專利名稱：雙面布線板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的詳細描述本發(fā)明涉及雙面布線板以及用于制造該雙面布線板的方法，所述雙面布線板中在聚酰亞胺薄膜之類的絕緣體的每一面上形成由銅之類導(dǎo)體組成的布線層，并且兩個布線層通過諸如封閉通孔實現(xiàn)電氣連接。
在一種增加諸如印刷布線版之類的布線板上的布線密度的方法中，對成為布線板的薄片狀絕緣體的兩個面布線，并在布線之間提供電氣連接。另一方法中，將該類型的雙面布線板分層成多個同樣的板層，從而形成多層布線板。例如，如下文所描述的那樣制造所述雙面布線板。
參考

圖13，通過濺射或氣相沉積等方法在聚酰亞胺之類的薄膜成形的絕緣體的第1面1a上形成鉻、鎳之類的界面層2，并且然后通過濺射或電鍍的方法在所述界面層2上形成銅等導(dǎo)體的布線層3。與把所述布線層3直接做到絕緣體1上的情況相比較，所述界面層2的存在增加了所述布線層3對所述絕緣體1的附著力。
通過疊加法或相減法將所述布線層3成形到所述第1面1a。此后，在所述第1面1a相對一面的絕緣體1的第2面1b有選擇性地蝕刻，從而形成了被所述布線層3阻塞的凹陷通孔部分。在所述通孔部分受到清洗處理之后，通過濺射或氣相沉積在所述第2面1b上形成鉻、鎳之類的界面層4，在該層上通過濺射和電鍍形成例如銅導(dǎo)體的布線層5。
根據(jù)上面的過程，如圖中所示在所述絕緣體1的第2面1b的一面處形成的凹陷部分還配有所述界面層4和所述布線層5，從而在所述布線層3和5之間實現(xiàn)電氣連接。上述的通孔部分成為封閉通孔6。所述封閉通孔指的是該孔兩端處的開口之一被封閉的孔。
在不充分地實施所述清洗處理，或?qū)χ龅?面1b布置所述鉻、鎳之類的界面層4，或者混合了雜質(zhì)物質(zhì)7的情況下，在所述布線層5和3間的連接的可靠性可能會在所述封閉通孔6處受到不利的影響。
近來，隨著半導(dǎo)體元件的較高密度集成，所述通孔部分的直徑做得越來越小。換句話說，在某些情況下，采用濕法工藝清洗處理是不可能的，或者不可能清洗微小直徑的封閉通孔6的內(nèi)部。一般來說，能采用蝕刻方法制成的通孔和能以濕法工藝清洗的通孔直徑近似等于所述絕緣體1的厚度。例如，如果所述清洗處理不充分，則在所述第1面1a上形成的界面層2和在所述第2面1b上形成的界面層4之間發(fā)現(xiàn)諸如所述絕緣體1的碎片之類的雜質(zhì)物質(zhì)7。結(jié)果，極大地影響了所述封閉通孔6處的所述布線層3和5的連接可靠性。
設(shè)計本發(fā)明以解決上述問題，其目的是提供雙面布線板以及用于制造雙面布線板的方法，在所述雙面布線板中通過對凹陷的使用，獲得兩個布線層間的電氣連接，從而與相關(guān)技術(shù)相比在電氣連接的可靠性上得到改進。
根據(jù)本發(fā)明的第1方面，提供了包括凹陷的雙面布線板，所述凹陷在絕緣體的第1面的一端處封閉并在相對絕緣體的第1面的第2面開口，所述雙面布線板包括由導(dǎo)體組成的第1導(dǎo)電層，具有通過激光從所述第2面的一端對所述凹陷的阻塞部分的照射，除去雜質(zhì)物質(zhì)而形成的暴露面并變得粗糙；以及與所述暴露面相結(jié)合的并電氣連接到所述第1導(dǎo)電層的導(dǎo)體組成的第2布線層。
上面的第1導(dǎo)電層可以是在所述第1面上形成的第1布線層。
在所述第1方面中的雙面布線板中，所述第1導(dǎo)電層可包括在所述第1面上形成的第1界面層和在所述第1界面層上形成的第1布線層，在某種意義上在所述絕緣體和所述第1布線層之間固定所述第1界面層，從而由所述激光的照射除去的雜質(zhì)物質(zhì)可以是所述第1界面層和所述凹陷以及在所述第2面上形成的第2界面層。
在所述第1方面中的雙面布線板中，所述照射的激光的波長可以是400-150nm。
