專利名稱：微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)(MicroElectromechanical System, MEMS)麥克風(fēng)， 且特別是涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)的發(fā)展開辟了一個(gè)全新的技術(shù)領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè)，其已被廣泛地應(yīng)用于各種具有電子與機(jī)械雙重特性的微電子裝置中，例如壓力感應(yīng)器、加速器與微型麥克風(fēng)等。 微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)具有重量輕、體積小以及信號(hào)品質(zhì)佳等特性，故微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)逐漸成為微型麥克風(fēng)的主流。圖1是已知一種微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。請參照圖1，已知微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)100是將MEMS芯片110及互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)芯片120設(shè)置于基板130上，并通過固定于基板130的金屬蓋140遮蓋MEMS芯片110及CMOS芯片120，以保護(hù)MEMS芯片110及CMOS芯片120。 此外，金屬蓋140設(shè)有收音孔142。已知微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)100中，封裝工藝所耗費(fèi)的封裝成本約占整個(gè)微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)100的生產(chǎn)成本的75%，而且在進(jìn)行封裝時(shí)將會(huì)產(chǎn)生很大的封裝應(yīng)力。為了改善此情形，并降低生產(chǎn)成本，有必要提出一種新的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，以降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明另提供一種微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，以降低生產(chǎn)成本。為達(dá)上述優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明提出一種微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其包括基底、多個(gè)介電層、微機(jī)電振膜、多個(gè)支撐環(huán)以及保護(hù)層。介電層堆疊于基底上，微機(jī)電振膜配置于介電層的其中兩相鄰的介電層之間，且微機(jī)電振膜與基底之間有第一腔室。支撐環(huán)分別配置于部分介電層中，且支撐環(huán)相互堆疊。位于較下層的支撐環(huán)的內(nèi)徑大于位于較上層的支撐環(huán)的內(nèi)徑，且最上層的支撐環(huán)位于最上層的介電層中。保護(hù)層配置于最上層的支撐環(huán)上，且遮蓋微機(jī)電振膜。微機(jī)電振膜與保護(hù)層之間有第二腔室，且保護(hù)層具有暴露出微機(jī)電振膜的多個(gè)第一貫孔。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的支撐環(huán)的材料包括金屬。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的保護(hù)層的材料包括塑料、介電材料或金屬。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)還包括電極層，配置于基底中或基底上。電極層的相對于微機(jī)電振膜的部分有多個(gè)第二貫孔，且基底的相對于微機(jī)電振膜的部分為鏤空區(qū)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)還包括保護(hù)環(huán)，位于微機(jī)電振膜下方的部分介電層中并圍繞第一腔室。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的保護(hù)環(huán)的材料包括金屬。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的最下層的支撐環(huán)及微機(jī)電振膜耦接至保護(hù)環(huán)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)還包括金屬氧化物半導(dǎo)體元件、多個(gè)導(dǎo)線以及多個(gè)介層窗插塞。金屬氧化物半導(dǎo)體元件位于基底上，且介電層還覆蓋金屬氧化物半導(dǎo)體元件。導(dǎo)線、介層窗插塞以及介電層構(gòu)成內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，且此內(nèi)連線結(jié)構(gòu)電性連接至金屬氧化物半導(dǎo)體元件。