專利名稱：：鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法及產(chǎn)品和應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種多晶硅薄膜材料的制備技術(shù)。特別是涉及一種通過在非晶硅薄膜上噴灑鎳鹽溶液微小霧滴，形成金屬誘導(dǎo)晶化的誘導(dǎo)源，然后退火晶化形成碟型大晶疇金屬誘導(dǎo)晶化多晶硅薄膜材料的，工藝簡單，成本低廉的鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法及產(chǎn)品和應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：非晶硅和多晶硅是目前用于制備有源選址矩陣的有源層的主流薄膜材料。多晶硅與非晶硅相比，具有較高的遷移率和較好的穩(wěn)定性，適合于制備高質(zhì)量、高分辨率、低功耗和高穩(wěn)定性的有源選址顯示器。在全集成小尺寸的顯示器上的應(yīng)用，具有明顯的優(yōu)勢。但其制備工藝相對復(fù)雜，制備成本相對較高。如果欲在大尺寸有源選址技術(shù)上，與非晶硅一爭高低，就必須在保持多晶硅原有優(yōu)勢的同時，開發(fā)出適于大面積玻璃襯底的低成本材料制備技術(shù)。在此動力的推動下，低成本的溶液法金屬誘導(dǎo)晶化技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。溶液法金屬誘導(dǎo)晶化可以通過浸粘式的無電電鍍方式在非晶硅表面形成誘導(dǎo)晶化源，但由于鎳和硅的電負(fù)性相近，使得用水溶液浸沾法難以在a-Si表面形成均勻、穩(wěn)定的金屬誘導(dǎo)源，另一方面含有ppm量級的金屬鹽或堿的溶液，在浸沾過程中隨著金屬離子不斷沉積到薄膜表面，溶液的組分會發(fā)生微量的變化，這種微量的變化會影響多晶硅的晶粒大小以及其性能，從而也導(dǎo)致浸沾過程的穩(wěn)定性和重復(fù)性不好。為此，我們曾提出通過加入微量的有機(jī)堿等化學(xué)物質(zhì)改變浸沾溶液的組分、采用酒精等有機(jī)溶劑溶解誘導(dǎo)金屬鹽或采用表面修飾劑改善非晶硅的表面粘敷性、采用自然形成或沉積二氧化硅薄緩沖層提高親水性、采用旋涂工藝形成金屬誘導(dǎo)層等方法來提高溶液法金屬誘導(dǎo)晶化多晶硅的均勻性和重復(fù)性。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種采用噴霧法形成金屬誘導(dǎo)源、在大面積襯底上流水線操作制備高質(zhì)量多晶硅薄膜金屬誘導(dǎo)晶的鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法及產(chǎn)品和應(yīng)用。本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是一種鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法及產(chǎn)品和應(yīng)用。其中，鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法，是用鎳鹽溶液微小霧滴形成誘導(dǎo)源，誘導(dǎo)非晶硅薄膜變成碟型大晶疇多晶硅薄膜，包括如下步驟第一步、在上面形成有一層阻擋層的襯底上，沉積形成一層非晶硅薄膜；第二步、在非晶硅薄膜上噴灑鎳鹽溶液微小霧滴；第三步、噴灑霧滴后，采用去離子水沖淋非晶硅薄膜的表面，使離散微量的鎳粘敷在非晶硅薄膜的表面，其他的雜質(zhì)被去離子水沖掉；第四步、將第三步得到的樣品烘干后，在高純氮氣氛圍中退火，使非晶硅薄膜以離散微量的鎳為中心橫向晶化為碟型大晶疇多晶硅。