根據(jù)本發(fā)明的第2方面，提供了一種用于制造雙面布線板的方法，所述雙面布線板包括凹陷，所述凹陷在絕緣體的第2面開口，而使用在相對所述絕緣體的第2面的第1面上形成的導(dǎo)體的第1導(dǎo)電層作為阻塞物質(zhì)，所述方法包括從所述第2面的一端把激光照射到所述凹陷的阻塞部分，以便除去雜質(zhì)物質(zhì)并在所述第1導(dǎo)電層上形成粗糙的暴露面；以及形成要與所述暴露面結(jié)合并與所述第1導(dǎo)電層電氣連接的導(dǎo)體的第2布線層。
根據(jù)本發(fā)明的第3方面，提供了一種用于制造雙面布線板的方法，包括在具有第1面和與所述第1面相對的第2面的絕緣體的第1面上形成第1界面層；在所述第1界面層上形成導(dǎo)體的第1布線層；在所述絕緣體中形成對所述第2面開口的凹陷，其中把所述第1界面層和所述第1布線層用作阻塞物質(zhì)；在所述第2面、所述凹陷、以及所述凹陷的阻塞部分處的所述第1界面層上形成第2界面層；從所述第2面把激光照射到所述凹陷的阻塞部分，以便除去所述阻塞部分處的所述第2界面層和第1界面層，以暴露所述第1布線層；以及在所述第2界面層上形成要與所述第1布線層結(jié)合并與所述第1布線層電氣連接的第2布線層。
圖2是本發(fā)明的實施例中的雙面布線板的剖面圖。
圖3是在根據(jù)本發(fā)明的實施例的雙面布線板的制造過程中形成第1界面層時的狀態(tài)圖。
圖4是在圖3的第1界面層上形成第1布線層時的狀態(tài)圖。
圖5是把作為封閉通孔使用的凹陷在圖4所示的板上形成時的狀態(tài)圖。
圖6是通過激光的照射所述封閉通孔的阻塞部分去除第2界面層和所述第1界面層的狀態(tài)圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的實施例的雙面布線板的制造過程的修改例子激光直接照射第1布線層時的狀態(tài)圖。
圖8示出了激光裝置的構(gòu)造。
圖9是激光的照射條件的表。
圖10是顯示激光照射的阻塞部分的形狀和暴露面的形狀的修改例子的圖。
圖11是顯示激光照射的阻塞部分以及暴露面的形狀的不同修改例子的圖。
圖12是圖2所示的雙面布線板的修正的圖。
圖13是常規(guī)雙面布線板的剖面圖。
本發(fā)明的詳細描述下面將參考附圖描述本發(fā)明的實施例中的雙面布線板以及用于制造所述雙面布線板的方法，在所述附圖中相同部分用相同的參考數(shù)字表示。
在本發(fā)明中，舉例來說所述雙面布線板是一塊在絕緣體的兩個面上形成了導(dǎo)電層的基板。本發(fā)明不限于該類型的基板，并且同樣適用于具有多個絕緣體的多層雙面布線板，所述多個絕緣體的每一個在其兩面上具有導(dǎo)電層。
另一方面，把封閉通孔描述成具有根據(jù)本發(fā)明的“凹陷部分”的功能的例子。然而，本發(fā)明不限于所述封閉通孔，并且可適用于任何具有彼此相對的第1和第2面的絕緣體基板，在其中所述凹陷部分在所述絕緣體的第1面的一端封閉而在第2面開口。
參考附圖將示意地描述實施例的雙面布線板。如圖1所示，以在絕緣體101的第2面101b打開的開口形成封閉通孔部分106，所述絕緣體101具有第1面101a和與所述第1面相對的第2面101b。由激光裝置將激光從所述第2面101b的一端處照射到封閉通孔106的阻塞部分1061。通過所述激光的照射，就除去了在所述阻塞部分1061處出現(xiàn)的雜質(zhì)物質(zhì)107，并且暴露出設(shè)置在所述第1面101a上的導(dǎo)體的第1布線層103。在所述被暴露的第1布線層103的暴露面1031上形成第2布線層105。如圖2所示，所述第2布線層是與所述暴露面1031相結(jié)合并與所述第1布線層103電氣連接的導(dǎo)體。
