專利名稱：包括電子電路元件的樹脂模制部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包含密封在樹脂模中的電子電路元件如半導(dǎo)體芯片的樹脂模制部件。在本說明書中，術(shù)語“樹脂模制部件”廣義地包括樹脂盒和樹脂殼。
近年來，可工作于高速的高集成度的半導(dǎo)體器件得以顯著廣泛的傳播和越來越多的應(yīng)用。作為使用半導(dǎo)體器件的現(xiàn)行設(shè)備，所知道的有隨機(jī)存取存儲器(RAM)，只讀存儲器(ROM)，微處理器(MPU)，中央處理器(CPU)，圖像處理器算術(shù)邏輯單元(IPALU)等等。上述現(xiàn)行設(shè)備每分鐘都在得到改進(jìn)，使得工作速度和\或信號處理速度得以快速提高。在此環(huán)境下，高速傳播的電信號伴隨著電壓或電流的劇烈變化。這種變化構(gòu)成產(chǎn)生高頻噪聲的主要原因。
另一方面，電子器件或電子設(shè)備在重量、厚度和尺寸上的減少正無止境地得到快速進(jìn)展。這導(dǎo)致半導(dǎo)體設(shè)備的集成度和在印刷電路板上安裝電子元件的密度的顯著增大。這種情況下，密集地集成或安裝的電子器件和信號線彼此間非常接近。這種高密度的布置，連同上述信號處理速度的增加，將導(dǎo)致容易感應(yīng)高頻噪聲。
作為電子器件或電子設(shè)備的一個(gè)例子，所知道的有包含密封裝在樹脂模中的電子電路元件如半導(dǎo)體芯片的樹脂模制部件。要指出的是，這種樹脂模制部件有從電源線路產(chǎn)生不希望有的輻射的問題。為避免這個(gè)問題，已經(jīng)采用了各種針對措施，例如，在電源線路中插入集總常數(shù)元件如去耦電容器。
然而，在含有可工作在高速的電子電路元件的樹脂模制部件中，如上文提到的產(chǎn)生的噪聲將含有諧波分量。在這種情況下，信號路徑顯示出如分布常數(shù)電路的特性。因此，傳統(tǒng)的防止噪聲的技術(shù)是無效的，因?yàn)樗黾夹g(shù)假定是在集總常數(shù)電路的條件下。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種能有效降低由工作在高速的電子電路元件產(chǎn)生的不希望有的輻射的樹脂模制部件。
本發(fā)明的其他目的將隨著描述的進(jìn)行而變得清晰。
按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種樹脂模制部件，它包括電子電路元件；把電子電路元件模制在其中的樹脂；以及至少覆蓋所述樹脂的一部分的高頻電流抑制器，所述高頻電流抑制器是用磁損耗膜制成的。
按照本發(fā)明的另一方面，提供一種樹脂模制部件，它包括電子電路元件；把電子電路元件模制在其中的樹脂；以及至少覆蓋所述樹脂的一部分的高頻電流抑制器，所述高頻電流抑制器是用磁損耗膜制成的，用于衰減流過所述電子電路元件并且具有在幾十兆赫茲到幾千兆赫茲之間頻帶內(nèi)的頻率的高頻電流。
按照本發(fā)明的又一方面，提供一種樹脂模制部件，它包括電子電路元件；把電子電路元件模制在其中的樹脂；以及至少覆蓋所述樹脂的一部分的高頻電流抑制器，所述高頻電流抑制器是用磁損耗膜制成的，所述膜是由包括M、X和Y的磁性合成物的磁性物質(zhì)制成的，其中M是一種含有鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)的金屬磁性材料，X是一種或一些不同于M和Y的元素，而Y是氟(F)、氮(N)、和\或氧(O)，所述M-X-Y磁性合成物在成分上具有這樣的M濃度，使得所述M-X-Y磁性合成物的飽和磁化強(qiáng)度是僅由M組成的磁性材料的金屬塊的飽和磁化強(qiáng)度的35％-80％，所述磁性合成物在0.1-10千兆赫的頻率范圍內(nèi)具有相對導(dǎo)磁率的虛部μ”的最大值μ”max。