第一步中所述的非晶硅薄膜為采用低壓化學(xué)汽相沉積法、或等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積法或濺射沉積法獲得的非晶硅薄膜，厚度為20nm至5000Pffl。第一步中所述的阻擋層為低壓化學(xué)汽相沉積法、或等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積法或濺射沉積法獲得的低溫氧化硅或氮化硅或二者的混合薄膜，厚度為50nm至500nm。第二步中所述的鎳鹽溶液是硝酸鎳、醋酸鎳、氯化鎳中的一種，溶液的稀釋濃度為lppm—100ppm，所述的鎳鹽溶液的ra值為6—9的范圍，溶液的PH值是采用氨水或四甲基氫氧化銨進(jìn)行調(diào)節(jié)。第二步中所述的微小霧滴采用壓力氣體噴霧法獲得，霧滴直徑50—200Mm，每平方毫米10—30個霧滴。第三步中所述的微小霧滴在非晶硅薄膜的表面停留0.5—5分鐘之后，用DI水沖洗非晶硅薄膜表面，然后脫水，烘干。第四步中所述的退火方式，是采用石英外加熱爐管退火方式、燈陣加熱爐退火方式、熱隧道退火方式和熱烘箱退火方式中的一種，退火的溫度500—60(TC，退火時間l一4小時。采用鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法制作的碟型大晶疇多晶硅，所述的碟型大晶疇多晶硅為從中心向四周晶化的晶體結(jié)構(gòu)，晶疇的直徑為20—100Mm，具有的霍耳遷移率大于30cm7Vs。碟型大晶疇多晶硅的應(yīng)用，包括應(yīng)用碟型大晶疇多晶硅制備的多晶硅薄膜晶體管和多晶硅晶體管電路，以及制備的顯示器象素電極和光電子器件。還包括采用多晶硅電路和象素電極制備的全集成顯示系統(tǒng)。本發(fā)明的鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法及產(chǎn)品和應(yīng)用，采用噴霧法在非晶硅薄膜表面上形成金屬誘導(dǎo)源。通過控制噴霧的速度和時間，獲得需要密度的溶液霧團(tuán)。一定時間后，霧滴均勻的落在非晶硅薄膜的表面，形成離散的霧滴。選擇適當(dāng)?shù)膰婌F量，可獲得直徑為50—200Mra離散的液滴，分散的距離在50—200Mm。本發(fā)明可以通過非晶硅薄膜表面的處理、溶液中鎳鹽的選取、濃度的選取、有機(jī)堿的選取、溶液PH值的選取、霧滴的產(chǎn)生等可控參數(shù)來控制在非晶硅表面形成的金屬誘導(dǎo)源中的金屬含量和分散點的密度，從而獲得均勻分布的離散的金屬誘導(dǎo)源。同時，可克服在批量生產(chǎn)中，因浸沾過程中隨著金屬離子不斷沉積到非晶硅薄膜表面而引起的溶液組分發(fā)生微量的變化，對工藝重復(fù)性的影響。本發(fā)明適用于在大面積襯底上流水線操作制備高質(zhì)量多晶硅薄膜材料，而且，與電子束蒸發(fā)、濺射等其他沉積鎳的方法相比，工藝簡單，成本低廉。所獲得的多晶硅薄膜可用于制備多晶硅薄膜晶體管和多晶硅晶體管電路，顯示器象素電極和光電子器件、面陣敏感器，平板顯示基板，多晶硅電路和象素電極制備的全集成顯示系統(tǒng)，具有重要的實用價值。圖1是晶化前驅(qū)物剖面示意圖；圖2是鎳溶液噴霧的基板設(shè)施和工藝過程示意圖；圖3是在非晶硅薄膜表面形成的離散的微小霧滴示意圖；圖4是噴霧后采用去離子水沖淋非晶硅薄膜表面的示意圖；圖5是霧滴法金屬誘導(dǎo)晶化退火過程示意圖；圖6是霧滴法形成的多晶硅薄膜，經(jīng)TMAH室溫下腐蝕3分鐘的顯微照片效果圖；圖7是碟型大晶疇與散花狀小晶疇金屬誘導(dǎo)晶化多晶硅的霍耳遷移率的比較圖；圖8是霧滴法形成的碟型大晶疇多晶硅薄膜與低壓化學(xué)汽相沉積(LPCVD)和固相晶化(SPC)多晶硅薄膜材料對可見光吸收的比較效果圖。