專利名稱：多層印刷線路板,積層印刷線路板的制造方法,和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的一個方面涉及適用于小型電子設(shè)備等的多層印刷線路板。
背景技術(shù)：
與便攜式電子設(shè)備的重量和厚度減少相聯(lián)系，即使在用于設(shè)備的印刷線路板 方面，也需要更大的封裝密度和重量減少。在借助積層方法制造的多層印刷線路板中，形 成積層部的導體層的鍍銅層的厚度(導體箔膜的厚度)小于核心層的鍍銅層的厚度，因而 使得追求更輕的重量和更進一步的薄形化成為可能。然而，當形成導體層的鍍銅的厚度減少時，在使用激光束形成例如盲通孔或 埋通孔的中間通孔的鉆孔加工過程中，開口部的頂端穿透導體層從而到達底層。這產(chǎn)生形 成其底部未填充導體的不規(guī)則形狀的通孔的質(zhì)量問題。作為用于在此類型的多層印刷線路板中形成通孔的技術(shù)，迄今己有以前通過 使全部通孔變?yōu)檠刂韺颖馄降姆绞?，在某些通孔的底部中，形成鍍金屬墊片以及與通孑L 具有相同厚度的阻擋層的技術(shù)(JP-A-2006-186029)，以及用于通過在內(nèi)層導體電路中的 通孔位置中心形成開口孔以增強連接可靠性的技術(shù)UP-A-2002-198653)。然而，這些相 關(guān)技術(shù)不能滿足對于積層部中導,層厚度減少同時維持通孔統(tǒng)一的品質(zhì)的要求。如上所述，迄今已有滿足對于積層部中導體層厚度減少而同時維持通孔質(zhì)量 的一定這方面要求的限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供能夠提供積層部中導體層薄形化的期望而不會影響禾只 層部中形成的通孔質(zhì)量的多層印刷線路板。本發(fā)明提供多層印刷線路板，包含包括形成在其上的凹陷部的絕緣基底； 形成在絕緣基底上的導體圖案，該導體圖案包括通過在凹陷部中嵌入導體所形成的厚月莫 部；以及形成在絕緣基底的上層中的通孔部，該通孔部包括和厚膜部接觸的底部。厚膜部可以對用于在絕緣基底中形成通孔的處理操作起到隔層的作用。
多層印刷線路板可以進一步地包括包括導體層的核心部；其中上層包括堆 疊在核心部上的積層部；并且導體圖案的厚度小于除厚膜部之外的導體層的厚度。
通孔可以包括盲通孔。
通孔可以包括埋通孔。本發(fā)明可以提供用于制造包括核心部和積層部的積層印刷線路板的方法，該 核心部包括導體層，該積層部具有第一絕緣層，第一導體層，第二絕緣層以及第二導體層， 該方法包含通過激光加工第一絕緣層來形成凹陷部以使該凹陷部不到達第一絕緣層的下 部；在第一絕緣層上形成第一導體層以使該第一導體層包括導體圖案，該導體圖案具有形 成在凹陷部中的厚膜部；在第一導體層上形成第二絕緣層以使第一導體層被夾在第一絕緣 層和第二絕緣層之間；以及通過激光加工第二絕緣層以形成通孔并且通過鍍覆第二絕緣層 來形成第二導體層，以使通孔具有和導體圖案的厚膜部接觸的底部；其中第一導體層被形 成為厚度比除了厚膜部之外的導體層小。該方法可以進一步地包括在第二導體層上形成第三絕緣層以使第二導體層 被夾在第二絕緣層和第三絕緣層之間；通過激光加工第三絕緣層來形成第二凹陷部以使第 二凹陷部不到達第三絕緣層的下部；以及在第三絕緣層上形成第三導體層以使第三導體層 包括第二導體圖案，該第二導體圖案具有形成在第二凹陷部中的第二厚膜部；其中通孔l皮 形成為埋通孔；并且第二通孔被形成為盲通孔。本發(fā)明可以包括電子設(shè)備，包含主體；以及設(shè)置在主體中的電路板；其中 電路板包括包括形成在其上的凹陷部的絕緣基底；形成在絕緣基底上的導體圖案，該導 體圖案包括通過在凹陷部中嵌入導體形成的厚膜部；以及形成在絕緣基底的上層中的中間 通孔部，該通孔部包括和厚膜部捧觸的底部。