圖1是依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的樹脂模制部件的簡要剖視圖；圖2是表示M-X-Y磁性合成物的顆粒結(jié)構(gòu)的示意圖；圖3A是表示用于實(shí)例中的濺射裝置結(jié)構(gòu)的簡要剖視圖；圖3B是表示用于例中的汽相淀積裝置結(jié)構(gòu)的簡要剖視圖；圖4是表示實(shí)例1中膜樣品1的導(dǎo)磁率的頻率響應(yīng)的曲線圖；圖5是表示實(shí)例2中膜樣品2的導(dǎo)磁率的頻率響應(yīng)的曲線圖6是表示對比實(shí)例1中的對比樣品1的導(dǎo)磁率的頻率響應(yīng)的曲線圖；圖7是用于測試磁性樣品的噪聲抑制效果的測試裝置的簡要透視圖；圖8A是表示膜樣品1的傳輸特性的曲線圖；圖8B是表示合成磁性材料片的對比樣品的傳輸特性的曲線圖；圖9A是表示作為噪聲抑制器的磁性材料的長為1的分布常數(shù)電路；圖9B是圖9A的分布常數(shù)電路的單位長度Δ1的等效電路；圖9C是圖9A的分布常數(shù)電路的長度1的等效電路；圖10A是表示實(shí)例1中的膜樣品1的等效電阻R的頻率響應(yīng)的曲線圖；圖10B是表示合成磁材料片的比較樣品的等效電阻R的頻率響應(yīng)的曲線圖。
最佳實(shí)施例描述下面將參照圖1描述依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的樹脂模制部件。
所述樹脂模制部件以標(biāo)號1表示且含有設(shè)置在里面、用環(huán)氧樹脂模3密封的半導(dǎo)體承載芯片2。從所述半導(dǎo)體承載芯片，穿過環(huán)氧樹脂模3引出多個(gè)引線框架4到外面。
另外，所述環(huán)氧樹脂模3完全被高頻電流抑制器5覆蓋。所述高頻電流抑制器5是用先有技術(shù)中已知的濺射或汽相淀積以膜的形式形成的薄膜磁性物質(zhì)，其厚度在0.3微米至20微米之間，并且在低于幾十兆赫茲的頻帶內(nèi)表現(xiàn)出導(dǎo)電性。高頻電流抑制器5用于衰減流過環(huán)氧樹脂3內(nèi)的電路部分的高頻電流，且具有在幾十兆赫茲到幾千兆赫茲之間頻帶內(nèi)的一個(gè)頻率。
關(guān)于形成高頻電流抑制器5，除上述濺射或汽相淀積之外，可使用化學(xué)汽相淀積(CVD)，離子束淀積，氣體淀積，以及圖形轉(zhuǎn)移(pattern transfer)。
作為用于每個(gè)高頻電流抑制器4a,4b和5的材料，可使用窄帶磁損耗材料，其含有作為成分或元素M(M為鐵(Fe)，鈷(Co)和鎳(Ni)中的至少一種)，Y(Y為氟(F)、氮(N)、氧(O)中的至少一種)和X(X為至少一種不同于M和Y中所含元素的元素)的混合物的M-X-Y合成物，并且具有以頻率和與相對導(dǎo)磁率的相對于實(shí)部μ’的虛部μ”之間關(guān)系給出的導(dǎo)磁率特性，使得虛部μ”(或許可稱為磁損項(xiàng))的最大值μ”max出現(xiàn)在100MHZ(兆赫)至10GHZ(千兆赫)之間的頻率范圍內(nèi)，并且相對帶寬bwr不大于200％，其中相對帶寬bwr通過以下方法獲得提取這樣兩個(gè)頻率點(diǎn)之間的頻帶寬度，在這兩個(gè)頻率點(diǎn)上μ”的值是最大值μ”max的50％，并且按照其中心頻率將所述帶寬歸一化。這里假設(shè)所述窄帶磁損耗材料的飽和磁化強(qiáng)度是僅含有成分M的鐵磁材料的飽和磁化強(qiáng)度的80％-60％和在100μΩ·cm(微歐.厘米)與700μΩ·cm(微歐·厘米)間的直流電阻。