介電層與導(dǎo)線交錯(cuò)堆疊，且介層窗插塞形成于介電層中并電性連接對應(yīng)的相鄰兩層導(dǎo)線。為達(dá)上述優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明另提出一種微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括下列步驟在基底上依序形成多層介電層，并在介電層的其中兩相鄰的介電層之間形成微機(jī)電振膜，且在部分介電層中分別形成支撐環(huán)。這些支撐環(huán)相互堆疊，其中最上層的支撐環(huán)位于最上層的介電層中，且位于較下層的支撐環(huán)的內(nèi)徑大于位于較上層的支撐環(huán)的內(nèi)徑。接著，在最上層的支撐環(huán)上形成保護(hù)層，以覆蓋微機(jī)電振膜，其中保護(hù)層具有多個(gè)第一貫孔。然后，在微機(jī)電振膜與基底之間形成第一腔室，并于保護(hù)層與微機(jī)電振膜之間形成第二腔室。在本發(fā)明的實(shí)施例中，在依序形成介電層之前還包括于基底上或基底中形成電極層。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的形成第一腔室的步驟包括移除微機(jī)電振膜下方的部分基底，以在基底形成暴露出電極層的鏤空區(qū)；在電極層形成多個(gè)第二貫孔；以及以這些第二貫孔為蝕刻通道，移除位于微機(jī)電振膜與電極層之間的部分介電層，以形成第一腔室。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的支撐環(huán)的材料包括金屬。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的保護(hù)層的材料包括塑料、介電材料或金屬。在本發(fā)明的實(shí)施例中，在形成介電層時(shí)還包括于部分介電層中形成保護(hù)環(huán)，且最下層的支撐環(huán)位于保護(hù)環(huán)上并耦接至保護(hù)環(huán)。 在本發(fā)明的實(shí)施例中，在形成介電層之前還包括于基底上形成金屬氧化物半導(dǎo)體元件，而介電層覆蓋金屬氧化物半導(dǎo)體元件。在本發(fā)明的實(shí)施例中，在形成介電層時(shí)還包括形成多層導(dǎo)線及多個(gè)介層窗插塞， 其中導(dǎo)線、介層窗插塞以及介電層構(gòu)成內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，且此內(nèi)連線結(jié)構(gòu)電性連接至金屬氧化物半導(dǎo)體元件。介電層與導(dǎo)線交錯(cuò)堆疊，且介層窗插塞形成于介電層中并電性連接對應(yīng)的相鄰兩層導(dǎo)線。本發(fā)明的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法中，由于通過形成于支撐環(huán)上的保護(hù)層來遮蓋微機(jī)電振膜，所以不需另外使用金屬蓋來進(jìn)行封裝，如此能大幅降低生產(chǎn)成本。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例， 并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1是已知一種微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2A至圖2C是本發(fā)明實(shí)施例的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖。附圖標(biāo)記說明100 微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)110:MEMS 芯片120 =CMOS 芯片130:基板140 金屬蓋142 收音孔200 微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)202 第一腔室204 第二腔室206 微機(jī)電系統(tǒng)區(qū)208 邏輯電路區(qū)210 基底212 鏤空區(qū)220:內(nèi)連線結(jié)構(gòu)222:介電層224 導(dǎo)線226 介層窗插塞230 微機(jī)電振膜240 支撐環(huán)250 電極層252 第二貫孔260 保護(hù)環(huán)270 金屬氧化物半導(dǎo)體元件沘0:保護(hù)層282 第一貫孔D:內(nèi)徑
具體實(shí)施例方式圖2A至圖2C是本發(fā)明實(shí)施例的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖。請先參照圖2A，本實(shí)施例的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制造方法是在基底210上依序形成多層介電層222，并在這些介電層222的其中兩相鄰的介電層222之間形成微機(jī)電振膜230，且在部分介電層222中分別形成支撐環(huán)M0。這些支撐環(huán) 240相互堆疊，其中最上層的支撐環(huán)240位于最上層的介電層222中，而位于較下層的支撐環(huán)MO的內(nèi)徑大于位于較上層的支撐環(huán)MO的內(nèi)徑。支撐環(huán)MO的內(nèi)徑如圖2A中標(biāo)號(hào)D 所示。