其中:101:玻璃襯底102:緩沖層103:非晶硅薄膜201:密封室202:出氣口203:霧噴頭204:鎳溶液瓶205:脈沖壓力氣體輸入端206:溶液霧團(tuán)301:霧滴401:去離子水402:鎳501:退火爐601:碟型晶疇602:對撞晶界603:霧滴散落的地方604:非晶硅區(qū)間具體實施方式下面結(jié)合實施例對本發(fā)明的鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法及產(chǎn)品和應(yīng)用做出詳細(xì)說明。本發(fā)明的鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法，是用鎳鹽溶液微小霧滴形成誘導(dǎo)源，誘導(dǎo)非晶硅薄膜變成碟型大晶疇多晶硅薄膜，包括如下步驟第一步、在上面形成有一層阻擋層的襯底上，沉積形成一層非晶硅薄膜。所述的非晶硅薄膜為采用低壓化學(xué)汽相沉積法、或等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積法或濺射沉積法獲得的非晶硅薄膜，厚度為20nm至5000Mm;所述的阻擋層為低壓化學(xué)汽相沉積法、或等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積法或濺射沉積法獲得的低溫氧化硅或氮化硅或二者的混合薄膜，厚度為50nm至500nm。如圖1所示，采用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)或等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)生長的30nm—100nm非晶硅薄膜103沉積在具有低溫氧化硅(LTO)緩沖層102的康寧1737玻璃襯底101上。采用1XHF酸，去掉非晶硅薄膜103表面的自然氧化層，以非晶硅薄膜103表面疏水為標(biāo)準(zhǔn)，氮氣吹干后，快速進(jìn)入鎳溶液的噴霧工序。第二步、在非晶硅薄膜上噴灑鎳鹽溶液微小霧滴。所述的鎳鹽溶液是硝酸鎳、醋酸鎳、氯化鎳中的一種，溶液的稀釋濃度為lppm—100ppm;并采用氨水或四甲基氫氧化銨調(diào)節(jié)溶液的PH值，溶液的PH值為6—9的范圍。所述的微小霧滴采用壓力氣體噴霧法獲得，霧滴直徑50—200m，每平方毫米IO—30個霧滴。如圖2所示，在玻璃襯底101的低溫氧化硅(LTO)緩沖層102上沉積的非晶硅薄膜103樣品，非晶硅薄膜103面朝上放置在密封室201的底部，密封室201在底部有出氣口202。壓力氮氣至霧噴頭203連接密封室201、鎳溶液瓶204和脈沖壓力氣體輸入端205。電子控制噴霧的速度和時間，獲得需要的溶液霧團(tuán)206。一定時間后，霧滴均勻的落在非晶硅薄膜103的表面。如圖3所示，溶液霧團(tuán)206落在非晶硅薄膜103表面上，形成離散的霧滴301，選擇適當(dāng)?shù)膰婌F量，可獲得50—200陶離散的液滴，分散的距離在50—200Mm。霧量不足，會形成離散距離過大的小液滴；噴霧量過大，小霧滴會變成為大霧滴。第三步、噴灑霧滴后，采用去離子水(DI水)沖淋非晶硅薄膜的表面，使離散微量的鎳粘敷在非晶硅薄膜的表面，其他的雜質(zhì)被去離子水沖掉。所述的微小霧滴在非晶硅薄膜的表面停留0.5—5分鐘之后，用DI水沖洗非晶硅薄膜表面，然后脫水，烘干。如圖4所示，霧滴形成1一3分鐘后，采用DI水401沖淋非晶硅薄膜103的表面，使離散微量的鎳402沾附在非晶硅薄膜103的表面，其他的雜質(zhì)被DI水401沖掉。除水后的樣品，烘干后備用。第四步、將第三步得到的樣品烘干后，在高純氮氣氛圍中退火，使非晶硅薄膜以離散微量的鎳為中心橫向晶化為碟型大晶疇多晶硅。所述的退火方式，是采用石英外加熱爐管退火方式、燈陣加熱爐退火方式、熱隧道退火方式和熱烘箱退火方式中的一種，退火的溫度500—60(TC，退火時間1一4小時。