作為用于每個(gè)高頻電流抑制器4a,4b和5的材料，還可采用寬帶磁損耗材料，其含有作為成分M(M為鐵(Fe)，鈷(Co)和鎳(Ni)中的至少一種)，Y(Y為氟(F)、氮(N)、氧(O)中的至少一種)和X(X為至少一種不同于M和Y中所含元素的元素)的混合物的M-X-Y合成物，并且具有以頻率和與相對導(dǎo)磁率的相對于實(shí)部μ’的虛部μ”之間關(guān)系給出的導(dǎo)磁率特性，使得虛部μ”的最大值μ”max出現(xiàn)在100MHZ(兆赫)至10GHZ(千兆赫)之間的頻率范圍內(nèi)，并且相對帶寬bwr不小于150％，其中相對帶寬bwr通過以下方法獲得提取這樣兩個(gè)頻率點(diǎn)之間的頻帶寬度，在這兩個(gè)頻率點(diǎn)上μ”的值是最大值μ”max的50％，并且按照其中心頻率將所述帶寬歸一化。這里假設(shè)所述寬帶磁損耗材料的飽和磁化強(qiáng)度是僅含有成分M的金屬磁性材料的飽和磁化強(qiáng)度的60％-35％和大于500μΩ·cm(微歐·厘米)的直流電阻。
在用作高頻電流抑制器4a,4b和5的每個(gè)窄帶磁損耗材料和寬帶磁損耗材料中，成分X至少為C(碳)，B(硼)，Si(硅)，Al(鋁)，Mg(鎂)，Ti(鈦)，zn(鋅)，Hf,Sr,Nb,Ta和稀土元素中的一種。成分M呈現(xiàn)為顆粒結(jié)構(gòu)，其中成分M的微?；蝾w粒被分散在成分X和Y的混合物的基質(zhì)中。所述微粒具有1納米(nm)至40納米之間的平均粒度。所述窄帶或?qū)拵Т艙p耗材料具有47400A/m或更小的各向異性磁場。所述窄帶或?qū)拵Т艙p耗材料最好是鐵-鋁-氧(Fe-Al-O)合成物或鐵-硅-氧(Fe-Si-O)合成物。
所述樹脂模制部件1在外觀上與傳統(tǒng)產(chǎn)品相似，但效果更佳。具體地說，甚至在作為具有在幾十兆赫茲至幾千兆赫茲范圍內(nèi)頻率的不希望有諧波的諧波電流出現(xiàn)時(shí)，此高頻率電流可被所述高頻率電流抑制器5充分地衰減。結(jié)果，可以防止噪聲的產(chǎn)生以便消除高頻率噪聲的負(fù)面影響。
作為高頻率電流抑制器5，可使用薄膜磁性材料，其體積小因而需要較少空間并且是一種磁損耗材料，所述材料具有大的相對導(dǎo)磁率虛部(即”磁損項(xiàng)”)μ”以致可有效防止不希望有的輻射。作為表現(xiàn)出大的磁損耗的磁性物質(zhì)，已知一種粒狀磁性材料。特別是在粒狀磁性材料中磁性金屬粒子濃度在特定范圍內(nèi)的情況下，可在高頻率區(qū)域內(nèi)獲得很好的磁損特性。
接下來，將針對M-X-Y磁性合成物的粒狀結(jié)構(gòu)和加工方法予以說明。
參見圖2，其中示意地示出M-X-Y磁性合成物的粒狀結(jié)構(gòu)，金屬磁性材料M的顆粒11均勻地分布在由X和Y構(gòu)成的基質(zhì)12中。
參照圖3A，使用所顯示的濺射裝置來產(chǎn)生如下實(shí)例和對比實(shí)例中樣品。濺射裝置具有傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)且包括真空容器20、遮檔板21，氣氛氣體源22，基片或玻璃板23，芯片24(X或X-Y)，目標(biāo)鍍件25(M)，RF電源以及真空泵27。氣氛氣體源22和真空泵27與真空容器20相連?；?3面向其上設(shè)置有芯片24的目標(biāo)鍍件25。遮檔板21設(shè)置在基片21的前面。RF電源26與目標(biāo)鍍件25連接。
參照圖3B，使用所顯示的汽相淀積裝置來制備下列實(shí)例和對比實(shí)例中樣品。類似于濺射裝置的汽相淀積具有傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)并且具有真空容器20、氣氛氣體源22以及真空泵27，只是另外還有一個(gè)具有材料(X-Y)的坩堝28，以替代芯片24、目標(biāo)鍍件25和RF電源26。