例如，已公布的未經(jīng)審查的日本專利特許公開號10-12987以及美國專利號5,567,329以及5,906,043的說明書揭示了通過對基板的封閉通孔部分的使用在絕緣體的兩面形成電氣連接的布線層的技術(shù)。在已公開的說明書號10-12987中所揭示的技術(shù)提供了通過焊料實現(xiàn)布線層的電氣連接，而沒有描述也沒有建議如本實施例中所實施的那樣通過激光的照射來除去雜質(zhì)物質(zhì)。同樣地，美國專利號5,567,329描述了通過多個通孔電氣連接布線層的技術(shù)，但沒有描述也沒有給出如本實施例那樣通過激光的照射來除去雜質(zhì)物質(zhì)的暗示。美國專利號5,906,043既沒有揭示也沒有建議通過激光照射的手段來除去雜質(zhì)物質(zhì)。
下面將描述所述實施例的雙面布線板的制造過程。
參考圖3，在例如聚酰亞胺的絕緣體101的第1面101a上通過例如濺射或氣相沉積的干式電鍍法，單獨地或合成地形成鉻、鎳、鋅、鈷等10-500nm的厚度，最好是150nm。然后通過電鍍法形成大約5μm厚度的第1界面層102。類似于先前描述的相關(guān)技術(shù)，與把所述布線層直接形成到所述絕緣體101上相比，所述第1界面層102以及將稍后描述的第2界面層104起著增加布線層對絕緣體101的附著力的作用。在圖3中，在所述第1面101a的一部分上形成所述第1界面層102，以接觸將稍后描述的第1布線層103，但本發(fā)明不限于這種布置。
此后，在圖4中，通過電鍍在所述第1界面層102上形成大約10-50μm厚度的金屬類的導(dǎo)體，尤其是根據(jù)本實施例的銅的第1布線層103。通過刻蝕之類的方法除去多余部分，從而形成預(yù)定圖形的第1布線層103。
上面的第1界面層102和所述第1布線層103構(gòu)成了第1導(dǎo)電層108。
接著，如圖5中所示，通過把所述第1界面層102和所述第1布線層103用作阻塞物質(zhì)，在所述絕緣體101中形成向所述第2面101b打開的封閉通孔部分106。
回到圖1，采用與所述第1界面層102相同的方式在所述第2面101b上形成約5μm厚度的第2界面層104。此時，如圖中表現(xiàn)出的那樣，還在所述封閉通孔部分106的阻塞部分1061處的第1界面層102上形成所述第2界面層104。
如相關(guān)技術(shù)中所提及的那樣，當形成所述第2界面層104時，在所述阻塞部分1061處的第1界面層102和所述第2界面層104之間，可能發(fā)現(xiàn)諸如來自所述絕緣體101的碎片、氧化物之類的雜質(zhì)物質(zhì)107。而且，由于當所述阻塞部分1061具有大約100-300μm的直徑時，所述封閉通孔部分106的直徑是微小的，所以在所述第2界面層104的形成之前的清洗處理可能是不充分的。在這樣的情況下，與相關(guān)技術(shù)中相同，所述絕緣體101的碎片等可能留在所述阻塞部分1061處而未被除去。
此時，由根據(jù)本實施例的激光裝置151發(fā)出的激光照射所述阻塞部分1061的上部，從而除去了所述第2界面層104以及也可能包含碎片之類的雜質(zhì)物質(zhì)107的所述第1界面層102。如上所述，所述第2界面層104和所述第1界面層102中的每一層都具有大約5μm的厚度，因此所述激光最終要去除幾乎10μm的界面層。較佳的是，所述激光不但去除所述第2界面層104和所述第1界面層102，而且還將緊靠著所述第1界面層102之下的所述第1布線層103與所述第2界面層104和所述第1界面層102一起除去大約5μm的深度，從而形成凹陷。
通過激光的照射，所述第2界面層104和所述第1界面層102的界面層，以及所述第1布線層103的一部分被提煉了，即被蒸發(fā)或汽化了。因此，如圖6所指出的那樣，在所述激光的照射之后，在所述阻塞部分1061處暴露了所述第1布線層103的干凈的暴露面1031。此外，在所述激光的照射之后所述暴露面1031也變得粗糙。
