像素中的第三發(fā)光層、第三陰極和第三封裝層從所述像素開(kāi)口向所述凹槽連續(xù)延伸，并隨形覆蓋在所述第二子殘留圖形與所述像素定義層的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)面上，所述第三陰極經(jīng)由所述空間與所述輔助陰極接觸連接。

15、示例性的，在所述第一像素中，所述像素定義層在背離所述襯底的一側(cè)面上設(shè)有所述凹槽、或未設(shè)置有所述凹槽，且所述第一像素中的第一發(fā)光層、第一陰極和第一封裝層從所述像素開(kāi)口向所述輔助陰極延伸，并隨形覆蓋在所述像素定義層的背離所述襯底的一側(cè)面上，所述第一陰極與所述輔助陰極接觸連接。

16、示例性的，在從所述像素開(kāi)口指向與所述輔助陰極的方向上，所述絕緣圖形的靠近所述像素開(kāi)口的一側(cè)邊緣為第一邊緣，所述凹槽在靠近所述像素開(kāi)口的一側(cè)邊緣為第二邊緣，所述第二邊緣與所述第一邊緣齊平、或者所述第二邊緣相對(duì)所述第一邊緣向靠近所述輔助陰極的方向偏移預(yù)定距離。

17、示例性的，在所述像素定義層的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)表面還包括中間隔離區(qū)，所述中間隔離區(qū)位于相鄰兩個(gè)所述像素中的凹槽之間，以將相鄰兩個(gè)所述像素中的所述凹槽隔開(kāi)，所述輔助陰極與所述中間隔離區(qū)在所述襯底上的正投影至少部分交疊。

18、示例性的，所述隔離柱具有與所述中間隔離區(qū)接觸的底端，其中，所述底端與所述中間隔離區(qū)在所述襯底上的正投影完全重合；或者，所述底端與所述凹槽在所述襯底上的正投影至少部分交疊。

19、示例性的，在從所述像素開(kāi)口指向所述輔助陰極的方向上，所述凹槽的寬度為0.4～0.8微米。

20、示例性的，在從一個(gè)所述像素指向另一個(gè)所述像素的方向上，相鄰兩個(gè)所述像素中的所述凹槽彼此貫通，所述輔助陰極位于相鄰兩個(gè)所述像素中的所述凹槽貫通所形成的槽體中。

21、示例性的，在從一個(gè)所述像素指向另一個(gè)所述像素的方向上，相鄰兩個(gè)所述像素中的所述凹槽貫通所形成的槽體的寬度為12±0.5微米。

22、示例性的，在垂直所述襯底的方向上，所述凹槽的深度為0.1～0.9微米。

23、第二方面，本公開(kāi)實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，其包括如上所述的顯示基板。

24、第三方面，本公開(kāi)實(shí)施例還提供了一種顯示基板的制作方法，包括如下步驟：

25、提供襯底，所述襯底包括多個(gè)像素；

26、在所述襯底上形成像素定義層、隔離柱、多個(gè)發(fā)光元件和封裝層，其中，

27、所述像素定義層上限定有多個(gè)像素開(kāi)口，所述隔離柱位于所述像素定義層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)、且位于相鄰所述像素開(kāi)口之間，所述隔離柱包括沿背離所述顯示基板的方向依次堆疊的輔助陰極和絕緣圖形，且所述絕緣圖形相對(duì)所述輔助陰極朝向所述像素開(kāi)口突出，形成底切結(jié)構(gòu)；所述發(fā)光元件設(shè)置在對(duì)應(yīng)的所述像素開(kāi)口中，所述發(fā)光元件包括沿背離所述襯底的方向依次堆疊的陽(yáng)極、發(fā)光層和陰極，所述封裝層覆蓋在所述陰極的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，相鄰所述像素的所述發(fā)光層、所述陰極和所述封裝層被所述隔離柱隔開(kāi)；至少部分所述像素中，所述像素定義層在背離所述襯底的一側(cè)面上設(shè)有凹槽，所述凹槽與所述絕緣圖形中相對(duì)所述輔助陰極突出的部分在所述襯底上的正投影至少部分交疊，所述凹槽在遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)堆疊有膜層殘留圖形，所述發(fā)光層、所述陰極和所述封裝層從所述像素開(kāi)口向所述凹槽連續(xù)延伸，并堆疊在所述膜層殘留圖形與所述絕緣圖形之間的空間中，所述陰極經(jīng)過(guò)所述空間連接至所述輔助陰極。

28、示例性的，多個(gè)像素包括第一像素和第二像素時(shí)，所述方法中，所述在所述襯底上形成像素定義層、隔離柱、多個(gè)發(fā)光元件和封裝層，具體包括：