上述的支撐環(huán)240的材料例如是金屬。在本實(shí)施例中，在依序形成介電層222之前可先在基底210中(未圖示)或基底上形成電極層250，而后續(xù)形成的介電層222覆蓋電極層250。此外，在形成介電層222時(shí)可在部分介電層222中形成保護(hù)環(huán)沈0，且最下層的支撐環(huán)240可位于保護(hù)環(huán)260上并耦接至保護(hù)環(huán)沈0。保護(hù)環(huán)260是由金屬層堆疊而成，而金屬層的材料可為鎢、鋁、銅、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭或其他金屬的任意組合。另外，在形成介電層222之前還可在基底210上形成金屬氧化物半導(dǎo)體元件270，而后續(xù)形成的介電層222 覆蓋金屬氧化物半導(dǎo)體元件270。而且，在形成介電層222時(shí)，還包括形成多層導(dǎo)線2M及多個(gè)介層窗插塞226，其中導(dǎo)線224、介層窗插塞226以及介電層222構(gòu)成內(nèi)連線結(jié)構(gòu)220， 且此內(nèi)連線結(jié)構(gòu)220電性連接至金屬氧化物半導(dǎo)體元件270。介電層222與導(dǎo)線2M交錯(cuò)堆疊，且介層窗插塞2 形成于介電層222中并電性連接對應(yīng)的相鄰兩層導(dǎo)線224。雖然在圖中是顯示傳統(tǒng)的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，但亦可以金屬鑲嵌工藝所形成的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)來取代。接著，如圖2B所示，在最上層的支撐環(huán)240上形成保護(hù)層觀0，以覆蓋微機(jī)電振膜 230，進(jìn)而防止微粒子掉落至微機(jī)電振膜230。此保護(hù)層280具有多個(gè)第一貫孔觀2，而這些第一貫孔282可作為收音孔。保護(hù)層觀0的材料可選用具有高應(yīng)力的絕緣材料(如氮化硅、非晶硅等)，但不以此為限。保護(hù)層觀0的材料亦可為塑料、介電材料、金屬或其他合適的材料。然后，如圖2C所示，在微機(jī)電振膜230與基底210之間形成第一腔室202，并在保護(hù)層280與微機(jī)電振膜230之間形成第二腔室204。更詳細(xì)地說，本實(shí)施例例如是先移除微機(jī)電振膜230下方的部分基底210，以在基底210形成暴露出電極層250的鏤空區(qū)212。接著，在電極層250形成多個(gè)第二貫孔252，并以這些第二貫孔252為蝕刻通道，移除位于微機(jī)電振膜230與電極層250之間以及微機(jī)電振膜230與保護(hù)層280之間的部分介電層222，以形成第一腔室202與第二腔室204。在另一實(shí)施例中，亦可先在基底210與電極層250中蝕刻出第二貫孔252的形狀后再移除位于微機(jī)電振膜230下方的部分基底210。本實(shí)施例例如是采用干式蝕刻(如深反應(yīng)離子蝕刻(De印Reactive IonEtching, DRIE))來移除位在電極層250下方的部分基底210，然后再令氣態(tài)或液態(tài)的氟化氫通過第二貫孔252，以由此移除微機(jī)電振膜230下方及上方的部分介電層222。如此一來，即可在微機(jī)電振膜230與電極層250之間形成第一腔室202及在微機(jī)電振膜230與保護(hù)層280之間形成第二腔室204。此第一腔室202與第二腔室204可作為振動(dòng)腔。值得一提的是，在利用氟化氫蝕刻微機(jī)電振膜230下方的部分介電層222時(shí)，保護(hù)環(huán)260可用以防止對介電層 222造成過度蝕刻而損害金屬氧化物半導(dǎo)體元件270所在的相鄰邏輯電路區(qū)域208。請繼續(xù)參照圖2C，通過上述方法所制造出的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu) 200包括基底210、多個(gè)介電層222、微機(jī)電振膜230、多個(gè)支撐環(huán)MO以及保護(hù)層觀0。介電層222堆疊于基底210上，微機(jī)電振膜230配置于這些介電層222的其中兩相鄰的介電層222之間，且微機(jī)電振膜230與基底210之間有第一腔室202。支撐環(huán)240分別配置于部分介電層222中，且這些支撐環(huán)240相互堆疊。位于較下層的支撐環(huán)MO的內(nèi)徑大于位于較上層的支撐環(huán)MO的內(nèi)徑，且最上層的支撐環(huán)240位于最上層的介電層222中。保護(hù)層 280配置于最上層的支撐環(huán)240上，且遮蓋微機(jī)電振膜230。微機(jī)電振膜230與保護(hù)層280 之間有第二腔室204，且保護(hù)層280具有暴露出微機(jī)電振膜的多個(gè)第一貫孔觀2。上述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)200可還包括配置于基底210上或基底210中的電極層250。電極層250的相對于微機(jī)電振膜230的部分有多個(gè)第二貫孔252，且基底210的相對于微機(jī)電振膜230的部分為鏤空區(qū)212。此外，微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)200可還包括保護(hù)環(huán)沈0，其位于微機(jī)電振膜230下方的部分介電層222中并圍繞第一腔室202。