現(xiàn)在將參考附圖描述實施本發(fā)明各種特征的總體構(gòu)造。附圖以及相關(guān)的描述 被提供以圖解本發(fā)明的實施例而并不限制本發(fā)明的范圍。圖l是顯示第一實施例的積層印刷線路板的主要部分的結(jié)構(gòu)的圖；
圖2是顯示制造第一實施例的積層印刷線路板的步驟的圖；
圖3是顯示制造第一實施例的積層印刷線路板的步驟的圖；
圖4是顯示制造第一實施例的積層印刷線路板的步驟的圖；
圖5是顯示制造第一實施例的積層印刷線路板的步驟的圖6是顯示第二實施例的積層印刷線路板的結(jié)構(gòu)的圖；
圖7是顯示第三實施例的積層印刷線路板的結(jié)構(gòu)的圖；
圖8是顯示使用第四實施例的積層印刷線路板的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的圖；
圖9是顯示形成根據(jù)一個實施例的厚膜部的實例應用的圖；
圖IO是顯示形成根據(jù)一個實施例的厚膜部的實例應用的圖；
圖11是顯示形成根據(jù)一個實施例的厚膜部的實例應用的圖；
圖12是顯示形成根據(jù)一個實施例的厚膜部的實例應用的圖；
圖13是顯示形成根據(jù)一個實施例的厚膜部的實例應用的圖；以及
圖14是顯示形成根據(jù)一個實施例的厚膜部的實例應用的圖。
具體實施例方式以下將參考

根據(jù)本發(fā)明的各種實施例。大體上，根據(jù)本發(fā)明的一個 實施例，多層印刷線路板包括包括形成在其上的凹陷部的絕緣基底；形成在絕緣基底上 的導體圖案，該導體圖案包括通過在凹陷部中嵌入導體所形成的厚膜部；以及形成在絕緣 基底的上層中的通孔部，該通孔部包括和厚膜部接觸的底部。根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的多層印刷線路板的主要部分的結(jié)構(gòu)如圖1所示。 如圖1所示，第一實施例的積層多層印刷線路板10包括絕緣襯底13;不到達在絕緣襯底 13中形成的底層的凹陷部H2;配備在絕緣襯底13上并且具有其中通過利用導體掩埋凹陷 部H2形成厚膜部14t的導體圖案Mp的導體層14;以及配備在絕緣襯底13的上層中的通 孔16a，同時通孔的底部保持和厚膜部14t接觸。 -絕緣襯底13經(jīng)過配備在核心部11的上層上的導體層12堆疊在核心部11上， 從而構(gòu)成積層部的內(nèi)絕緣層。絕緣襯底15經(jīng)過導體層14堆疊在絕緣襯底13上，從而構(gòu) 成積層部的外絕緣層。外絕緣層配備有導體層16。內(nèi)絕緣層被指定與絕緣襯底13相同的 參考標號，并且外絕緣層被指定與絕緣襯底15相同的參考標號。絕緣襯底13被稱為第一 絕緣層；絕緣襯底15被稱為第二絕緣層；導體層14被稱為第一導體層；以及導體層16 被稱為第二導體層。通孔16a是用于將第一導體層14導電連接至第二導體層16的中間通孔(IVH: interstitial via holes)。當配備在積層部的外層側(cè)上時，通孔起盲通孔的作用(跳 blind via holes)。當配備在積層部內(nèi)層側(cè)上時，通孔起埋通孔的作用。
第一導體層14除厚膜部14t之外的鍍覆厚度tb (膜厚度)被形成以變得小于 配備在核心部ll上的導體層12的鍍覆厚度ta。具體來說，第一導體層14被形成為除位 于通孔底部的圖案區(qū)域之外，小于導體層12的鍍覆厚度。在本實施例中，第一導體層14 的鍍覆厚度(膜厚度)tb被設(shè)置為配備在核心部11上的導體層12的鍍覆厚度ta的二分 之一以下。當?shù)谝粚w層14被形成為包括位于通孔底部的圖案區(qū)域的均勻薄膜時，借助 于通過在通孔形成過程中使用激光束進行的鉆孔加工，存在穿透以薄膜形式形成的第一導 體層14的開口的頂端，因而形成其底部未填充導體的不規(guī)則形狀的通孔的可能。相反， 根據(jù)本實施例，厚膜部14t作為相對于用于形成通孔的鉆孔加工的隔層，從而防止開口的 頂端穿透薄膜。