29、在所述襯底上形成各所述發(fā)光元件的陽(yáng)極的圖案；

30、在所述襯底上形成整層的像素定義層，并對(duì)所述像素定義層進(jìn)行圖案化處理，形成所述像素開(kāi)口和所述凹槽的圖案，其中，至少在所述第二像素中設(shè)有所述凹槽；

31、在所述襯底上依次形成整面覆蓋所述襯底的第一發(fā)光層、第一陰極層和第一封裝層；

32、進(jìn)行第一次構(gòu)圖工藝，以保留所述第一像素中的第一發(fā)光層、第一陰極和第一封裝層，形成所述第一像素的發(fā)光元件，并去除包括第二像素在內(nèi)的其他像素中的第一發(fā)光層、第一陰極層和第一封裝層，其中所述第一發(fā)光層、所述第一陰極層和所述第一封裝層殘留于所述凹槽對(duì)應(yīng)區(qū)域的部分形成第一子殘留圖形；

33、在所述襯底上依次形成整面覆蓋所述襯底的第二發(fā)光層、第二陰極層和第二封裝層；

34、進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝，以保留所述第二像素中的第二發(fā)光層、第二陰極層和第二封裝層，形成所述第二像素的發(fā)光元件，并去除包括第一像素在內(nèi)的其他像素中的第二發(fā)光層、第二陰極層和第二封裝層，其中所述第二像素中的第二發(fā)光層、第二陰極和第二封裝層從所述像素開(kāi)口向所述凹槽連續(xù)延伸，并隨形覆蓋在所述第一子殘留圖形與所述像素定義層的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)面上，所述第二陰極經(jīng)由所述空間與所述輔助陰極接觸連接；

35、其中，多個(gè)像素還包括第三像素時(shí)，在進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝時(shí)，除所述第一像素和所述第二像素之外的其他像素中，所述第二發(fā)光層、所述第二陰極層和所述第二封裝層殘留于所述凹槽對(duì)應(yīng)區(qū)域的部分形成第二子殘留圖形；

36、在所述進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝之后，所述方法還包括：

37、在所述襯底上依次形成整面覆蓋所述襯底的第三發(fā)光層、第三陰極層和第三封裝層；

38、進(jìn)行第三次構(gòu)圖工藝，以保留所述第三像素中的第三發(fā)光層、第三陰極層和第三封裝層，形成所述第三像素的發(fā)光元件，并去除包括第三像素在內(nèi)的其他像素中的第三發(fā)光層、第三陰極層和第三封裝層，其中所述第三像素中的第三發(fā)光層、第三陰極和第三封裝層從所述像素開(kāi)口向所述凹槽連續(xù)延伸，并隨形覆蓋在所述第二子殘留圖形與所述像素定義層的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)面上，所述第三陰極經(jīng)由所述空間與所述輔助陰極接觸連接。

39、本公開(kāi)實(shí)施例所帶來(lái)的有益效果如下：

40、上述方案中，通過(guò)在像素定義層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)設(shè)置隔離柱，且將隔離柱布置在相鄰像素開(kāi)口之間，通過(guò)隔離柱的設(shè)置，可以將相鄰像素中的發(fā)光元件的發(fā)光層、陰極和封裝層隔開(kāi)，相鄰像素中的陰極可通過(guò)隔離柱中的輔助陰極連接一起；在至少部分像素中，像素定義層背離襯底的一側(cè)面上設(shè)置凹槽，且所述凹槽被構(gòu)造為與所述絕緣圖形中相對(duì)所述輔助陰極突出的部分在所述襯底上的正投影至少部分交疊，換言之，所述凹槽位于所述絕緣圖形的下方，如此，在通過(guò)多次構(gòu)圖工藝形成不同像素中的發(fā)光元件和封裝層時(shí)，由于所述絕緣圖形遮擋而產(chǎn)生的膜層殘留圖形會(huì)堆疊在所述凹槽中，相較于相關(guān)技術(shù)中像素定義層未設(shè)置凹槽的方案來(lái)說(shuō)，可以減少這些膜層殘留圖形相對(duì)于像素定義層的凸出高度，使得膜層殘留圖形與絕緣圖形之間的空間增大，在像素中形成陰極圖案時(shí)，陰極則可經(jīng)過(guò)膜層殘留圖形與絕緣圖形之間的空間延伸至輔助陰極，以順利與輔助陰極接觸連接，進(jìn)而增加陰極和輔助陰極之間的搭接概率，改善陰極與輔助陰極搭接不良的問(wèn)題，提升產(chǎn)品品質(zhì)。