如圖5所示，金屬誘導(dǎo)晶化過程在退火爐501中進(jìn)行，退火氣氛為高純氮氣，退火溫度550'C—590°C，退火時間2—4小時。本發(fā)明的采用鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法制作的碟型大晶疇多晶硅，其結(jié)構(gòu)為從中心向四周晶化的晶體結(jié)構(gòu)，晶疇的直徑為20—100Wn，具有的霍耳遷移率大于30cmWs。如圖6所示，經(jīng)過TMAH室溫下腐蝕3分鐘的顯微照片，相同的顏色表示同一個晶體的取向，每個碟型晶疇601從分立的中心開始，到對撞晶界602結(jié)束，碟型晶疇的平均直徑在60—80m。在溶液霧滴方法產(chǎn)生誘導(dǎo)源技術(shù)中，霧滴散落的地方603基本為圓形分散的區(qū)域，鎳分布在該區(qū)域，退火過程中，鎳向其中心會聚，然后發(fā)生MILC晶化峰向外推進(jìn)，經(jīng)過未有鎳的非晶硅區(qū)間604，最后到達(dá)對撞晶界602結(jié)束。如圖7所示，是碟型大晶疇金屬誘導(dǎo)多晶硅與散花狀小晶疇金屬誘導(dǎo)晶化多晶硅的霍耳遷移率的比較圖，此材料為N型材料，遷移率的值有50%的差別。如圖8所示，是大晶疇MIC多晶硅薄膜與LPCVD和SPC多晶硅薄膜材料對可見光吸收的比較，薄膜厚度為50nm。除了電性能的明顯差別，碟型大晶疇多晶硅薄膜，還具有在可見光區(qū)域低吸收的特點，從圖8中可見，大晶疇的MIC多晶硅薄膜在整個可見光區(qū)域中，光吸收率明顯低于LPCVD和SPC多晶硅薄膜，在藍(lán)光區(qū)域，光吸收率小于20%，綠光和紅光區(qū)域，光吸收率小于10%，可做為象素電極材料或其他光電材料使用。所述的碟型大晶疇多晶硅的應(yīng)用，包括應(yīng)用碟型大晶疇多晶硅制備的多晶硅薄膜晶體管和多晶硅晶體管電路，以及制備的顯示器象素電極和光電子器件。還包括采用多晶硅電路和象素電極制備的全集成顯示系統(tǒng)。表1中，對鎳溶液霧滴法與真空濺射蒸發(fā)法、鎳離子注入法、旋圖法、溶液浸沾法多個發(fā)明進(jìn)行了比較?？梢钥吹剑F滴法是使用設(shè)備簡單、適于大面積襯底加工、控制鎳量及分布精確、加工成本低廉的沉積技術(shù)。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>下面給出采用鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法的實例實施例1:1)、在玻璃襯底101上(如康寧1737)，用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)沉積300nm厚的低溫氧化物緩沖層102。2)、用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)沉積30nm厚的非晶硅薄膜103在上述低溫氧化物緩沖層102上。3)、采用1%冊酸，去掉非晶硅薄膜103表面的自然氧化層，以非晶硅薄膜103表面疏水為標(biāo)準(zhǔn)，氮氣吹干后，快速進(jìn)入鎳溶液的噴霧工序。4)、配制lppm的醋酸鎳水溶液，采用氨水將該醋酸鎳水溶液的PH值調(diào)節(jié)為6。裝入鎳溶液瓶204中。5)、非晶硅薄膜103面朝上放置在密封室201的底部。壓力氮氣至霧噴頭203連接密封室201、鎳溶液瓶204和脈沖壓力氣體輸入端205。電子控制噴霧的速度和時間，獲得需要的溶液霧團(tuán)206。一定時間后，霧滴均勻的落在非晶硅薄膜103的表面。形成離散的霧滴301，霧滴直徑約為50Mm，離散的距離在200Mm。6)、霧滴301形成5分鐘后，采用去離子水401沖淋非晶硅薄膜103的表面，使離散微量的鎳402沾附在非晶硅薄膜103的表面，其他的雜質(zhì)被DI水401沖掉。