因此，其底部均勻地填充導體的正常形狀的通孔能夠被形成，并且第一導 體層14除厚膜部14t之外的鍍覆厚度(膜厚度)能夠被減少。從而，在沒有影響積層部 中形成的通孔的質(zhì)量的情況下,能夠期望積層部中導體層的厚度減少。圖2到5顯示形成厚膜部14t和其底部與厚膜部14t接觸的通孔16a的步驟。 除厚膜部14t和通孔16a之外，作為實例，附圖也顯示有形成填充的通孔FV的積層結(jié)構(gòu)。在圖2所示的步驟1中，將作為積層部內(nèi)絕緣層的第一絕緣層13通過配備在 核心部11上表面上的導體層12被堆疊在核心部ll上。借助于激光束LB對第一絕緣層13 進行鉆孔，從而開口；例如，為形成其底部與核心部11的導體層12接觸的填充通孔FV， 開口穿透第一絕緣層13的孔Hl 。即使在此激光加工步驟中，也要借助于其能量低于用于鉆孔H1的激光輻射的 激光束LB,對第一絕緣層13上將定位中間通孔的底部的區(qū)域進行鉆孔，從而形成淺孔； 即，不到達底層的凹陷部H2。在圖3所示的步驟2中，形成在第一絕緣層13中的孔H1和H2填充導體鍍； 例如，鍍銅，從而形成其上表面扁平的第一導體層14。借助于鍍銅步驟，在孔H1中建立 到達核心部11的導體層12的填充的通孔FV，于是形成在孔H2中具有厚膜部14t的導體 圖案14p。如圖l所示，通過使得除填充的通孔FV和厚膜部14t之外的區(qū)域(包括導體圖 案14p的布線圖案區(qū)域)的鍍銅的厚度比配備在核心部11中的導體層12的鍍覆厚度小白勺 方式形成第一導體層14。在激光加工步驟中，厚膜部14t起阻止通過利用激光束LB進行FffS L加工的 隔層的作用，從而防止開口的頂端的穿透。因而，即使當薄薄地形成第一導體層14的時 候，也能夠形成用于其底部填充第一導體層14的通孔的孔。在圖5所示的步驟4中，用銅鍍步驟3中被鉆孔的孔，借此形成具有其底部 與厚膜部14t接觸的中間通孔16a的第二導體層16。根據(jù)制造這樣的積層印刷線路板的步驟，能夠形成其底部均勻地填充導體的 正常形狀的通孔，并且除厚膜部Mt之外導體層14的圖案的鍍覆厚度(膜厚度)能夠被 減少。結(jié)果，在沒有影響積層部中形成的通孔的質(zhì)量的情況下，能夠期望積層部中導體層 的厚度減少。圖6顯示應用了第一實施例的通孔的積層印刷線路板的第二實施例。在圖6所示的第二實施例中，每一個由兩層組成的積層部22和23被堆疊在 由包括四層的多層板構(gòu)成的核心部21的兩個外層上(各個外層上)。在這些積層部22和23中形成的通孔22a， 22b， 23a，和23b中，在積層部 22和23之間建立層間連接的通孔，即，盲通孔(BVH) 22b和23b，如第一實施例所描述 的，被分別地形成在其中厚膜部22t和23t被形成在圖案底部的導體圖案上。借助于該結(jié)構(gòu)，設(shè)置在積層部22和23中的層之中的導體層除將形成厚膜部 22t和23t的區(qū)域之外可以做得薄。因而，在沒有影響積層部中形成的通孔的質(zhì)量的情 兄 下，能夠期望積層部中導體層的厚度減少。圖7顯示應用第一實施例的通孔的積層印刷線路板的第三實施例。在圖7所示的第三實施例中，每一個由三層組成的積層部32和33被堆疊在 由包括四層的多層板構(gòu)成的核心部31的兩個外層上。在這些積層部32和33中形成的通孔32a， 32b， 32c， 33a， 33b，和33c中， 在積層部32和33內(nèi)建立層間連接的通孔，即，在內(nèi)層中建立連接的埋通孔32b和33b， 以及設(shè)置在外層中的盲通孔(BVH) 32c和33c，被分別地形成在其中厚膜部32t和33t |皮 形成在圖案底部的導體圖案上，如第一實施例所描述的。借助于該結(jié)構(gòu)，設(shè)置在積層部32和33中的層之中的導體層除將形成厚膜部 32t和33t的區(qū)域之外可以做得薄。因而，在沒有影響積層部中形成的通孔的質(zhì)量的情7兄 下，能夠期望積層部中導體層的厚度減少。圖8顯示本發(fā)明第四實施例的便攜式電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)。第四實施例的便攜式 電子設(shè)備通過利用應用第一實施例的通孔的積層印刷線路板構(gòu)成電路板。