另外，最下層的支撐環(huán)240及微機(jī)電振膜230耦接至保護(hù)環(huán)沈0。上述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)200例如還包括金屬氧化物半導(dǎo)體元件270、多個(gè)導(dǎo)線2 以及多個(gè)介層窗插塞226。金屬氧化物半導(dǎo)體元件270位于基底210 上，且介電層222還覆蓋金屬氧化物半導(dǎo)體元件270。介電層222與導(dǎo)線2M交錯(cuò)堆疊，且介層窗插塞2 是形成于介電層222中并電性連接對應(yīng)的相鄰兩層導(dǎo)線224。導(dǎo)線224、介層窗插塞226以及介電層222構(gòu)成內(nèi)連線結(jié)構(gòu)220，且此內(nèi)連線結(jié)構(gòu)220電性連接至金屬氧化物半導(dǎo)體元件270。換言之，本實(shí)施例的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)200除了包括微機(jī)電系統(tǒng)區(qū)206外，還可包括邏輯電路區(qū)208，且微機(jī)電系統(tǒng)區(qū)206與邏輯電路區(qū)208透過內(nèi)連線結(jié)構(gòu)220的導(dǎo)線224(如虛線所示)而電性連接。在本實(shí)施例中，外界的聲波信號(hào)是通過保護(hù)層觀0的第一貫孔282而施予壓力至微機(jī)電振膜230使其產(chǎn)生振動(dòng)，而微機(jī)電振膜230 的電極層(圖未示)與電極層250之間的電容值即會(huì)隨著微機(jī)電振膜230的振動(dòng)而改變， 并透過內(nèi)連線結(jié)構(gòu)220的導(dǎo)線2M傳送至金屬氧化物半導(dǎo)體元件270，以推算出所接收到的聲波信號(hào)。上述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)200及其制造方法中，因通過形成于支撐環(huán)240上的保護(hù)層280來遮蓋微機(jī)電振膜230，所以在制造完成后，不需再另外使用金屬蓋來進(jìn)行額外的封裝工藝。如此，不僅能大幅降低微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu) 200的生產(chǎn)成本，還能避免已知封裝工藝所產(chǎn)生的應(yīng)力造成微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)200受損。雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域一般技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，包括基底；多個(gè)介電層，堆疊于該基底上；微機(jī)電振膜，配置于該多個(gè)介電層的其中兩相鄰的介電層之間，且該微機(jī)電振膜與該基底之間有第一腔室；多個(gè)支撐環(huán)，分別配置于部分該多個(gè)介電層中，且該多個(gè)支撐環(huán)相互堆疊，位于較下層的該支撐環(huán)的內(nèi)徑大于位于較上層的該支撐環(huán)的內(nèi)徑，且最上層的該支撐環(huán)位于最上層的該介電層中；以及保護(hù)層，配置于最上層的該支撐環(huán)上，且遮蓋該微機(jī)電振膜，其中該微機(jī)電振膜與該保護(hù)層之間有第二腔室，且該保護(hù)層具有暴露出該微機(jī)電振膜的多個(gè)第一貫孔。
2.如權(quán)利要求1所述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其中該多個(gè)支撐環(huán)的材料包括金屬。
3.如權(quán)利要求1所述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其中該保護(hù)層的材料包括塑料、介電材料或金屬。
4.如權(quán)利要求1所述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，還包括電極層，配置于該基底上或基底中，其中該電極層的相對于該微機(jī)電振膜的部分有多個(gè)第二貫孔，且該基底的相對于該微機(jī)電振膜的部分為鏤空區(qū)。
5.如權(quán)利要求1所述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，還包括保護(hù)環(huán)，位于該微機(jī)電振膜下方的部分該多個(gè)介電層中并圍繞該第一腔室。
6.如權(quán)利要求5所述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其中該保護(hù)環(huán)的材料包括金屬。
7.如權(quán)利要求5所述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其中最下層的該支撐環(huán)及該微機(jī)電振膜耦接至該保護(hù)環(huán)。