除水后的樣品，烘干后備用。7)、在55(TC退火爐501中退火4小時，退火氣氛為高純氮氣。實施例2:1)、在玻璃襯底101上(如康寧1737)，用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)沉積300nm厚的低溫氧化物緩沖層102。2)、在上述低溫氧化物緩沖層102上，用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)沉積100nm厚度的非晶硅薄膜103。3)、采用1XHF酸，去掉非晶硅薄膜103表面的自然氧化層，以非晶硅薄膜103表面疏水為標(biāo)準(zhǔn)，氮氣吹干后，快速進(jìn)入鎳溶液的噴霧工序。4)、配制10ppm的硝酸鎳水溶液，采用四甲基氫氧化銨將該硝酸鎳水溶液的PH值調(diào)節(jié)為8。裝入鎳溶液瓶204中。5)、非晶硅薄膜103面朝上放置在密封室201的底部。壓力氮氣至霧噴頭203連接密封室201、鎳溶液瓶204和脈沖壓力氣體輸入端205。電子控制噴霧的速度和時間，獲得需要的溶液霧團(tuán)206。一定時間后，霧滴均勻的落在非晶硅薄膜103的表面。形成離散的霧滴301，霧滴直徑約為200Mm，離散的距離在200Wn。6)、霧滴301形成3分鐘后，采用去離子水401沖淋非晶硅薄膜103的表面，使離散微量的鎳402沾附在非晶硅薄膜103的表面，其他的雜質(zhì)被DI水401沖掉。除水后的樣品，烘干后備用。7)、在60(TC退火爐501中退火2小時，退火氣氛為高純氮氣。實施例3:1)、在玻璃襯底101上(如康寧1737)，用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)沉積300nm厚的低溫氧化物緩沖層102。2)、在上述低溫氧化物緩沖層102上，用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)沉積30nm厚度的非晶硅薄膜103。3)、采用1XHF酸，去掉非晶硅薄膜103表面的自然氧化層，以非晶硅薄膜103表面疏水為標(biāo)準(zhǔn)，氮氣吹干后，快速進(jìn)入鎳溶液的噴霧工序。4)、配制100ppm的氯化鎳水溶液，采用氨水將該氯化鎳水溶液的PH值調(diào)節(jié)為9。裝入鎳溶液瓶204中。5)、非晶硅薄膜103面朝上放置在密封室201的底部。壓力氮氣至霧噴頭203連接密封室201、鎳溶液瓶204和脈沖壓力氣體輸入端205。電子控制噴霧的速度和時間，獲得需要的溶液霧團(tuán)206。一定時間后，霧滴均勻的落在非晶硅薄膜103的表面。形成離散的霧滴301，液滴直徑約為50Mm，離散的距離在200Mm。6)、霧滴301形成0.5分鐘后，采用去離子水401沖淋非晶硅薄膜103的表面，使離散微量的鎳402沾附在非晶硅薄膜103的表面，其他的雜質(zhì)被DI水401沖掉。除水后的樣品，烘干后備用。7)、在50(TC退火爐501中退火4小時，退火氣氛為高純氮氣。權(quán)利要求1.一種鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法，其特征在于，是用鎳鹽溶液微小霧滴形成誘導(dǎo)源，誘導(dǎo)非晶硅薄膜變成碟型大晶疇多晶硅薄膜，包括如下步驟第一步、在上面形成有一層阻擋層的襯底上，沉積形成一層非晶硅薄膜；第二步、在非晶硅薄膜上噴灑鎳鹽溶液微小霧滴；第三步、噴灑霧滴后，采用去離子水沖淋非晶硅薄膜的表面，使離散微量的鎳粘敷在非晶硅薄膜的表面，其他的雜質(zhì)被去離子水沖掉；第四步、將第三步得到的樣品烘干后，在高純氮氣氛圍中退火，使非晶硅薄膜以離散微量的鎳為中心橫向晶化為碟型大晶疇多晶硅。