此后，在圖2中，通過濺射和電鍍在所述絕緣體的第2面101b、封閉通孔部分106以及阻塞部分1061上形成了大約15μm厚度的，在本實施例中尤其是銅的金屬之類導(dǎo)體的第2布線層105。通過蝕刻之類的手段除去不需要的部分，從而形成了預(yù)定模式的所述第2布線層105。所述如此形成的第2布線層105正處在所述阻塞部分1061所處的所述暴露面1031上，并因此與所述第1布線層103直接結(jié)合并電氣地連接。在所述第1布線層103和所述第2布線層105的接口處不存在所述界面層104、102以及雜質(zhì)物質(zhì)107等。而且，所述相同材料的第1布線層103和第2布線層105結(jié)合成一體。從而與相關(guān)技術(shù)相比，改進了所述第1布線層103和所述第2布線層105間的電氣連接的可靠性。
此外，由于如上文所述由激光使所述第1布線層103的暴露面1031變得粗糙，增加了所述第1布線層103和所述第2布線層105間的接觸面積，這有助于所述層的進一步的緊密結(jié)合。
用諸如干式方法、濕式方法等各種已知的方法可實現(xiàn)在所述絕緣體101上的所述第1界面層102、第2界面層104、第1布線層103以及第2布線層105的形成。
下文將更詳細地描述所述激光的照射。
激光裝置151是一般商業(yè)應(yīng)用的裝置。如圖8中所說明的那樣，激光產(chǎn)生設(shè)備1511所產(chǎn)生的激光通過聚光透鏡部分1512照射到平臺1513上的雙面布線板100。裝載著所述雙面布線板100的平臺1513以彼此正交的X、Y方向的移動量受控移動，使得激光掃描所述阻塞部分1061。還可以構(gòu)造成例如，以X方向移動所述激光設(shè)備，而僅在Y方向移動所述平臺。
在所述實施例中使用的激光是由弧光燈或高輸出二極管激勵的類型，由釹釔鋁石榴石元件產(chǎn)生355nm的波長。圖9指示了從申請人的實驗中獲得的激光照射條件與所述阻塞部分1061的直徑之間的關(guān)系的例子。在圖9中，“修整部分的直徑”的項對應(yīng)于所述阻塞部分1061的直徑，“修整深度”對應(yīng)于要除去的界面層等的厚度?！肮馐苿宇愋汀表検钱斣谒鲎枞糠?061處去除所述界面層之類時的激光的激光光束的移動方式。“螺旋形”項示出激光光束的螺旋形移動?！拜敵觥表棇?yīng)于激光的強度?！肮馐俣取表検且苿拥剿鲎枞糠?061的激光光束的速度?！岸堂}沖數(shù)”項是由于所述激光以脈沖的形式照射而產(chǎn)生的脈沖的數(shù)量。“光束直徑”項是在所述阻塞部分1061之類的界面層處的激光的直徑。根據(jù)本實施例，把所述激光以聚焦的方式照射在諸如所述界面層之類的要被除去的目標上?！爸睆健表椫甘境鰭呙璧募す獾姆秶Ｓ捎谌缟纤鏊黾す獠捎寐菥€形地掃描，因此可由圖9中的直徑表示出照射范圍?！皟?nèi)部直徑”項是所述螺線形的內(nèi)部圓周部分的尺寸，以及“旋轉(zhuǎn)數(shù)”是所述激光在所述照射范圍內(nèi)螺線形地旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)圈數(shù)。
上面的照射條件是一個例子。通過設(shè)置所述照射條件，以除去所述界面層104、102以及雜質(zhì)物質(zhì)107，并將所述暴露面1031暴露于所述第1布線層103上。如在本實施例中，當要除去所述阻塞部分1061處的所述第2界面層104和所述第1界面層102以及諸如所述第1布線層103的深一層的導(dǎo)體時，把所述照射條件設(shè)置到某一級別，使得例如金屬，尤其是銅的所述導(dǎo)體被純化。從被除去的材料的厚度的觀點來看，把所述照射條件設(shè)置到某一級別，使得具有要被除去的材料的厚度的物質(zhì)能被除去，也就是說除去了具有大約10-15μm厚度的導(dǎo)體，這是因為在本實施例的情況下要被除去的物質(zhì)的厚度大約是10-15μm。