實(shí)例1使用圖6A中所示的濺射裝置按照表1的濺射條件在玻璃板上制作M-X-Y磁性合成物的薄膜。
表1
制成的薄膜樣品1借助熒光X射線光譜儀進(jìn)行分析，被確認(rèn)為合成物Fe72Al11O17的薄膜。薄膜樣品1，厚度為2.0微米(μm)，直流比電阻為530微歐姆厘米(μΩcm)，各向異性磁場(Hk)為18奧斯特(Oe)，以及飽和磁化強(qiáng)度(Ms)為16,800高斯。
薄膜樣品1的飽和磁化強(qiáng)度與金屬磁性材料M本身的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100為72.2％。
為了測量磁導(dǎo)率頻率響應(yīng)特性，把薄膜樣品1做成帶狀物并將其插入線圈中。在施加偏置磁場的情況下，對加到該線圈的交流電流的頻率變化所對應(yīng)的該線圈的阻抗變化進(jìn)行測量。對應(yīng)于偏磁場的不同值，進(jìn)行多次測量。根據(jù)所測得頻率變化對應(yīng)的阻抗變化，計(jì)算出磁導(dǎo)率頻率響應(yīng)特性(μ”-f響應(yīng)特性)，如圖4所示。圖4中要注意的是，相對磁導(dǎo)率的虛數(shù)部分具有一個(gè)峰值或最大值(μ”max)且在該峰值的兩邊迅速下落。說明該最大值(μ”max)的固有諧振頻率(f(μ”max))約為700MHz。根據(jù)該μ”-f響應(yīng)特性，相對帶寬bwr被確定為兩個(gè)頻率點(diǎn)之間的帶寬與所述帶寬的中心頻率的百分比，該帶寬將相對磁導(dǎo)率的虛數(shù)部分顯示為最大值μ”max的半值μ”50。該相對帶寬bwr是148％。
實(shí)例2在類似于實(shí)例1只是改用150個(gè)Al2O3芯片的條件下，在玻璃板上形成薄膜樣品2。
制成的薄膜樣品2借助熒光X射線光譜儀進(jìn)行分析，被確認(rèn)為合成物Fe44Al22O34的薄膜。薄膜樣品2，厚度為1.2微米(μm)，直流比電阻為2400微歐姆厘米(μΩcm)，各向異性磁場(HK)為120Oe，以及飽和磁化強(qiáng)度(Ms)為9600高斯。要注意的是，薄膜樣品2的比電阻較薄膜樣品1的高。
薄膜樣品2的飽和磁化強(qiáng)度與金屬磁性材料M本身的磁化強(qiáng)度的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100為44.5％。
薄膜樣品2的μ”-f響應(yīng)特性也是通過與樣品1的類似的方式獲得，如圖5所示。要注意的是，與薄膜樣品1中的情況類似，該峰值也有很高的值。但是，該峰值處的頻率點(diǎn)或固有諧振頻率約為1GHz，而相對磁導(dǎo)率的虛數(shù)部分在該峰值的兩邊逐漸下落，這樣，該μ”-f響應(yīng)特性就具有寬帶的特性。
按照與實(shí)例1中的類似的方式，將薄膜樣品2的相對帶寬bwr確認(rèn)為181％。
對比實(shí)例1在類似于實(shí)例1只是改用90個(gè)Al2O3芯片的條件下，在玻璃板上形成對比樣品1。
制成的對比樣品1借助熒光X射線光譜儀進(jìn)行分析，被確認(rèn)為合成物Fe86Al6O8的薄膜。對比樣品1，厚度為1.2微米(μm)，直流比電阻為74微歐姆厘米(μΩ·cm)，各向異性磁場(HK)為22Oe，飽和磁化強(qiáng)度(Ms)為18,800高斯，以及對比樣品1與金屬材料M本身的飽和磁化強(qiáng)度的百分比率{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100為85.7％。
通過與樣品1的類似的方式獲得對比樣品1的μ”-f響應(yīng)特性，如圖6所示。圖9中要注意的是，對比樣品1的相對磁導(dǎo)率的虛數(shù)部分μ”在10MHz附近存在很高的峰值；但是，在超過10MHz的較高頻率的范圍迅速下降?？梢酝茰y這種降低的情況是由于較低的比電阻的原因而產(chǎn)生渦流電流所致。