8.如權(quán)利要求1所述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，還包括金屬氧化物半導(dǎo)體元件，位于該基底上，且該多個(gè)介電層還覆蓋該金屬氧化物半導(dǎo)體元件；多層導(dǎo)線；以及多個(gè)介層窗插塞，其中該多個(gè)導(dǎo)線、該多個(gè)介層窗插塞以及該多個(gè)介電層構(gòu)成內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)電性連接至該金屬氧化物半導(dǎo)體元件，該多個(gè)介電層與該多個(gè)導(dǎo)線交錯(cuò)堆疊，且該多個(gè)介層窗插塞形成于該多個(gè)介電層中并電性連接對應(yīng)的相鄰兩層導(dǎo)線。
9.一種微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括在基底上依序形成多層介電層，并在該多個(gè)介電層的其中兩相鄰的介電層之間形成微機(jī)電振膜，且在部分該多個(gè)介電層中分別形成支撐環(huán)，該多個(gè)支撐環(huán)相互堆疊，其中最上層的該支撐環(huán)位于最上層的該介電層中，且位于較下層的該支撐環(huán)的內(nèi)徑大于位于較上層的該支撐環(huán)的內(nèi)徑；在最上層的該支撐環(huán)上形成保護(hù)層，以覆蓋該微機(jī)電振膜，其中該保護(hù)層具有多個(gè)第一貫孔；以及在該微機(jī)電振膜與該基底之間形成第一腔室，并在該保護(hù)層與該微機(jī)電振膜之間形成第二腔室。
10.如權(quán)利要求9所述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在依序形成該多個(gè)介電層之前還包括在該基底上或基底中形成電極層。
11.如權(quán)利要求10所述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成該第一腔室的步驟包括移除該微機(jī)電振膜下方的部分該基底，以在該基底形成暴露出該電極層的鏤空區(qū)；在該電極層形成多個(gè)第二貫孔；以及以所述多個(gè)第二貫孔為蝕刻通道，移除位于該微機(jī)電振膜與該電極層之間的部分介電層，以形成該第一腔室。
12.如權(quán)利要求9所述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該支撐環(huán)的材料包括金屬。
13.如權(quán)利要求9所述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該保護(hù)層的材料包括塑料、介電材料或金屬。
14.如權(quán)利要求9所述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在形成該多個(gè)介電層時(shí)還包括在部分所述多個(gè)介電層中形成保護(hù)環(huán)，且最下層的該支撐環(huán)位于該保護(hù)環(huán)上并耦接至該保護(hù)環(huán)。
15.如權(quán)利要求9所述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在形成該多個(gè)介電層之前還包括在該基底上形成金屬氧化物半導(dǎo)體元件，而該多個(gè)介電層覆蓋該金屬氧化物半導(dǎo)體元件。
16.如權(quán)利要求15所述的微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在形成該多個(gè)介電層時(shí)還包括形成多層導(dǎo)線及多個(gè)介層窗插塞，該多個(gè)導(dǎo)線、該多個(gè)介層窗插塞以及該多個(gè)介電層構(gòu)成內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)電性連接至該金屬氧化物半導(dǎo)體元件，該多個(gè)介電層與該多個(gè)導(dǎo)線交錯(cuò)堆疊，且該多個(gè)介層窗插塞形成于該多個(gè)介電層中并電性連接對應(yīng)的相鄰兩層導(dǎo)線。
全文摘要
一種微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，包括基底、多個(gè)介電層、微機(jī)電振膜、多個(gè)支撐環(huán)及保護(hù)層。介電層堆疊于基底上，微機(jī)電振膜配置于其中兩相鄰的介電層之間，且微機(jī)電振膜與基底之間有第一腔室。支撐環(huán)分別配置于部分介電層中，且支撐環(huán)相互堆疊。位于較下層的支撐環(huán)的內(nèi)徑大于位于較上層的支撐環(huán)的內(nèi)徑，且最上層的支撐環(huán)位于最上層的介電層中。保護(hù)層配置于最上層的支撐環(huán)上，且遮蓋微機(jī)電振膜。微機(jī)電振膜與保護(hù)層之間有第二腔室，保護(hù)層具有暴露出微機(jī)電振膜的多個(gè)第一貫孔。此微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)的晶片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)成本較低。
文檔編號(hào)H04R19/04GK102223591SQ20101016462
公開日2011年10月19日 申請日期2010年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月19日
發(fā)明者吳惠敏, 王銘義, 蘇宗一, 藍(lán)邦強(qiáng), 陳立哲, 黃建欣 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司