在如上所述的對如尤其是銅的金屬的所述導(dǎo)體的除去中，由于當所述激光的波長是500nm或更短時，所述激光的反射率會突然降低從而使修整處理成為可能，根據(jù)所述實驗不大于400nm左右的波長尤其有效。盡管當前的激光裝置可能產(chǎn)生大約150-400nm波長的激光，但在本實施例中所述波長最好是大約260-355nm。
根據(jù)上面的實施例，把所述第1界面層102和所述第2界面層104分別形成到所述絕緣體101的所述第1面101a和所述第2面101b上。結(jié)果，通過所述激光對所述阻塞部分1061的照射，至少所述阻塞部分1061處的所述第2界面層104和所述第1界面層102被升華。然而，由于可把所述第1布線層103直接形成到所述絕緣體101的第1面101a。于是，在此類似的情況下，可把所述激光照射到所述阻塞部分1061的第1布線層103，從而可除去在所述第1布線層103上形成的諸如氧化膜之類的雜質(zhì)以及雜質(zhì)物質(zhì)，并且可把所述第1布線層變成粗糙面。結(jié)果，把所述暴露面1031形成到所述第1布線層103上。
同時，另一結(jié)構(gòu)也是可能的，該結(jié)構(gòu)直接將所述第1布線層103形成在所述絕緣體101的第1面101a，把所述第2界面層104形成到所述第2面101b。在此情況下也可把所述激光照射到所述阻塞部分1031，并且至少可除去所述第1布線層103上的所述第2界面層104，也就是由所述激光對所述阻塞部分106 1的照射而升華。因此就除去了混合在所述第1布線層103和所述第2界面層104之間的雜質(zhì)物質(zhì)107等，并且在所述第1布線層103上形成了所述暴露面103。
在本實施例的雙面布線板100和常規(guī)雙面布線板不受到激光照射的情況中，在熱沖擊試驗和高壓鍋試驗中模擬了所述封閉通孔部分106的剝離。在所述封閉通孔部分106與所述第2布線層105相剝離而保持所述第1布線層103之后，證實了斷裂的形成。所述熱沖擊試驗是根據(jù)MIL-STD-883的條件C實施的。特別地，如MIL標準所規(guī)定的那樣，在高溫端的150℃處持續(xù)5分鐘并和在低溫端的-65℃處持續(xù)5分鐘的一個熱循環(huán)狀態(tài)中，以1000次的循環(huán)測試所述封閉通孔。在這種情況下，高溫層使用美國明尼蘇達州圣保羅的3M公司出品的FluorinertTMFC-43，而低溫層使用3M公司的FluorinertTMFC-77。結(jié)果，常規(guī)產(chǎn)品顯示出在還未達到250個循環(huán)的初始狀態(tài)中，在對應(yīng)于所述第1布線層103的第1布線層和對應(yīng)于所述第2布線層105的第2布線層之間的界面已發(fā)生剝離。相反，即使在1000個循環(huán)并且所述第2布線層105自身破裂之后，本實施例的雙面布線板100在所述第1和第2布線層103和105之間的界面部分處不產(chǎn)生剝離。
在濕度為100％的127℃的多達100小時的條件下，進行所述高壓鍋試驗。結(jié)果是在初始狀態(tài)，所述常規(guī)產(chǎn)品就產(chǎn)生了在所述第1布線層和第2布線層之間界面處的剝離。另一方面，即使在100小時后，本實施例的雙面布線板100在所述第1布線層103和所述第2布線層105之間的界面部分處也不產(chǎn)生剝離，而所述第2布線層105自身破裂。
可從上面的結(jié)果中清楚的看出，所述第1布線層103和所述第2布線層105間的界面部分能阻止本發(fā)明的雙面布線板100中的分離。所述試驗證明所述第1布線層103和所述第2布線層105比相關(guān)技術(shù)中更緊密結(jié)合，從而提高了它們之間的電氣連接的可靠性。