對比實(shí)例2在類似于實(shí)例1只是改用200個(gè)Al2O3芯片的條件下，在玻璃板上形成對比樣品2。
制成的對比樣品2借助熒光X射線光譜儀進(jìn)行分析，被確認(rèn)為合成物Fe19Al34O47的薄膜。對比樣品2，厚度為1.3微米(μm)，直流比電阻為10,500微歐姆厘米(μΩ·cm)。
對比樣品1的磁性特征呈現(xiàn)超順磁性。
實(shí)例4使用圖3A的濺射裝置按照表2的濺射條件通過反應(yīng)濺射法，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物薄膜。N2的分壓力比為20％。所述薄膜在300℃，真空中和磁場下經(jīng)過兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品4。
表2
薄膜樣品4的屬性在表3中顯示。
表3
實(shí)例5使用圖3A的濺射裝置按照表4中所示的濺射條件，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。所述薄膜在300℃，真空中和磁場下經(jīng)過兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品5。
表4
薄膜樣品5的屬性在表5中顯示。
表5
實(shí)例6使用圖3A的濺射裝置按照表6的濺射條件通過反應(yīng)濺射法，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。N2的分壓力比為10％。所述薄膜在300℃，真空中和磁場下經(jīng)過兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品6。
表6
薄膜樣品6的屬性在表7中顯示。
表7
實(shí)例7用圖3A的濺射裝置按照表8中所示的濺射條件，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。所述薄膜在300℃，真空中和磁場下經(jīng)過兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品7。
表8
薄膜樣品7的屬性在表9中顯示。
表9
實(shí)例8使用圖3A的濺射裝置按照表10中所示的濺射條件通過反應(yīng)濺射法，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。N2的分壓力比為10％。所述薄膜在300℃，真空中和磁場下經(jīng)過兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品8。
表10
薄膜樣品8的屬性在表11中顯示。
表11
實(shí)例9使用圖3A的濺射裝置按照表12中所示的濺射條件，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。所述薄膜在300℃，真空中和磁場下經(jīng)過兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品9。
表12
薄膜樣品9的屬性在表13中顯示。
表13
實(shí)例10使用圖3A的濺射裝置按照表14中所示的濺射條件通過反應(yīng)濺射法，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。O2的分壓力比為15％。所述薄膜在300℃，真空中和磁場下經(jīng)過兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品10。
表14
薄膜樣品10的屬性在表15中顯示。
表15