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法，其特征在于，第一步中所述的非晶硅薄膜為采用低壓化學(xué)汽相沉積法、或等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積法或濺射沉積法獲得的非晶硅薄膜，厚度為20nm至5000Mm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法，其特征在于，第一步中所述的阻擋層為低壓化學(xué)汽相沉積法、或等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積法或濺射沉積法獲得的低溫氧化硅或氮化硅或二者的混合薄膜，厚度為50nm至500nm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法，其特征在于，第二步中所述的鎳鹽溶液是硝酸鎳、醋酸鎳、氯化鎳中的一種，溶液的稀釋濃度為lppm一100ppm，所述的鎳鹽溶液的PH值為6—9的范圍，溶液的PH值是采用氨水或四甲基氫氧化銨進(jìn)行調(diào)節(jié)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法，其特征在于，第二步中所述的微小霧滴采用壓力氣體噴霧法獲得，霧滴直徑50—200Mm，每平方毫米10—30個霧滴。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法，其特征在于，第三步中所述的微小霧滴在非晶硅薄膜的表面停留0.5—5分鐘之后，用DI水沖洗非晶硅薄膜表面，然后脫水，烘干。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法，其特征在于，第四步中所述的退火方式，是采用石英外加熱爐管退火方式、燈陣加熱爐退火方式、熱隧道退火方式和熱烘箱退火方式中的一種,退火的溫度500—60(TC，退火時間l一4小時。8.—種采用權(quán)利要求1所述的鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法制作的碟型大晶疇多晶硅，其特征在于，所述的碟型大晶疇多晶硅為從中心向四周晶化的晶體結(jié)構(gòu)，晶疇的直徑為20—100Wn，具有的霍耳遷移率大于30cm7Vs。9.一種權(quán)利要求8所述的碟型大晶疇多晶硅的應(yīng)用，其特征在于，包括應(yīng)用碟型大晶疇多晶硅制備的多晶硅薄膜晶體管和多晶硅晶體管電路，以及制備的顯示器象素電極和光電子器件。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的碟型大晶疇多晶硅的應(yīng)用，其特征在于，還包括采用多晶硅電路和象素電極制備的全集成顯示系統(tǒng)。全文摘要本發(fā)明公開一種鎳溶液霧滴法制備碟型大晶疇多晶硅的方法及產(chǎn)品和應(yīng)用，方法包括如下步驟在上面形成有一層阻擋層的襯底上，沉積形成一層非晶硅薄膜；在非晶硅薄膜上噴灑鎳鹽溶液微小霧滴；采用去離子水沖淋非晶硅薄膜的表面，使離散微量的鎳粘敷在非晶硅薄膜的表面，其他的雜質(zhì)被去離子水沖掉；在高純氮氣氛圍中退火，使非晶硅薄膜以離散微量的鎳為中心橫向晶化為碟型大晶疇多晶硅。所述的碟型大晶疇多晶硅為從中心向四周晶化的晶體結(jié)構(gòu)，晶疇的直徑為20-100μm，具有的霍耳遷移率大于30cm²/Vs。本發(fā)明適用在大面積襯底上流水線操作制備多晶硅薄膜材料，成本低廉。其產(chǎn)品可用于制備多晶硅薄膜晶體管及電路，面陣敏感器，顯示器象素電極和光電子器件及其全集成顯示系統(tǒng)。文檔編號C30B28/00GK101319355SQ20081005324公開日2008年12月10日申請日期2008年5月26日優(yōu)先權(quán)日2008年5月26日發(fā)明者吳春亞,孟志國,娟李,熊紹珍申請人:南開大學(xué)