上述描述與把激光照射到約100-300μm直徑的阻塞部分1061的情況有關(guān)。阻塞部分1061的形狀和尺寸并不局限于上述條件。在雙面布線板中的，所述阻塞部分可以是矩形的一塊，如圖10和11所示的1.85mm×2.25mm，所述雙面布線板具有凹陷，所述凹陷在具有第1和第2相對面的絕緣體的第1而的一端封閉，而在第2面打開。至少由所述第1布線層103封閉圖10中的阻塞部分1062和圖11中的阻塞部分1063。在這樣大小的阻塞部分的情況中，可以采用諸如以下所述的方式形成由所述激光的照射形成的暴露面1031。特別的是，所述激光光束以左右的方向移動而不是螺旋形地移動，從而，可在所述第1布線層103上在所述阻塞部分1062的幾乎整個區(qū)域中形成所述暴露面1031，正如圖10中的斜線所指示的?；蛘邔τ趫D11的阻塞部分1063，螺旋地移動所述激光光束，從而可形成具有多個如25個150μm直徑圓形的暴露面1031。與如圖10中所示左右方向移動激光光束的方法相比，上述在多個點處形成圓形暴露面1031的方法的處理時間更短。根據(jù)所述試驗，圖10的方法需要20秒，而圖11的方法僅花費1.3秒。
圖12示出了雙面布線板的實用例子，在該例子中采用圖11所討論的方法使所述第1布線層103和所述第2布線層105相結(jié)合。特別地，在所述第1布線層103的暴露面1031形成之后，把所述第2布線層105形成到所述第2面101b以及所述絕緣體101的凹陷1064處。半導(dǎo)體芯片111安裝在所述凹陷1064上，并通過導(dǎo)線1111與所述第2布線層105電氣連接，從而獲得安裝好的基板。所述安裝基板中的暴露面1031將所述第1布線層103和所述第2布線層105緊密地連接，使得比相關(guān)技術(shù)改進了電氣連接可靠性。
雖然在上述的實施例中螺旋地移動所述激光光束來形成所述暴露面1031，但是在螺旋的中央部分處可能保留所述界面層102、104和所述第1布線層103而不被切除，而在后面剩下突出部分。為了避免這樣，在第1照射步驟中螺旋地移動所述激光光束，而在第2照射步驟中把激光光束照射到剩下的部分。也就是說，可以2個步驟來實現(xiàn)所述照射。
如上文中充分描述的那樣，根據(jù)本發(fā)明的第1方面中的雙面布線板以及根據(jù)本發(fā)明的第2和第3方面中的雙面布線板制造方法，提供了具有由激光的照射形成的暴露面的第1導(dǎo)電層，并形成了第2布線層以便結(jié)合并電氣連接到所述暴露面。因此，通過在所述暴露面處的結(jié)合，所述第1導(dǎo)電層和第2布線層比相關(guān)技術(shù)中更緊密地連接，與相關(guān)技術(shù)相比，提高了所述布線層間的電氣連接可靠性。
當所述第1導(dǎo)電層是所述第1布線層時，可由激光來消除在所述第1布線層上形成的諸如氧化膜之類的雜質(zhì)物質(zhì)，并且同時可形成所述暴露面。
當所述第1導(dǎo)電層由所述第1界面層和所述第1布線層構(gòu)成時，可由激光來除去在所述第1布線層上形成的所述第1界面層和第2界面層，并且同時可獲得所述暴露面。
當所述激光具有400-150nm的波長時，可有效地除去構(gòu)成所述第1導(dǎo)電層和第2界面層的金屬，尤其是銅。
參考數(shù)字100…雙面布線板 101…絕緣體，101a…第1面 101b…第2面，102…第1界面層 103…第1布線層，104…第2界面層，105…第2布線層 106…封閉通孔，1031…暴露面 1061…阻塞部分，1064…凹陷。
權(quán)利要求
1.一種包括凹陷(106)的雙面布線板(100)，所述凹陷在絕緣體(101)的第1面(101a)的一側(cè)封閉并在相對絕緣體的第1面的第2面(101b)開口，其特征在于所述雙面布線板包括由導(dǎo)體組成的第1導(dǎo)電層(108)，具有暴露面(1031)，通過激光從所述第2面的一端對所述凹陷的阻塞部分(1061)的照射，除去雜質(zhì)物質(zhì)而暴露并變得粗糙；以及與所述暴露面結(jié)合并電氣連接到所述第1導(dǎo)電層的導(dǎo)體組成的第2布線層(105)。