實(shí)例11使用圖3A的濺射裝置按照表16中所示的濺射條件，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。所述薄膜在300℃，真空中和磁場下經(jīng)過兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品11。
表16
薄膜樣品11的屬性在表17中顯示。
表17
實(shí)例12使用圖3A的濺射裝置按照表18中所示的濺射條件，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。所述薄膜在300℃，真空中和磁場下經(jīng)過兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品12。
表18
薄膜樣品12的屬性在表19中顯示。
表19
實(shí)例13使用圖3A的濺射裝置按照表20中所示的濺射條件，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。所述薄膜在300℃，真空中和磁場下經(jīng)過兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品13。
表20
薄膜樣品13的屬性在表21中顯示。
表21
實(shí)例14使用圖3B的汽相淀積裝置按照表22的條件，在玻璃板上形成M-X-Y磁性合成物的薄膜。所述薄膜在300℃，真空中和磁場下經(jīng)過兩個(gè)小時(shí)的熱處理，而獲得薄膜樣品14。
表22
薄膜樣品14的屬性在表23中顯示。
表23
現(xiàn)在將描述關(guān)于使用圖7所示的測試儀器所進(jìn)行的有關(guān)樣品薄膜和對比樣品的噪聲抑制效果的測試。
測試片是薄膜樣品1，尺寸為20mm×20mm×2.0μm。為了進(jìn)行比較，已知合成磁性材料的薄片尺寸為20mm×20mm×1.0mm，含有聚合物的合成磁性材料和片狀磁金屬粉分散在該聚合物中。磁性金屬粉含有Fe,Al和Si。該合成磁性材料具有在準(zhǔn)微波范圍內(nèi)的磁導(dǎo)率分布，并且在約700MHz的頻率處具有相對磁導(dǎo)率的虛數(shù)部分最大值。表24顯示的是測試片和對比測試片兩者的磁特性。
表24
從表24可以看出，就相對磁導(dǎo)率的虛數(shù)部分的最大值的比較，薄膜樣品1約為對比測試片的600倍。由于噪聲抑制效果一般是根據(jù)相對磁導(dǎo)率的虛數(shù)部分最大值μ”max的乘積(μ”max×δ)的值以及測試片厚度δ來評估的，所以合成磁性材料的對比測試片的厚度選擇1mm，這樣兩個(gè)測試片可有相似值(μ”max×δ)。
參照圖7，測試儀器包括具有兩個(gè)端口的微帶線61；連接到所述兩個(gè)端口的同軸電纜62以及跨接所述兩個(gè)端口的網(wǎng)絡(luò)分析器(未顯示)。微帶線61長度為75mm，特征阻抗為50ohm。測試片63設(shè)置在微帶線61的區(qū)域64，這樣就對傳輸特性S21進(jìn)行測量。關(guān)于薄膜樣品1和對比樣品的S21的頻率響應(yīng)特性分別顯示在圖8A和8B中。
對于使用薄膜樣品1的情況，圖8A中要注意的是，S21在100MHz以上的區(qū)域下降，在頻率2GHz處達(dá)到最小值-10dB，而在2GHz以上的區(qū)域開始上升。另一方面，對于使用對比樣品的情況，圖8B中要注意的是，S21逐漸趨于降低，在頻率3GHz處達(dá)到最小值-10dB。
這些結(jié)果說明S21與磁導(dǎo)率頻率分布相關(guān)而噪聲抑制效果與乘積(μ”max×δ)相關(guān)。
