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      一種適用于90爐的大投料的熱場系統(tǒng)的制作方法

      文檔序號:8203735閱讀:662來源:國知局
      專利名稱:一種適用于90爐的大投料的熱場系統(tǒng)的制作方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及單晶硅制造領域,特別涉及一種適用于90爐的大投料的熱場系統(tǒng)。
      背景技術
      硅(Si)是一種半導體元素,太陽能硅電池片利用硅的特性,在硅表面形成光伏特 效應,產(chǎn)生電能。為制備太陽能電池片,需要將單晶硅原料重熔后定向凝固,然后切片做成 電池片組件。為實現(xiàn)單晶硅的定向長晶凝固過程,需要一個能穩(wěn)定長晶的熱場系統(tǒng),該熱場 系統(tǒng)包括上爐室、位于中部的加熱器以及下爐室,所述上下爐室主要起保溫隔熱的作用,所 述加熱器主要是提供熱場系統(tǒng)升溫所需要的熱能。目前大部分使用的是80和85型號的單晶爐。就80和85型號的單晶爐要是還沒 有加大投料量,或降低能耗的情況下我想其利潤是看的見的,但目前80%的80型號的單晶 爐還是18寸的熱場投料量也就是在55-60KG之間,85型號的也是20寸熱場在70-80KG之 間,如果在生產(chǎn)過程中因種種因數(shù)發(fā)生的生產(chǎn)事故,導致你的有可能整爐料報廢。而專利號為200420079639申請公開了一種硅單晶的熱系統(tǒng)裝置,其系統(tǒng)裝置包 括石墨堝,加熱器,保溫罩,保溫蓋,保溫材料,熱系統(tǒng)上部設有導流筒和保溫蓋,下部設有 爐底護盤,爐底護盤的底部和周圍設有保溫材料,保溫罩及保溫罩外側的保溫材料支撐在 爐底護盤上,保溫蓋設置在石墨罩上面,導流設置在保溫蓋的蓋口內。在上述的傳統(tǒng)熱場系統(tǒng)中,其缺點是所述系統(tǒng)內部的供熱效果還不能令人滿意, 而且熱系統(tǒng)裝置在加料上也不足,這也導致產(chǎn)量少。

      發(fā)明內容
      本發(fā)明的目的是提供一種適用于90爐的大投料的熱場系統(tǒng),可很好的實現(xiàn)供熱 和保溫,增加投料量?!矫妫景l(fā)明提供一種用于太陽能單晶硅制造的熱場系統(tǒng),包括上爐室、位于中 部的加熱器以及下爐室。采用本發(fā)明所述的一種適用于90爐的大投料的熱場系統(tǒng),所述熱場系統(tǒng)的增加 投料量,降低制造成本。本發(fā)明的技術方案為一種用于太陽能單晶硅制造的熱場系統(tǒng),包括單晶爐室,石 墨堝,托桿,加熱器,三瓣堝,導流筒,保溫筒,保溫蓋,其中單晶爐室內設置有保溫筒,保溫 筒設置保溫蓋,保溫筒內設置導流筒,導流筒與保溫蓋是連接在一起的,導流筒的上端口與 保溫蓋連接,下端口伸入石墨堝內,加熱器位于三瓣堝和保溫筒側壁之間,環(huán)繞三瓣堝設 置,三瓣堝下端設置有托桿,其中所述導流筒內徑范圍為0260到0300 mm,高度范圍為330 到410mm,所述加熱器的內徑范圍為0620到0680mm,所述三瓣堝內徑范圍為0538到0578 mmD所述導流筒分為導流筒內層.導流筒外層,導流筒內層的內徑范圍為0293到 03 33 mm,導流筒外層的內徑范圍為02 6 O到0300 mm。
      所述保溫筒分上保溫筒.中保溫筒,下保溫筒,其中保溫筒底部有下保溫筒,中部 有中保溫筒和頂部有上保溫筒,上保溫桶筒的內徑范圍為0692到0732mm,中保溫筒的內徑 范圍為0704到0744 mm,下保溫筒的內徑范圍為0704到0744 mm。所述保溫蓋分上保溫蓋和下保溫蓋,其中上保溫筒上設置有下保溫蓋,導流筒上 設置有上保溫蓋,上保溫蓋的內徑為0522到0562mm,下保溫蓋的內徑為0493到0533mm。所 述托桿的外徑為0341到037 3 mm。本發(fā)明的有效效果為本發(fā)明通過調整系統(tǒng)內部的大小和結構,能提高供熱效果, 而且熱系統(tǒng)裝置在加料上也充分,產(chǎn)量增大。