2.如權(quán)利要求1所述的雙面布線板，其特征在于所述第1導(dǎo)電層是在所述第1面上形成的第1布線層(103)。
3.如權(quán)利要求1所述的雙面布線板，其特征在于所述第1導(dǎo)電層可由在所述第1面上形成的第1界面層(102)和在所述第1界面層上形成的第1布線層(103)構(gòu)成，以便在所述絕緣體和所述第1布線層之間固定所述第1界面層。
4.如權(quán)利要求1所述的雙面布線板，其特征在于所述照射的激光具有400-150nm的波長。
5.一種用于制造雙面布線板的方法，所述雙面布線板包括凹陷(106)，所述凹陷在絕緣體(101)的第2面(101b)開口，而使用在相對所述絕緣體的第2面的第1面(101a)上形成的導(dǎo)體的第1導(dǎo)電層(108)作為阻塞物質(zhì)，其特征在于所述方法包括從所述第2面的一側(cè)把激光照射到所述凹陷的阻塞部分(1061)，以便除去雜質(zhì)物質(zhì)并在所述第1導(dǎo)電層上形成粗糙的暴露面(1031)；以及形成與所述暴露面結(jié)合并與所述第1導(dǎo)電層電氣連接的導(dǎo)體的第2布線層(105)。
6.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于所述第1導(dǎo)電層是在所述第1面上形成的第1布線層(103)，把由所述激光的照射產(chǎn)生的所述暴露面提供給所述第1布線層。
7.一種用于制造雙面布線板的方法，其特征在于所述方法包括在具有第1面和與所述第1面相對的第2面(101b)的絕緣體(101)的第1面(101a)上形成第1界面層(102)；在所述第1界面層上形成導(dǎo)體的第1布線層(103)；在所述絕緣體中形成對所述第2面開口的凹陷(106)，其中把構(gòu)成所述第1界面層和所述第1布線層的第1導(dǎo)電層(108)用作阻塞物質(zhì)；在所述第2面、所述凹陷、以及所述凹陷的阻塞部分(1061)處的所述第1界面層上形成第2界面層(104)；從所述第2面把激光照射到所述凹陷的阻塞部分，以便除去所述阻塞部分處的所述第2界面層和第1界面層，以暴露所述第1布線層；以及在所述第2界面層上形成要與所述第1布線層結(jié)合并與所述第1布線層電氣連接的導(dǎo)體的第2布線層(105)。
全文摘要
提出了雙面布線板及其制造方法，該雙面布線板通過對凹陷的使用，提供了兩個布線層間的電氣連接，從而與相關(guān)技術(shù)相比提高了電氣連接的可靠性。所述雙面布線板(100)具有在絕緣體(101)的第1面(101a)封閉而在第2面(101b)開口的凹陷(106)。把激光照射到所述凹陷(106)的阻塞部分(1061)，從而在第1導(dǎo)電層(108)上形成沒有剩余雜質(zhì)物質(zhì)的粗糙暴露面(1031)。形成第2布線層(105)，與所述暴露面(1031)連接并與所述第1導(dǎo)電層(108)電氣連接。通過所述暴露面(1031)的連接，使得所述第1導(dǎo)電層(108)和所述第2布線層(105)之間的連接比相關(guān)技術(shù)的連接更緊密。與相關(guān)技術(shù)相比，提高了所述布線層之間的電氣連接的可靠性。
文檔編號H05K3/02GK1428069SQ01808133
公開日2003年7月2日 申請日期2001年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月14日
發(fā)明者小柳達則, 齊藤裕輔, 安井秀明 申請人:3M創(chuàng)新有限公司