現(xiàn)在，如果磁性樣品制成如圖9A所示的長度為l的分布常數(shù)電路，則可根據(jù)傳輸特性S11和S21計(jì)算單位長度Δl的等效電路，如圖9B所示。這樣，根據(jù)單位長度Δl的等效電路就得到長度為l的等效電路，如圖9C所示。磁性樣品的等效電路包括串聯(lián)的電感L和電阻R，以及并聯(lián)的電容C和電導(dǎo)G，如圖9C所示。據(jù)此可發(fā)現(xiàn)，在微帶線上設(shè)置磁性物質(zhì)所導(dǎo)致的微帶線的傳輸特性的變化主要決定于加入的串聯(lián)等效電阻R。
鑒于上述情況，對該等效電阻R的頻率響應(yīng)特性進(jìn)行測量。對應(yīng)于薄膜樣品1和對比樣品，測得的數(shù)據(jù)分別如圖10A和10B所示。這些數(shù)字中要注意的是，等效電阻R在準(zhǔn)微波范圍內(nèi)逐漸降低，且在3GHz附近約為60ohm。可發(fā)現(xiàn)，等效電阻R的頻率相關(guān)性不同于1GHz附近具有最大值的相對磁導(dǎo)率虛數(shù)部分的頻率相關(guān)性?？赏茰y出，這種差異將取決于所述產(chǎn)品與樣品長度與波長的比率逐漸增加。
權(quán)利要求
1.一種樹脂模制部件，它包括電子電路元件；將所述電子電路元件模制其中的樹脂；以及至少覆蓋所述樹脂一部分的高頻電流抑制器，所述高頻電流抑制器由磁損耗膜制成。
2.權(quán)利要求1所要求的樹脂模制部件，其特征在于所述電子電路元件是半導(dǎo)體芯片。
3.權(quán)利要求1或2所要求的樹脂模制部件，其特征在于所述高頻電流抑制器是表現(xiàn)出大的磁損耗的磁性材料。
4.權(quán)利要求1至3中任何一個(gè)所要求的樹脂模制部件，其特征在于所述磁損耗膜是由顆粒狀的磁性材料制成的。
5.權(quán)利要求4所要求的樹脂模制部件，其特征在于所述顆粒狀的磁性材料通過濺射淀積在所述樹脂的所述至少一部分上。
6.權(quán)利要求4所要求的樹脂模制部件，其特征在于所述顆粒狀的磁性材料通過氣相淀積方法淀積在所述樹脂的所述至少一部分上。
7.權(quán)利要求1至6中任何一個(gè)所要求的樹脂模制部件，其特征在于所述磁損耗膜用于衰減流過所述電子電路元件且具有在幾十兆赫茲至幾千兆赫茲之間的頻帶內(nèi)的頻率的高頻電流。
8.權(quán)利要求1至7中任何一個(gè)所要求的樹脂模制部件，其特征在于所述磁損耗膜是用含有M、X和Y的磁性合成物的磁性物質(zhì)制成的，其中，M是含有鐵、鈷和\或鎳的金屬磁性材料，X是一種或一些不同于M和Y的元素，而Y是氟、氮和\或氧，所述M-X-Y磁性合成物成分中具有這樣的M濃度，使得所述M-X-Y磁性合成物的飽和磁化強(qiáng)度是僅含M的磁性材料的金屬塊的飽和磁化強(qiáng)度的35-80％，所述磁性材料在0.1-10千兆赫茲的頻率范圍內(nèi)有相對導(dǎo)磁率虛部μ”的最大值μ”max。
9.權(quán)利要求8所要求的樹脂模制部件，其特征在于具有相對寬頻帶的導(dǎo)磁率頻率響應(yīng)，其中相對帶寬bM為150％或更多，所述相對帶寬bwr定義為顯示出相對導(dǎo)磁率虛部為最大值μ”max的半值μ”50的兩頻率點(diǎn)間帶寬與所述帶寬的中心頻率的百分比。
全文摘要
一種樹脂模制部件(1)包括設(shè)置于其內(nèi)且密封在環(huán)氧樹脂模(3)中的半導(dǎo)體承載芯片(2)。該樹脂模制部件完全被作為高頻電流抑制器的磁損耗膜(5)所覆蓋。所述磁損耗膜最好是由顆粒狀的磁性材料制成。多個(gè)引線框(4)可穿過所述環(huán)氧樹脂模從所述半導(dǎo)體承載芯片引出到外面。
文檔編號H05K9/00GK1316778SQ0111656
公開日2001年10月10日 申請日期2001年4月4日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月4日
發(fā)明者吉田榮吉, 小野裕司 申請人:株式會(huì)社東金