在圖8中，顯示部外殼53通過鉸鏈機構(gòu)被樞軸地附接至便攜咒電'予設(shè)備51 的主單元52。主單元52配備有操作部，例如定點裝置，鍵盤54，等等。顯示部外殼53 配備有顯示裝置55，例如LCD。此外，主單元52配備有鍵盤54和電路板(母板)56,其上安裝有用于控制 顯示裝置55等等的輸入和輸出的控制電路元件(Pl， P2，...)。電路板56的主要部分 的結(jié)構(gòu)如圖1所示，并且通過利用圖6所示的積層印刷線路板60形成堆疊結(jié)構(gòu)。在積層 印刷線路板60中，每一個由兩層組成的積層部62和63，被分別地堆疊在由包括四個層的 多層板組成的核心部61的兩個外層上。在積層部62和63中形成的通孔62a， 62b， 63a，和63b中，用于在積層部 62和63之中建立層間連接的通孔，g卩，盲通孔(BVH) 62b和63b被分別地形成在其中厚 膜部62t和63t被形成在底部的導體圖案上，如部分地放大的。作為通過利用這樣的結(jié)構(gòu)的積層印刷線路板60形成電路板56的結(jié)果，電路 板能夠有助于減少便攜式電子設(shè)備51的厚度。圖9到11和圖12到14顯示應用的實例，其中本發(fā)明第一實施例所描述的厚 膜部被應用于除將建立通孔的區(qū)域以外的區(qū)域。圖11顯示其中用于形成第一實施例的厚膜部的單元被應用于在電路工作過禾呈 中散熱的電子元件(以下叫做"發(fā)熱元件")79的散熱通道的實例。在此實例中，在將安 裝電路板70的發(fā)熱元件79的安裝區(qū)域中，厚膜部74t被形成在內(nèi)導體層74中，并且通 孔TH被形成以穿透厚膜部74t，從而建立散熱通道。借助于這樣的結(jié)構(gòu)，高效的熱傳導通 道能夠被形成用于發(fā)熱元件79。如圖9所示，在構(gòu)成這樣的電路板70的積層襯底中，用于積層部的絕緣層73， 通過核心部的導體層72,被堆疊在構(gòu)成核心部的絕緣層71上。不到達導體層72的凹陷咅P Ha借助于使用激光通道LB的鉆孔加工被形成在絕緣層73中。如圖10所示，形成有凹陷部H的絕緣層73受到鍍銅，因而借助于鍍銅填充 凹陷部H。從而，具有厚膜部74t的導體層74被形成在積層部的絕緣層73上。如圖11所示，使通孔TH穿透厚膜部74t，從而形成使能高效的傳導發(fā)熱元^牛 79中導出的熱的熱傳導通道。圖12顯示其中用于形成第一實施例的厚膜部的單元被應用于例如用于差分〈言 號的傳輸通道的需要阻抗控制的電路圖形的實例。在此實例中，在積層襯底80中，電足各 圖形84和厚度與電路圖形84不同并且其阻抗被控制的電路圖形85被形成在積層部的內(nèi)層中。電路圖形87和厚度與電路圖形87不同并且其阻抗被控制的電路圖形88被形成在 積層部的外層中。如圖12所示，在積層襯底80中，用于積層部的絕緣層83，通過核心部的導 體層82，被堆疊在形成核心部的絕緣層81上。不到達導體層82的凹陷部Hla借助于使用 激光通道LB的鉆孔加工被形成在絕緣層83中。其中形成凹陷部Hl的絕緣層83當凹陷部Hla被包括時受到鍍銅。如圖13所 示，厚度與電路圖形84不同并且其阻抗被控制的電路圖形85被形成在這樣形成的凹陷部 Hl中。此外，如圖13所示，絕緣層86被堆疊在絕緣層83上，并且不到達導體層84 和85的凹陷部H2a借助于使用激光通道LB的鉆孔加工被形成在絕緣層86中。其中形成 凹陷部H2a的絕緣層86受到鍍銅。這樣，如圖14所示，厚度與電路圖形87不同并且其 阻抗被控制的電路圖形88被形成。