      圖1為本發(fā)明所述的熱場系統(tǒng)的結構圖;其中圖形標記為1.托桿2.加熱器3.三瓣堝4.導流筒內層5.導流筒外層6.上保溫桶筒7.中保 溫筒8.下保溫筒9.上保溫蓋10.下保溫蓋11.上爐室
      具體實施例方式下面結合附圖和實施例進一步說明本發(fā)明的技術方案。參見圖1,圖1顯示了一種用于太陽能單晶硅制造的熱場系統(tǒng),包括單晶爐室,石 墨堝,托桿1,加熱器2,三瓣堝3,導流筒內層4,導流筒外層5,上保溫桶筒6,中保溫筒7,下 保溫筒8,上保溫蓋9和下保溫蓋10,其中單晶爐室內設置有上保溫桶筒6,中保溫筒7和 下保溫筒8,上保溫桶筒6和下保溫筒8上分別設置有上保溫蓋9和下保溫蓋10,在上保溫 桶筒6,中保溫筒7和下保溫筒8內部都設置有導流筒內層4和導流筒外層5,導流筒外層 5分別于對應的上保溫蓋9和下保溫蓋10連接,導流筒外層5的上端口與上保溫蓋9和下 保溫蓋10連接,下端口伸入石墨堝內,加熱器2位于三瓣堝3和各保溫筒側壁之間,環(huán)繞三 瓣堝3設置,三瓣堝3下端設置有托桿1。下面介紹一下使用本發(fā)明取得的預期效果(本發(fā)明是對熱場系統(tǒng)的改進,故通過 改進前和改進后的對比進行說明)具體實施例1
      在90-22內裝不同的石墨熱場,其中各個部件的尺寸大小如下
      1.托桿外徑037 3 mm
      2.加熱器內徑0644 mm,總高度655mm,發(fā)熱區(qū)500mm
      3.三瓣堝外徑0608 mm,內徑0558 mm,高度412mm
      4.導流筒內層內徑0313 mm,高度357mm
      5.導流筒外層內徑下0300 mm,高度370mm
      6.上保溫桶筒內徑0712 mm,總高度MOmm,子口高度IOmm
      7.中保溫筒內徑0724mm,高度560讓
      8.下保溫筒內徑0724謹,高度320謹
      9.上保溫蓋內徑05 4 2 mm,外徑08 96 mm
      10.下保溫蓋內徑0513 mm
      具體實施例2 在90-22內裝不同的石墨熱場,其中各個部件的尺寸大小如下1.托桿夕卜徑036 O mm2.加熱器外徑0662謹,總高度655mm,發(fā)熱區(qū)500謹3.三瓣堝外徑0590_,內徑0540_,高度412_4.導流筒內層內徑0299mm,高度357_5.導流筒外層內徑下0285 _,高度370_6.上保溫桶筒內徑0698 _,總高度MOmm,子口高度10_7.中保溫筒內徑0712謹,高度560謹8.下保溫筒內徑0712謹,高度320謹9.上保溫蓋內徑0525匪,外徑0882匪10.下保溫蓋內徑0504mm具體實施例3 改進前與改進后具體實施例1的熱場系統(tǒng)的價格和成品率對比改進后成品率明 顯上升并穩(wěn)定,提高了 60%,說明熱場改進后對正常生產(chǎn)提高產(chǎn)量起到了很大的改善。具體 參見表1和表2 表1 價格
      規(guī)格熱場價格(元/套)石英坩堝價格(元/只)85爐 (18")95000155085爐 (20")122000255090爐 (22")2000004500表2:改進后成品率
      規(guī)格石英坩堝規(guī)格實際投料量(Kg)85爐18"60(18")85爐 (20")20"7590爐 (22")22"120
      5
      改進前與改進后的實際產(chǎn)出合格長度和拉晶周期對比能耗
      權利要求
      1.一種用于太陽能單晶硅制造的熱場系統(tǒng),包括單晶爐室,石墨堝,托桿,加熱器,三瓣 堝,導流筒,保溫筒,保溫蓋,其中單晶爐室內設置有保溫筒,保溫筒上設置保溫蓋,保溫筒 內設置導流筒,導流筒與保溫蓋是連接在一起的,導流筒的上端口與保溫蓋連接,下端口伸 入石墨堝內,加熱器位于三瓣堝和保溫筒側壁之間,環(huán)繞三瓣堝設置,三瓣堝下端設置有托 桿,其中所述導流筒內徑范圍為0260到0300mm,高度范圍為330到410mm,所述加熱器的內 徑范圍為06 2 0到06 8 0麵,所述三瓣堝內徑范圍為05 38到05 7 8 mm。
      2.如權利要求1所述的熱場系統(tǒng),其特征在于,所述導流筒分為導流筒內層.導流筒外 層,導流筒內層的內徑范圍為0293到0333醒,導流筒外層的內徑范圍為0260到0300mm。
      3.如權利要求1所述的熱場系統(tǒng),其特征在于,所述保溫筒分上保溫筒.中保溫筒.下 保溫筒.其中保溫筒底部有下保溫筒,中部有中保溫筒和頂部有上保溫筒,上保溫桶筒的 內徑范圍為0692到0732醒,中保溫筒的內徑范圍為0704到0744 mm,下保溫筒的內徑范 圍為0704到0744醒。
      4.如權利要求1至3任一所述的熱場系統(tǒng),其特征在于,所述保溫蓋分上保溫蓋和下 保溫蓋,其中上保溫筒上設置有下保溫蓋,導流筒上設置有上保溫蓋,上保溫蓋的內徑為 05 2 2到05 6 2ηπη,下保溫蓋的內徑為04 9 3到05 3 3mm。
      5.如權利要求1至3任一所述的熱場系統(tǒng),其特征在于,所述托桿的外徑為0341到 0373咖。
      全文摘要
      本發(fā)明揭示了一種用于太陽能單晶硅制造的熱場系統(tǒng),包括單晶爐室,石墨堝,托桿,加熱器,三瓣堝,導流筒,保溫筒,保溫蓋,其中單晶爐室內設置有保溫筒,保溫筒上設置保溫蓋,保溫筒內設置導流筒,導流筒與保溫蓋是連接在一起的,導流筒的上端口與保溫蓋連接,下端口伸入石墨堝內,加熱器位于三瓣堝和保溫筒側壁之間,環(huán)繞三瓣堝設置,三瓣堝下端設置有托桿,其中所述導流筒內徑范圍為到高度范圍330-410mm,所述加熱器的內徑范圍為到所述三瓣堝內徑范圍為到本發(fā)明的熱場系統(tǒng)可促進爐室的保溫,增大投料量。
      文檔編號C30B15/14GK102108545SQ20091026483
      公開日2011年6月29日 申請日期2009年12月24日 優(yōu)先權日2009年12月24日
      發(fā)明者唐旭輝 申請人:江蘇聚能硅業(yè)有限公司
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