通過具有這樣的結(jié)構(gòu)，特定的電路圖形能夠受到阻抗控制同時設(shè)法減少積層 部中導體層的厚度。雖然本發(fā)明的某些實施例己經(jīng)被說明，但是這些實施例僅已經(jīng)通過實例表現(xiàn)， 并且不意欲限制本發(fā)明的范圍。實際上，在本文中說明的新的方法和系統(tǒng)可以以各種其它 的形式體現(xiàn)；此外，在沒有背離本發(fā)明精神的情況下，可以作出以在本文中說明的方法和 系統(tǒng)的形式的各種省略，替換和變化。所附的權(quán)利要求及其等價物是用來涵蓋如將落在本 發(fā)明的范圍和精神之內(nèi)的各種形式或變形。
權(quán)利要求
1. 一種多層印刷線路板，其特征在于，包含包括形成在其上的凹陷部的絕緣基底；形成在所述絕緣基底上的導體圖案，所述導體圖案包括通過在所述凹陷部中嵌入導體所形成的厚膜部；以及形成在所述絕緣基底的上層中的通孔部，所述通孔部包括和所述厚膜部接觸的底部。
2. 如權(quán)利要求1所述的多層印刷線路板，其特征在于，所述厚膜部對用于在所述絕緣 基底中形成通孔的處理操作起到隔層的作用。
3. 如權(quán)利要求2所述的多層印刷線路板，其特征在于，進一步地包含包括導體層的 核心部；其中所述上層包括堆疊在所述核心部上的積層部；并且 所述導體圖案的厚度小于除所述厚膜部之外的所述導體層的厚度。
4. 如權(quán)利要求3所述的多層印刷線路板，其特征在于，所述通孔包括盲通孔。
5. 如權(quán)利要求3所述的多層印刷線路板，其特征在于，所述通孔包括埋通孔。
6. —種用于制造包括核心部和積層部的積層印刷線路板的方法，所述核心部包括導1本 層，所述積層部具有第一絕緣層、第一導體層、第二絕緣層以及第二導體層，所述方法包 含通過激光加工所述第一絕緣層來形成凹陷部，以使所述凹陷部不到達所述第一絕緣層 的下部；在所述第一絕緣層上形成所述第一導體層，以使所述第一導體層包括導體圖案，所述 導體圖案具有形成在所述凹陷部中的厚膜部；在所述第一導體層上形成所述第二絕緣層，以使所述第一導體層被夾在所述第一絕緣 層和所述第二絕緣層之間；以及通過激光加工所述第二絕緣層以形成通孔并且通過鍍覆所述第二絕緣層，來形成所述 第二導體層，以使所述通孔具有和所述導體圖案的所述厚膜部接觸的底部；其中所述第一導體層被形成為在厚度上比除了所述厚膜部之外的導體層小。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，進一歩地包含在所述第二導體層上形成第三絕緣層，以使所述第二導體層被夾在所述第二絕緣層和 所述第三絕緣層之間；通過激光加工所述第三絕緣層來形成第二凹陷部，以使所述第二凹陷部不到達所述第 三絕緣層的下部；以及在所述第三絕緣層上形成第三導體層，以使所述第三導體層包括第二導體圖案，所述 第二導體圖案具有形成在所述第二凹陷部中的第二厚膜部，其中所述通孔被形成為埋通孔；并且所述第二通孔被形成為盲通孔。
8. —種電子設(shè)備，其特征在于，包含 主體；以及設(shè)置在所述主體中的電路板； 其中所述電路板包括包括形成在其上的凹陷部的絕緣基底；形成在所述絕緣基底上的導體圖案，所述導體圖案包括通過在所述凹陷部中嵌 入導體形成的厚膜部；以及以及形成在所述絕緣基底的上層中的中間通孔部，所述通孔部包括和所述厚膜 部接觸的底部。
全文摘要
多層印刷線路板包括包括形成在其上的凹陷部的絕緣基底；形成在絕緣基底上的導體圖案，該導體圖案包括通過在凹陷部中嵌入導體所形成的厚膜部；以及形成在絕緣基底的上層中的通孔部，該通孔部包括和厚膜部接觸的底部。
文檔編號H05K3/46GK101448374SQ200810149078
公開日2009年6月3日 申請日期2008年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月27日
發(fā)明者長谷川健治 申請人:株式會社東芝